光電感測陣列、制作光電感測陣列的方法及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光電感測陣列、制作光電感測陣列的方法及顯示裝置，本發(fā)明的光感測陣列包括多個第一感測元件、一絕緣層與多個第二感測元件。第一感測元件的下電極與第二感測元件的下電極由不同層圖案化不透明導(dǎo)電層所構(gòu)成，其中第一感測元件的下電極設(shè)置于絕緣層之下，且第二感測元件的下電極設(shè)置于絕緣層之上。
【專利說明】光電感測陣列、制作光電感測陣列的方法及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光電感測陣列、一種制作光電感測陣列的方法及一種顯示裝置，尤其是涉及一種具有高填充因子(fill factor,FF)的光電感測陣列與制作光電感測陣列的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]光電感測陣列主要由多個呈陣列排列的感測元件所構(gòu)成，其中各感測元件以一對應(yīng)的讀取元件電性連接，以將感測信號傳送至對應(yīng)的讀取元件。各感測元件包括一下電極、一感光層與一上電極彼此堆棧設(shè)置。在現(xiàn)有光電感測陣列中，所有感測元件的下電極由同一層導(dǎo)電層所構(gòu)成，并利用同一道微影及蝕刻(photolithography and etching,PEP)制造工藝所定義出，而受限于曝光制造工藝的能力以及為了避免相鄰的感測元件的下電極之間產(chǎn)生短路的考慮，相鄰的感測元件的下電極之間必須維持較大的間隙例如大于4.5微米。因此，現(xiàn)有光電感測陣列會因為具有低填充因子而使其感測精準度與敏感度不佳。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種具有高填充因子及大感測面積的光電感測陣列及其制作方法。
[0004]本發(fā)明的一實施例提供一種光電感測陣列，包括一基板、多個第一讀取元件、多個第二讀取元件、一第一絕緣層、多個第一感測元件、一第二絕緣層以及多個第二感測元件。第一讀取元件與第二讀取元件設(shè)置于基板上。第一絕緣層覆蓋第一讀取元件與第二讀取元件，其中第一絕緣層具有多個第一接觸洞分別部分暴露出等第一讀取元件，以及多個第二接觸洞分別部分暴露出第二讀取元件。第一感測元件設(shè)置于第一絕緣層上，各第一感測元件包括一第一電極、一第一感光層與一第二電極，其中第一感測元件的第一電極設(shè)置于第一絕緣層上并分別經(jīng)由第一接觸洞與第一讀取元件電性連接。第二絕緣層設(shè)置于第一絕緣層上并部分覆蓋第一電極，其中第二絕緣層具有多個第三接觸洞，分別對應(yīng)第二接觸洞并分別部分暴露出第二讀取元件。第二感測元件設(shè)置于第二絕緣層上，各第二感測元件包括一第三電極、一第二感光層與一第四電極，其中第三電極設(shè)置于第二絕緣層上并分別經(jīng)由第三接觸洞與第二讀取元件電性連接。
[0005]本發(fā)明的另一實施例提供一種顯示裝置，包括一顯示面板以及上述光電感測陣列。顯示面板具有一顯示面。上述光電感測陣列設(shè)置于顯示面板的顯示面上。
[0006]本發(fā)明的又一實施例提供一種制作光電感測陣列的方法，包括下列步驟。提供一基板。于基板上形成多個第一讀取元件與多個第二讀取元件。于第一讀取元件與第二讀取元件上形成一第一絕緣層，其中第一絕緣層具有多個第一接觸洞分別部分暴露出第一讀取元件，以及多個第二接觸洞分別部分暴露出第二讀取元件。于第一絕緣層上形成一第一不透明導(dǎo)電層，并圖案化第一不透明導(dǎo)電層以形成多個第一電極，其中第一電極分別經(jīng)由第一接觸洞與第一讀取元件電性連接。于第一絕緣層上形成一第二絕緣層，覆蓋第一電極、第一接觸洞與第二接觸洞，并圖案化第二絕緣層以形成多個第三接觸洞，分別對應(yīng)第二接觸洞并分別部分暴露出第二讀取元件。于第二絕緣層上形成一第二不透明導(dǎo)電層，并圖案化第二不透明導(dǎo)電層以形成多個第三電極，其中第三電極分別經(jīng)由第三接觸洞與第二讀取元件電性連接。移除一部分的第二絕緣層，以形成多個第一開口分別部分曝露出第一電極。
[0007]于各第一電極上分別形成一第一感光層與一第二電極，以及于各第三電極上分別形成一第二感光層與一第四電極，其中各第一電極、各第一感光層與各第二電極構(gòu)成一第一感測元件，且各第三電極、各第二感光層與各第四電極構(gòu)成一第二感測元件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1至圖14是示出本發(fā)明的一實施例的制作光電感測陣列的方法示意圖；
[0009]圖15是示出本發(fā)明的第二實施例的光電感測陣列的上視圖；
[0010]圖16是示出本發(fā)明的第二實施例的光電感測陣列的剖視圖；
[0011]圖17是示出本發(fā)明的第三實施例的光電感測陣列的上視圖；
[0012]圖18是示出本發(fā)明的第四實施例的光電感測陣列的上視圖；圖19是示出本發(fā)明的第四實施例的光電感測陣列的剖視圖；圖20是示出本發(fā)明的一實施例的顯示裝置的示意圖。
[0013]附圖標記
[0014]10:基板12:讀取元件
[0015]121:第一讀取元件122:第二讀取元件
[0016]G:柵極G1:柵極絕緣層
[0017]CH:半導(dǎo)體通道層S:源極
[0018]D:漏極Dl:第一方向
[0019]DL:數(shù)據(jù)線D2:第二方向
[0020]GL:柵極線CSL:儲存電容線
[0021]14:第一絕緣層141:第一接觸洞
[0022]142:第二接觸洞16:第一不透明導(dǎo)電層
[0023]161:第一電極18:光阻層
[0024]20:光罩20A:透光區(qū)
[0025]20B:不透光區(qū)L:光線
[0026]20:第二絕緣層203:第三接觸洞
[0027]22:第二不透明導(dǎo)電層 223:第三電極
[0028]24:光阻層s:間隙
[0029]201:第一開口26:保護層
[0030]262:第二開口263:第三開口
[0031]281:第一感光層302:第二電極
[0032]282:第二感光層304:第四電極
[0033]41:第一感測元件42:第二感測元件
[0034]1:光電感測陣列2:光電感測陣列
[0035]Z:垂直投影方向3:光電感測陣列
[0036]4:光電感測陣列S1:間隙
[0037]s2:間隙50:顯示裝置
[0038]60:顯示面板70:光電感測陣列
[0039]62:陣列基板64:對向基板
[0040]66:液晶層60A:顯示面
[0041]80:背光模塊

【具體實施方式】
[0042]為使熟悉本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的一般技術(shù)人員能更進一步了解本發(fā)明，以下特列舉本發(fā)明的較佳實施例，并配合所附附圖，詳細說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所要實現(xiàn)的效果。
[0043]請參照圖1至圖14。圖1至圖14是示出本發(fā)明的一實施例的制作光電感測陣列的方法示意圖，其中圖1、圖10及圖13以上視形式示出，而圖2至圖9、圖11、圖12與圖14以剖面形式示出。如圖1與圖2所示，首先提供一基板10?；?0可包括一透明基板例如玻璃基板、石英基板或塑料基板，但不以此為限。接著，于基板10上形成多個讀取元件12，其中讀取元件12可包括多個第一讀取元件121與多個第二讀取元件122。本實施例的各讀取元件12可包括至少一薄膜晶體管元件，其包括一柵極G、一柵極絕緣層G1、一半導(dǎo)體通道層CH、一源極S與一漏極D。在本實施例中,在第一方向Dl (例如列方向)上相鄰的讀取元件12可共享同一條數(shù)據(jù)線DL，亦即位于同一列的讀取元件12的源極S可與同一條數(shù)據(jù)線DL電性連接；在第二方向D2(例如行方向)上相鄰的讀取元件12可共享同一條柵極線GL，亦即位于同一行的讀取元件12的柵極G可與同一條柵極線GL電性連接。另外，可選擇性地于基板10上形成多條儲存電容線CSL，分別沿第二方向D2延伸，且位于同一行的各讀取元件12的漏極D可與對應(yīng)的儲存電容線CSL部分重疊以形成一儲存電容。在本實施例中，柵極G、柵極線GL與儲存電容線CSL可由一圖案化導(dǎo)電層例如圖案化金屬層所構(gòu)成；源極S、漏極D與數(shù)據(jù)線DL可由另一圖案化導(dǎo)電層例如圖案化金屬層所構(gòu)成，但不以此為限。半導(dǎo)體通道層CH的材料可包括例如非晶硅、多晶硅、氧化物半導(dǎo)體材料或其它適合的半導(dǎo)體材料。在本實施例中，讀取元件12選用一底柵型薄膜晶體管元件，但不以此為限，讀取元件12可為頂柵型薄膜晶體管元件或其它形式的主動開關(guān)元件。
[0044]如圖3所示，接著于第一讀取元件121與第二讀取元件122上形成一第一絕緣層14，其中第一絕緣層14具有多個第一接觸洞141分別部分暴露出第一讀取元件121，以及多個第二接觸洞142分別部分暴露出第二讀取元件122。精確地說，第一接觸洞141部分暴露出第一讀取元件121的漏極D，且第二接觸洞142部分暴露出第二讀取元件122的漏極D。第一絕緣層14較佳可具有一平坦表面，且第一絕緣層14的材質(zhì)較佳可為但不限定為有機感光材料例如感光樹脂，借此可利用曝光顯影制造工藝形成第一接觸洞141與第二接觸洞142。
[0045]隨后于第一絕緣層14上形成一第一不透明導(dǎo)電層16，并圖案化第一不透明導(dǎo)電層16以形成多個第一電極161,其中第一電極161實質(zhì)上分別位于第一讀取兀件121之上且分別經(jīng)由第一接觸洞141與第一讀取元件121電性連接。在本實施例中，圖案化第一不透明導(dǎo)電層16使用一光罩并進行一微影及蝕刻(photolithography and etching,PEP)制造工藝加以實現(xiàn)。舉例而言，第一不透明導(dǎo)電層16的圖案化制造工藝包括下列步驟。如圖4所示，于第一絕緣層14上形成一第一不透明導(dǎo)電層16。第一不透明導(dǎo)電層16可包括一不透明導(dǎo)電層，其材料可包括金屬或合金，但不以此為限。此外，第一不透明導(dǎo)電層16可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。接著于第一不透明導(dǎo)電層16上形成一光阻層18。如圖5所示，接著使用一光罩20對光阻層18進行一微影制造工藝，移除一部分的光阻層18以部分暴露出第一不透明導(dǎo)電層16。本實施例的光阻層18以正型光阻為例，因此光罩20的透光區(qū)20A對應(yīng)于要移除的光阻層18的部分，而不透光區(qū)20B則對應(yīng)要保留的光阻層18的部分，借此透光區(qū)20A所對應(yīng)的光阻層18在經(jīng)過光線L的照射再經(jīng)過顯影之后可被移除。若使用負型光阻，則光罩20的透光區(qū)20A對應(yīng)于要保留的光阻層18的部分，而不透光區(qū)20B則對應(yīng)要移除的光阻層18的部分。如圖6所示，隨后進行一蝕刻制造工藝，移除光阻層18暴露出的第一不透明導(dǎo)電層16以形成多個第一電極161。第一電極161可為一不透明電極例如金屬電極。
[0046]如圖7所示，移除剩余的光阻層18。隨后于第一絕緣層14上形成一第二絕緣層20，覆蓋第一電極161、第一接觸洞141與第二接觸洞142，并圖案化第二絕緣層20以形成多個第三接觸洞203，分別對應(yīng)第二接觸洞142并分別部分暴露出第二讀取元件122。精確地說，各第三接觸洞203與對應(yīng)的第二接觸洞142部分暴露出對應(yīng)的第二讀取元件122的漏極D。
[0047]隨后于第二絕緣層20上形成一第二不透明導(dǎo)電層22，并圖案化第二不透明導(dǎo)電層22以形成多個第三電極223，其中第三電極223分別經(jīng)由第三接觸洞203與第二讀取元件122的漏極D電性連接。在本實施例中，圖案化第二不透明導(dǎo)電層22是使用一光罩20并進行一微影及蝕刻制造工藝加以實現(xiàn)，且圖案化第二不透明導(dǎo)電層22的微影制造工藝與圖案化第一不透明導(dǎo)電層16的微影制造工藝較佳可以使用同一光罩20，也就是說，借由調(diào)整光罩20與基板10的相對位置，圖案化第二不透明導(dǎo)電層22的微影制造工藝可以利用同一光罩20進行，因此不必使用額外的光罩而可減少制作成本。舉例而言，第二不透明導(dǎo)電層22的圖案化制造工藝包括下列步驟。如圖8所示，第二絕緣層20上形成一第二不透明導(dǎo)電層22。第二不透明導(dǎo)電層22可包括一不透明導(dǎo)電層，其材料可包括金屬或合金，但不以此為限。此外，第二不透明導(dǎo)電層22可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。接著于第二不透明導(dǎo)電層22上形成一光阻層24。如圖9所示，接著再次使用光罩20對光阻層24進行一微影制造工藝，移除一部分的光阻層24以部分暴露出第二不透明導(dǎo)電層22。如圖10與圖11所示，隨后進行一蝕刻制造工藝，移除光阻層24暴露出的第二不透明導(dǎo)電層22以形成多個第三電極223。第三電極223可為一不透明電極例如金屬電極。在本實施例中，相鄰的第一電極161與第三電極223之間具有一間隙S，由于第一電極161由第一不透明導(dǎo)電層16所構(gòu)成以及第三電極223由第二不透明導(dǎo)電層22所構(gòu)成，故相鄰的第一電極161與第三電極223的間隙s可以不受限于曝光制造工藝的能力且沒有第一電極161與第三電極223產(chǎn)生短路的風險而大幅地縮減以提高填充因子，進而提升感測精準度與敏感度。舉例而言，相鄰的第一電極161與第三電極223之間的間隙s實質(zhì)上可小于或等于3微米，例如較佳為2微米，但不以此為限。此外，由于第一電極161由第一不透明導(dǎo)電層16所構(gòu)成，第三電極223由第二不透明導(dǎo)電層22所構(gòu)成，因此第一電極161與基板10的垂直距離小于第三電極223與基板10的垂直距離。
[0048]接著，移除一部分的第二絕緣層20，以形成多個第一開口 201分別部分曝露出第一電極161。在本實施例中，形成第二絕緣層20的第一開口 201的步驟可利用下列步驟實現(xiàn)，但不以此為限。如圖12所示，隨后于第二絕緣層20與第三電極223上形成一保護層26，其中保護層26具有多個第二開口 262和多個第三開口 263，第二開口 262對應(yīng)第一電極161，且第三開口 263部分曝露出第三電極223。接著，移除第二開口 262曝露出的第二絕緣層20，以曝露出第一電極161。在本實施例中，第一開口 201與第二開口 262實際上具有相同的形狀并彼此連通，但不以此為限。舉例而言，第二絕緣層20的第一開口 201也可與第三接觸洞203同時形成。此外，第二絕緣層20部分覆蓋各第一電極161的周邊。
[0049]如圖13與圖14所示，隨后于保護層26與第二絕緣層20暴露出的各第一電極161上分別形成一第一感光層281與一第二電極302,以及于保護層26暴露出的各第三電極223上分別形成一第二感光層282與一第四電極304。為了彰顯本實施例的光電感測陣列I的特色，圖13未示出第二電極302、第四電極304、第一讀取元件121、第二讀取元件122、柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL以及儲存電容線CSL等元件。各第一電極161、各第一感光層281與各第二電極302構(gòu)成一第一感測元件41，且各第三電極223、各第二感光層282與各第四電極304構(gòu)成一第二感測元件42。各第一感光層281位于對應(yīng)的第一開口 201暴露出的第一電極161上并覆蓋對應(yīng)的第一開口 201的第二絕緣層20的側(cè)壁以及覆蓋對應(yīng)的第二開口262的保護層26的側(cè)壁。另外，各第二感光層282位于對應(yīng)的第三開口 263內(nèi)的第三電極223上并覆蓋對應(yīng)的第三開口 263的保護層26的側(cè)壁。在本實施例中，第一感光層281與第二感光層282可由同一層圖案化感光層所構(gòu)成,其材料可為各式具有光電感應(yīng)特性的材料例如半導(dǎo)體感光材料、有機感光材料或無機感光材料等。此外，第二電極302與第四電極304分別為一透明電極，且在本實施例中，第二電極302與第四電極304可由同一透明導(dǎo)電層所構(gòu)成且彼此電性連接，也就是說，第二電極302與第四電極304可具有同一共通電壓，并分別作為第一感測元件41與第二感測元件42的上電極例如陰極。在一變化實施例中，第二電極302與第四電極304亦可彼此分離，并分別具有獨立的驅(qū)動電壓。第一電極161與第三電極223則分別作為第一感測元件41與第二感測元件42的下電極例如陽極。借由上述方法，即可制作出本發(fā)明的第一實施例的光電感測陣列I。
[0050]在本實施例中，第一感測元件41與第二感測元件42在第一方向Dl與第二方向D2的其中至少一者上為交替排列。舉例而言，第一感測元件41與第二感測元件42在第一方向Dl與第二方向D2的均為交替排列，借此在第一方向Dl上與第二方向D2上相鄰的第一電極161與第三電極223之間的間隙s均可大幅縮小。舉例而言，以分辨率為100ppi的光電感測陣列為例，當相鄰的第一電極161與第三電極223之間的間隙s由4.5微米縮減至2微米時，各感測元件的感測面積約可以從約274平方微米增加至約338平方微米，且填充因子可從42%增加至52%，借此可以提升光電感測陣列I的靈敏度與準確度。
[0051]本發(fā)明的光電感測陣列并不以上述實施例為限。以下將依序介紹本發(fā)明的其它較佳實施例的光電感測陣列，且為了便于比較各實施例的相異處并簡化說明，在以下的各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施例的相異處進行說明，而不再對重復(fù)部分進行贅述。
[0052]請參照圖15與圖16。圖15是示出本發(fā)明的第二實施例的光電感測陣列的上視圖，圖16是示出本發(fā)明的第二實施例的光電感測陣列的剖視圖。如圖15與圖16所示，在本實施例的光電感測陣列2中，一部分的兩相鄰的第一感測元件41的第一電極161與第二感測元件42的第三電極223之間具有一間隙S，且一部分的兩相鄰的第一感測元件41的第一電極161的邊緣與第二感測元件42的第三電極223的邊緣在一垂直投影方向Z上切齊。舉例而言，在本實施例中，第一感測元件41與第二感測元件42在第一方向Dl與第二方向D2上均為交替排列，但在第一方向Dl上任兩相鄰的第一感測元件41的第一電極161與第二感測元件42的第三電極223之間具有一間隙S，而在第二方向D2上任兩相鄰的第一感測元件41的第一電極161的邊緣與第二感測元件42的第三電極223的邊緣在垂直投影方向Z上實質(zhì)上切齊。借由上述配置，本實施例的光電感測陣列2可進一步提升填充因子。值得說明的是，兩相鄰的第一感測元件41的第一電極161的邊緣與第二感測元件42的第三電極223的邊緣在垂直投影方向Z上實質(zhì)上切齊，但實際上考慮到第一電極161與第三電極223的對位誤差，兩相鄰的第一感測元件41的第一電極161的邊緣與第二感測元件42的第三電極223的邊緣在第二方向D2的距離在誤差范圍內(nèi)均可視為實質(zhì)上切齊。
[0053]請參照圖17。圖17是示出本發(fā)明的第三實施例的光電感測陣列的上視圖。如圖17所示，在本實施例的光電感測陣列3中，第一感測元件41與第二感測元件42在第一方向Dl與第二方向D2上均為交替排列，且在第一方向Dl上與第二方向D2上任兩相鄰的第一感測元件41的第一電極161的邊緣與第二感測元件42的第三電極223的邊緣在垂直投影方向Z上實質(zhì)上切齊。借由上述配置，本實施例的光電感測陣列3可更進一步提升填充因子。值得說明的是，兩相鄰的第一感測元件41的第一電極161的邊緣與第二感測元件42的第三電極223的邊緣在垂直投影方向Z上實質(zhì)上切齊，但實際上考慮到第一電極161與第三電極223的對位誤差，兩相鄰的第一感測元件41的第一電極161的邊緣與第二感測元件42的第三電極223的邊緣在第一方向Dl與第二方向D2的距離在誤差范圍內(nèi)均可視為實質(zhì)上切齊。
[0054]請參照圖18與圖19。圖18是示出本發(fā)明的第四實施例的光電感測陣列的上視圖，圖19是示出本發(fā)明的第四實施例的光電感測陣列的剖視圖。如圖18與圖19所示，在本實施例的光電感測陣列4中，第一感測元件41與第二感測元件42在第一方向Dl為交替排列，但第一感測元件41與第二感測元件42在第二方向D2上未交替排列。舉例而言，位于奇數(shù)行的感測元件均為第一感測元件41，而位于偶數(shù)行的感測元件均為第二感測元件42。借由上述配置，在第一方向Dl上任兩相鄰的第一感測元件41的第一電極161與第二感測元件42的第三電極223之間具有一間隙Si ;在第二方向D2上，任兩相鄰的第一感測元件41的兩第一電極161具有一間隙s2,且任兩相鄰的第二感測兀件42的兩第三電極223具有一間隙s2。由于第一電極161與第三電極223由不同層圖案化不透明導(dǎo)電層所構(gòu)成，因此間隙Si可小于間隙s2。舉例而言，間隙Si實質(zhì)上可小于3微米，且較佳為2微米，而間隙s2可為4.5微米。
[0055]本發(fā)明的光電感測陣列可應(yīng)用在影像感測裝置、觸控輸入裝置、指紋識別裝置或其它光學感測相關(guān)應(yīng)用上。舉例而言，在指紋識別的應(yīng)用上，當手指放置在光電感測陣列上時會遮蔽光線，導(dǎo)致光線的強度會減弱，達到指紋識別的作用。值得說明的是，上述光線可以是由光電感測陣列的正面進入的光線例如環(huán)境光，在此狀況下，本發(fā)明的第一至第四實施例的光學感測陣列均可支持；上述光線也可以是由光電感測陣列的背面進入的光線，例如由一背光源所提供的光線，在此狀況下，本發(fā)明的第一、第二與第四實施例的光電感測陣列均可支持。
[0056]請參照圖20。圖20是示出本發(fā)明的一實施例的顯示裝置的示意圖。如圖20所示，本實施例的顯示裝置50包括一顯示面板60以及一光電感測陣列70。顯示面板60具有一顯不面60A,且光電感測陣列70設(shè)置于顯不面板60的顯不面60A上。本實施例的顯示面板60以一液晶顯示面板為范例，其可包括一陣列基板(亦稱為薄膜晶體管基板)62、一對向基板(亦稱為彩色濾光片基板)64以及一液晶層66設(shè)置于陣列基板62與對向基板64之間。另外，本實施例的顯示裝置50可另包括一背光模塊80，設(shè)置于顯示面板60的背面，用以提供顯示面板60所需的背光。此外，背光模塊80提供的背光也可作為光電感測陣列70所需的光線。光電感測陣列70可為前述第一至第四實施例所揭示的任一種光電感測陣列，其特征與效果如前面所述，在此不再贅述。此外，光電感測陣列70可進一步與顯示面板60的對向基板64整合而為同一塊基板。本實施例的顯不面板60并不限定為液晶顯不面板，而可為其它各式的非自發(fā)光顯示面板例如電泳顯示面板、電濕潤顯示面板、或其它合適的顯示面板；或各式自發(fā)光顯示面板例如有機電激發(fā)光顯示面板、電漿顯示面板、場發(fā)射顯示面板、或其它合適的顯示面板。
[0057]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求書所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種光電感測陣列，其特征在于，包括: 一基板； 多個第一讀取元件與多個第二讀取元件，設(shè)置于所述基板上； 一第一絕緣層，覆蓋所述第一讀取元件與所述第二讀取元件，其中所述第一絕緣層具有多個第一接觸洞分別部分暴露出所述第一讀取元件，以及多個第二接觸洞分別部分暴露出所述第二讀取元件； 多個第一感測元件，設(shè)置于所述第一絕緣層上，各所述第一感測元件包括一第一電極、一第一感光層與一第二電極，其中所述第一感測元件的所述第一電極設(shè)置于所述第一絕緣層上并分別經(jīng)由所述第一接觸洞與所述第一讀取元件電性連接； 一第二絕緣層，設(shè)置于所述第一絕緣層上并部分覆蓋所述第一電極，其中所述第二絕緣層具有多個第三接觸洞，分別對應(yīng)所述第二接觸洞并分別部分暴露出所述第二讀取元件；以及 多個第二感測元件，設(shè)置于所述第二絕緣層上，各所述第二感測元件包括一第三電極、一第二感光層與一第四電極，其中所述第三電極設(shè)置于所述第二絕緣層上并分別經(jīng)由所述第三接觸洞與所述第二讀取元件電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電感測陣列，其特征在于，所述第二絕緣層部分覆蓋各所述第一電極的周邊，所述第二絕緣層具有多個第一開口，分別部分暴露出所述第一電極，且各所述第一感光層位于對應(yīng)的所述第一開口暴露出的所述第一電極上并覆蓋對應(yīng)的所述第一開口的所述第二絕緣層的側(cè)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電感測陣列，其特征在于，另包括一保護層，設(shè)置于所述第二絕緣層上，其中所述保護層具有多個第二開口與多個第三開口，所述第二開口分別與所述第二絕緣層的所述第一開口對應(yīng)，且各所述第一感光層更覆蓋對應(yīng)的所述第二開口的所述保護層的側(cè)壁，所述第三開口分別部分暴露出所述第三電極，且各所述第二感光層位于對應(yīng)的所述第三開口內(nèi)的所述第三電極上并覆蓋對應(yīng)的所述第三開口的所述保護層的側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電感測陣列，其特征在于，各所述第一電極與各所述第三電極分別為一不透明電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電感測陣列，其特征在于，所述第一電極與所述第三電極由不同的不透明導(dǎo)電層所構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電感測陣列，其特征在于，各所述第二電極與各所述第四電極分別為一透明電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電感測陣列，其特征在于，所述第二電極與所述第四電極彼此電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電感測陣列，其特征在于，所述第一電極與所述基板的一垂直距離小于所述第三電極與所述基板的一垂直距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電感測陣列，其特征在于，所述第一感測元件與所述第二感測元件在一第一方向與一第二方向的其中至少一者上為交替排列。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電感測陣列，其特征在于，至少一部分的兩相鄰的所述第一感測元件的所述第一電極與所述第二感測元件的所述第三電極之間具有一間隙。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電感測陣列，其特征在于，至少一部分的兩相鄰的所述第一感測元件的所述第一電極的一邊緣與所述第二感測元件的所述第三電極的一邊緣在一垂直投影方向上切齊。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括: 一顯示面板，具有一顯示面；以及 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電感測陣列，設(shè)置于所述顯示面板的所述顯示面上。
13.—種制作光電感測陣列的方法，其特征在于，包括: 提供一基板； 于所述基板上形成多個第一讀取元件與多個第二讀取元件； 于所述第一讀取元件與所述第二讀取元件上形成一第一絕緣層，其中所述第一絕緣層具有多個第一接觸洞分別部分暴露出所述第一讀取元件，以及多個第二接觸洞分別部分暴露出所述第二讀取元件； 于所述第一絕緣層上形成一第一不透明導(dǎo)電層，并圖案化所述第一不透明導(dǎo)電層以形成多個第一電極，其中所述第一電極分別經(jīng)由所述第一接觸洞與所述第一讀取元件電性連接; 于所述第一絕緣層上形成一第二絕緣層，覆蓋所述第一電極、所述第一接觸洞與所述第二接觸洞，并圖案化所述第二絕緣層以形成多個第三接觸洞，分別對應(yīng)所述第二接觸洞并分別部分暴露出所述第二讀取元件； 于所述第二絕緣層上形成一第二不透明導(dǎo)電層，并圖案化所述第二不透明導(dǎo)電層以形成多個第三電極，其中所述第三電極分別經(jīng)由所述第三接觸洞與所述第二讀取元件電性連接; 移除一部分的所述第二絕緣層，以形成多個第一開口分別部分曝露出所述第一電極；以及 于各所述第一電極上分別形成一第一感光層與一第二電極，以及于各所述第三電極上分別形成一第二感光層與一第四電極，其中各所述第一電極、各所述第一感光層與各所述第二電極構(gòu)成一第一感測元件，且各所述第三電極、各所述第二感光層與各所述第四電極構(gòu)成一第二感測元件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作光電感測陣列的方法，其特征在于，所述第一不透明導(dǎo)電層與所述第二不透明導(dǎo)電層分別包括一不透明導(dǎo)電層。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作光電感測陣列的方法，其特征在于，圖案化所述第一不透明導(dǎo)電層的步驟包括使用一光罩進行一微影及蝕刻制造工藝以形成所述第一電極，圖案化所述第二不透明導(dǎo)電層的步驟包括調(diào)整所述光罩與所述基板的相對位置，并再次使用所述光罩進行另一微影及蝕刻制造工藝，以形成所述第三電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作光電感測陣列的方法，其特征在于，另包括: 于所述第二絕緣層與所述第三電極上形成一保護層，其中所述保護層具有多個第二開口和多個第三開口，所述第二開口對應(yīng)所述第一電極，所述第三開口曝露出所述第三電極； 移除所述第二開口曝露出的所述第二絕緣層，以曝露出所述第一電極；以及 于所述保護層與所述第二絕緣層暴露出的各所述第一電極上分別形成所述第一感光層與所述第二電極，以及于所述保護層暴露出的各所述第三電極上分別形成所述第二感光層與所述第四電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作光電感測陣列的方法，其特征在于，所述第一電極與所述基板的一垂直距離小于所述第三電極與所述基板的一垂直距離。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作光電感測陣列的方法，其特征在于，所述第一感測元件與所述第二感測元件在一第一方向與一第二方向的其中至少一者上為交替排列。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制作光電感測陣列的方法，其特征在于，至少一部分的兩相鄰的所述第一感測元件的所述第一電極與所述第二感測元件的所述第三電極之間具有一間隙。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制作光電感測陣列的方法，其特征在于，至少一部分的兩相鄰的所述第一感測元件的所述第一電極的一邊緣與所述第二感測元件的所述第三電極的一邊緣在一垂直投影方向上切齊。
【文檔編號】G02F1/1333GK104267857SQ201410589402
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月20日
【發(fā)明者】黃圣淼, 黃郁升, 杉浦規(guī)生 申請人:友達光電股份有限公司