雙級(jí)光隔離器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供的雙級(jí)光隔離器，包括法拉第晶體和偏振片；其中偏振片包括第一偏振片、第二偏振片和第三偏振片；法拉第晶體包括第一法拉第晶體和第二法拉第晶體；第一法拉第晶體波長(zhǎng)范圍為1280nm～1330nm，其中心波長(zhǎng)設(shè)置為1290nm；第二法拉第晶體110b的波長(zhǎng)范圍為1320nm～1340nm，其中心波長(zhǎng)設(shè)置為1230nm；因此，本實(shí)用新型的雙級(jí)光隔離器的隔離度值對(duì)波長(zhǎng)變化的敏感度降低了，在1310nm±40nm的波長(zhǎng)點(diǎn)，其隔離度值從66dB降到60dB左右。
【專利說(shuō)明】
雙級(jí)光隔離器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及光纖通訊【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及雙級(jí)光隔離器。

【背景技術(shù)】
[0002]雙級(jí)光隔離器相對(duì)單級(jí)光隔離器具有更好溫度性能，更寬帶寬范圍和更高隔離度已被廣泛應(yīng)用于光纖通訊中。
[0003]請(qǐng)參考圖la，圖1a為現(xiàn)有的中心波長(zhǎng)為1310nm帶寬雙級(jí)光隔離器。其結(jié)構(gòu)包括法拉第晶體100及偏振片200。其中，法拉第晶體100包括第一法拉第晶體10a和第二法拉第晶體100b，其中心波長(zhǎng)均為1310nm。且其偏振片200包括第一偏振片200a、第二偏振片200b和第三偏振片200c，其中，第一偏振片200a設(shè)置為0°偏振片，第二偏振片200b設(shè)置為45°偏振片，第三偏振片200c設(shè)置為90°偏振片。入射光依次經(jīng)過(guò)第一偏振片200a、第一法拉第晶體100a、第二偏振片200b、第二法拉第晶體10b和第三偏振片200c。
[0004]請(qǐng)同時(shí)參考圖lb，圖1b為圖1a的雙級(jí)光隔離器的隔離度-波長(zhǎng)曲線示意圖。從圖1b中可以看出，光路中的反方向波長(zhǎng)為1310nm的情況下，反向光路具有較高的隔離度，在64dB以上；但是當(dāng)反向光波長(zhǎng)偏離1310nm時(shí)，其光隔離度的衰減很快，在反向光波長(zhǎng)為1310nm±40nm的波長(zhǎng)點(diǎn)，隔離度降到54dB以下?，F(xiàn)有的雙級(jí)光隔離器對(duì)波長(zhǎng)變化反應(yīng)敏感，造成雙級(jí)光隔離器的隔離度值不穩(wěn)定。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型提供一種隔離度隨波長(zhǎng)變化衰減緩慢的雙級(jí)光隔離器。
[0006]為了達(dá)到上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案如下:雙級(jí)光隔離器，包括法拉第晶體和偏振片；其中偏振片包括第一偏振片、第二偏振片和第三偏振片；法拉第晶體包括第一法拉第晶體和第二法拉第晶體；第一法拉第晶體波長(zhǎng)范圍為1280nm?1330nm，其中心波長(zhǎng)為1290nm;第二法拉第晶體的波長(zhǎng)范圍為1320nm?1340nm，其中心波長(zhǎng)為1230nmo
[0007]其中，優(yōu)選實(shí)施方式為:第一法拉第晶體長(zhǎng)度范圍為0.3mm?1.5mm，高度范圍為0.3mm?1.5mm ;第二法拉第晶體長(zhǎng)度范圍為0.3mm?1.5mm,高度范圍為0.3mm?1.5mm。
[0008]其中，優(yōu)選實(shí)施方式為::第一偏振片設(shè)置為0°偏振片，第二偏振片設(shè)置為45°偏振片，第三偏振片設(shè)置為90°偏振片。
[0009]其中，優(yōu)選實(shí)施方式為:入射光依次經(jīng)過(guò)第一偏振片、第一法拉第晶體、第二偏振片、第二法拉第晶體和第三偏振片；反向光依次經(jīng)過(guò)第三偏振片、第二法拉第晶體、第二偏振片、第一法拉第晶體和第一偏振片。
[0010]本實(shí)用新型的雙級(jí)光隔離器相比于現(xiàn)有技術(shù)來(lái)說(shuō)具有以下優(yōu)點(diǎn)和積極效果:本實(shí)用新型的雙級(jí)光隔離器的隔離度值對(duì)波長(zhǎng)變化的敏感度降低了，在1310nm±40nm的波長(zhǎng)點(diǎn)，其隔離度值從66dB降到60dB左右。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1a為現(xiàn)有的中心波長(zhǎng)為1310nm帶寬雙級(jí)光隔離器。
[0012]圖1b為圖1a的雙級(jí)光隔離器的隔離度-波長(zhǎng)曲線示意圖。
[0013]圖2a為本實(shí)用新型的雙級(jí)光隔離器。
[0014]圖2b為圖2a的雙級(jí)光隔離器的隔離度-波長(zhǎng)曲線示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]為使對(duì)本實(shí)用新型的目的、構(gòu)造特征及其功能有進(jìn)一步的了解，配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如下。應(yīng)當(dāng)理解，此部分所描述的具體實(shí)施例僅可用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0016]請(qǐng)參考圖2a，圖2a為本實(shí)用新型的雙級(jí)光隔離器。其結(jié)構(gòu)包括法拉第晶體110及偏振片210。其中，法拉第晶體110包括第一法拉第晶體IlOa和第二法拉第晶體110b。第一法拉第晶體IlOa的波長(zhǎng)范圍為1280nm?1330nm，其中心波長(zhǎng)設(shè)置為1290nm，長(zhǎng)度范圍為0.3mm?1.5mm，高度范圍為0.3mm?1.5mm ;第二法拉第晶體IlOb的波長(zhǎng)范圍為1320nm?1340nm，其中心波長(zhǎng)設(shè)置為1230nm，長(zhǎng)度范圍為0.3mm?1.5mm，高度范圍為0.3mm ?1.5mmο
[0017]偏振片210包括第一偏振片210a、第二偏振片210b和第三偏振片210c，其中，第一偏振片210a設(shè)置為0°偏振片，第二偏振片210b設(shè)置為45°偏振片，第三偏振片210c設(shè)置為90°偏振片。
[0018]入射光依次經(jīng)過(guò)第一偏振片210a、第一法拉第晶體110a、第二偏振片210b、第二法拉第晶體IlOb和第三偏振片210c，而反向光依次經(jīng)過(guò)第三偏振片210c、第二法拉第晶體110b、第二偏振片210b、第一法拉第晶體IlOa和第一偏振片210a。
[0019]請(qǐng)同時(shí)參考圖2b，圖2b為圖2a的雙級(jí)光隔離器的隔離度-波長(zhǎng)曲線示意圖。從圖2b中可以看出，在反向光波長(zhǎng)在1310nm時(shí)，其隔離度值在66dB以上，在反向光波長(zhǎng)為1310nm±40nm時(shí)，隔離度值在60dB左右。
[0020]本實(shí)用新型的雙級(jí)光隔離器相比于現(xiàn)有技術(shù)來(lái)說(shuō)具有以下優(yōu)點(diǎn)和積極效果:本實(shí)用新型的雙級(jí)光隔離器的隔離度值對(duì)波長(zhǎng)變化的敏感度降低了，在1310nm±40nm的波長(zhǎng)點(diǎn)，其隔離度值從66dB降到60dB左右。
[0021]以上所述，僅為本實(shí)用新型最佳實(shí)施例而已，并非用于限制本實(shí)用新型的范圍，凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍所作的等效變化或修飾，皆為本實(shí)用新型所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.雙級(jí)光隔尚器，包括法拉第晶體和偏振片；其中偏振片包括第一偏振片、第二偏振片和第三偏振片；法拉第晶體包括第一法拉第晶體和第二法拉第晶體；其特征在于:第一法拉第晶體波長(zhǎng)范圍為128011111?133011111，其中心波長(zhǎng)為129011111 ；第二法拉第晶體的波長(zhǎng)范圍為1320鹽?1340鹽，其中心波長(zhǎng)為1230鹽。
2.如權(quán)利要求1所述的雙級(jí)光隔離器，其特征在于:第一法拉第晶體長(zhǎng)度范圍為0.3臟?1.5臟，高度范圍為0.3臟?1.5臟。
3.如權(quán)利要求1或2所述的雙級(jí)光隔離器，其特征在于:第二法拉第晶體長(zhǎng)度范圍為0.3臟?1.5臟，高度范圍為0.3臟?1.5臟。
4.如權(quán)利要求1所述的雙級(jí)光隔離器，其特征在于:第一偏振片設(shè)置為0。偏振片，第二偏振片設(shè)置為45°偏振片，第三偏振片設(shè)置為90°偏振片。
5.如權(quán)利要求3或4所述的雙級(jí)光隔離器，其特征在于:入射光依次經(jīng)過(guò)第一偏振片、第一法拉第晶體、第二偏振片、第二法拉第晶體和第三偏振片。
6.如權(quán)利要求5所述的雙級(jí)光隔離器，其特征在于:反向光依次經(jīng)過(guò)第三偏振片、第二法拉第晶體、第二偏振片、第一法拉第晶體和第一偏振片。
【文檔編號(hào)】G02F1/09GK204229067SQ201420517749
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月10日
【發(fā)明者】黎金勇, 廖勇, 田新華, 華一敏, 李連城 申請(qǐng)人:昂納信息技術(shù)（深圳）有限公司