測(cè)試單元、陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種測(cè)試單元，其中，所述測(cè)試單元包括至少一層測(cè)試圖形，每層所述測(cè)試圖形包括多條寬度互不相同且互相間隔的測(cè)試線。本發(fā)明還提供一種陣列基板及其制造方法、一種顯示面板和一種顯示裝置。由于每層所述測(cè)試圖形都包括具有不同寬度的多條測(cè)試線，因此，在形成了一層測(cè)試圖形以及和該測(cè)試圖形同層的顯示圖形之后，可以通過觀察測(cè)試圖形中每條測(cè)試線的狀態(tài)就可以確定形成所述顯示圖形時(shí)的曝光和刻蝕的工藝能力。當(dāng)多條測(cè)試線中的一條上出現(xiàn)缺口或者沒有達(dá)到預(yù)定的寬度時(shí)，則說明在制造與所述測(cè)試圖形同層的顯示圖形時(shí)，不能正確地形成具有上述預(yù)定的寬度的線，應(yīng)當(dāng)對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
【專利說明】測(cè)試單元、陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示面板的制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種測(cè)試單元、一種包括該測(cè)試單元的陣列基板、該陣列基板的制造方法、一種包括所述陣列基板的顯示面板和該顯示面板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在，人們對(duì)高分辨率的顯示器的需求越來(lái)越高。顯示器分辨率越高意味著該顯示器的顯示面板內(nèi)的像素個(gè)數(shù)越多，而像素個(gè)數(shù)越多則對(duì)生產(chǎn)顯示面板的工藝能力的要求也越來(lái)越高，相應(yīng)地，對(duì)工藝能力的檢測(cè)時(shí)效性與即時(shí)性的需求也需要提高，現(xiàn)有檢測(cè)技術(shù)通常都為制作完成后進(jìn)行檢測(cè)并分析產(chǎn)生不良的可能的工藝設(shè)備的原因，進(jìn)而對(duì)工藝能力和設(shè)備進(jìn)行評(píng)價(jià)并調(diào)整后續(xù)制作時(shí)的工藝參數(shù)，這種檢測(cè)技術(shù)時(shí)效性和及時(shí)性差，造成的損失較大。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種測(cè)試單元、一種包括該測(cè)試單元的陣列基板、該陣列基板的制造方法、和一種包括所述陣列基板的顯示面板和該顯示面板的顯示裝置。所述測(cè)試單元能夠在制造陣列基板時(shí)進(jìn)行全面的檢測(cè)。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種測(cè)試單元，其中，所述測(cè)試單元包括至少一層測(cè)試圖形，每層所述測(cè)試圖形包括多條寬度互不相同且互相間隔的測(cè)試線。
[0005]優(yōu)選地，一層所述測(cè)試圖形包括至少3條互相平行的測(cè)試線，且多條所述測(cè)試線之間的形成的間隔互不相同。
[0006]優(yōu)選地，所述測(cè)試單元包括多層測(cè)試圖形，且不同層的測(cè)試圖形之間設(shè)置有間隔層。
[0007]優(yōu)選地，所述測(cè)試單元包括兩層測(cè)試圖形，各層所述測(cè)試圖形中包括的所述測(cè)試線的條數(shù)相同，且兩層所述測(cè)試圖形中的測(cè)試線通過間隔層中的過孔一一對(duì)應(yīng)地連接，上一層所述測(cè)試圖形中的測(cè)試線在下一層所述測(cè)試圖形上的投影與下一層所述測(cè)試圖形中的測(cè)試線相交叉。
[0008]優(yōu)選地，在相鄰兩層所述測(cè)試圖形中:
[0009]位于下層所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試塊，位于下層的所述測(cè)試圖形中每條測(cè)試線的一端均設(shè)置有一個(gè)所述測(cè)試塊，相鄰兩條所述測(cè)試線的測(cè)試塊位于所述測(cè)試圖形的不同側(cè)；
[0010]位于上層的所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試框，多個(gè)所述測(cè)試框在下層所述測(cè)試圖形的投影分別位于多個(gè)所述測(cè)試塊的外側(cè)，且所述測(cè)試框的投影與所述測(cè)試塊的側(cè)邊相間隔。
[0011]優(yōu)選地，所述測(cè)試框形成有開口部，該開口部在下層所述測(cè)試圖形上的投影對(duì)應(yīng)于所述測(cè)試塊與所述測(cè)試線相連的部分。
[0012]優(yōu)選地，多個(gè)所述過孔的孔徑互不相同。
[0013]優(yōu)選地，每層所述測(cè)試圖形都包括四條所述測(cè)試線，相鄰兩層所述測(cè)試圖形之間設(shè)置有四個(gè)所述過孔。
[0014]優(yōu)選地下層的所述測(cè)試圖形由半導(dǎo)體材料制成，上層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成；或者
[0015]下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，上層的所述測(cè)試圖形也由金屬材料制成；或者
[0016]下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，上層的所述測(cè)試圖形由透明電極材料制成。
[0017]作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供一種陣列基板，該陣列基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞該顯示區(qū)設(shè)置的非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)測(cè)試單元，所述顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線、多條柵線、多個(gè)薄膜晶體管和多個(gè)像素電極，其中，所述測(cè)試單元為本發(fā)明所提供的上述測(cè)試單元。
[0018]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，
[0019]多個(gè)所述測(cè)試單元中的至少一個(gè)包括兩層所述測(cè)試圖形，下層的所述測(cè)試圖形由半導(dǎo)體材料制成，且與所述陣列基板的有源層同層設(shè)置，上層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置；和/或
[0020]多個(gè)所述測(cè)試單元中的至少一個(gè)包括兩層所述測(cè)試圖形，下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，上層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的柵線同層設(shè)置；和/或
[0021]多個(gè)所述測(cè)試單元中的至少一個(gè)包括兩層所述測(cè)試圖形，下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，上層的所述測(cè)試圖形由透明電極材料制成，且與所述陣列基板的像素電極同層設(shè)置。
[0022]作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供一種顯示面板，該顯示面板包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0023]作為本發(fā)明的第四個(gè)方面，提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括顯示面板，其中，所述顯示面板為本發(fā)明所提供的上述顯示面板。
[0024]作為本發(fā)明的第五個(gè)方面，提供一種陣列基板的制造方法，該陣列基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞該顯示區(qū)設(shè)置的非顯示區(qū)，所述制造方法包括:
[0025]在所述顯示區(qū)內(nèi)形成多層顯示圖形；其中，所述制造方法還包括:
[0026]至少在形成一層所述顯示圖形時(shí)，在所述非顯示區(qū)形成測(cè)試圖形，所述測(cè)試圖形為本發(fā)明所提供的上述測(cè)試圖形；
[0027]觀察是否正確地形成了所述測(cè)試圖形；
[0028]當(dāng)未正確形成所述測(cè)試圖形時(shí)，則判定未能正確地形成與所述測(cè)試圖形同層的顯示圖形，并對(duì)形成與所述測(cè)試圖形同層的顯示圖形的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直至正確地形成所述測(cè)試圖形為止。
[0029]優(yōu)選地，在制造每層所述顯示圖形時(shí)均在所述非顯示區(qū)形成測(cè)試圖形。
[0030]優(yōu)選地，兩層不同的所述顯示圖形通過貫穿兩層所述顯示圖形之間的間隔層的過孔相連，所述制造方法包括:
[0031]形成下層的顯示圖形，并形成與下層的所述顯示圖形同層設(shè)置的下層的測(cè)試圖形；
[0032]當(dāng)正確地形成下層的所述測(cè)試圖形時(shí)，形成覆蓋下層的所述顯示圖形和下層的所述測(cè)試圖形的間隔層；
[0033]形成多個(gè)過孔，該多個(gè)過孔中位于所述顯示區(qū)中的過孔位于下層的所述顯示圖形的上方，所述多個(gè)過孔中位于所述非顯示區(qū)中的過孔位于下層的所述測(cè)試圖形的測(cè)試線的上方；
[0034]觀察所述非顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)過孔是否正確地形成:
[0035]當(dāng)所述非顯示區(qū)內(nèi)的過孔未能正確地形成時(shí)，對(duì)形成多個(gè)所述過孔的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直至能正確地形成所述非顯示區(qū)內(nèi)的所述過孔為止；
[0036]當(dāng)所述非顯示區(qū)內(nèi)的過孔均能正確地形成時(shí)，形成上層的顯示圖形以及與該上層的顯示圖形同層的上層的測(cè)試圖形。
[0037]優(yōu)選地，在所述非顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)所述過孔的孔徑互不相同。
[0038]優(yōu)選地，在相鄰兩層所述測(cè)試圖形中:
[0039]位于下層所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試塊，位于下層的所述測(cè)試圖形中每條測(cè)試線的一端均設(shè)置有一個(gè)所述測(cè)試塊，相鄰兩條所述測(cè)試線的測(cè)試塊位于所述測(cè)試圖形的不同側(cè)；
[0040]位于上層的所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試框，多個(gè)所述測(cè)試框在下層所述測(cè)試圖形的投影分別位于多個(gè)所述測(cè)試塊的外側(cè)，且所述測(cè)試框的投影與所述測(cè)試塊的側(cè)邊相間隔。
[0041]優(yōu)選地，所述測(cè)試框形成有開口部，該開口部在下層所述測(cè)試圖形上的投影對(duì)應(yīng)于所述測(cè)試塊與所述測(cè)試線相連的部分。
[0042]優(yōu)選地，下層的所述顯示圖形為包括有源層的圖形，上層的所述顯示圖形為包括數(shù)據(jù)線和源漏極的圖形；和/或
[0043]下層的所述顯示圖形為包括數(shù)據(jù)線和源漏極的圖形，上層的所述顯示圖形為包括柵線的圖形；和/或
[0044]下層的所述顯示圖形為包括數(shù)據(jù)線和源漏極的圖形，上層的所述顯示圖形為包括像素電極的圖形。
[0045]由于每層所述測(cè)試圖形都包括具有不同寬度的多條測(cè)試線，因此，在形成了一層測(cè)試圖形以及和該測(cè)試圖形同層的顯示圖形之后，可以通過觀察測(cè)試圖形中每條測(cè)試線的狀態(tài)就可以確定形成所述顯示圖形時(shí)的曝光和刻蝕的工藝能力。當(dāng)多條測(cè)試線中的一條上出現(xiàn)缺口或者沒有達(dá)到預(yù)定的寬度時(shí)，則說明在制造與所述測(cè)試圖形同層的顯示圖形時(shí)，不能正確地形成具有上述預(yù)定的寬度的線，應(yīng)當(dāng)對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0046]附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0047]圖1是本發(fā)明所提供的測(cè)試單元的俯視圖；
[0048]圖2是圖1中所示的測(cè)試單元的H剖視圖；
[0049]圖3是基板上形成有緩沖層和下層的測(cè)試圖形后的主剖視圖；
[0050]圖4是圖3中所示結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0051]圖5是在圖3中所示的結(jié)構(gòu)上設(shè)置間隔層后再形成光刻膠，并對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影后形成的結(jié)構(gòu)；
[0052]圖6是間隔層上形成有過孔后的示意圖；
[0053]圖7是圖6中所示的結(jié)構(gòu)上沉積形成上層的測(cè)試圖形的材料后的結(jié)構(gòu)；
[0054]圖8是在圖7中所示的結(jié)構(gòu)上設(shè)置光刻膠，并對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影后形成的結(jié)構(gòu)；
[0055]圖9是形成上層測(cè)試圖形后的俯視圖。
[0056]附圖標(biāo)記說明
[0057]101、102、103、104:下一層的測(cè)試線
[0058]101a、102a、103a、104a:下一層的測(cè)試塊
[0059]201、202、203、204:上一層的測(cè)試線
[0060]20la、202a、203a、204a:上一層的測(cè)試塊
[0061]210、220、230、240:測(cè)試框
[0062]200、金屬材料層 300、基板
[0063]400、緩沖層500、間隔層
[0064]600、光刻膠層
【具體實(shí)施方式】
[0065]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0066]作為本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種測(cè)試單元，其中，所述測(cè)試單元包括至少一層測(cè)試圖形，每層所述測(cè)試圖形包括多條寬度互不相同且互相間隔的測(cè)試線。
[0067]由于每層所述測(cè)試圖形都包括具有不同寬度的多條測(cè)試線，因此，在形成了一層測(cè)試圖形以及和該測(cè)試圖形同層的顯示圖形之后，可以通過觀察測(cè)試圖形中每條測(cè)試線的狀態(tài)就可以確定形成所述顯示圖形時(shí)的曝光和刻蝕的工藝能力。當(dāng)多條測(cè)試線中的一條上出現(xiàn)缺口或者沒有達(dá)到預(yù)定的寬度時(shí)，則說明在制造與所述測(cè)試圖形同層的顯示圖形時(shí)，不能正確地形成具有上述預(yù)定的寬度的線，應(yīng)當(dāng)對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
[0068]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明中所提到的“顯示圖形”是指位于陣列基板的顯示區(qū)內(nèi)、在包括所述陣列基板的顯示面板進(jìn)行顯示時(shí)能夠發(fā)揮作用的圖形。
[0069]當(dāng)一層測(cè)試圖形包括寬度分別為2.5 μ m、3 μ m、4 μ m和4.5 μ m的測(cè)試線時(shí),如果寬度為2.5μπι的測(cè)試線上出現(xiàn)了缺口，則說明在形成與該層測(cè)試圖形同層的顯示圖形時(shí)，無(wú)法形成寬度為2.5 μ m的線條，應(yīng)當(dāng)對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行調(diào)整，直至可以順利地形成寬度為
2.5 μ m的圖形為止。
[0070]由此可知，利用本發(fā)明所提供的測(cè)試單元對(duì)制作陣列基板的工藝進(jìn)行檢測(cè)可以更準(zhǔn)確地確定出現(xiàn)不良的工藝位置，因此可以有針對(duì)性地對(duì)工藝條件作出調(diào)整。
[0071]本發(fā)明所提供的測(cè)試單元可以包括一層測(cè)試圖形也可以包括多層測(cè)試圖形。優(yōu)選地，所述測(cè)試單元可以包括多層測(cè)試圖形，該多層測(cè)試圖形分別與陣列基板的多層顯示圖形同層設(shè)置，從而可以對(duì)各層顯示圖形分別進(jìn)行檢測(cè)，從而可以更好地確保陣列基板的良率。
[0072]在制造陣列基板時(shí)，除了檢測(cè)制造工藝是否能夠很好地制造具有預(yù)定線寬的線條之外，還需檢測(cè)相鄰兩條線之間的間隔是否能夠達(dá)到預(yù)定的寬度。
[0073]當(dāng)一層測(cè)試圖形中包括兩條測(cè)試線時(shí)，在形成了該層的測(cè)試圖形和與該層測(cè)試圖形同層設(shè)置的顯示圖形后，可以對(duì)測(cè)試圖形中兩條測(cè)試線之間的間隔的寬度進(jìn)行測(cè)量，當(dāng)兩條測(cè)試線之間的間隔的寬度達(dá)到預(yù)定值時(shí)，則說明本層顯示圖形是合格的。如果兩條線之間的距離小于上述預(yù)定值則說明與該測(cè)試圖形同層設(shè)置的顯示圖形中線條間隔過小，這種情況下容易出現(xiàn)同層線路之間的短路。
[0074]作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，在同一層測(cè)試圖形中，多條測(cè)試線可以等間隔設(shè)置。
[0075]多條測(cè)試線等間隔的設(shè)置適用于顯示圖形中的線條也等間隔設(shè)置的情況。在有些情況中，顯示圖形中的線條并非等間隔設(shè)置的，為了對(duì)這種情況進(jìn)行檢測(cè)，優(yōu)選地，一層所述測(cè)試圖形包括至少3條互相平行的測(cè)試線，且多條所述測(cè)試線之間的形成的間隔的寬度互不相同。
[0076]具體地，在依次排列的多條測(cè)試線中，第一條測(cè)試線與第二條測(cè)試線之間的間隔不等于第二條測(cè)試線與第三條測(cè)試線之間的間隔，依次類推。
[0077]如果任意一個(gè)間隔未達(dá)到應(yīng)該達(dá)到的預(yù)定值，則說明刻蝕工藝出現(xiàn)了問題，應(yīng)該進(jìn)行調(diào)整。
[0078]如上文中所述，優(yōu)選地，所述測(cè)試單元包括多層測(cè)試圖形，且不同層的測(cè)試圖形之間設(shè)置有間隔層。多層測(cè)試圖形分別用于測(cè)量多層顯示圖形的工藝狀況。
[0079]圖1和圖2中所示的是包括兩層測(cè)試圖形的情況，該兩層測(cè)試圖形分別對(duì)應(yīng)于陣列基板中的有源層和源漏金屬層。上層的測(cè)試圖形和下層的測(cè)試圖形之間形成有間隔層500。
[0080]如圖1和圖2中所示，各層所述測(cè)試圖形中包括的所述測(cè)試線的條數(shù)相同。每層所述測(cè)試圖形都包括四條測(cè)試線。
[0081]下一層測(cè)試圖形包括四條測(cè)試線101、102、103、104，且測(cè)試線101的寬度小于測(cè)試線102的寬度，測(cè)試線102的寬度小于測(cè)試線103的寬度，測(cè)試線103的寬度小于測(cè)試線104的寬度。具體地，測(cè)試線101的寬度為2.5 μ m，測(cè)試線102的寬度為3 μ m，測(cè)試線103的寬度為4 μ m,測(cè)試線104的寬度為4.5 μ m。
[0082]測(cè)試線101與測(cè)試線102之間的間隔的寬度小于測(cè)試線102與測(cè)試線103之間的間隔的寬度，測(cè)試線102與測(cè)試線103之間的間隔的寬度小于測(cè)試線103與測(cè)試線104之間的間隔的寬度。具體地，測(cè)試線101與測(cè)試線102之間的間隔寬度為2 μ m，測(cè)試線102與測(cè)試線103之間的間隔寬度為2.5 μ m，測(cè)試線103與測(cè)試線104之間的間隔寬度為3 μ m。如上文中所述，下層的測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)于陣列基板中的有源層，因此，下層測(cè)試圖形由與陣列基板中的有源層相同的半導(dǎo)體材料制成。
[0083]形成了下層的測(cè)試圖形后，觀察四條測(cè)試線的狀況，如果任意一條測(cè)試線不完整，則說明在形成有源層的工藝參數(shù)(主要是曝光和刻蝕)出現(xiàn)了問題，應(yīng)當(dāng)進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。在檢測(cè)時(shí)，還需檢測(cè)測(cè)試線之間的間隔，如果測(cè)試線之間的間隔小于預(yù)定的值，也說明形成有源層的工藝參數(shù)出現(xiàn)了問題，應(yīng)當(dāng)進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。
[0084]上層測(cè)試圖形包括四條測(cè)試線201、202、203、204，且測(cè)試線201的寬度小于測(cè)試線202的寬度，測(cè)試線202的寬度小于測(cè)試線203的寬度，測(cè)試線203的寬度小于測(cè)試線204的寬度。測(cè)試線201與測(cè)試線202之間的間隔的寬度小于測(cè)試線202與測(cè)試線203之間的間隔的寬度，測(cè)試線202與測(cè)試線203之間的間隔的寬度小于測(cè)試線203與測(cè)試線204之間的間隔的寬度。具體地，測(cè)試線201與測(cè)試線202之間的間隔寬度為2 μ m，測(cè)試線202與測(cè)試線203之間的間隔寬度為2.5 μ m，測(cè)試線203與測(cè)試線204之間的間隔寬度為3 μ m。如上文中所述，下層測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)于陣列基板中的源漏金屬層，因此，下層測(cè)試圖形由與陣列基板中的源漏金屬層相同的金屬材料制成。
[0085]形成了上層的測(cè)試圖形后，觀察四條測(cè)試線的狀況，如果任意一條測(cè)試線不完整，則說明在形成源漏層的工藝參數(shù)(主要是曝光和刻蝕)出現(xiàn)了問題，應(yīng)當(dāng)進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。在檢測(cè)時(shí)，還需檢測(cè)測(cè)試線之間的間隔，如果測(cè)試線之間的間隔小于預(yù)定的值，也說明形成源漏層的工藝參數(shù)出現(xiàn)了問題，應(yīng)當(dāng)進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。
[0086]當(dāng)陣列基板上的不同層的顯示圖形之間需要通過間隔層中的過孔進(jìn)行電連接時(shí)，優(yōu)選地，在不同層的測(cè)試圖形之間也設(shè)置過孔，使得不同層的測(cè)試圖形的測(cè)試線可以電連接。通過檢測(cè)測(cè)試單元中過孔的開孔狀況可以判斷陣列基板的顯示區(qū)中的過孔的開孔狀況。
[0087]具體地，在形成過孔之前，會(huì)在下一層的測(cè)試圖形上方設(shè)置一層間隔層，然后通過構(gòu)圖工藝在間隔層上形成貫穿該間隔層的過孔。通過觀察設(shè)置在間隔層上的過孔的情況可以判斷顯示區(qū)內(nèi)形成的過孔是否合格。
[0088]為了便于檢測(cè)在形成陣列基板時(shí)形成過孔的工藝能力，優(yōu)選地，多個(gè)所述過孔的孔徑互不相同。
[0089]當(dāng)孔徑互不相同的過孔分別形成在間隔層上之后，觀察各個(gè)過孔的形成情況則可判斷形成過孔的工藝能力。例如，如果沒能具有某一孔徑的過孔，則說明顯示區(qū)內(nèi)也沒有形成具有上述孔徑的過孔，因此，需要調(diào)節(jié)工藝參數(shù)，直至能夠正確地形成所有過孔為止。
[0090]在圖1中所示的實(shí)施方式中，相鄰兩層所述測(cè)試圖形之間設(shè)置有四個(gè)所述過孔。具體地，測(cè)試線201通過貫穿間隔層的過孔A與測(cè)試線101電連接；測(cè)試線202通過貫穿間隔層的過孔B與測(cè)試線101電連接；測(cè)試線203通過貫穿間隔層的過孔C與測(cè)試線103電連接；測(cè)試線204通過貫穿間隔層的過孔D與測(cè)試線104電連接。過孔A的孔徑小于過孔B的孔徑，過孔B的孔徑小于過孔C的孔徑，過孔C的孔徑小于過孔D的孔徑。具體地，過孔A的孔徑為2 μ m,過孔B的孔徑為2.5 μ m,過孔C的孔徑為3 μ m,過孔D的孔徑為3.5 μ m。
[0091]如上文中所述，形成在兩層測(cè)試圖形之間的過孔的作用是將位于不同層的圖形進(jìn)行導(dǎo)電連接，因此，在形成了過孔之后，還可以通過測(cè)試上層測(cè)試圖形中不同的測(cè)試線之間的阻抗來(lái)判斷測(cè)該上層圖形中的測(cè)試線是否發(fā)生了短路。由于多條測(cè)試線的寬度互不相同，因此，通過測(cè)量不同寬度的測(cè)試線之間的阻抗可以判斷在形成那種寬度的線條時(shí)會(huì)發(fā)生短路的情況。
[0092]為了減小測(cè)試單元在陣列基板上所占的面積，優(yōu)選地，上一層所述測(cè)試圖形中的測(cè)試線在下一層所述測(cè)試圖形上的投影與下一層所述測(cè)試圖形中的測(cè)試線相交叉。例如，在圖1中所示的實(shí)施方式中，下一層的測(cè)試圖形中的測(cè)試線101、102、103、104互相平行且沿水平方向延伸，上一層測(cè)試圖形中的測(cè)試線201、202、203、204互相平行且沿豎直方向延伸。
[0093]為了檢測(cè)進(jìn)行曝光工藝時(shí)的重疊黃光對(duì)準(zhǔn)能力，優(yōu)選地，在任意相鄰兩層所述測(cè)試圖形中:
[0094]位于下層所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試塊，位于下層的所述測(cè)試圖形中每條測(cè)試線的一端均設(shè)置有一個(gè)所述測(cè)試塊，相鄰兩條所述測(cè)試線的測(cè)試塊位于所述測(cè)試圖形的不同側(cè)；
[0095]位于上層的所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試框，多個(gè)所述測(cè)試框在下層所述測(cè)試圖形的投影分別位于多個(gè)所述測(cè)試塊的外側(cè)，且所述測(cè)試框的投影與所述測(cè)試塊的側(cè)邊相間隔。
[0096]理論上，測(cè)試框的內(nèi)邊緣與測(cè)試塊的側(cè)邊之間的間隔是預(yù)設(shè)好的理論預(yù)設(shè)值。當(dāng)刻蝕工藝過程中曝光顯影的對(duì)位準(zhǔn)確時(shí)，測(cè)試框的內(nèi)邊緣與相應(yīng)的測(cè)試塊的側(cè)邊之間的距離是是上述理論預(yù)設(shè)值。當(dāng)刻蝕工藝過程中曝光顯影的對(duì)位不準(zhǔn)確時(shí)，測(cè)試框的內(nèi)邊緣與相應(yīng)的測(cè)試塊的側(cè)邊之間的距離則不等于上述理論預(yù)設(shè)值，應(yīng)當(dāng)對(duì)曝光工藝中的參數(shù)(例如，掩膜板的位置)進(jìn)行調(diào)整。
[0097]具體地，在圖1和圖2中所示的實(shí)施方式中，下層的測(cè)試圖形中，測(cè)試線101的左端形成有測(cè)試塊101a，測(cè)試線102的右端形成有測(cè)試塊102a，測(cè)試線103的左端形成有測(cè)試塊103a，測(cè)試線104的右端形成有測(cè)試塊104a。上層的測(cè)試圖形還包括環(huán)繞測(cè)試塊1la的測(cè)試框210、環(huán)繞測(cè)試塊102a的測(cè)試框220、環(huán)繞測(cè)試塊103a的測(cè)試框230和環(huán)繞測(cè)試塊104a的測(cè)試框240。
[0098]為了便于說明，假設(shè)測(cè)試塊1la的側(cè)邊與測(cè)試框210的內(nèi)邊緣之間的間隔的理論預(yù)設(shè)值為I μ m。當(dāng)如果在形成了上層的測(cè)試圖形和下層的測(cè)試圖形之后，發(fā)現(xiàn)測(cè)試塊1la的側(cè)邊與測(cè)試框210的內(nèi)邊緣之間的間隔的理論預(yù)設(shè)值為I μ m則說明此次工藝中對(duì)位準(zhǔn)確；反之，如果在形成了上層的測(cè)試圖形和下層的測(cè)試圖形之后，發(fā)現(xiàn)測(cè)試塊1la的側(cè)邊與測(cè)試框210的內(nèi)邊緣之間的間隔的理論預(yù)設(shè)值大于或小于lym，則說明此次工藝中對(duì)位不夠準(zhǔn)確。
[0099]為了確保測(cè)試框的完整性，優(yōu)選地，所述測(cè)試框形成有開口部，該開口部在下層所述測(cè)試圖形上的投影對(duì)應(yīng)于所述測(cè)試塊與所述測(cè)試線相連的部分。
[0100]如圖2中所示，形成在下層的測(cè)試圖形上的間隔層500并不是完全平整的，對(duì)應(yīng)于測(cè)試線102和測(cè)試塊102a的位置形成有凸起。上層測(cè)試圖形中的測(cè)試框220形成在測(cè)試塊102a的外圍，并且測(cè)試框220的任何一條邊的投影均沒有與測(cè)試線102發(fā)生交叉，因此不會(huì)在間隔層500的凸起上爬坡，因此也不容易斷裂。
[0101]在圖1中所示的實(shí)施方式中，測(cè)試線201、202、203、204上分別設(shè)置有測(cè)試塊201a、202a、203a、204a，這意味著雖然附圖中并未示出，但是在包括測(cè)試線201、202、203、204的上方還可以形成一層測(cè)試圖形。
[0102]作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，下層的所述測(cè)試圖形可以由半導(dǎo)體材料制成，上層的所述測(cè)試圖形可以由金屬材料制成。在這種情況中，下層的所述測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)于陣列基板的半導(dǎo)體層；上層的所述測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)于所述陣列基板的源漏金屬層。通過觀察下層測(cè)試圖形中不同寬度的測(cè)試線的形成情況可以判斷陣列基板的顯示區(qū)中有源層的圖形的形成情況以及形成有源層的工藝是否需要調(diào)整。通過觀察形成在間隔層行中的過孔可以判斷連接源漏極和有源層的過孔是否符合要求，并且可以判斷形成過孔的工藝是否需要調(diào)整。通過觀察上層測(cè)試圖形中不同寬度的測(cè)試線的情況可以判斷陣列基板的顯示區(qū)中數(shù)據(jù)線以及源漏極的形成情況，以及判斷形成數(shù)據(jù)線以及源漏極的工藝是否需要調(diào)整。通過檢測(cè)上層測(cè)試圖形中任意兩條測(cè)試線之間的阻抗可以判斷陣列基板的數(shù)據(jù)線是否發(fā)生短路。
[0103]作為本發(fā)明的另一種實(shí)施方式，下層的所述測(cè)試圖形可以由金屬材料制成，上層的所述測(cè)試圖形也可以由金屬材料制成。在這種實(shí)施方式中，下層的測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)于陣列基板的源漏金屬層，上層的測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)與陣列基板的柵線層。通過觀察下層測(cè)試圖形中不同寬度的測(cè)試線的形成情況可以判斷陣列基板的顯示區(qū)中數(shù)據(jù)線以及源漏極的形成情況以及形成有源層的工藝是否需要調(diào)整。通過觀察上層測(cè)試圖形中不同寬度的測(cè)試線的情況可以判斷陣列基板的顯示區(qū)中柵線以及柵極的形成情況，以及判斷形成柵線以及柵極的工藝是否需要調(diào)整。通過檢測(cè)上層測(cè)試圖形中任意兩條測(cè)試線之間的阻抗可以判斷陣列基板的柵線之間是否發(fā)生短路。
[0104]作為本發(fā)明的還一種實(shí)施方式，下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，上層的所述測(cè)試圖形由透明電極材料制成。下層的測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)于陣列基板的源漏金屬層，上層的測(cè)試測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)于陣列基板的像素電極。通過觀察下層測(cè)試圖形中不同寬度的測(cè)試線的形成情況可以判斷陣列基板的顯示區(qū)中數(shù)據(jù)線以及源漏極的形成情況以及形成數(shù)據(jù)線以及源漏極的工藝是否需要調(diào)整。通過觀察形成在間隔層行中的過孔可以判斷連接漏極和像素電極的過孔是否符合要求，并且可以判斷形成過孔的工藝是否需要調(diào)整。通過觀察上層測(cè)試圖形中不同寬度的測(cè)試線的情況可以判斷陣列基板的顯示區(qū)中像素電極形成情況，以及判斷形成像素電極的工藝是否需要調(diào)整。通過檢測(cè)上層測(cè)試圖形中任意兩條測(cè)試線之間的阻抗可以判斷陣列基板的像素電極之間是否發(fā)生短路。
[0105]作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供一種陣列基板，該陣列基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞該顯示區(qū)設(shè)置的非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)測(cè)試單元，所述顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線、多條柵線、多個(gè)薄膜晶體管和多個(gè)像素電極，其中，所述測(cè)試單元為本發(fā)明所提供的上述測(cè)試單元。
[0106]為了使測(cè)試結(jié)果更加準(zhǔn)確，所述陣列基板可以包括多個(gè)測(cè)試單元，多個(gè)測(cè)試單元中的至少一個(gè)為本發(fā)明所提供的上述測(cè)試單元。優(yōu)選地，多個(gè)測(cè)試單元均為本發(fā)明所提供的上述測(cè)試單元。
[0107]由于所述測(cè)試單元的每層測(cè)試圖形都包括寬度不同的測(cè)試線，因此，所述測(cè)試單元可以檢測(cè)制造工藝中，不同寬度的線條的形成情況，使檢測(cè)結(jié)果更加準(zhǔn)確，并且可以更加具有針對(duì)性的對(duì)制造工藝進(jìn)行調(diào)整，最終提聞陣列基板的良率。
[0108]作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供一種顯示面板，該顯示面板包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0109]作為本發(fā)明的一種【具體實(shí)施方式】，所述薄膜晶體管可以為頂柵型薄膜晶體管，多個(gè)所述測(cè)試單元中的至少一個(gè)包括兩層所述測(cè)試圖形，下層的所述測(cè)試圖形由半導(dǎo)體材料制成，且與所述陣列基板的有源層同層設(shè)置，上層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置；和/或
[0110]多個(gè)所述測(cè)試單元中的至少一個(gè)包括兩層所述測(cè)試圖形，下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，上層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的柵線同層設(shè)置；和/或
[0111]多個(gè)所述測(cè)試單元中的至少一個(gè)包括兩層所述測(cè)試圖形，下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，上層的所述測(cè)試圖形由透明電極材料制成，且與所述陣列基板的像素電極同層設(shè)置。
[0112]作為本發(fā)明的第四個(gè)方面，提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括顯示面板，其中，所述顯示面板為本發(fā)明所提供的上述顯示面板。
[0113]作為本發(fā)明的第五個(gè)方面，提供制造本發(fā)明所提供的上述陣列基板的制造方法，如上文中所述，該陣列基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞該顯示區(qū)設(shè)置的非顯示區(qū)，所述制造方法包括:
[0114]在所述顯示區(qū)內(nèi)形成多層顯示圖形；其中，所述制造方法還包括:
[0115]至少在形成一層所述顯示圖形時(shí)，在所述非顯示區(qū)形成測(cè)試圖形，所述測(cè)試圖形為本發(fā)明所提供的上述測(cè)試圖形；
[0116]觀察是否正確地形成了所述測(cè)試圖形；
[0117]當(dāng)未正確形成所述測(cè)試圖形時(shí)，則判定未能正確地形成與所述測(cè)試圖形同層的顯示圖形，并對(duì)形成與所述測(cè)試圖形同層的顯示圖形的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直至正確地形成所述測(cè)試圖形為止。
[0118]應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所述的“正確形成所述測(cè)試圖形”是指，形成了所述測(cè)試圖形中所有的測(cè)試線，并且每條測(cè)試線都達(dá)到了預(yù)定的寬度，并且任意相鄰兩條測(cè)試線之間的間隔也達(dá)到了預(yù)定的寬度。在本發(fā)明中，可以利用C⑶攝像頭對(duì)測(cè)試圖形基板進(jìn)行拍照，通過CXD攝像頭中獲取的圖像分析測(cè)試圖形的寬度是否“正確地形成”。
[0119]此外，當(dāng)測(cè)試圖形以及與該測(cè)試圖形同層設(shè)置的顯示圖形由金屬材料制成時(shí)，還需要判斷顯示圖形的線條之間是否形成了短路。此時(shí)，“正確形成所述測(cè)試圖形”還包括，同一測(cè)試圖形的任意兩條測(cè)試線之間均為發(fā)生短路。具體地，可以通過測(cè)量任意兩條測(cè)試線之間的阻抗來(lái)判斷二者之間是否發(fā)生短路。如果兩條測(cè)試線之間的阻抗小于預(yù)定值，則表明二者之間發(fā)生了短路，相應(yīng)地，在顯示區(qū)的顯示圖形中，具有與被測(cè)量的測(cè)試線相同寬度的線條之間也可能發(fā)生短路。
[0120]通過觀察測(cè)試圖形可以判斷與該測(cè)試圖形同層的顯示圖形是否正確地形成，為了全面地判斷陣列基板中各層顯示圖形的形成情況，優(yōu)選地，在制造每層所述顯示圖形時(shí)均在所述非顯示區(qū)形成測(cè)試圖形。
[0121]在陣列基板中，不同層的顯示圖形之間通常需要進(jìn)行電連接，S卩，兩層不同的所述顯示圖形通過貫穿兩層所述顯示圖形之間的間隔層的過孔相連，在這種情況中，所述制造方法包括:
[0122]形成下層的顯示圖形，并形成與下層的所述顯示圖形同層設(shè)置的下層的測(cè)試圖形；
[0123]當(dāng)正確地形成下層的所述測(cè)試圖形時(shí)，形成覆蓋下層的所述顯示圖形和下層的所述測(cè)試圖形的間隔層；
[0124]形成多個(gè)過孔，該多個(gè)過孔中位于所述顯示區(qū)中的過孔位于下層的所述顯示圖形的上方，所述多個(gè)過孔中位于所述非顯示區(qū)中的過孔位于下層的所述測(cè)試圖形的測(cè)試線的上方；
[0125]觀察所述非顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)過孔是否正確地形成:
[0126]當(dāng)所述非顯示區(qū)內(nèi)的過孔未能正確地形成時(shí)，對(duì)形成多個(gè)所述過孔的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直至能正確地形成所述非顯示區(qū)內(nèi)的所述過孔為止；
[0127]當(dāng)所述非顯示區(qū)內(nèi)的過孔均能正確地形成時(shí)，形成上層的顯示圖形以及與該上層的顯示圖形同層的上層的測(cè)試圖形。
[0128]利用測(cè)試圖形判斷與該測(cè)試圖形同層的顯示圖形是否正確形成的方法如上文中所述，這里不再贅述。
[0129]“觀察所述非顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)過孔是否正確地形成”包括判斷是否所有的過孔均已形成，以及判斷每個(gè)過孔的孔徑是否已經(jīng)達(dá)到預(yù)設(shè)值。
[0130]如上文中所述，在所述非顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)所述過孔的孔徑互不相同。
[0131]形成了上層的顯示圖形之后，可以利用與上層的顯示圖形同層的測(cè)試圖形判斷上層的顯示圖形是否真確地形成，具體方法也不再贅述。
[0132]在制造所述陣列基板的過程中，還應(yīng)當(dāng)檢測(cè)刻蝕工藝的黃光對(duì)準(zhǔn)能力，具體地，在相鄰兩層所述測(cè)試圖形中:
[0133]位于下層所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試塊，位于下層的所述測(cè)試圖形中每條測(cè)試線的一端均設(shè)置有一個(gè)所述測(cè)試塊，相鄰兩條所述測(cè)試線的測(cè)試塊位于所述測(cè)試圖形的不同側(cè)；
[0134]位于上層的所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試框，多個(gè)所述測(cè)試框在下層所述測(cè)試圖形的投影分別位于多個(gè)所述測(cè)試塊的外側(cè)，且所述測(cè)試框的投影與所述測(cè)試塊的側(cè)邊相間隔。
[0135]在這種情況中，“正確形成所述測(cè)試圖形”還包括上層測(cè)試圖形中的測(cè)試框的側(cè)邊與下層測(cè)試圖形的測(cè)試塊的側(cè)邊之間的間隔為預(yù)定值。如果上層測(cè)試圖形中的測(cè)試框的側(cè)邊與下層測(cè)試圖形的測(cè)試塊的側(cè)邊之間的間隔不是上述預(yù)定值的話，則說明在形成上層顯示圖形時(shí)，黃光對(duì)準(zhǔn)能力不符合要求，應(yīng)當(dāng)對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直至上層測(cè)試圖形中的測(cè)試框的側(cè)邊與下層測(cè)試圖形的測(cè)試塊的側(cè)邊之間的間隔達(dá)到預(yù)定值為止。
[0136]如上文中所述，所述測(cè)試框形成有開口部，該開口部在下層所述測(cè)試圖形上的投影對(duì)應(yīng)于所述測(cè)試塊與所述測(cè)試線相連的部分。
[0137]在制造陣列基板時(shí)，可以形成多個(gè)測(cè)試單元，以全面地檢測(cè)各層顯示圖形的形成情況。
[0138]例如，下層的所述顯示圖形可以為包括有源層的圖形，上層的所述顯示圖形可以為包括數(shù)據(jù)線和源漏極的圖形；和/或下層的所述顯示圖形可以為包括數(shù)據(jù)線和源漏極的圖形，上層的所述顯示圖形可以為包括柵線的圖形；和/或下層的所述顯示圖形可以為包括數(shù)據(jù)線和源漏極的圖形，上層的所述顯示圖形可以為包括像素電極的圖形。
[0139]下面結(jié)合圖3至圖9詳細(xì)介紹本發(fā)明所提供的測(cè)試單元的一種實(shí)施方式的工作原理以及所述陣列基板的制造工藝。
[0140]首先需要說明的是，經(jīng)過圖3至圖9中所示的步驟之后，所得到的是圖1和圖2中所示的測(cè)試單元。下層的測(cè)試圖形與陣列基板的有源層同層設(shè)置，上層的測(cè)試圖形與陣列基板源漏金屬層同層設(shè)置。
[0141]制造所述陣列基板的制造方法包括:
[0142]S1、對(duì)基板300進(jìn)行清洗，并在基板300上形成緩沖層400 ；
[0143]S2、在緩沖層400上形成半導(dǎo)體材料層；
[0144]S3、通過光刻構(gòu)圖工藝形成陣列基板的有源層和測(cè)試單元的下層的測(cè)試圖形(參見圖3和圖4，其中，圖3中僅示出了一條測(cè)試線102和形成在測(cè)試線102右端的測(cè)試塊102a)；
[0145]S4、觀察測(cè)試線101、102、103、104是否完整，如測(cè)試線101、102、103、104均達(dá)到預(yù)定的寬度，且測(cè)試線之間的間隔也達(dá)到了預(yù)定寬度，說明陣列基板的顯示區(qū)中的有源層圖形也達(dá)到了預(yù)定的要求，并沒有出現(xiàn)任何不良，繼續(xù)進(jìn)行步驟S5;如任何一根測(cè)試線出現(xiàn)了缺口或斷開，則說明有源層圖形中具有相同寬度的線條也會(huì)出現(xiàn)不良，需要對(duì)S3中的工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整；
[0146]S5、形成間隔層500;
[0147]S6、通過光刻構(gòu)圖工藝形成貫穿間隔層500的過孔A、B、C、D，并且在顯示區(qū)內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于連接有源層和源漏層的過孔，其中，步驟S6包括:
[0148]S61、在間隔層500上形成光刻膠層600，并對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以形成對(duì)應(yīng)于過孔A、B、C、D的圖形(參見圖5)，并在顯示區(qū)內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于連接有源層和源漏層的過孔；
[0149]S62、以曝光顯影后的光刻膠為掩膜，對(duì)間隔層500進(jìn)行刻蝕，以形成相應(yīng)的過孔A、B、C、D以及顯示區(qū)內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于連接有源層和源漏層的過孔；
[0150]形成過孔A、B、C、D后，觀察過孔A、B、C、D的情況，如果過孔A、B、C、D中任意一個(gè)過孔沒有形成或者沒有達(dá)到預(yù)定的孔徑，則表明顯示區(qū)中具有相應(yīng)孔徑的過孔也沒有形成，或者沒有達(dá)到預(yù)定的孔徑；如果過孔A、B、C、D的孔徑均達(dá)到了預(yù)定的孔徑，則表明顯示區(qū)中的過孔均合格，可以進(jìn)行步驟S7 ；
[0151]S7、在形成有過孔的間隔層500上沉積一層金屬材料層200，如圖7所示；
[0152]S8、對(duì)金屬材料層200進(jìn)行光刻構(gòu)圖工藝，以形成包括上層測(cè)試圖形和數(shù)據(jù)線、源漏極的圖形，其中，該步驟S8包括:
[0153]S81、在金屬層上形成光刻膠層，并對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以形成對(duì)應(yīng)于上層的測(cè)試圖形和數(shù)據(jù)線、有源極的圖形，參見圖8 ；
[0154]S82、對(duì)步驟S81中獲得的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以得到上層測(cè)試圖形和數(shù)據(jù)線、源漏極的圖形，如圖9所示。通過觀察上層測(cè)試圖形可以判斷形成在顯示區(qū)中的數(shù)據(jù)線以及源漏極是否合格，并且還可以判斷形成源漏極時(shí)的黃光對(duì)準(zhǔn)能力。通過檢測(cè)上層測(cè)試圖形的測(cè)試線之間的阻抗還可以判斷數(shù)據(jù)線之間是否形成短路。
[0155]接下來(lái)形成包括柵線的圖形以及包括像素電極的圖形與現(xiàn)有技術(shù)中類似，這里不再贅述。
[0156]在步驟SI中，基板300由透明玻璃等透明材料制成，可以利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相(PECVD)在基板300上形成緩沖層400和半導(dǎo)體層。緩沖層400可以為由氧化硅、氮化硅形成的單一層或復(fù)合層。當(dāng)緩沖層400為復(fù)合層時(shí)，氧化硅的厚度優(yōu)選為50-100nm，氮化硅的厚度優(yōu)選為100-300nm。形成半導(dǎo)體層時(shí)，可以線在緩沖層上形成非晶硅層，然后將形成有非晶硅層的基板送入高溫爐中進(jìn)行處理，已達(dá)到脫氫，并將氫含量控制在2%以內(nèi)的目的。
[0157] 可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種測(cè)試單元，其特征在于，所述測(cè)試單元包括至少一層測(cè)試圖形，每層所述測(cè)試圖形包括多條寬度互不相同且互相間隔的測(cè)試線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試單元，其特征在于，一層所述測(cè)試圖形包括至少3條互相平行的測(cè)試線，且多條所述測(cè)試線之間的形成的間隔互不相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試單元，其特征在于，所述測(cè)試單元包括多層測(cè)試圖形，且不同層的測(cè)試圖形之間設(shè)置有間隔層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測(cè)試單元，其特征在于，所述測(cè)試單元包括兩層測(cè)試圖形，各層所述測(cè)試圖形中包括的所述測(cè)試線的條數(shù)相同，且兩層所述測(cè)試圖形中的測(cè)試線通過貫穿所述間隔層中的過孔一一對(duì)應(yīng)地連接，上一層所述測(cè)試圖形中的測(cè)試線在下一層所述測(cè)試圖形上的投影與下一層所述測(cè)試圖形中的測(cè)試線相交叉。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)試單元，其特征在于，在相鄰兩層所述測(cè)試圖形中: 位于下層所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試塊，位于下層的所述測(cè)試圖形中每條測(cè)試線的一端均設(shè)置有一個(gè)所述測(cè)試塊，相鄰兩條所述測(cè)試線的測(cè)試塊位于所述測(cè)試圖形的不同側(cè)； 位于上層的所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試框，多個(gè)所述測(cè)試框在下層所述測(cè)試圖形的投影分別位于多個(gè)所述測(cè)試塊的外側(cè)，且所述測(cè)試框的投影與所述測(cè)試塊的側(cè)邊相間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測(cè)試單元，其特征在于，所述測(cè)試框形成有開口部，該開口部在下層所述測(cè)試圖形上的投影對(duì)應(yīng)于所述測(cè)試塊與所述測(cè)試線相連的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)試單元，其特征在于，多個(gè)所述過孔的孔徑互不相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)試單元，其特征在于，每層所述測(cè)試圖形都包括四條所述測(cè)試線，相鄰兩層所述測(cè)試圖形之間設(shè)置有四個(gè)所述過孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)試單元，其特征在于， 下層的所述測(cè)試圖形由半導(dǎo)體材料制成，上層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成；或者 下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，上層的所述測(cè)試圖形也由金屬材料制成；或者 下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，上層的所述測(cè)試圖形由透明電極材料制成。
10.一種陣列基板，該陣列基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞該顯示區(qū)設(shè)置的非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)測(cè)試單元，所述顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線、多條柵線、多個(gè)薄膜晶體管和多個(gè)像素電極，其特征在于，所述測(cè)試單元為權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的測(cè)試單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管， 多個(gè)所述測(cè)試單元中的至少一個(gè)包括兩層所述測(cè)試圖形，下層的所述測(cè)試圖形由半導(dǎo)體材料制成，且與所述陣列基板的有源層同層設(shè)置，上層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置；和/或 多個(gè)所述測(cè)試單元中的至少一個(gè)包括兩層所述測(cè)試圖形，下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，上層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的柵線同層設(shè)置；和/或 多個(gè)所述測(cè)試單元中的至少一個(gè)包括兩層所述測(cè)試圖形，下層的所述測(cè)試圖形由金屬材料制成，且與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，上層的所述測(cè)試圖形由透明電極材料制成，且與所述陣列基板的像素電極同層設(shè)置。
12.—種顯示面板，該顯示面板包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求10或11所述的陣列基板。
13.—種顯示裝置，該顯示裝置包括顯示面板，其特征在于，所述顯示面板為權(quán)利要求12所述的顯示面板。
14.一種陣列基板的制造方法，該陣列基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞該顯示區(qū)設(shè)置的非顯示區(qū)，所述制造方法包括: 在所述顯示區(qū)內(nèi)形成多層顯示圖形；其特征在于，所述制造方法還包括: 至少在形成一層所述顯示圖形時(shí)，在所述非顯示區(qū)形成測(cè)試圖形，所述測(cè)試圖形為權(quán)利要求I至3中任意一項(xiàng)所述的測(cè)試圖形； 觀察是否正確地形成了所述測(cè)試圖形； 當(dāng)未正確形成所述測(cè)試圖形時(shí)，則判定未能正確地形成與所述測(cè)試圖形同層的顯示圖形，并對(duì)形成與所述測(cè)試圖形同層的顯示圖形的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直至正確地形成所述測(cè)試圖形為止。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，在制造每層所述顯示圖形時(shí)均在所述非顯示區(qū)形成測(cè)試圖形。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，兩層不同的所述顯示圖形通過貫穿兩層所述顯示圖形之間的間隔層的過孔相連，所述制造方法包括: 形成下層的顯示圖形，并形成與下層的所述顯示圖形同層設(shè)置的下層的測(cè)試圖形； 當(dāng)正確地形成下層的所述測(cè)試圖形時(shí)，形成覆蓋下層的所述顯示圖形和下層的所述測(cè)試圖形的間隔層； 形成多個(gè)過孔，該多個(gè)過孔中位于所述顯示區(qū)中的過孔位于下層的所述顯示圖形的上方，所述多個(gè)過孔中位于所述非顯示區(qū)中的過孔位于下層的所述測(cè)試圖形的測(cè)試線的上方； 觀察所述非顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)過孔是否正確地形成: 當(dāng)所述非顯示區(qū)內(nèi)的過孔未能正確地形成時(shí)，對(duì)形成多個(gè)所述過孔的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直至能正確地形成所述非顯示區(qū)內(nèi)的所述過孔為止； 當(dāng)所述非顯示區(qū)內(nèi)的過孔均能正確地形成時(shí)，形成上層的顯示圖形以及與該上層的顯示圖形同層的上層的測(cè)試圖形。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，其特征在于，在所述非顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)所述過孔的孔徑互不相同。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的制造方法，其特征在于，在相鄰兩層所述測(cè)試圖形中: 位于下層所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試塊，位于下層的所述測(cè)試圖形中每條測(cè)試線的一端均設(shè)置有一個(gè)所述測(cè)試塊，相鄰兩條所述測(cè)試線的測(cè)試塊位于所述測(cè)試圖形的不同側(cè)； 位于上層的所述測(cè)試圖形還包括多個(gè)測(cè)試框，多個(gè)所述測(cè)試框在下層所述測(cè)試圖形的投影分別位于多個(gè)所述測(cè)試塊的外側(cè)，且所述測(cè)試框的投影與所述測(cè)試塊的側(cè)邊相間隔。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造方法，其特征在于，所述測(cè)試框形成有開口部，該開口部在下層所述測(cè)試圖形上的投影對(duì)應(yīng)于所述測(cè)試塊與所述測(cè)試線相連的部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的制造方法，其特征在于，下層的所述顯示圖形為包括有源層的圖形，上層的所述顯示圖形為包括數(shù)據(jù)線和源漏極的圖形；和/或 下層的所述顯示圖形為包括數(shù)據(jù)線和源漏極的圖形，上層的所述顯示圖形為包括柵線的圖形；和/或 下層的所述顯示圖形為包括數(shù)據(jù)線和源漏極的圖形，上層的所述顯示圖形為包括像素電極的圖形。
【文檔編號(hào)】G02F1/13GK104345484SQ201410613678
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月4日
【發(fā)明者】詹裕程, 劉建宏 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司