一種陣列基板及驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及驅(qū)動(dòng)方法，該陣列基板包括：多條掃描線，其并行設(shè)在基底上；多條數(shù)據(jù)線，其與掃描線垂直地設(shè)在基底上并與掃描線處于不同層；多個(gè)像素單元，其分別設(shè)在掃描線和數(shù)據(jù)線所圍成的各個(gè)區(qū)域內(nèi)，每個(gè)像素單元包括至少一個(gè)像素電極和至少兩個(gè)TFT開關(guān)，第一TFT開關(guān)用于對像素電極進(jìn)行預(yù)充電，第二TFT開關(guān)用于對像素電極進(jìn)行灰階充電；其中，至少一條掃描線上的掃描信號(hào)用于在打開一行像素單元上的第一TFT開關(guān)的同時(shí)打開另一行像素單元上的第二TFT開關(guān)開關(guān)，本發(fā)明還包括對應(yīng)該陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法。本發(fā)明減少了打開TFT開關(guān)所需掃描線的數(shù)量，從而減少了驅(qū)動(dòng)掃描線的芯片數(shù)量，進(jìn)而降低了陣列基板的制作成本。
【專利說明】一種陣列基板及驅(qū)動(dòng)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說，涉及一種陣列基板及對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 由于制作工藝的限制，液晶分子內(nèi)會(huì)混有雜質(zhì)離子。雜質(zhì)離子在直流電場作用下 會(huì)被電離形成極化殘留電場。在極化殘留電場的作用下，即使不對液晶分子施加電壓，液晶 分子也能偏轉(zhuǎn)形成一定的透光效果，從而影響液晶面板的正常顯示。
[0003] 為克服直流電場引起的極化殘留電場，通常液晶面板采用交流方式驅(qū)動(dòng)。該種驅(qū) 動(dòng)方式會(huì)引起信號(hào)極性反轉(zhuǎn)，導(dǎo)致像素電極上需要的充電量增大一倍，因此充電時(shí)間也會(huì) 增加一倍。
[0004] 為提高像素電極的充電效率，中國專利（CN202217663): -種陣列基板和顯示裝 置提供了每個(gè)像素電極均連接兩個(gè)TFT的充電方式。該種方式雖能提高像素電極的充電效 率，但需增加掃描線以驅(qū)動(dòng)多出的TFT。在這種情況下，就需要增加掃描線的驅(qū)動(dòng)芯片，因而 增加了陣列基板的制作成本。
[0005] 基于上述情況，亟需一種能保持像素電極充電效率并能降低液晶面板制作成本的 陣列基板及對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種能保持像素電極充電速率并能降低液晶面板 制作成本的陣列基板及對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方法。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其提供了一種液晶顯示陣列基板，包括：
[0008] 多條掃描線，其并行設(shè)在基底上；
[0009] 多條數(shù)據(jù)線，其與所述掃描線垂直地設(shè)在基底上并與所述掃描線處于不同層； [0010]多個(gè)像素單元，其分別設(shè)在所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線所圍成的各個(gè)區(qū)域內(nèi)，每個(gè) 像素單元包括至少一個(gè)像素電極和至少兩個(gè)TFT開關(guān)，第一 TFT開關(guān)用于對所述像素電極 進(jìn)行預(yù)充電，第二TFT開關(guān)用于對所述像素電極進(jìn)行灰階充電；
[0011] 其中，至少一條掃描線上的掃描信號(hào)用于在打開一行像素單元上的第一 TFT開關(guān) 的同時(shí)打開另一行像素單元上的第二TFT開關(guān)。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述另一行像素單元與該行像素單元之間相隔至少一 行像素單元。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述另一行像素單元與該行像素單元相鄰。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述掃描線中還包括兩條輔助掃描線，其分別連接到 陣列基板的前兩行像素單元的第一 TFT開關(guān)的柵極上，以實(shí)現(xiàn)這兩行像素單元的預(yù)充電。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述掃描線中包括一條輔助掃描線，其連接到陣列基 板的第一行像素單元的第一 TFT開關(guān)的柵極上，以實(shí)現(xiàn)所述第一行像素單元的預(yù)充電。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，每列像素單元中的各個(gè)像素單元的第一和第二TFT開 關(guān)的源極連接到同一條數(shù)據(jù)線上。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，每列像素單元中的相鄰兩像素單元的第一和第二TFT 開關(guān)的源極分別連接到相鄰兩條數(shù)據(jù)線上。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種用于驅(qū)動(dòng)陣列基板的方法，包括以下步 驟：
[0019] 在一激勵(lì)脈沖的作用下向所述陣列基板的多條掃描線提供一序列掃描信號(hào)；
[0020] 向所述陣列基板的多條數(shù)據(jù)線提供灰階電壓信號(hào)，以通過像素單元的第一 TFT開 關(guān)或第二TFT開關(guān)給對應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電或灰階充電；
[0021] 其中，至少一條掃描線上的掃描信號(hào)在打開一行像素單元上的第一 TFT開關(guān)的同 時(shí)打開另一行像素單元上的第二TFT開關(guān)，以使得在對該行像素單元進(jìn)行灰階充電的同時(shí) 對另一行像素單元進(jìn)行預(yù)充電。
[0022] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述掃描線還包括兩條輔助掃描線，當(dāng)?shù)谝粭l輔助掃 描線和第二條輔助掃描線上的掃描信號(hào)分別打開對應(yīng)像素單元上的第一 TFT開關(guān)時(shí)，向所 述多條數(shù)據(jù)線提供公共電極電壓信號(hào)。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述掃描線還包括一條輔助掃描線，當(dāng)該條輔助掃描 線上的掃描信號(hào)打開對應(yīng)像素單元上的第一 TFT開關(guān)時(shí)，向所述多條數(shù)據(jù)線提供公共電極 電壓信號(hào)。
[0024] 本發(fā)明帶來了以下有益效果：
[0025] 本發(fā)明通過一條掃描線上的掃描信號(hào)打開一行像素單兀上的第一 TFT開關(guān)的同 時(shí)打開另一行像素單元上的第二TFT開關(guān)，減少了打開TFT開關(guān)所需掃描線的數(shù)量，從而減 少了驅(qū)動(dòng)掃描線的芯片數(shù)量，進(jìn)而降低了陣列基板的制作成本。
[0026] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變 得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利 要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要的附圖做簡單的介紹：
[0028] 圖1為現(xiàn)有一種采用兩個(gè)TFT對同一像素電極進(jìn)行充電的陣列基板示意圖；
[0029] 圖2為本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的陣列基板示意圖；
[0030] 圖3為圖2的陣列基板驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；
[0031] 圖4為本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的陣列基板示意圖；
[0032] 圖5為圖4的陣列基板驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；
[0033] 圖6為像素電極的點(diǎn)反轉(zhuǎn)示意圖；
[0034] 其中：1、掃描線，la、輔助掃描線，2、數(shù)據(jù)線，3、TFT開關(guān)，3a、第一 TFT開關(guān)，3b、第 二TFT開關(guān)。

【具體實(shí)施方式】
[0035] 以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用 技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明 的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合， 所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0036] 圖1所示為現(xiàn)有一種采用兩個(gè)TFT對同一像素電極進(jìn)行充電的陣列基板示意圖。 如圖所示，該陣列基板包括并行排列的多條掃描線和與掃描線垂直設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線，其 中，D1?D6為數(shù)據(jù)線，G1?G7為掃描線。掃描線和數(shù)據(jù)線包圍形成的各個(gè)區(qū)域中設(shè)有像 素單元。像素單元中的每個(gè)像素電極采用兩個(gè)TFT進(jìn)行充電，因此提高了像素電極的充電 效率。其中，每個(gè)像素電極的兩個(gè)TFT分別由不同的掃描線控制。在這種情況下，TFT的數(shù) 量增加了一倍，所需的掃描線的數(shù)量也相應(yīng)增加了一倍。這就使得驅(qū)動(dòng)掃描線的芯片的數(shù) 量增加了一倍，因此增加了陣列基板的制作成本。所以，本發(fā)明提供了一種能降低制作成本 的陣列基板。
[0037] 本發(fā)明所述的陣列基板包括設(shè)在基底上的多條并行的掃描線。該陣列基板還包括 與掃描線垂直地設(shè)置在基底上并與掃描線處于不同層的多條數(shù)據(jù)線。在掃描線和數(shù)據(jù)線包 圍的各個(gè)區(qū)域內(nèi)設(shè)有像素單元。
[0038] 在每個(gè)像素單元中至少包括一個(gè)像素電極。其中，每個(gè)像素電極至少由兩個(gè)TFT 開關(guān)用于對該像素電極進(jìn)行充電。在采用兩個(gè)TFT開關(guān)對同一像素電極進(jìn)行充電時(shí)，這兩 個(gè)TFT開關(guān)分為第一 TFT開關(guān)和第二TFT開關(guān)。其中，第一 TFT開關(guān)用于對該像素電極進(jìn) 行預(yù)充電，第二TFT開關(guān)用于對該像素電極進(jìn)行灰階充電。
[0039] 在一激勵(lì)脈沖的作用下，一條掃描線上的掃描信號(hào)打開對應(yīng)像素單元的第二TFT 開關(guān)的同時(shí)打開另一行像素單元上的第一 TFT開關(guān)。在這種情況下，一條掃描線上的掃描 信號(hào)同時(shí)打開兩行像素單元上的TFT開關(guān)。這就使得所需掃描線的數(shù)量減少，從而減少了 驅(qū)動(dòng)掃描線的芯片的數(shù)量。
[0040] 如圖2所示為本發(fā)明所述陣列基板的第一個(gè)實(shí)施例的示意圖，如圖中標(biāo)注，3a為 第一 TFT開關(guān)，3b為第二TFT開關(guān)。D1?D7為數(shù)據(jù)線，G-1?G5為掃描線，其中，G-1和 G0為輔助掃描線。輔助掃描線G-1連接到陣列基板的第一行像素單元的第一 TFT開關(guān)的柵 極，輔助掃描線G0連接到陣列基板的第二行像素單元的第一 TFT開關(guān)的柵極。在激勵(lì)脈沖 的作用下，掃描線G1?G5中的任一條上的掃描信號(hào)打開對應(yīng)的像素單元上的第二TFT開 關(guān)。同時(shí)，該掃描線上的掃描信號(hào)通過該掃描線引出的分支打開間隔一行像素單元的像素 單元上的第一 TFT開關(guān)。
[0041] 在該陣列基板中，每列像素單元中的各個(gè)像素單元中的第一和第二TFT開關(guān)的源 極連接到同一條數(shù)據(jù)線上。這樣，同列像素單元通過同一條數(shù)據(jù)線進(jìn)行控制。
[0042] 為將本實(shí)施例中陣列基板的工作原理表述地更清楚，假定在一激勵(lì)脈沖的作用 下，某第η行掃描線上的掃描信號(hào)打開對應(yīng)的第η行像素單元的第二TFT開關(guān)。當(dāng)該掃描 信號(hào)將第η行像素單元的第二TFT開關(guān)打開時(shí)，數(shù)據(jù)線提供電壓信號(hào)來向?qū)?yīng)的像素電極 進(jìn)行灰階充電。同時(shí)，該第η行掃描線上的掃描信號(hào)通過該行掃描線引出的分支來打開第 η+2行掃描線對應(yīng)的像素單元的第一 TFT開關(guān)，數(shù)據(jù)線提供電壓信號(hào)來向?qū)?yīng)的像素電極 進(jìn)行預(yù)充電。此時(shí)，數(shù)據(jù)線上提供的電壓為第η行像素單元上的像素電極所需的灰階電壓， 而不是第η+2行像素單元上的像素電極所需的灰階電壓。所以，此時(shí)對應(yīng)第η+2行像素單 元上像素電極的充電過程稱為預(yù)充電。同理，對應(yīng)該第η行像素單元的第一 TFT開關(guān)由第 n-2行的掃描線引出的分支上的掃描信號(hào)進(jìn)行控制。
[0043] 對比圖1中像素單元中的一行TFT由一條掃描線上的掃描信號(hào)控制，本實(shí)施例所 述陣列基板的控制方式減少了掃描線的數(shù)量，從而減小了驅(qū)動(dòng)掃描線的芯片數(shù)量，進(jìn)而降 低了陣列基板的制作成本。
[0044] 如圖3所示為本實(shí)施例中所述陣列基板的驅(qū)動(dòng)時(shí)序示意圖。時(shí)鐘信號(hào)clkl和clk2 分別向掃描線的奇數(shù)行和偶數(shù)行輸入時(shí)鐘脈沖信號(hào)。TP用于控制數(shù)據(jù)線上信號(hào)的輸出。當(dāng) TP為低電位時(shí)，數(shù)據(jù)線輸出信號(hào)。當(dāng)TP為高電位時(shí)，數(shù)據(jù)線上的信號(hào)輸出截止。STV為行 掃描觸發(fā)信號(hào)，用于控制掃描線發(fā)出掃描信號(hào)。G-ι?G3為對應(yīng)掃描線的掃描信號(hào)。
[0045] 以下結(jié)合圖3來對本實(shí)施例中陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說明。
[0046] 當(dāng)啟動(dòng)STV行掃描觸發(fā)信號(hào)后，一激勵(lì)脈沖向陣列基板上的多條掃描線提供一序 列掃描信號(hào)。首先，第一條輔助掃描線G-1上的掃描信號(hào)打開掃描線G1對應(yīng)的像素單元的 第一 TFT開關(guān)。此時(shí)TP為低電平，數(shù)據(jù)線上提供的電壓為公共電極電壓。在這種情況下， 掃描線G1對應(yīng)的像素單元上的像素電極的預(yù)充電電壓為公共電極電壓。同理，第二條輔助 掃描線G0上的掃描信號(hào)打開掃描線G2對應(yīng)的像素單元的第一 TFT開關(guān)，數(shù)據(jù)線提供公共 電極電壓來對該行像素電極進(jìn)行預(yù)充電。當(dāng)然，此處在第一條輔助掃描線G-1和第二條輔 助掃描線G0分別發(fā)出掃描信號(hào)打開對應(yīng)的第一 TFT開關(guān)時(shí)，數(shù)據(jù)線上提供的電壓也可以為 其他數(shù)值的預(yù)定電壓。
[0047] 當(dāng)掃描線G1上的掃描信號(hào)打開該行像素單元的第二TFT開關(guān)和掃描線G3對應(yīng)像 素單元的第一 TFT開關(guān)時(shí)，數(shù)據(jù)線提供的電壓為掃描線G1對應(yīng)像素單元上的像素電極所需 的灰階電壓。此時(shí)，數(shù)據(jù)線提供該灰階電壓來對掃描線G1對應(yīng)的像素單元上的像素電極進(jìn) 行灰階充電，對掃描線G3對應(yīng)的像素單元上的像素電極進(jìn)行預(yù)充電。同理，對G2、G3…… 直到陣列基板的倒數(shù)第三行掃描線。對于該陣列基板上的最后兩行掃描線，由于不需要掃 描信號(hào)通過這兩行掃描線引出分支來打開像素單元的第一 TFT開關(guān)，所以掃描信號(hào)只需要 通過這兩行掃描線打開對應(yīng)行的像素單元的第二TFT開關(guān)即可。
[0048] 對比圖1所述的陣列基板，本實(shí)施例所述的陣列基板在保證同樣開口率和充電效 率的同時(shí)降低了陣列基板的制作成本。當(dāng)然，為提高同一像素電極的充電效率，并不限于本 實(shí)施例中所述間隔一行像素單元進(jìn)行預(yù)充電的方式，只要保證每個(gè)像素電極在進(jìn)行預(yù)充電 和灰階充電時(shí)的電壓極性相同即可。
[0049] 如圖4所示為本發(fā)明所述陣列基板的第二個(gè)實(shí)施例的示意圖。如圖所示，3a為第 一 TFT開關(guān)，3b為第二TFT開關(guān)。D1?D7為數(shù)據(jù)線，G0?G5為掃描線，其中，G0為輔助 掃描線。輔助掃描線G0連接到陣列基板的第一行像素單元的第一 TFT開關(guān)的柵極。在激 勵(lì)脈沖的作用下，掃描線G1?G5中的任一條上的掃描信號(hào)在打開一行像素單元上的第二 TFT開關(guān)的同時(shí)打開相鄰一行像素單元上的第一 TFT開關(guān)。
[0050] 同時(shí)，在該陣列基板中，每列像素單元中每個(gè)像素單元的兩個(gè)TFT采用同一條數(shù) 據(jù)線驅(qū)動(dòng)，并且同列像素單元中相鄰兩個(gè)像素單元分別由不同的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)。這樣，通過相 鄰兩條數(shù)據(jù)線可以實(shí)現(xiàn)對同列像素單元的控制。
[0051] 由于相鄰兩行像素單元中前一行像素單元的第二TFT開關(guān)與后一行像素單元的 第一 TFT開關(guān)鄰近，掃描信號(hào)就不必通過掃描線引出的分支來打開不同行像素單元的第一 TFT開關(guān)。這樣在減小掃描線驅(qū)動(dòng)芯片數(shù)量的同時(shí)，減小了陣列基板上掃描線的遮光面積， 因而增加了陣列基板的開口率。此處的前、后表示陣列基板上像素單元由上至下的排列次 序。
[0052] 以下結(jié)合圖5來對本實(shí)施例中陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說明。其中，圖5中各控 制信號(hào)代表的意義同圖3相同。
[0053] 當(dāng)啟動(dòng)STV行掃描觸發(fā)信號(hào)后，一激勵(lì)脈沖向陣列基板上的多條掃描線提供一序 列掃描信號(hào)。首先，第一條輔助掃描線G0上的掃描信號(hào)打開掃描線G1對應(yīng)的像素單元的 第一 TFT開關(guān)。此時(shí)TP為低電平，數(shù)據(jù)線上提供的電壓為公共電極電壓。在這種情況下， 掃描線G1對應(yīng)的像素單元上的像素電極的預(yù)充電電壓為公共電極電壓。當(dāng)然，此處該條輔 助掃描線G0發(fā)出掃描信號(hào)打開掃描線G1對應(yīng)的第一 TFT開關(guān)時(shí)，數(shù)據(jù)線上提供的電壓也 可以為其他數(shù)值的預(yù)定電壓。
[0054] 當(dāng)掃描線G1上的掃描信號(hào)打開該行像素單元的第二TFT開關(guān)和掃描線G2對應(yīng)像 素單元的第一 TFT開關(guān)時(shí)，數(shù)據(jù)線提供的電壓為掃描線G1對應(yīng)像素單元上的像素電極所需 的灰階電壓。此時(shí)，數(shù)據(jù)線提供電壓來對掃描線G1對應(yīng)的像素單元上的像素電極進(jìn)行灰階 充電，對掃描線G2對應(yīng)的像素單元上的像素電極進(jìn)行預(yù)充電。同理，對G3、G4……直到陣 列基板的倒數(shù)第二行掃描線。對于該陣列基板上的最后一行掃描線，由于不需要掃描信號(hào) 通過該行掃描線引出分支來打開像素單元的第一 TFT開關(guān)，所以掃描信號(hào)只需要通過該行 掃描線打開對應(yīng)行的像素單元的第二TFT開關(guān)即可。
[0055] 對比圖1所述的陣列基板，本實(shí)施例所述的陣列基板在保證充電效率的同時(shí)還能 降低掃描線的驅(qū)動(dòng)成本。由于本實(shí)施的陣列基板減少了布置的掃描線且不需掃描線引出分 支，所以還能增加該陣列基板的開口率。
[0056] 目前，陣列基板上同一幀畫面內(nèi)像素電極的極性反轉(zhuǎn)方式分為：幀反轉(zhuǎn)、行反轉(zhuǎn)、 列反轉(zhuǎn)和點(diǎn)反轉(zhuǎn)。就顯示效果而言，點(diǎn)反轉(zhuǎn)的畫質(zhì)最好。如圖6所示為像素電極點(diǎn)反轉(zhuǎn)方式 示意圖。如圖所示，像素電極表現(xiàn)為在同一列和同一行中相鄰像素電極的極性相反，隔行和 隔列的像素電極的極性相同。經(jīng)過一次點(diǎn)反轉(zhuǎn)之后，每個(gè)像素電極的極性均發(fā)生反轉(zhuǎn)。點(diǎn) 反轉(zhuǎn)方式可以通過掃描線和數(shù)據(jù)線的配合實(shí)現(xiàn)。
[0057] 實(shí)現(xiàn)如圖6所示的點(diǎn)反轉(zhuǎn)時(shí)，在第一實(shí)施例中，掃描信號(hào)通過掃描線引出的分支 打開間隔一行像素單元的像素單元上的第一 TFT開關(guān)。這樣，就能保證相隔一行像素單元 的像素電極的充電極性相同。這樣，每個(gè)像素電極采用相同極性的充電電壓進(jìn)行了兩次充 電，從而提1? 了充電效率。
[0058] 當(dāng)然，為保證同一列像素電極的兩次充電極性相同，掃描線引出的分支可以與該 掃描線間隔奇數(shù)行像素單元的像素單元上的第一 TFT開關(guān)的柵極連接。為避免由于信號(hào)傳 輸?shù)木€路太長而引起的RC延遲效應(yīng)，優(yōu)選掃描線引出的分支與該掃描線間隔一行像素單 元的像素單元上的第一 TFT開關(guān)的柵極連接。
[0059] 實(shí)現(xiàn)如圖6所示的點(diǎn)反轉(zhuǎn)時(shí)，在第二實(shí)施例中，掃描線上的掃描信號(hào)同時(shí)打開相 鄰兩個(gè)像素單元上的第一 TFT開關(guān)和第二TFT開關(guān)。這兩個(gè)TFT開關(guān)由不同的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)。 同時(shí)，同一個(gè)像素單元的兩個(gè)TFT開關(guān)由相同的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)。這樣，通過控制同一像素單元 上兩個(gè)TFT的充電極性相同，就能提高像素電極的充電效率。
[0060] 雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采 用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化， 但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種液晶顯示陣列基板，其特征在于，包括： 多條掃描線，其并行設(shè)在基底上； 多條數(shù)據(jù)線，其與所述掃描線垂直地設(shè)在基底上并與所述掃描線處于不同層； 多個(gè)像素單元，其分別設(shè)在所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線所圍成的各個(gè)區(qū)域內(nèi)，每個(gè)像素 單元包括至少一個(gè)像素電極和至少兩個(gè)TFT開關(guān)，第一 TFT開關(guān)用于對所述像素電極進(jìn)行 預(yù)充電，第二TFT開關(guān)用于對所述像素電極進(jìn)行灰階充電； 其中，至少一條掃描線上的掃描信號(hào)用于在打開一行像素單元上的第一 TFT開關(guān)的同 時(shí)打開另一行像素單元上的第二TFT開關(guān)。
2. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述另一行像素單元與該行像素單元 之間相隔至少一行像素單元。
3. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述另一行像素單元與該行像素單元 相鄰。
4. 如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述掃描線中還包括兩條輔助掃描線， 其分別連接到陣列基板的前兩行像素單元的第一 TFT開關(guān)的柵極上，以實(shí)現(xiàn)這兩行像素單 元的預(yù)充電。
5. 如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述掃描線中還包括一條輔助掃描線， 其連接到陣列基板的第一行像素單元的第一 TFT開關(guān)的柵極上，以實(shí)現(xiàn)所述第一行像素單 元的預(yù)充電。
6. 如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，每列像素單元中的各個(gè)像 素單元的第一和第二TFT開關(guān)的源極連接到同一條數(shù)據(jù)線上。
7. 如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，每列像素單元中的相鄰兩 像素單元的第一和第二TFT開關(guān)的源極分別連接到相鄰兩條數(shù)據(jù)線上。
8. -種用于驅(qū)動(dòng)陣列基板的方法，其特征在于，包括以下步驟： 在一激勵(lì)脈沖的作用下向所述陣列基板的多條掃描線提供一序列掃描信號(hào)； 向所述陣列基板的多條數(shù)據(jù)線提供灰階電壓信號(hào)，以通過像素單元的第一 TFT開關(guān)或 第二TFT開關(guān)給對應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電或灰階充電； 其中，至少一條掃描線上的掃描信號(hào)在打開一行像素單元上的第一 TFT開關(guān)的同時(shí)打 開另一行像素單元上的第二TFT開關(guān)，以使得在對該行像素單元進(jìn)行灰階充電的同時(shí)對另 一行像素單元進(jìn)行預(yù)充電。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述掃描線還包括兩條輔助掃描線，當(dāng)?shù)谝?條輔助掃描線和第二條輔助掃描線上的掃描信號(hào)分別打開對應(yīng)像素單兀上的第一 TFT開 關(guān)時(shí)，向所述多條數(shù)據(jù)線提供公共電極電壓信號(hào)。
10. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述掃描線還包括一條輔助掃描線，當(dāng)該 條輔助掃描線上的掃描信號(hào)打開對應(yīng)像素單元上的第一 TFT開關(guān)時(shí)，向所述多條數(shù)據(jù)線提 供公共電極電壓信號(hào)。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK104155820SQ201410397924
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月13日
【發(fā)明者】徐向陽 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司