一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種陣列基板，液晶顯示面板及顯示裝置，由于該陣列基板包括位于薄膜晶體管上方的公共電極，以及分別位于公共電極上方和下方，且均與薄膜晶體管的漏電極電性連接的第一像素電極和第二像素電極，因此，該陣列基板可以同時(shí)在第一像素電極與公共電極之間，以及第二像素電極和公共電極之間形成存儲(chǔ)電容；而現(xiàn)有技術(shù)中由于陣列基板中只有一個(gè)像素電極和一個(gè)公共電極，因此現(xiàn)有技術(shù)中只能在一個(gè)像素電極和公共電極之間形成存儲(chǔ)電容。因此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板與現(xiàn)有的陣列基板相比，可以增大陣列基板的存儲(chǔ)電容，從而提高陣列基板的像素電壓保持率、以及降低顯示裝置的閃爍等不良現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示裝置的顯示品質(zhì)。
【專利說明】一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤指一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示技術(shù)迅速發(fā)展，并成為目前工業(yè)界的新星和經(jīng)濟(jì)發(fā)展的亮點(diǎn)。在液晶顯示蓬勃發(fā)展的同時(shí)，寬視角、高畫質(zhì)和較快的響應(yīng)速度等成為液晶顯示面板的迫切要求。目前，高級超維場轉(zhuǎn)換(ADvanced Super Dimension Switch, ADSDS,簡稱ADS)型液晶顯不技術(shù)因具有寬視角、高畫質(zhì)與較快的響應(yīng)速度等特性，成為近幾年研究的熱點(diǎn)。
[0003]隨著液晶顯示面板的分辨率以及開口率的越來越高，導(dǎo)致ADS型陣列基板的像素間距(pixel pitch)越來越小,進(jìn)而導(dǎo)致ADS型陣列基板的存儲(chǔ)電容也越來越小,從而使ADS型陣列基板對液晶的驅(qū)動(dòng)能力變?nèi)酢Ｍ瑫r(shí)存儲(chǔ)電容越小還會(huì)導(dǎo)致像素電壓的保持率越低，進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致閃爍(Flicker)等不良現(xiàn)象的產(chǎn)生，極大地降低了 ADS型陣列基板的品質(zhì)。
[0004]現(xiàn)有的ADS型陣列基板如圖1所示，包括:襯底基板1、薄膜晶體管2、以及依次位于薄膜晶體管2上方的樹脂層3、像素電極4、絕緣層5和公共電極6 ;其中，薄膜晶體管2包括:依次設(shè)置于襯底基板I上的柵電極21、柵極絕緣層22、有源層23、以及同層設(shè)置的源電極24和漏電極25，像素電極4通過貫穿樹脂層3的過孔與漏電極25電性連接。
[0005]目前，現(xiàn)有技術(shù)中增加ADS型陣列基板的存儲(chǔ)電容的最簡單的方法是減小像素電極和公共電極之間的距離，這種方法雖然能夠增大ADS型陣列基板的存儲(chǔ)電容，但是，公共電極與像素電極之間的距離減小，會(huì)導(dǎo)致像素電極與公共電極發(fā)生短路的幾率增加。
[0006]因此，如何在不影響陣列基板開口率的同時(shí)提高陣列基板的存儲(chǔ)電容，已成為業(yè)界亟需解決的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的陣列基板的存儲(chǔ)電容較小，導(dǎo)致顯示裝置的顯示品質(zhì)較低的問題。
[0008]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上的薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極，還包括:
[0009]位于所述薄膜晶體管上方的公共電極，以及與所述薄膜晶體管的漏電極電性連接的第一像素電極和第二像素電極；其中，
[0010]所述第一像素電極位于所述公共電極的下方且與所述公共電極相互絕緣，所述第二像素電極位于所述公共電極的上方且與所述公共電極相互絕緣。
[0011]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板，由于包括位于薄膜晶體管上方的公共電極，以及分別位于公共電極上方和下方的，且均與薄膜晶體管的漏電極電性連接的第一像素電極和第二像素電極，因此可以同時(shí)在第一像素電極與公共電極之間，以及在第二像素電極和公共電極之間形成存儲(chǔ)電容；而現(xiàn)有技術(shù)中由于陣列基板中只有一個(gè)像素電極和一個(gè)公共電極，因此現(xiàn)有技術(shù)中只能在一個(gè)像素電極和公共電極之間形成存儲(chǔ)電容。因此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板與現(xiàn)有的陣列基板相比，可以增大陣列基板的存儲(chǔ)電容，從而提高陣列基板的像素電壓保持率、以及降低顯示裝置的閃爍等不良現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示裝置的顯示品質(zhì)。
[0012]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述第二像素電極通過所述第一像素電極與所述漏電極電性連接。
[0013]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述第二像素電極直接與所述漏電極電性連接。
[0014]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:
[0015]位于所述第二像素電極與所述公共電極之間的第一絕緣層；
[0016]位于所述公共電極與所述薄膜晶體管之間的第二絕緣層；
[0017]所述第二像素電極至少通過貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔與所述漏電極電性連接。
[0018]較佳地，為了簡化制備工藝，節(jié)約制作成本，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述第一像素電極直接設(shè)置在所述漏電極的上層或下層，所述第一像素電極直接與所述漏電極電性連接。
[0019]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述第一像素電極通過過孔與所述漏電極電性連接。
[0020]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述薄膜晶體管為底柵型或頂柵型的薄膜晶體管。
[0021]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述第一像素電極為平板狀，所述第二像素電極為狹縫狀。
[0022]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述任一種陣列基板。
[0023]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0025]圖2為本實(shí)用新型實(shí)例一提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為本實(shí)用新型實(shí)例二提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為本實(shí)用新型實(shí)例三提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為本實(shí)用新型實(shí)例四提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說明。
[0030]附圖中各部件的大小和形狀不反映陣列基板的真實(shí)比例，目的只是示意說明本實(shí)用新型內(nèi)容。
[0031]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖2至圖5所示，包括襯底基板100，位于襯底基板100上的薄膜晶體管200，其中，薄膜晶體管200包括柵電極210、有源層220、源電極230和漏電極240，還包括:
[0032]位于薄膜晶體管200上方的公共電極300，以及與薄膜晶體管200的漏電極240電性連接的第一像素電極410和第二像素電極420 ;其中，
[0033]第一像素電極410位于公共電極300的下方且與公共電極300相互絕緣，第二像素電極420位于公共電極300的上方且與公共電極300相互絕緣。
[0034]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板，由于包括位于薄膜晶體管上方的公共電極，以及分別位于公共電極上方和下方的，且均與薄膜晶體管的漏電極電性連接的第一像素電極和第二像素電極，因此可以同時(shí)在第一像素電極與公共電極之間，以及在第二像素電極和公共電極之間形成存儲(chǔ)電容；而現(xiàn)有技術(shù)中由于陣列基板中只有一個(gè)像素電極和一個(gè)公共電極，因此現(xiàn)有技術(shù)中只能在一個(gè)像素電極和公共電極之間形成存儲(chǔ)電容。因此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板與現(xiàn)有的陣列基板相比，可以增大陣列基板的存儲(chǔ)電容，從而提高陣列基板的像素電壓保持率、以及降低顯示裝置的閃爍等不良現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示裝置的顯示品質(zhì)。
[0035]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖2和圖3所示，薄膜晶體管可以為底柵型的薄膜晶體管，當(dāng)然，如圖4和圖5所示，薄膜晶體管也可以為頂柵型的薄膜晶體管，在此不做限定。
[0036]具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，底柵型的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)具體可以如圖2和圖3所示:柵電極210位于襯底基板100之上，柵電極210之上還設(shè)置有柵極絕緣層250，有源層220位于柵極絕緣層250之上，源電極230和漏電極240均位于有源層220之上；當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，底柵型的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)也可以為:柵電極位于襯底基板之上，柵電極之上還設(shè)置有柵極絕緣層，源電極和漏電極均位于柵極絕緣層之上，有源層位于源電極和漏電之上；在此不做限定。
[0037]具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，頂柵型的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)具體可以如圖4和圖5所示:源電極230和漏電極240均位于有源層220與襯底基板100之間，柵電極210位于有源層220的上方，柵極絕緣層250位于有源層220和柵電極210之間；當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，頂柵型的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)也可以為:有源層位于襯底基板之上，柵極絕緣層位于有源層之上，柵電極位于柵極絕緣層之上，源電極和漏電極均位于柵電極上方且均與柵電極絕緣；在此不做限定。
[0038]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖2、圖4和圖5所示，第二像素電極420可以通過第一像素電極410與漏電極240電性連接。
[0039]或者，較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖3所示，第二像素電極420也可以直接與漏電極240電性連接。
[0040]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖2至圖5所示，還可以包括:
[0041]位于第二像素電極420與公共電極300之間的第一絕緣層500 ；
[0042]位于公共電極300與薄膜晶體管200之間的第二絕緣層600 ；
[0043]第二像素電極420至少通過貫穿第一絕緣層500和第二絕緣層600的過孔與漏電極240電性連接。[0044]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，可以根據(jù)第二像素電極與漏電極之間的膜層，確定電性連接第二像素電極與漏電極電性連接的過孔所需要貫穿的膜層，如圖2和圖3所示，第二像素電極420和漏電極240之間設(shè)置有第一絕緣層500和第二絕緣層600，第二像素電極420可以通過貫穿第一絕緣層500和第二絕緣層600的過孔與漏電極240電性連接；如圖4所示，第二像素電極420和漏電極240之間設(shè)置有第一絕緣層500、第二絕緣層600和柵極絕緣層250，第二像素電極可以通過貫穿第一絕緣層500，第二絕緣層600，以及柵極絕緣層250的過孔與漏電極240電性連接；當(dāng)然在具體實(shí)施時(shí)，根據(jù)實(shí)際需要，在第二像素電極與漏電極之間可能還會(huì)設(shè)置有其他膜層，因此，第二像素電極還需要通過貫穿第一絕緣層和第二絕緣層，以及其他膜層的過孔才能實(shí)現(xiàn)與漏電極電性連接，在此不做限定。
[0045]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖2和圖4所示，第一像素電極410可以直接設(shè)置在漏電極240的上層，這樣第一像素電極410就可以直接與漏電極240電性連接，與第一像素電極410通過過孔與漏電極240電性連接相比可以省去制作過孔的工藝，從而可以簡化制備工藝，節(jié)約生產(chǎn)成本。
[0046]或者，較佳地，為了簡化制備工藝，節(jié)約生產(chǎn)成本，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，第一像素電極也可以直接設(shè)置在漏電極的下層，這樣第一像素電極就可以直接與漏電極電性連接，在此不做限定。
[0047]進(jìn)一步地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖3和圖5所示，第一像素電極410也可以通過過孔與漏電極240電性連接。
[0048]具體地，如圖3所示，薄膜晶體管為底柵型的薄膜晶體管，第一像素電極410位于襯底基板100與柵極絕緣層250之間，第一像素電極410通過貫穿柵絕緣層250的過孔與漏電極240電性相連；或者，如圖5所示，薄膜晶體管為頂柵型的薄膜晶體管，第一像素電極410位于柵極絕緣層250的上層，第一像素電極410通過貫穿柵絕緣層250的過孔與漏電極240電性相連。這樣與第一像素電極410直接與漏電極240電性相連相比，雖然多了制備第一像素電極與漏電極電性連接的過孔的工藝，但是與現(xiàn)有技術(shù)相比，只需增加制備第一像素電極的膜層和制備第一像素電極與漏電極電性連接的過孔的工藝，就可以達(dá)到增加存儲(chǔ)電容的作用，制備工藝相對比較簡單。
[0049]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖2至圖5所示，第一像素電極410 —般為平板狀，為了提高第二像素電極420與公共電極300之間的配合效果，第二像素電極420優(yōu)選為狹縫狀。
[0050]下面通過四個(gè)具體實(shí)例來詳細(xì)的說明本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板。在下面的四個(gè)實(shí)例中，陣列基板均包括:襯底基板100，位于襯底基板100上的薄膜晶體管200，位于薄膜晶體管200上的第二絕緣層600，位于第二絕緣層600上的公共電極300，位于公共電極300上的第一絕緣層500，以及位于第一絕緣層500上的第二像素電極420。
[0051]實(shí)例一:
[0052]如圖2所示，薄膜晶體管為底柵型的薄膜晶體管，在薄膜晶體管中，柵電極210位于襯底基板100和有源層220之間，柵極絕緣層250位于柵電極210和有源層220之間，源電極230和漏電極240均位于有源層220上方；第一像素電極410直接位于漏電極240上層并與漏電極240直接電性連接，第二像素電極420通過貫穿第一絕緣層500和第二絕緣層600的過孔與第一像素電極410電性連接。[0053]上述實(shí)例一的陣列基板與現(xiàn)有的陣列基板相比，不需要增加其他額外的膜層，僅需要增加制備第一像素電極的工藝就可以實(shí)現(xiàn)在保證陣列基板的開口率的情況下增大陣列基板的存儲(chǔ)電容的作用。
[0054]實(shí)例二:
[0055]如圖3所示，薄膜晶體管為底柵型的薄膜晶體管，在薄膜晶體管中，柵電極210位于襯底基板100和有源層220之間，柵極絕緣層250位于柵電極210和有源層220之間，源電極230和漏電極240均位于有源層220上方；第一像素電極410位于柵極絕緣層250與襯底基板100之間，第一像素電極410通過貫穿柵極絕緣層250的過孔與漏電極240電性連接；第二像素電極420通過貫穿第一絕緣層500和第二絕緣層600的過孔與漏電極240電性連接。
[0056]上述實(shí)例二的陣列基板與實(shí)例一的陣列基板相比，需要增加制備貫穿柵極絕緣層250的過孔的工藝，但是與現(xiàn)有的陣列基板相比，不需要增加其他額外的膜層，僅需要增加制備第一像素電極，以及制備貫穿柵極絕緣層的過孔的工藝，就可以實(shí)現(xiàn)在保證陣列基板的開口率的情況下增大陣列基板的存儲(chǔ)電容的作用。
[0057]實(shí)例三:
[0058]如圖4所示，薄膜晶體管為頂柵型的薄膜晶體管，在薄膜晶體管中，源電極230和漏電極240均位于襯底基板100與有源層220之間，柵電極210位于有源層220的上方，柵極絕緣層250位于柵電極210與有源層220之間；第一像素電極410位于漏電極240的上層與漏電極240直接電性連接；第二像素電極420通過貫穿第一絕緣層500、第二絕緣層600和柵極絕緣層250的過孔與第一像素電極410電性連接。
[0059]上述實(shí)例三的陣列基板與現(xiàn)有的陣列基板相比，不需要增加其他額外的膜層，僅需要增加制備第一像素電極的工藝就可以實(shí)現(xiàn)在保證陣列基板的開口率的情況下增大陣列基板的存儲(chǔ)電容的作用。
[0060]實(shí)例四:
[0061]如圖5所示，薄膜晶體管為頂柵型的薄膜晶體管，在薄膜晶體管中，源電極230和漏電極240均位于襯底基板100與有源層220之間，柵電極210位于有源層220的上方，柵極絕緣層250位于柵電極210與有源層220之間；第一像素電極410位于柵極絕緣層250與第二絕緣層600之間，第一像素電極410通過貫穿柵極絕緣層250的過孔與漏電極240電性連接；第二像素電極420通過貫穿第一絕緣層500和第二絕緣層600的過孔與第一像素電極410電性連接。
[0062]具體地，實(shí)例四的陣列基板與實(shí)例三的陣列基板相比，需要單獨(dú)增加制備貫穿柵極絕緣層250的過孔的工藝，但是與現(xiàn)有的陣列基板相比，不需要增加其他額外的膜層，僅需要增加制備第一像素電極，以及單獨(dú)制備貫穿柵極絕緣層的過孔的工藝，就可以實(shí)現(xiàn)在保證陣列基板的開口率的情況下增大陣列基板的存儲(chǔ)電容的作用。
[0063]基于同一實(shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板，由于該液晶顯示面板解決問題的原理與前述一種陣列基板相似，因此該液晶顯示面板的實(shí)施可以參見前述陣列基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。
[0064]基于同一實(shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板，該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對本實(shí)用新型的限制。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述液晶顯示面板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0065]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板，液晶顯示面板及顯示裝置，該陣列基板包括:陣列基板，由于包括位于薄膜晶體管上方的公共電極，以及分別位于公共電極上方和下方的，且均與薄膜晶體管的漏電極電性連接的第一像素電極和第二像素電極，因此可以同時(shí)在第一像素電極與公共電極之間，以及在第二像素電極和公共電極之間形成存儲(chǔ)電容；而現(xiàn)有技術(shù)中由于陣列基板中只有一個(gè)像素電極和一個(gè)公共電極，因此現(xiàn)有技術(shù)中只能在一個(gè)像素電極和公共電極之間形成存儲(chǔ)電容。因此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板與現(xiàn)有的陣列基板相比，可以增大陣列基板的存儲(chǔ)電容，從而提高陣列基板的像素電壓保持率、以及降低顯示裝置的閃爍等不良現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示裝置的顯示品質(zhì)。
[0066]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上的薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極，其特征在于，還包括: 位于所述薄膜晶體管上方的公共電極，以及與所述薄膜晶體管的漏電極電性連接的第一像素電極和第二像素電極；其中， 所述第一像素電極位于所述公共電極的下方且與所述公共電極相互絕緣，所述第二像素電極位于所述公共電極的上方且與所述公共電極相互絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二像素電極通過所述第一像素電極與所述漏電極電性連接。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二像素電極直接與所述漏電極電性連接。
4.如權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 位于所述第二像素電極與所述公共電極之間的第一絕緣層； 位于所述公共電極與所述薄膜晶體管之間的第二絕緣層； 所述第二像素電極至少通過貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔與所述漏電極電性連接。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素電極直接設(shè)置在所述漏電極的上層或下層，所述第一像素電極直接與所述漏電極電性連接。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素電極通過過孔與所述漏電極電性連接。
7.如權(quán)利要求1、2、3、5、或6所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵型或頂柵型的薄膜晶體管。
8.如權(quán)利要求1、2、3、5、或6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素電極為平板狀，所述第二像素電極為狹縫狀。
9.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK203745775SQ201420053788
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年1月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月27日
【發(fā)明者】崔賢植, 金熙哲, 林允植 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司