光致抗蝕組合物、涂覆的基材和形成電子器件的方法
【專利摘要】光致抗蝕組合物、涂覆的基材和形成電子器件的方法。提供了一種光致抗蝕劑組合物，包括具有以下結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元的聚合物。除了該聚合物之外，光致抗蝕劑組合物包括選自光生酸劑、光生堿劑、光引發(fā)劑及其組合的光活性組分。
【專利說明】光致抗蝕組合物、涂覆的基材和形成電子器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及包括芳香族聚縮醛和聚縮酮的光致抗蝕組合物。
【背景技術(shù)】
[0002] 聚（甲基丙烯酸酯）類和聚（羥基苯乙烯）類化學(xué)增強（amplified)光致抗蝕劑， 已經(jīng)達(dá)到性能限度，該限度是由分辨率、線寬粗糙度和靈敏度的平衡三角形（RLS平衡）限 定的。對下面情況存在經(jīng)驗證據(jù)：通過改變配方來提高一個主要的性能（例如靈敏度）的 努力會降低三角形剩余性能的一個或兩個（例如，線邊緣粗糙度和分辨度）。這個效應(yīng)限制 了在高分辨度光刻法（包括使用遠(yuǎn)紫外（EUV)和電子束輻射源的光刻法）中可實現(xiàn)的特征 尺寸。
[0003] 一種突破與聚（甲基丙烯酸酯）類和聚（羥基苯乙烯）類化學(xué)增強光致抗蝕劑有 關(guān)的PLS平衡的方式是提供一種在曝光于入射輻照和后曝光烘烤時聚合物主鏈斷鏈的聚 合物。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] -個實施方案是一種光致抗蝕劑組合物，包括：包括多個具有以下結(jié)構(gòu)的重復(fù)單 元的聚合物
【權(quán)利要求】
1. 一種光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物包括： 包括多個具有以下結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元的聚合物
其中，R1和R2的每次出現(xiàn)獨立地是氫、未取代或取代的Cp18直鏈或支鏈烷基、未取代或 取代的C3_18環(huán)烷基、未取代或取代的C6_18芳基、或未取代或取代的C 3_18雜芳基；并且，R1和 R2任選地以共價鍵彼此鍵合以形成包括-R1-C-R2-的環(huán)；Ar 1、Ar2和Ar3的每次出現(xiàn)獨立地 是未取代或取代的C6_18亞芳基，或者未取代或取代的C3_18雜亞芳基；和， 選自光生酸劑、光生堿劑、光引發(fā)劑及其組合的光活性組分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕組合物,其中，R1、R2、Ar1、Ar 2或Ar3的至少一次出 現(xiàn)被至少一個選自羥基、縮醛、縮酮、酯和內(nèi)酯的官能團(tuán)所取代。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕組合物,其中，R1、R2、Ar1、Ar 2或Ar3的至少一次出 現(xiàn)被至少一個羥基所取代。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕組合物,其中，R1、R2、Ar1、Ar 2或Ar3的至少一次出 現(xiàn)被至少一個叔酯所取代。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的光致抗蝕組合物，其中Ar^Ar2和Ar3的每次出現(xiàn)獨 立地是1，3-亞苯基或1，4-亞苯基。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的光致抗蝕組合物，其中Ar1和Ar2彼此不共價連接 以形成包括-Ar1-O-C-O-Ar2-的環(huán)結(jié)構(gòu)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的光致抗蝕組合物，其中R1的每次出現(xiàn)是氫；和 R2的每次出現(xiàn)是未取代或取代的苯基。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的光致抗蝕組合物，其中R1的每次出現(xiàn)是氫；和 R2的每次出現(xiàn)是苯基、羥苯基、鄰-甲氧基苯基、間-甲氧基苯基或?qū)?甲氧基苯基。
9. 一種涂覆的基材，所述涂覆的基材包括：(a)在其表面上具有一個或多個要被圖案 化的層的基材；和（b)在所述的一個或多個要被圖案化的層上的權(quán)利要求1-8任一項所述 的光致抗蝕劑組合物的層。
10. -種形成電子器件的方法，所述方法包括：(a)將權(quán)利要求1-8任一項所述的光致 抗蝕劑組合物的層施加到基材上；(b)將光致抗蝕劑組合物層圖案化曝光于活化輻射；（C) 將曝光的光致抗蝕劑組合物層顯影，以提供抗蝕劑浮雕圖像，和（d)將抗蝕劑浮雕圖像蝕 刻入下面的基材中。
【文檔編號】G03F7/039GK104330956SQ201410445524
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年7月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月16日
【發(fā)明者】M·S·奧伯, V·簡恩, J·B·艾坦內(nèi) 申請人:羅門哈斯電子材料有限公司, 陶氏環(huán)球技術(shù)有限公司