一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，采用在陣列基板內(nèi)部的各像素區(qū)內(nèi)制作線柵偏光膜代替現(xiàn)有的貼覆在陣列基板外側(cè)的偏光片，并且，在各像素區(qū)內(nèi)設(shè)置的線柵偏光膜采用光柵間距小于可見(jiàn)光中最小波長(zhǎng)一半的光柵結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)將透過(guò)的自然光變?yōu)榫€偏振光的作用。在保證液晶顯示面板可以正常顯示的同時(shí)，可以在制作陣列基板的過(guò)程中，形成起到偏光片作用的線柵偏光膜，省去對(duì)盒之后單獨(dú)貼覆偏光片的工序，可以提高生產(chǎn)效率，節(jié)省生產(chǎn)成本，并且也利于減薄顯示面板的整體厚度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板主要由陣列基板、對(duì)向基板以及位于陣列基板和對(duì)向基板之間的液晶分子組成。在制作過(guò)程中，在分別制作完陣列基板和對(duì)向基板上的各膜層之后，將陣列基板和對(duì)向基板進(jìn)行對(duì)盒處理，之后需要在液晶顯示面板的上下兩個(gè)表面分別貼覆偏光片，最后在陣列基板一側(cè)加裝背光模組形成最終的顯示面板。
[0003]可以看出，上述形成液晶顯示面板的生產(chǎn)工藝較為繁瑣，需要在對(duì)盒后分別進(jìn)行偏光片的貼覆，不利于提高生產(chǎn)效率；此外，在貼覆偏光片時(shí)需要分別設(shè)置貼膜機(jī)，這也會(huì)增加生產(chǎn)成本；最后，貼覆在顯示面板外側(cè)的偏光片具有一定的厚度，會(huì)限制形成的液晶顯示面板整體厚度，不利于器件的輕薄化發(fā)展。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，用以減薄顯示面板的厚度、降低生產(chǎn)成本，簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝。
[0005]因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上交叉而置的數(shù)據(jù)線和柵線，在所述陣列基板上由數(shù)據(jù)線和柵線限定出多個(gè)呈陣列排列的像素區(qū)，還包括:設(shè)置在各所述像素區(qū)內(nèi)的用于將透過(guò)的自然光變?yōu)榫€偏振光的線柵偏光膜；其中，
[0006]在各所述像素區(qū)內(nèi)的所述線柵偏光膜具有光柵結(jié)構(gòu)，且所述光柵結(jié)構(gòu)中的光柵間距小于可見(jiàn)光中最小波長(zhǎng)的一半。
[0007]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述光柵間距為 60nm-100nm。
[0008]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述線柵偏光膜與所述數(shù)據(jù)線或所述柵線同層設(shè)置且相互絕緣。
[0009]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在各所述像素區(qū)內(nèi)所述線柵偏光膜復(fù)用作為像素電極，與設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述柵線交叉處的薄膜晶體管的漏極電性相連，所述漏極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
[0010]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在各所述像素區(qū)內(nèi)所述線柵偏光膜復(fù)用作為插指結(jié)構(gòu)的像素電極和公共電極；
[0011]其中，復(fù)用作為像素電極的線柵偏光膜與設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述柵線交叉處的薄膜晶體管的漏極電性相連，所述漏極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
[0012]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，復(fù)用作為像素電極的線柵偏光膜與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，或復(fù)用作為插指結(jié)構(gòu)的像素電極和公共電極的線柵偏光膜與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置時(shí)，在各所述像素區(qū)內(nèi)，在所述線柵偏光膜上設(shè)置有透明金屬氧化物導(dǎo)電層。
[0013]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在各所述像素區(qū)內(nèi)，所述透明金屬氧化物導(dǎo)電層與所述線柵偏光膜的圖案一致。
[0014]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述線柵偏光膜與所述柵線同層設(shè)置，在各所述像素區(qū)內(nèi)所述線柵偏光膜復(fù)用作為公共電極。
[0015]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在各所述像素區(qū)內(nèi)還設(shè)置有像素電極；在各所述像素區(qū)內(nèi)所述線柵偏光膜與所述像素電極電性相連；或，
[0016]還包括:與所述柵線同層設(shè)置且延伸方向相同的公共電極線；在各所述像素區(qū)內(nèi)所述線柵偏光膜與所述公共電極線電性相連。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板，包括:相對(duì)而置的對(duì)向基板和陣列基板，以及填充在所述陣列基板和對(duì)向基板之間的液晶層；其中，
[0018]所述陣列基板為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板；
[0019]在所述對(duì)向基板遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)設(shè)置有上偏光片；
[0020]所述陣列基板中的線柵偏光膜的光柵結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述上偏光片的光透過(guò)軸方向相互平行。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括:
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，采用在陣列基板內(nèi)部的各像素區(qū)內(nèi)制作線柵偏光膜代替現(xiàn)有的貼覆在陣列基板外側(cè)的偏光片，并且，在各像素區(qū)內(nèi)設(shè)置的線柵偏光膜采用光柵間距小于可見(jiàn)光中最小波長(zhǎng)一半的光柵結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)將透過(guò)的自然光變?yōu)榫€偏振光的作用。在保證液晶顯示面板可以正常顯示的同時(shí)，可以在制作陣列基板的過(guò)程中，形成起到偏光片作用的線柵偏光膜，省去對(duì)盒之后單獨(dú)貼覆偏光片的工序，可以提高生產(chǎn)效率，節(jié)省生產(chǎn)成本，并且也利于減薄顯示面板的整體厚度。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的俯視圖；
[0025]圖2a-圖2d分別為實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3a和圖3b分別為實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0030]附圖中各層薄膜厚度和區(qū)域形狀不反映陣列基板的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0031]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的俯視圖，具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板001，位于襯底基板001上交叉而置的數(shù)據(jù)線002和柵線003，在陣列基板上由數(shù)據(jù)線002和柵線003限定出多個(gè)呈陣列排列的像素區(qū)，圖1僅示出了一個(gè)像素區(qū)內(nèi)的各部件，在各像素區(qū)內(nèi)還設(shè)置了用于將透過(guò)的自然光變?yōu)榫€偏振光的線柵偏光膜004 ;其中，
[0032]在各像素區(qū)內(nèi)的線柵偏光膜004具有光柵結(jié)構(gòu)，且光柵結(jié)構(gòu)中的光柵間距a小于可見(jiàn)光中最小波長(zhǎng)的一半。
[0033]其中，線柵偏光膜004 —般米用線狀排列的金屬細(xì)線構(gòu)成光柵結(jié)構(gòu),沿著金屬細(xì)線的延伸方向，電場(chǎng)會(huì)驅(qū)動(dòng)自由電子從而消耗電能，而垂直于金屬細(xì)線的電場(chǎng)不會(huì)被吸收，因此，垂直于金屬細(xì)線方向的光分量透過(guò)，平行于金屬細(xì)線的光分量被吸收，最終通過(guò)線柵偏光膜004的自然光變?yōu)榫€偏振光。因此，可以采用在陣列基板內(nèi)部的各像素區(qū)內(nèi)制作線柵偏光膜代替現(xiàn)有的貼覆在陣列基板外側(cè)的偏光片的方式，以實(shí)現(xiàn)將透過(guò)的自然光變?yōu)榫€偏振光的作用。在保證液晶顯示面板可以正常顯示的同時(shí)，可以在制作陣列基板的過(guò)程中，形成起到偏光片作用的線柵偏光膜，省去對(duì)盒之后單獨(dú)貼覆偏光片的工序，可以提高生產(chǎn)效率，節(jié)省生產(chǎn)成本，并且也利于減薄顯示面板的整體厚度。
[0034]一般地，可見(jiàn)光的波長(zhǎng)在400nm-800nm之間，為了保證線柵偏光膜004可以起到對(duì)自然光具有偏振作用，線柵偏光膜004中的光柵間距a需要設(shè)置在200nm以下。較佳地，為了使線柵偏光膜004可以更好的將透過(guò)的自然光變?yōu)榫€偏振光，光柵間距a —般設(shè)置在60nm_100nm 為佳。
[0035]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中的線柵偏光膜004的光柵結(jié)構(gòu)可以通過(guò)涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕等工藝形成，其中，可以利用激光的干涉曝光法完成曝光顯影，即利用特定波長(zhǎng)的激光從角度Θ的兩個(gè)方向照射光刻膠形成干涉條紋進(jìn)行曝光，通過(guò)改變?chǔ)梢缘玫皆谑褂玫募す獠ㄩL(zhǎng)范圍內(nèi)有各種間距的凹凸格子結(jié)構(gòu)，即形成光柵結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，還可以通過(guò)納米壓印的方式形成線柵偏光膜004的光柵結(jié)構(gòu)，在此不作詳述。
[0036]在具體實(shí)施時(shí)，由于在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，作為偏振片使用的線柵偏光膜004 —般采用金屬材料制作，并且，在各像素區(qū)內(nèi)設(shè)置的線柵偏光膜004 —般與各像素區(qū)的有效顯示區(qū)域重合，因此，線柵偏光膜004和數(shù)據(jù)線002以及柵線003均不會(huì)重合，在實(shí)際操作時(shí)，可以將線柵偏光膜004設(shè)置為與數(shù)據(jù)線002或柵線003同層設(shè)置且相互絕緣，這樣可以在原有的陣列基板制作工藝上不增加新的構(gòu)圖工藝而實(shí)現(xiàn)線柵偏光膜004的制作，節(jié)省生產(chǎn)成本和生產(chǎn)效率。
[0037]在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中的線柵偏光膜004除了作為偏光片使用，還可以復(fù)用像素電極、公共電極或存儲(chǔ)電容的功能。下面通過(guò)具體幾個(gè)實(shí)例說(shuō)明線柵偏光膜004的復(fù)用功能。
[0038]實(shí)施例一:
[0039]在本實(shí)施例中，如圖2a和圖2b所示，在陣列基板中將像素電極和線柵偏光膜進(jìn)行復(fù)用。具體地，在各像素區(qū)內(nèi)線柵偏光膜004復(fù)用作為像素電極，與設(shè)置在數(shù)據(jù)線002和柵線003交叉處的薄膜晶體管的漏極005電性相連，該漏極005 —般與數(shù)據(jù)線002同層設(shè)置。
[0040]具體地，在將線柵偏光膜004設(shè)置為與數(shù)據(jù)線002同層設(shè)置時(shí)，如圖2a所示，此時(shí)，作為像素電極的線柵偏光膜004由于與薄膜晶體管的漏極005同層制作，因此，兩者可以直接電性相連。在將線柵偏光膜004設(shè)置為與柵線003同層設(shè)置時(shí)，如圖2b所示，此時(shí)，作為像素電極的線柵偏光膜004由于與薄膜晶體管的柵極006同層制作，與漏極005不在同一膜層，因此需要通過(guò)過(guò)孔使兩者電性相連。
[0041]在具體實(shí)施時(shí)，在制作圖2a和圖2b所示結(jié)構(gòu)的陣列基板時(shí)，將作為像素電極的線柵偏光膜004設(shè)置為與數(shù)據(jù)線002或柵線003同時(shí)制作，可以省去現(xiàn)有的單獨(dú)形成在漏極之上的像素電極，因此，相對(duì)于現(xiàn)有的陣列基板制作工藝，可以節(jié)省掩膜板使用數(shù)量以及制作工藝。
[0042]進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中的圖2a和圖2b是以ADS型陣列基板為例進(jìn)行說(shuō)明的，因此，在數(shù)據(jù)線002所在膜層上方還會(huì)設(shè)置有公共電極007，公共電極007通過(guò)過(guò)孔與公共電極線008連接，公共電極線008 —般與柵線003同層設(shè)置。設(shè)置在上方的公共電極007會(huì)防止采用易氧化的金屬例如Al制作的線柵偏光膜004氧化，因此，在ADS模式的陣列基板中不用單獨(dú)設(shè)置保護(hù)線柵偏光膜004的保護(hù)層。然而，在具體實(shí)施時(shí)，TN模式的陣列基板，將復(fù)用作為像素電極的線柵偏光膜與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置時(shí)，線柵偏光膜004之上沒(méi)有公共電極的保護(hù)，容易被氧化，因此，為了更好的防止制作出的線柵偏光膜004氧化，在具體實(shí)施時(shí)，還可以在各像素區(qū)內(nèi)，如圖2c所示，在線柵偏光膜004上設(shè)置透明金屬氧化物導(dǎo)電層009，例如ITO膜層。
[0043]進(jìn)一步地，由于在線柵偏光膜004上設(shè)置的透明金屬氧化物導(dǎo)電層009需要在各像素區(qū)斷開(kāi)，因此，不可避免的需要對(duì)增加的透明金屬氧化物導(dǎo)電層009進(jìn)行構(gòu)圖，這會(huì)增加陣列基板的生產(chǎn)工序。為了避免增加陣列基板的生產(chǎn)工序，在具體實(shí)施時(shí)，可以在各像素區(qū)內(nèi)，將透明金屬氧化物導(dǎo)電層009與線柵偏光膜004的圖案設(shè)置為一致，如圖2d所示，這樣可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)形成透明金屬氧化物導(dǎo)電層009與線柵偏光膜004的圖案，不會(huì)增加掩膜板的使用數(shù)量。
[0044]實(shí)施例二:
[0045]在本實(shí)施例中，如圖3a和圖3b所示，將IPS模式下的陣列基板中的像素電極和公共電極與線柵偏光膜進(jìn)行復(fù)用。具體地，在IPS模式下的陣列基板結(jié)構(gòu)中，每個(gè)像素單元內(nèi)像素電極和公共電極成插指結(jié)構(gòu)同層設(shè)置。因此，在各像素區(qū)內(nèi)線柵偏光膜004復(fù)用作為插指結(jié)構(gòu)的像素電極和公共電極；其中，復(fù)用作為像素電極的線柵偏光膜004與設(shè)置在數(shù)據(jù)線002和柵線003交叉處的薄膜晶體管的漏極005電性相連，漏極005與數(shù)據(jù)線002同層設(shè)置。
[0046]具體地，在將線柵偏光膜004設(shè)置為與數(shù)據(jù)線002同層設(shè)置時(shí)，如圖3a所示，此時(shí)，作為像素電極和公共電極的線柵偏光膜004由于與薄膜晶體管的漏極005同層制作，因此，線柵偏光膜004作為像素電極的部分a可以直接和漏極005電性相連，線柵偏光膜004作為公共電極的部分b需要通過(guò)過(guò)孔與公共電極線008連接，公共電極線008與柵線003、柵極006同層設(shè)置。在將線柵偏光膜004設(shè)置為與柵線003同層設(shè)置時(shí)，如圖3b所示，此時(shí)，作為像素電極和公共電極的線柵偏光膜004由于與薄膜晶體管的柵極006同層制作，因此，線柵偏光膜004作為像素電極的部分a需要通過(guò)過(guò)孔與漏極005電性相連，線柵偏光膜004作為公共電極的部分b直接與公共電極線008連接，公共電極線008與柵線003、柵極006同層設(shè)置。
[0047]在具體實(shí)施時(shí)，在制作圖3a和圖3b所示結(jié)構(gòu)的IPS型陣列基板時(shí)，將作為像素電極和公共電極的線柵偏光膜004設(shè)置為與數(shù)據(jù)線002或柵線003同時(shí)制作，可以省去現(xiàn)有的單獨(dú)形成在漏極之上的像素電極和公共電極，因此，相對(duì)于現(xiàn)有的陣列基板制作工藝，可以節(jié)省掩膜板使用數(shù)量以及制作工藝。
[0048]進(jìn)一步地，在將復(fù)用作為像素電極和公共電極的線柵偏光膜004與數(shù)據(jù)線002同層設(shè)置時(shí)，線柵偏光膜004之上沒(méi)有保護(hù)容易被氧化，因此，為了更好的防止制作出的線柵偏光膜004被氧化，在具體實(shí)施時(shí)，還可以和實(shí)施例一中米用相同的方式增加氧化物導(dǎo)電層，即在各像素區(qū)內(nèi)，在線柵偏光膜004上設(shè)置透明金屬氧化物導(dǎo)電層，例如ITO膜層。同樣，為了避免增加陣列基板的生產(chǎn)工序，在具體實(shí)施時(shí)，還可以在各像素區(qū)內(nèi)，將透明金屬氧化物導(dǎo)電層與線柵偏光膜004的圖案設(shè)置為一致。
[0049]實(shí)施例三:
[0050]在本實(shí)施例中，如圖4所示，在陣列基板中將像素電極和線柵偏光膜進(jìn)行復(fù)用。具體地，可以將線柵偏光膜004與柵線003同層設(shè)置，在各像素區(qū)內(nèi)線柵偏光膜004復(fù)用作為公共電極使用。
[0051]在具體實(shí)施時(shí)，在制作圖4所示結(jié)構(gòu)的ADS型陣列基板時(shí)，將作為公共電極的線柵偏光膜004設(shè)置為與柵線003和柵極006同時(shí)制作，可以省去現(xiàn)有的單獨(dú)形成在像素電極之上的公共電極，因此，相對(duì)于現(xiàn)有的陣列基板制作工藝，可以節(jié)省掩膜板使用數(shù)量以及制作工藝。
[0052]實(shí)施例四:
[0053]在本實(shí)施例中，線柵偏光膜可以與像素電極連接，也可以與公共電極線連接作為存儲(chǔ)電容的一部分。
[0054]例如，在各像素區(qū)內(nèi)單獨(dú)設(shè)置有像素電極時(shí)，在各像素區(qū)內(nèi)線柵偏光膜004可以與像素電極電性相連，從而構(gòu)成存儲(chǔ)電容的一部分，以增大存儲(chǔ)電容，有利于器件提高顯示分辨率；或者，在陣列基板中公共電極線與柵線同層設(shè)置且延伸方向相同時(shí)，可以在各像素區(qū)內(nèi)將線柵偏光膜004與公共電極線電性相連，從而構(gòu)成存儲(chǔ)電容的一部分，以增大存儲(chǔ)電容，有利于器件提高顯示分辨率。
[0055]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板，如圖5所示，包括相對(duì)而置的對(duì)向基板100和陣列基板200，以及填充在陣列基板200和對(duì)向基板100之間的液晶層300 ;其中，
[0056]該陣列基板200為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板；
[0057]在對(duì)向基板100遠(yuǎn)離陣列基板200的一側(cè)設(shè)置有上偏光片400 ；
[0058]陣列基板200中的線柵偏光膜004的光柵結(jié)構(gòu)的延伸方向與上偏光片400的光透過(guò)軸方向相互平行，即能透過(guò)陣列基板200中的線柵偏光膜004的線偏振光和能透過(guò)上偏振片400的線偏振光相互垂直。
[0059]此外，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板中，如圖5所示，一般還會(huì)包含設(shè)置在陣列基板外側(cè)的背光模組，該背光模組一般由LED燈條500、反射板600和導(dǎo)光板700組成，當(dāng)然還可能包含其他部件，在此不做限定。
[0060]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板，該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述液晶顯示面板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，采用在陣列基板內(nèi)部的各像素區(qū)內(nèi)制作線柵偏光膜代替現(xiàn)有的貼覆在陣列基板外側(cè)的偏光片，并且，在各像素區(qū)內(nèi)設(shè)置的線柵偏光膜采用光柵間距小于可見(jiàn)光中最小波長(zhǎng)一半的光柵結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)將透過(guò)的自然光變?yōu)榫€偏振光的作用。在保證液晶顯示面板可以正常顯示的同時(shí)，可以在制作陣列基板的過(guò)程中，形成起到偏光片作用的線柵偏光膜，省去對(duì)盒之后單獨(dú)貼覆偏光片的工序，可以提高生產(chǎn)效率，節(jié)省生產(chǎn)成本，并且也利于減薄顯示面板的整體厚度。
[0062]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上交叉而置的數(shù)據(jù)線和柵線，在所述陣列基板上由數(shù)據(jù)線和柵線限定出多個(gè)呈陣列排列的像素區(qū)，其特征在于，還包括:設(shè)置在各所述像素區(qū)內(nèi)的用于將透過(guò)的自然光變?yōu)榫€偏振光的線柵偏光膜；其中， 在各所述像素區(qū)內(nèi)的所述線柵偏光膜具有光柵結(jié)構(gòu)，且所述光柵結(jié)構(gòu)中的光柵間距小于可見(jiàn)光中最小波長(zhǎng)的一半。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光柵間距為60nm-100nm。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述線柵偏光膜與所述數(shù)據(jù)線或所述柵線同層設(shè)置且相互絕緣。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在各所述像素區(qū)內(nèi)所述線柵偏光膜復(fù)用作為像素電極，與設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述柵線交叉處的薄膜晶體管的漏極電性相連，所述漏極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在各所述像素區(qū)內(nèi)所述線柵偏光膜復(fù)用作為插指結(jié)構(gòu)的像素電極和公共電極； 其中，復(fù)用作為像素電極的線柵偏光膜與設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述柵線交叉處的薄膜晶體管的漏極電性相連，所述漏極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
6.如權(quán)利要求4或5所述的陣列基板，其特征在于，復(fù)用作為像素電極的線柵偏光膜與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，或復(fù)用作為插指結(jié)構(gòu)的像素電極和公共電極的線柵偏光膜與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置時(shí)，在各所述像素區(qū)內(nèi)，在所述線柵偏光膜上設(shè)置有透明金屬氧化物導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，在各所述像素區(qū)內(nèi)，所述透明金屬氧化物導(dǎo)電層與所述線柵偏光膜的圖案一致。
8.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述線柵偏光膜與所述柵線同層設(shè)置，在各所述像素區(qū)內(nèi)所述線柵偏光膜復(fù)用作為公共電極。
9.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在各所述像素區(qū)內(nèi)還設(shè)置有像素電極；在各所述像素區(qū)內(nèi)所述線柵偏光膜與所述像素電極電性相連；或， 還包括:與所述柵線同層設(shè)置且延伸方向相同的公共電極線；在各所述像素區(qū)內(nèi)所述線柵偏光膜與所述公共電極線電性相連。
10.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括:相對(duì)而置的對(duì)向基板和陣列基板，以及填充在所述陣列基板和對(duì)向基板之間的液晶層；其中， 所述陣列基板為如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的陣列基板； 在所述對(duì)向基板遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)設(shè)置有上偏光片； 所述陣列基板中的線柵偏光膜的光柵結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述上偏光片的光透過(guò)軸方向相互平行。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的液晶顯示面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK104330915SQ201410642435
【公開(kāi)日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2014年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月7日
【發(fā)明者】李文波 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司