本發(fā)明具體涉及一種級(jí)聯(lián)光波導(dǎo)濾波器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有光波導(dǎo)濾波器結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，且傳輸損耗較大，濾波效果不夠理想，本發(fā)明專(zhuān)利的發(fā)明目的在于提供一種級(jí)聯(lián)光波導(dǎo)濾波器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，濾波效果好。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種級(jí)聯(lián)光波導(dǎo)濾波器，該級(jí)聯(lián)光波導(dǎo)濾波器可以很好地解決上述問(wèn)題。
為達(dá)到上述要求，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：提供一種級(jí)聯(lián)光波導(dǎo)濾波器，該級(jí)聯(lián)光波導(dǎo)濾波器一種級(jí)聯(lián)光波導(dǎo)濾波器，包括波導(dǎo)帶通單元和高頻抑制單元；
所述波導(dǎo)帶通單元和高頻抑制單元電連接；
所述波導(dǎo)帶通單元與標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)接口電連接；
所述高頻抑制單元與第二標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)接口電連接；
所述高頻抑制單元內(nèi)部設(shè)置有上波導(dǎo)和下波導(dǎo)；
上波導(dǎo)和下波導(dǎo)之間為空氣層，所述下波導(dǎo)由上至下依次為銀膜、pmn-pt陶瓷層、銀膜。
上波導(dǎo)由上高樹(shù)脂材料層、波導(dǎo)、下高樹(shù)脂材料層構(gòu)成；波導(dǎo)位于中部，上高樹(shù)脂材料層、下高樹(shù)脂材料層對(duì)稱(chēng)設(shè)置于波導(dǎo)的兩側(cè)。
上高樹(shù)脂材料層和下高樹(shù)脂材料層上均對(duì)稱(chēng)開(kāi)有向內(nèi)傾斜的通光孔。
該級(jí)聯(lián)光波導(dǎo)濾波器具有的優(yōu)點(diǎn)如下：
本發(fā)明專(zhuān)利下波導(dǎo)和上波導(dǎo)均是由pmn-pt陶瓷和銀膜組成，上波導(dǎo)的兩側(cè)設(shè)有不透明的高樹(shù)脂材料層，兩側(cè)的高樹(shù)脂材料層上對(duì)稱(chēng)開(kāi)有通光孔，即進(jìn)光孔和出光孔，光線由進(jìn)光孔進(jìn)入空氣層，經(jīng)在下波導(dǎo)和上波導(dǎo)的薄銀膜反射后，由出光孔反射出去，當(dāng)導(dǎo)波層的厚度、折射率和銀膜介電常數(shù)不變時(shí)。
附圖說(shuō)明
此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)
本技術(shù)：
的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，在這些附圖中使用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或相似的部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：
圖1示意性地示出了根據(jù)本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施例的級(jí)聯(lián)光波導(dǎo)濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例，對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明。
在以下描述中，對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“一個(gè)示例”、“示例”等等的引用表明如此描述的實(shí)施例或示例可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)、特性、性質(zhì)、元素或限度，但并非每個(gè)實(shí)施例或示例都必然包括特定特征、結(jié)構(gòu)、特性、性質(zhì)、元素或限度。另外，重復(fù)使用短語(yǔ)“根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例”雖然有可能是指代相同實(shí)施例，但并非必然指代相同的實(shí)施例。
為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，以下描述中省略了本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的某些技術(shù)特征。
根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，提供一種級(jí)聯(lián)光波導(dǎo)濾波器，如圖1所示，包括波導(dǎo)帶通單元和高頻抑制單元；
所述波導(dǎo)帶通單元和高頻抑制單元電連接；
所述波導(dǎo)帶通單元與標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)接口電連接；
所述高頻抑制單元與第二標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)接口電連接；
所述高頻抑制單元內(nèi)部設(shè)置有上波導(dǎo)和下波導(dǎo)；
上波導(dǎo)和下波導(dǎo)之間為空氣層，所述下波導(dǎo)由上至下依次為銀膜、pmn-pt陶瓷層、銀膜。
根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，上波導(dǎo)由上高樹(shù)脂材料層、波導(dǎo)、下高樹(shù)脂材料層構(gòu)成；波導(dǎo)位于中部，上高樹(shù)脂材料層、下高樹(shù)脂材料層對(duì)稱(chēng)設(shè)置于波導(dǎo)的兩側(cè)。
根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，上高樹(shù)脂材料層和下高樹(shù)脂材料層上均對(duì)稱(chēng)開(kāi)有向內(nèi)傾斜的通光孔。
以上所述實(shí)施例僅表示本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能理解為對(duì)本發(fā)明范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明保護(hù)范圍。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以所述權(quán)利要求為準(zhǔn)。