顯示設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括：基礎(chǔ)基底；像素電極的陣列，形成在基礎(chǔ)基底上方；有效空腔的陣列，設(shè)置在像素電極的陣列上方；至少一個共電極，與像素電極的陣列相對，使得有效空腔的陣列設(shè)置在所述至少一個共電極與像素電極的陣列之間。所述顯示設(shè)備還包括與顯示區(qū)域中的所述至少一個共電極電連接的金屬線。
【專利說明】顯不設(shè)備
[0001]本申請要求于2013年7月30日提交的第10-2013-0090283號韓國專利申請以及于2014年I月9日提交的第10-2014-0002953號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，這些申請的內(nèi)容通過引用全部包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本公開涉及一種顯示設(shè)備。更具體地說，本公開涉及一種具有改善了的顯示質(zhì)量的顯示設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0003]近年來，諸如液晶顯示器、電泳顯示器等的各種平板顯示設(shè)備被廣泛地用于替代陰極射線管。
[0004]通常，平板顯示設(shè)備包括兩個基底和設(shè)置在兩個基底之間的圖像顯示層(例如，液晶層、電泳層等)。兩個基底彼此結(jié)合，以彼此面對并且彼此分開，從而圖像顯示層設(shè)置在兩個基底之間。
[0005]為了制造平板顯示設(shè)備，需要在兩個基底中的一個基底上形成分隔件以在兩個基底之間保持距離的工藝，以及利用粘合劑使分隔件附著到兩個基底中的另一個基底的工藝。
[0006]因此，平板顯示設(shè)備的制造工藝變得復(fù)雜，并且平板顯示設(shè)備的制造成本增加。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本公開提供一種能夠防止顯示質(zhì)量劣化的顯示設(shè)備。
[0008]本發(fā)明的一方面提供一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括:基礎(chǔ)基底；像素電極的陣列，形成在基礎(chǔ)基底的上方；有效空腔的陣列，設(shè)置在像素電極的陣列上方；至少一個共電極，與像素電極的陣列相對，使得有效空腔的陣列設(shè)置在所述至少一個共電極與像素電極的陣列之間；以及金屬線，與顯示區(qū)域中的所述至少一個共電極電連接。
[0009]根據(jù)以上內(nèi)容，共電極與金屬線電連接，因此可以防止共電極的電勢在顯示區(qū)域的中心部分中降低，從而防止串?dāng)_缺陷并改善顯示質(zhì)量。
[0010]另外，由于共電極沿第一方向和第二方向排列并且彼此分隔開，以具有點狀形狀，所以可以減小共電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容以及共電極和像素電極之間的耦合電容。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]通過參照在結(jié)合附圖考慮的情況下進(jìn)行的下面的詳細(xì)描述，本公開的上述和其他優(yōu)點將變得容易理解，在附圖中:
[0012]圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的顯示設(shè)備的平面圖；
[0013]圖2是示出圖1中示出的像素的平面圖；
[0014]圖3A是沿圖2的線Ι-Γ截取的剖視圖；
[0015]圖3B是沿圖2的線I1-1Γ截取的剖視圖；
[0016]圖3C是沿圖2的線ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的剖視圖；
[0017]圖4是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的顯示設(shè)備的平面圖；
[0018]圖5是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的像素的平面圖；
[0019]圖6是示出圖5中示出的部分Al的放大圖；
[0020]圖7A是沿圖5中示出的線IV-1t截取的剖視圖；
[0021]圖7B是沿圖5中示出的線N-N'截取的剖視圖；
[0022]圖8是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的像素的平面圖；
[0023]圖9是沿圖8中示出的線V1-Vr截取的剖視圖；
[0024]圖10是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的顯示設(shè)備的平面圖；
[0025]圖11是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的顯示設(shè)備的平面圖；
[0026]圖12是示出圖11中示出的像素的平面圖；
[0027]圖13是沿圖12中示出的線VI1-Vir截取的剖視圖；
[0028]圖14是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的顯示設(shè)備的平面圖；
[0029]圖15是沿圖14中示出的線VII1-VIir截取的剖視圖；
[0030]圖16是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的共電極的平面圖；
[0031]圖17是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的兩個像素的平面圖；
[0032]圖18是沿圖17中示出的線IX-1X^截取的剖視圖；
[0033]圖19是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的兩個像素的平面圖；
[0034]圖20是沿圖19中示出的線\_V截取的剖視圖。

【具體實施方式】
[0035]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由匣蛘咧苯舆B接到或直接結(jié)合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項的任意組合和全部組合。
[0036]將理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二等來描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0037]為了方便描述，在這里可使用空間相對術(shù)語，如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”和“上面的”等，來描述如在圖中示出的一個元件或特征與其他元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對術(shù)語意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件隨后將被定位為“在”其他元件或特征“上方”。因而，示例性術(shù)語“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”兩種方位。所述裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其他方位)，并對在這里使用的空間相對描述符做出相應(yīng)的解釋。
[0038]這里使用的術(shù)語僅為了描述特定實施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0039]除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里明確這樣定義，否則術(shù)語(例如在通用的字典中定義的那些術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中它們的意思一致的意思，而不以理想地或者過于正式的含義來解釋它們的意思。
[0040]在下文中，將參照附圖詳細(xì)地解釋本發(fā)明的實施例。
[0041]圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的顯示設(shè)備的平面圖。
[0042]參照圖1，顯示設(shè)備100包括基礎(chǔ)基底110和布置在基礎(chǔ)基底110上的多個像素PXo
[0043]基礎(chǔ)基底110可以是透明的或非透明的絕緣基底，例如，硅基底、玻璃基底、塑料基底等?；A(chǔ)基底110包括顯不區(qū)域DA和周圍區(qū)域PA。顯不區(qū)域DA包括像素PX，以顯不圖像。每個像素PX包括薄膜晶體管(未示出)和像素電極ELI。
[0044]周圍區(qū)域PA被設(shè)置為鄰近至少一側(cè)或兩側(cè)，或者被設(shè)置為圍繞顯示區(qū)域DA。
[0045]像素PX以由行和列的矩陣形式被布置在基礎(chǔ)基底110的顯示區(qū)域DA上。將柵極信號施加到像素PX的多條柵極線(未示出)和將數(shù)據(jù)信號施加到像素PX的多條數(shù)據(jù)線(未示出)設(shè)置在基礎(chǔ)基底110上。柵極線在顯示區(qū)域DA中沿第一方向Dl延伸，并且被布置為在第二方向D2上彼此分隔開。數(shù)據(jù)線在顯示區(qū)域DA中沿第二方向D2延伸，并且被布置為在第一方向Dl上彼此分隔開。為了便于解釋，在圖1中已經(jīng)省略了柵極線和數(shù)據(jù)線。
[0046]存儲線SL沿著柵極線布置在顯示區(qū)域DA中。詳細(xì)地說，存儲線SL沿第一方向Dl延伸并且被布置為在第二方向D2上彼此分隔開。第一連接線CLl和第二連接線CL2設(shè)置在周圍區(qū)域PA中，并且沿第二方向D2延伸。第一連接線CLl和第二連接線CL2電連接存儲線SL。更詳細(xì)地說，第一連接線CLl電連接存儲線SL的一端，第二連接線CL2電連接存儲線SL的另一端。另外，第一連接線CLl和第二連接線CL2從外部源(未示出)接收存儲電壓并將存儲電壓施加到存儲線SL。
[0047]共電極EL2進(jìn)一步設(shè)置在基礎(chǔ)基底110的顯示區(qū)域DA中。共電極EL2沿第一方向Dl延伸并且沿第二方向D2布置在顯示區(qū)域DA中。第一豎直電極部分VPl和第二豎直電極部分VP2進(jìn)一步設(shè)置在周圍區(qū)域PA中，以電連接共電極EL2。第一豎直電極部分VPl和第二豎直電極部分VP2分別從共電極EL2的兩端延伸，并且沿第二方向D2延伸，以使共電極EL2彼此電連接。
[0048]第一共電壓線CSLl和第二共電壓線CSL2進(jìn)一步設(shè)置在周圍區(qū)域PA中，以與第一豎直電極部分VPl和第二豎直電極部分VP2進(jìn)行電接觸。第一共電壓線CSLl沿第二方向D2延伸并通過多個第一接觸孔Cl與第一豎直電極部分VPl進(jìn)行電接觸。第二共電壓線CSL2沿第二方向D2延伸并通過多個第二接觸孔C2與第二豎直電極部分VP2進(jìn)行電接觸。
[0049]因此，第一共電壓線CSLl和第二共電壓線CSL2可以將共電壓從外部源施加到共電極EL2。
[0050]如圖1中所示，每個共電極EL2設(shè)置在顯示區(qū)域DA中，以對應(yīng)于若干個像素行。然而，隨著距離顯示區(qū)域DA的中心部分的距離減小，施加到共電極EL2的共電壓的電平降低。共電壓的變化可以被識別為串?dāng)_缺陷。
[0051]為了解決該缺陷，每個共電極EL2電連接到與之相鄰的金屬線。金屬線可以是施加有存儲電壓的存儲線SL。存儲電壓具有與共電壓的電勢相同的電勢。因此，每個共電極EL2通過相鄰的存儲線SL接收存儲電壓以作為共電壓。在實施例中，共電極EL2和金屬線彼此電連接，在它們之間不具有任何開關(guān)元件、任何晶體管或任何二極管。在一個實施例中，共電極EL2和金屬線彼此電連接，在它們之間不具有任何半導(dǎo)體材料。在另一實施例中，共電極EL2和金屬線彼此電連接，在它們之間僅具有導(dǎo)電材料或多種導(dǎo)電材料。在可選的實施例中，共電極EL2和金屬線可以彼此直接接觸。
[0052]作為一個示例，接觸部分CP分別設(shè)置在像素PX中，以使每個共電極EL2電連接到相鄰的存儲線SL。每個接觸部分CP可以具有使每個共電極EL2與存儲線SL中的對應(yīng)的存儲線SL直接連接的結(jié)構(gòu)，或者使用單獨的構(gòu)件來使每個共電極EL2與對應(yīng)的存儲線SL電連接的結(jié)構(gòu)。將在后面詳細(xì)地描述接觸部分CP的結(jié)構(gòu)。在實施例中，共電極EL2和存儲線SL彼此電連接,在它們之間不具有任何開關(guān)元件、任何晶體管或任何二極管。在實施例中，共電極EL2和存儲線SL彼此電連接，在它們之間不具有任何半導(dǎo)體材料。在另一實施例中，共電極EL2和存儲線SL彼此電連接，在它們之間僅具有導(dǎo)電材料或多種導(dǎo)電材料。在可選的實施例中，共電極EL2和存儲線SL可以彼此直接接觸。
[0053]為了便于解釋，在圖1中，存儲線SL設(shè)置在共電極EL2之間，但是存儲線SL可以被設(shè)置為與共電極EL2疊置。
[0054]圖2是示出在圖1中示出的像素的平面圖，圖3A是沿圖2的線Ι-Γ截取的剖視圖，圖3B是沿圖2的線ΙΙ-ΙΓ截取的剖視圖，圖3C是沿圖2的線ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的剖視圖。
[0055]在本示例性實施例中，像素PX具有相同的結(jié)構(gòu)和功能，因此，為了便于解釋，在圖2中僅示出一個像素。另外，像素具有沿一個方向伸長的矩形形狀，但是像素的形狀不應(yīng)限于矩形形狀。即，像素可以具有諸如V字形、Z字形等的各種形狀。
[0056]參照圖2以及圖3A至圖3C，像素PX設(shè)置在由兩條柵極線GL和兩條數(shù)據(jù)線DL限定的像素區(qū)域中。像素PX包括薄膜晶體管TFT、像素電極EL1、有效空腔EM以及容納在有效空腔EM中的液晶層LC。在像素的有效空腔中的液晶材料形成液晶層LC。
[0057]薄膜晶體管TFT連接到柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL，并且包括柵極GE、半導(dǎo)體層SM、源極SE以及漏極DE。
[0058]柵極GE從柵極線GL突出或者設(shè)置在柵極線GL的一部分上。柵極線GL和柵極GE包括金屬材料，例如，鎳、鉻、鑰、鋁、鈦、銅、鎢以及它們的合金。柵極線GL和柵極GE具有金屬材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如，柵極線GL和柵極GE具有順序地堆疊于彼此之上的鑰-鋁-鑰的三層結(jié)構(gòu)、鈦和銅的雙層結(jié)構(gòu)或者銅和鈦的合金的單層結(jié)構(gòu)。
[0059]第一絕緣層121設(shè)置在基礎(chǔ)基底110的整個表面上方，以覆蓋柵極線GL和柵極GE。
[0060]半導(dǎo)體層SM設(shè)置在柵極GE上，使得第一絕緣層121設(shè)置在半導(dǎo)體層SM和柵極GE之間。源極SE從數(shù)據(jù)線DL分岔并且與半導(dǎo)體層SM疊置。漏極DE在半導(dǎo)體層SM上方與源極SE分隔開。這里，半導(dǎo)體層SM形成源極SE和漏極DE之間的導(dǎo)電溝道。
[0061]源極SE和漏極DE中的每個包括導(dǎo)電材料，例如，金屬材料。源極SE和漏極DE中的每個包括單種金屬材料，但是不應(yīng)局限于此或受此限制。例如，源極SE和漏極DE中的每個包括兩種或更多種金屬材料或者兩種或更多種金屬合金。金屬材料包括鎳、鉻、鑰、鋁、鈦、銅、鎢或它們的合金。另外，源極SE和漏極DE中的每個具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。作為示例，源極SE和漏極DE中的每個可具有鈦和銅的合金的雙層結(jié)構(gòu)。
[0062]濾色器123設(shè)置在第一絕緣層121上。具體地說，濾色器123設(shè)置用于在像素區(qū)域中顯示圖像的有效區(qū)域AA中。濾色器123是紅色濾色器、綠色濾色器或藍(lán)色濾色器，并且被設(shè)置為對應(yīng)于每個像素區(qū)域。另外，濾色器123還可以具有其他顏色，例如，白色濾色器。
[0063]黑色矩陣125進(jìn)一步設(shè)置在薄膜晶體管TFT和第一絕緣層121的一部分上。黑色矩陣125設(shè)置在像素區(qū)域的非有效區(qū)域NAA中，以阻擋顯示圖像所不需要的光。黑色矩陣125防止漏光或混色。
[0064]黑色矩陣125設(shè)置有第一接觸孔CH1，第一接觸孔CHl穿過黑色矩陣125形成，以暴露薄膜晶體管TFT的漏極DE的一部分。在本示例性實施例中，通過去除黑色矩陣125的一部分來形成第一接觸孔CH1，但是不應(yīng)局限于此或受此限制。根據(jù)另一實施例，第一接觸孔CHl可以通過去除濾色器123的一部分來形成。
[0065]像素電極ELl設(shè)置在濾色器123和黑色矩陣125上。像素電極ELl通過穿過黑色矩陣125形成的第一接觸孔CHl電連接到薄膜晶體管TFT的漏極DE。第二絕緣層127設(shè)置在像素電極ELl上，以保護(hù)像素電極EL1，但是可以省略第二絕緣層127。第二絕緣層127包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。
[0066]限定有效空腔EM的覆蓋層131、設(shè)置在有效空腔EM中的液晶層LC、使液晶層LC的液晶分子取向的取向?qū)?33以及與像素電極ELl共同控制液晶層LC的共電極EL2設(shè)置在第二絕緣層127上。
[0067]覆蓋層131在第二絕緣層127上沿第一方向Dl延伸。覆蓋層131與第二絕緣層127的上表面分隔開，以與第二絕緣層127共同限定有效空腔EM。換言之，覆蓋層131從第二絕緣層127向上分隔開，以在覆蓋層131和第二絕緣層127之間形成預(yù)定的空間，S卩，有效空腔EM。有效空腔EM被形成為對應(yīng)于有效區(qū)域AA并具有通道形狀。
[0068]同時，有效空腔EM未形成在非有效區(qū)域NAA中。即，覆蓋層131與第二絕緣層127在非有效區(qū)域NAA中接觸，因此在覆蓋層131和第二絕緣層127之間不存在空間。
[0069]有效空腔EM沿第二方向D2延伸，并且有效空腔EM的兩端敞開而未被覆蓋層131覆蓋。由于液晶分子通過敞開的兩端注入到有效空腔EM中，所以敞開的兩端被稱作入口。覆蓋層131可以沿與第二方向D2不同的方向延伸。
[0070]覆蓋層131包括有機絕緣層或無機絕緣層。另外，覆蓋層131不應(yīng)被局限于單層結(jié)構(gòu)。即，覆蓋層131可以具有多層結(jié)構(gòu)，例如，順序地堆疊的無機絕緣層-有機絕緣層-無機絕緣層的三層結(jié)構(gòu)。
[0071]共電極EL2沿覆蓋層131的下表面設(shè)置，共電極EL2與像素電極ELl共同形成電場。共電極EL2沿第一方向Dl延伸并且被沿第二方向D2布置的像素所共用。
[0072]另外，共電極EL2在有效區(qū)域AA中沿限定有效空腔EM的覆蓋層131的內(nèi)壁形成，因此，共電極EL2與第二絕緣層127分隔開。
[0073]存儲線SL和共電極EL2 —起設(shè)置在基礎(chǔ)基底110上并且彼此電連接。存儲線SL沿柵極線GL延伸并且設(shè)置在兩條柵極線GL之間。像素PX還包括第一存儲電極SSEl和第二存儲電極SSE2，第一存儲電極SSEl和第二存儲電極SSE2從存儲線SL分岔并且與像素電極ELl疊置。因此，像素電極ELl與第一存儲電極SSEl和第二存儲電極SSE2面對，使得第一絕緣層121和濾色器123設(shè)置在像素電極ELl與第一存儲電極SSEl和第二存儲電極SSE2之間，從而形成存儲電容器。
[0074]另外，像素PX還包括從存儲線SL分岔的延伸部分SEP以及橋接電極BE，橋接電極BE的一個端部與延伸部分SEP接觸，橋接電極BE的另一個端部與共電極EL2接觸。延伸部分SEP設(shè)置在非有效區(qū)域NAA中。第一絕緣層121和黑色矩陣125設(shè)置有第二接觸孔CH2，第二接觸孔CH2穿過第一絕緣層121和黑色矩陣125形成，以暴露延伸部分SEP的一部分。在實施例中，橋接電極BE設(shè)置在黑色矩陣125上，并且橋接電極BE的一個端部通過第二接觸孔CH2與延伸部分SEP直接接觸。橋接電極BE的另一端被第二絕緣層127部分地暴露，設(shè)置在第二絕緣層127上的共電極EL2與被暴露的橋接電極BE直接接觸。
[0075]因此，共電極EL2通過橋接電極BE電連接到存儲線SL，并接收存儲電壓作為共電壓。結(jié)果，可以防止共電極EL2的電勢在顯示區(qū)域DA(參照圖1)的中心部分中降低，因此可以改善串?dāng)_缺陷。在實施例中，共電極EL2和橋接電極BE彼此電連接，在它們之間不具有任何開關(guān)元件、任何晶體管或任何二極管。在實施例中，共電極EL2和橋接電極BE彼此電連接，在它們之間不具有任何半導(dǎo)體材料。在另一實施例中，共電極EL2和橋接電極BE彼此直接接觸。
[0076]像素電極ELl和共電極EL2中的每個包括透明導(dǎo)電材料或非透明導(dǎo)電材料，例如，金屬材料。即，根據(jù)本示例性實施例，像素電極ELl和共電極EL2中的每個根據(jù)顯示設(shè)備100的操作模式而包括透明導(dǎo)電材料或非透明導(dǎo)電材料。例如，當(dāng)顯示設(shè)備100是應(yīng)用設(shè)置在基礎(chǔ)基底110下方的背光單元的透射型顯示設(shè)備時，像素電極ELl和共電極EL2包括透明導(dǎo)電材料。然而，當(dāng)顯示設(shè)備100是不使用背光單元來操作的反射型顯示設(shè)備時，像素電極ELl包括非透明導(dǎo)電材料(例如，反射光的材料)，共電極EL2包括透明導(dǎo)電材料。透明導(dǎo)電材料包括透明導(dǎo)電氧化物，例如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦錫鋅等。非透明導(dǎo)電材料包括金屬材料，例如鎳、鉻、鑰、鋁、鈦、銅、鎢以及它們的合金。顯示設(shè)備100中的其他組件(例如，覆蓋層131)根據(jù)顯示設(shè)備100的操作模式而包括透明導(dǎo)電材料或非透明導(dǎo)電材料。
[0077]液晶LC通過入口注入到有效空腔EM中。有效空腔EM限定了形成在像素電極ELl和共電極EL2之間的空間。因此，像素電極ELl、液晶LC和共電極EL2可以一起形成在一個基礎(chǔ)基底110上。根據(jù)本示例性實施例，液晶LC設(shè)置在彼此面對的像素電極ELl和共電極EL2之間，并且通過形成在像素電極ELl和共電極EL2之間的豎直電場來控制，從而顯示期望的圖像。
[0078]液晶LC包括具有光學(xué)各向異性的液晶分子。液晶LC可以包括豎直取向向列型液晶分子。液晶分子被豎直電場驅(qū)動，以透射或阻擋穿過液晶分子的光。
[0079]取向?qū)?33設(shè)置在像素電極ELl和液晶LC之間，并且在共電極EL2和液晶LC之間。取向?qū)?33可以是豎直取向?qū)?。取向?qū)?33用于使液晶LC的液晶分子預(yù)傾斜，取向?qū)?33包括有機聚合物，例如聚酰亞胺和/或聚酰胺酸。
[0080]同時，無機絕緣層(未示出)可以進(jìn)一步設(shè)置在液晶LC與共電極EL2之間和/或在共電極EL2與覆蓋層131之間。無機絕緣層包括氮化硅或氧化硅。無機絕緣層支撐覆蓋層131，以穩(wěn)定地保持有效空腔EM。
[0081]密封層140設(shè)置在覆蓋層131上。密封層140設(shè)置在有效區(qū)域AA和非有效區(qū)域NAA中。密封層140在非有效區(qū)域NAA中阻擋有效空腔EM的敞開的兩端(即，入口)，以密封有效空腔EM。
[0082]密封層140包括有機聚合物?？梢允褂镁?對二甲苯)聚合物(即，聚對二甲苯)作為有機聚合物。
[0083]雖然在附圖中未示出，但是第一偏振片和第二偏振片分別設(shè)置在基礎(chǔ)基底110的下表面上以及密封層140的上表面上。另外，第一四分之一波片設(shè)置在基礎(chǔ)基底110和第一偏振片之間，第二四分之一波片設(shè)置在密封層140和第二偏振片之間。作為示例，第一偏振片的偏振軸基本垂直于第二偏振片的偏振軸。第一四分之一波片的長軸基本垂直于第二四分之一波片的長軸。
[0084]具有上述結(jié)構(gòu)的液晶層LC通過電控雙折射(ECB)模式來驅(qū)動，其中，液晶分子是正型液晶分子。然而，根據(jù)液晶層LC的類型(例如，正型或負(fù)型)以及顯示裝置的驅(qū)動模式(例如，面內(nèi)開關(guān)模式、豎直取向模式、ECB模式等)，可以省略一部分光學(xué)構(gòu)件或者一部分光學(xué)構(gòu)件可以進(jìn)一步包括額外的部件。另外，第一偏振片和第二偏振片的偏振軸以及第一四分之一波片和第二四分之一波片的長軸的布置可以根據(jù)液晶層LC的類型以及顯示裝置的驅(qū)動模式而改變。
[0085]圖4是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的顯示設(shè)備的平面圖。在圖4中，相同的參考標(biāo)號表示與圖1中的元件相同的元件，因此，將省略對相同的元件的詳細(xì)描述。
[0086]參照圖4，將共電極EL2電連接到存儲線SL的接觸部分CP設(shè)置在對應(yīng)于藍(lán)色像素B的像素PX(在下文中，稱作藍(lán)色像素)中。由于在相同的灰度級下，藍(lán)色像素與紅色像素和綠色像素的亮度相比具有相對高的亮度，所以即使亮度由于由接觸部分CP導(dǎo)致的開口率的降低而較低，藍(lán)色像素PX也不對顯示設(shè)備100的亮度特性產(chǎn)生影響。
[0087]雖然未在圖中示出，但是接觸部分CP可以以兩個像素為單位來設(shè)置，或者以四個像素或更多個像素為單位來設(shè)置。
[0088]圖5是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的像素的平面圖，圖6是示出圖5中示出的部分Al的放大圖。
[0089]參照圖5和圖6，像素PX包括具有第一子像素電極PEl和第一薄膜晶體管TFTl的第一子像素以及具有第二子像素電極PE2和第二薄膜晶體管TFT2的第二子像素。第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2沿第二方向D2布置，柵極線GL和存儲線SL設(shè)置在第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2之間。
[0090]另外，第一數(shù)據(jù)線DLl設(shè)置在第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2的一側(cè)，第二數(shù)據(jù)線DL2設(shè)置在第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2的另一側(cè)。柵極線GL和存儲線SL沿第一方向Dl延伸并且彼此分隔開。第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2沿第二方向D2延伸并且彼此分隔開，使得第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2之間。
[0091]第一薄膜晶體管TFTl連接到第一數(shù)據(jù)線DLl和柵極線GL。詳細(xì)地說，第一薄膜晶體管TFTl包括從柵極線GL分岔的第一柵極GE1、從第一數(shù)據(jù)線DLl分岔的第一源極SE1、與第一源極SEl分隔開并且電連接到第一子像素電極PEl的第一漏極DE1。第二薄膜晶體管TFT2連接到第二數(shù)據(jù)線DL2和柵極線GL。詳細(xì)地說，第二薄膜晶體管TFT2包括從柵極線GL分岔的第二柵極GE2、從第二數(shù)據(jù)線DL2分岔的第二源極SE2、與第二源極SE2分隔開并電連接到第二子像素電極PE2的第二漏極DE2。
[0092]第一子像素電極PEl與從存儲線SL沿第一方向Dl延伸的第一存儲電極SSEl和第二存儲電極SSE2疊置，以形成第一存儲電容器。另外，第二子像素電極PE2與從存儲線SL沿第一方向Dl延伸的第三存儲電極SSE3和第四存儲電極SSE4疊置，以形成第二存儲電容器。第一存儲電極SSEl和第三存儲電極SSE3與第一數(shù)據(jù)線DLl相鄰地設(shè)置，第二存儲電極SSE2和第四存儲電極SSE4與第二數(shù)據(jù)線DL2相鄰地設(shè)置。
[0093]第一子像素電極PEl包括第一桿部分PEla以及從第一桿部分PEla以放射狀形式延伸的多個第一分岔部分PElb。
[0094]第一桿部分PEla具有十字形狀，第一子像素電極PEl包括由第一桿部分PEla劃分的多個區(qū)域。第一子像素電極PEl包括由第一桿部分PEla限定的多個疇。第一分岔部分PElb根據(jù)疇而沿不同的方向延伸。在本示例性實施例中，第一子像素電極PEl包括四個疇，但是疇的數(shù)量不應(yīng)局限于四個。第一分岔部分PElb彼此分開并且在由第一桿部分PEla限定的每個區(qū)域中彼此基本平行地延伸。兩個彼此相鄰的第一分岔部分PElb之間的距離按照微米進(jìn)行測量。這是為了使液晶層LC的液晶分子在基本平行于基礎(chǔ)基底110的平面上按照特定的方位角取向。
[0095]另外，第二子像素電極PE2包括第二桿部分PE2a以及從第二桿部分PE2a以放射狀形式延伸的多個第二分岔部分PE2b。第二桿部分PE2a具有十字形狀，第二子像素電極PE2包括由第二桿部分PE2a劃分的多個區(qū)域。第二子像素電極PE2包括由第二桿部分PE2a限定的多個疇。第二分岔部分PE2b根據(jù)疇而沿不同的方向延伸。在本示例性實施例中，第二子像素電極PE2包括四個疇，但是疇的數(shù)量不應(yīng)局限于四個。第二分岔部分PE2b彼此分開并且在由第二桿部分PE2a限定的每個區(qū)域中彼此基本平行地延伸。兩個彼此相鄰的第二分岔部分PE2b之間的距離按照微米進(jìn)行測量。這是為了使液晶層LC的液晶分子在基本平行于基礎(chǔ)基底110的平面上按照特定的方位角取向。
[0096]在本示例性實施例中，液晶分子根據(jù)疇而沿不同的方向取向，并且第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2被施加有不同的電壓。因此，液晶分子的取向方向被控制為不同，從而改善了顯示設(shè)備100的視角。
[0097]另外，像素PX還包括從存儲線SL分岔的延伸部分SEP以及橋接電極BE，橋接電極BE的一端與延伸部分SEP接觸，其另一端與共電極EL2接觸。在實施例中，橋接電極BE的一端通過第二接觸孔CH2與延伸部分SEP直接接觸，橋接電極BE的另一端與共電極EL2直接接觸。
[0098]因此，共電極EL2通過橋接電極BE電連接到存儲線SL，并且接收存儲電壓作為共電壓。結(jié)果，可以防止共電極EL2的電勢在顯示區(qū)域DA(參見圖1)的中心部分中降低，因此可以改善串?dāng)_缺陷。在實施例中，存儲線SL和橋接電極BE彼此電連接，在它們之間不具有任何開關(guān)元件、任何晶體管或任何二極管。在實施例中，存儲線SL和橋接電極BE彼此電連接，在它們之間不具有任何半導(dǎo)體材料。在另一實施例中，存儲線SL和橋接電極BE可以彼此直接接觸。
[0099]圖7A是沿圖5中示出的線IV-1f截取的剖視圖，圖7B是沿圖5中示出的線V-V'截取的剖視圖。
[0100]參照圖7A和圖7B，第一絕緣層121設(shè)置在基礎(chǔ)基底110的整個表面上方，以覆蓋柵極線GL以及第一柵極GEl和第二柵極GE2。
[0101]第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)DL2、第一源極SEl和第二源極SE2以及第一漏極DEl和第二漏極DE2設(shè)置在第一絕緣層121上。它們由單種金屬材料形成，但是它們不應(yīng)局限于此或受此限制。另外，如圖7A和圖7B中所示，第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2被第一保護(hù)層122所覆蓋。雖然未在附圖中示出，但是第一保護(hù)層122覆蓋第一源極SEl和第二源極SE2以及第一漏極DEl和第二漏極DE2。
[0102]黑色矩陣125和濾色器123設(shè)置在第一保護(hù)層122上。濾色器123設(shè)置在像素區(qū)域的其中顯示圖像的有效區(qū)域中，黑色矩陣125設(shè)置在像素區(qū)域的非有效區(qū)域中，以阻擋顯示圖像所不需要的光。作為示例，有機層128和第二保護(hù)層129可以進(jìn)一步設(shè)置在黑色矩陣125和濾色器123上。
[0103]如圖7A中所示，第二接觸孔CH2被形成為穿過第一絕緣層121、第一保護(hù)層122、黑色矩陣125、有機層128和第二保護(hù)層129，以暴露從存儲線SL延伸的延伸部分SEP。
[0104]第一子像素PEl和第二子像素PE2設(shè)置在第二保護(hù)層129上。另外，作為示例，橋接電極BE設(shè)置在第二保護(hù)層129上。在實施例中，橋接電極BE通過第二接觸孔CH2與延伸部分SEP直接接觸。
[0105]限定有效空腔EM的覆蓋層131、設(shè)置在有效空腔EM中的液晶層LC以及與第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2共同控制液晶層LC的共電極EL2設(shè)置在第二保護(hù)層129 上。
[0106]覆蓋層131在第二保護(hù)層129上沿第一方向Dl延伸。覆蓋層131與第二保護(hù)層129的上表面分隔開，以與第二保護(hù)層129共同限定有效空腔EM。換言之，保護(hù)層131從第二保護(hù)層129向上分隔開，以在覆蓋層131和第二保護(hù)層129之間形成作為有效空腔EM的預(yù)定的空間。因此，有效空腔EM具有通道形狀。
[0107]有效空腔EM沿第二方向D2延伸，并且有效空腔EM的兩端敞開，而未被覆蓋層131覆蓋。由于液晶分子通過有效空腔EM的敞開的兩端注入到有效空腔EM中，所以敞開的兩端被稱作入口。覆蓋層131可以沿與第二方向D2不同的方向延伸。
[0108]覆蓋層131包括有機絕緣層或無機絕緣層。另外，覆蓋層131不應(yīng)被限制為單層結(jié)構(gòu)。即，覆蓋層131可以具有多層結(jié)構(gòu)，例如，順序地堆疊的無機絕緣層-有機絕緣層-無機絕緣層的三層結(jié)構(gòu)。
[0109]共電極EL2沿覆蓋層131的下表面設(shè)置，共電極EL2與第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2共同形成電場。共電極EL2沿第一方向Dl延伸，并且被沿第二方向D2布置的像素所共用。
[0110]另外，共電極EL2可以沿限定有效空腔EM的覆蓋層131的內(nèi)壁形成。
[0111]同時，共電極EL2可以在有效空腔EM之外與橋接電極BE部分地疊置。如上所述，在實施例中，橋接電極BE的一端通過第二接觸孔CH2與延伸部分SEP直接接觸。橋接電極BE的另一端設(shè)置在有效空腔EM的外部的第二保護(hù)層129上，并且與共電極EL2直接接觸。
[0112]因此，共電極EL2通過橋接電極BE電連接到存儲線SL，并接收存儲電壓作為共電壓。結(jié)果，可以防止共電極EL2的電勢在顯示區(qū)域DA(參見圖1)的中心部分中降低，因此可以改善串?dāng)_缺陷。
[0113]密封層140和第三保護(hù)層141順序地設(shè)置在覆蓋層131上。密封層140阻擋有效空腔EM的敞開的兩端(即，入口)，以密封有效空腔EM。密封層140包括有機聚合物。第三保護(hù)層141包括無機絕緣層，以防止?jié)駳饣蚩諝膺M(jìn)入到密封層140中。
[0114]圖8是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的像素的平面圖，圖9是沿圖8中示出的線V1-Vr截取的剖視圖。在圖8和圖9中，相同的參考標(biāo)號表示與圖5至圖7B中的元件相同的元件，因此將省略對相同的元件的詳細(xì)描述。
[0115]參照圖8和圖9，像素PX還包括從存儲線SL延伸的延伸部分SEP。延伸部分SEP通過第三接觸孔CH3與共電極EL2直接接觸。
[0116]如圖9中所示，第三接觸孔CH3包括通過使第一絕緣層121、第一保護(hù)層122、黑色矩陣125和有機層128敞開而形成的第一開口區(qū)域以及通過使第二保護(hù)層129和阻擋層130敞開而形成的第二開口區(qū)域。
[0117]阻擋層130設(shè)置在對應(yīng)于有效空腔EM的入口的位置處。阻擋層130可以設(shè)置在與入口直接相鄰的非有效區(qū)域中。
[0118]阻擋層130設(shè)置在覆蓋層131和第二保護(hù)層129之間，以與第二保護(hù)層129直接接觸并具有柱狀形狀。阻擋層130被第二開口區(qū)域分為彼此分隔開的兩個部分。阻擋層130的兩個部分彼此面對，從而與有效空腔EM的長度方向垂直的寬度方向的中心線設(shè)置在它們之間。因此，阻擋層130阻擋入口的一部分。入口設(shè)置在阻擋層130的兩個部分之間，液晶層LC通過入口填充在有效空腔EM中。
[0119]雖然未在附圖中示出，但是阻擋層130可以與覆蓋層131 —體地形成。
[0120]如圖9中所示，共電極EL2在有效區(qū)域中形成在有效空腔EM的內(nèi)壁上，但是在非有效區(qū)域中設(shè)置在阻擋層130上。
[0121]在實施例中，共電極EL2通過第三接觸孔CH3與從存儲線SL延伸的延伸部分SEP直接接觸。
[0122]因此，共電極EL2通過橋接電極BE電連接到存儲線SL，并接收存儲電壓作為共電壓。結(jié)果，可以防止共電極EL2的電勢在顯示區(qū)域DA(參見圖1)的中心部分中降低，因此可以改善串?dāng)_缺陷。
[0123]圖10是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的顯示設(shè)備的平面圖。在圖10中，相同的參考標(biāo)號表示與圖1中的元件相同的元件，因此將省略對相同的元件的詳細(xì)描述。
[0124]參照圖10，像素以矩陣形式布置在基礎(chǔ)基底110上。每個像素包括其中分別設(shè)置有第一子像素和第二子像素的第一像素區(qū)域PAl和第二像素區(qū)域PA2。非有效區(qū)域設(shè)置在第一子像素區(qū)域PAl和第二子像素區(qū)域PA2之間。第一薄膜晶體管TFTl和第二薄膜晶體管TFT2以及第二接觸孔CH2設(shè)置在非有效區(qū)域中。第一子像素區(qū)域PAl和第二子像素區(qū)域PA2沿列方向交替地布置。
[0125]另外，共電極EL2沿第一方向Dl延伸并沿第二方向D2布置為彼此分開預(yù)定距離。共電極EL2之間的區(qū)域?qū)?yīng)于第一子像素區(qū)域PAl和第二子像素區(qū)域PA2之間的非有效區(qū)域。
[0126]作為示例，每個共電極EL2具有對應(yīng)于第一子像素區(qū)域PAl和第二子像素區(qū)域PA2的寬度，并且沿行方向延伸。詳細(xì)地說，在共電極EL2中的第i共電極(“i”是等于或大于2的整數(shù))被設(shè)置為與第i像素PXi的第一子像素區(qū)域PAl和第1-Ι像素PX1-1的第二子像素區(qū)域PA2疊置，第i+Ι共電極被設(shè)置為與第i像素PXi的第二子像素區(qū)域PA2和第i+1像素PXi+1的第一子像素區(qū)域PAl疊置。
[0127]每個共電極EL2電連接到與之相鄰的存儲線SL。如圖10中所示，每個共電極EL2與存儲線SL中的兩條存儲線疊置并電連接到所述兩條存儲線中的一條。接觸部分設(shè)置在與共電極EL2之間的區(qū)域?qū)?yīng)的非有效區(qū)域中，以電連接共電極EL2和存儲線SL。因此，可以防止由于接觸部分而使像素的開口率降低。在實施例中，共電極EL2和存儲線SL彼此電連接，在它們之間不具有任何開關(guān)元件、任何晶體管或任何二極管。在實施例中，共電極EL2和存儲線SL彼此電連接，在它們之間不具有任何半導(dǎo)體材料。在另一實施例中，共電極EL2和存儲線SL彼此電連接，在它們之間僅具有導(dǎo)電材料或多種導(dǎo)電材料。在可選的實施例中，共電極EL2和存儲線SL可以彼此直接接觸。
[0128]因此，共電極EL2電連接到存儲線SL，并接收存儲電壓作為共電壓。結(jié)果，可以防止共電極EL2的電勢在顯示區(qū)域DA的中心部分中降低，因此可以改善串?dāng)_缺陷。
[0129]圖11是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的顯示設(shè)備的平面圖，圖12是示出圖11中示出的像素的平面圖，圖13是沿圖12中示出的線VI1-Vir截取的剖視圖。在圖11至圖13中，相同的參考標(biāo)號表與圖8和圖9中的兀件相同的兀件，因此將省略對相同的元件的詳細(xì)描述。
[0130]圖11僅示出了顯示設(shè)備110的顯示區(qū)域DA,但是周圍區(qū)域PA被設(shè)置為鄰近于顯示區(qū)域DA的一側(cè)或兩側(cè)，或者被設(shè)置為圍繞顯示區(qū)域DA。
[0131]顯示設(shè)備100的顯示區(qū)域DA包括布置在其中的像素PX，以顯示圖像。如圖12中所示，每個像素PX包括第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2。
[0132]共電極EL2進(jìn)一步設(shè)置在顯示區(qū)域DA中。共電極EL2沿第一方向Dl延伸并且在顯示區(qū)域DA中沿第二方向D2排列。共電極EL2沿第二方向D2彼此分隔開預(yù)定的距離。作為示例，共電極EL2之間的區(qū)域?qū)?yīng)于在同一像素中的第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2之間的區(qū)域。
[0133]另外，金屬線ML設(shè)置在顯示區(qū)域DA中，以使共電極EL2電連接。金屬線ML沿第二方向D2延伸并與共電極EL2交叉，以與共電極EL2疊置。在實施例中，共電極EL2和金屬線ML彼此電連接，在它們之間不具有任何開關(guān)元件、任何晶體管或任何二極管。在實施例中，共電極EL2和金屬線ML彼此電連接，在它們之間不具有任何半導(dǎo)體材料。在另一實施例中，共電極EL2和金屬線ML彼此電連接，在它們之間僅具有導(dǎo)電材料或多種導(dǎo)電材料。在可選的實施例中，共電極EL2和金屬線ML可以彼此直接接觸。
[0134]像素PX以行和列的矩陣形式布置在基礎(chǔ)基底110的顯示區(qū)域DA中。在本示例性實施例中，像素PX具有相同的結(jié)構(gòu)和功能，下面將僅詳細(xì)地描述一個像素PX。
[0135]如圖12中所示，像素PX包括具有第一子像素電極PEl和第一薄膜晶體管TFTl的第一子像素以及具有第二子像素電極PE2和第二薄膜晶體管TFT2的第二子像素。第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2沿第二方向D2排列，柵極線GL和存儲線SL設(shè)置在第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2之間。柵極線GL和存儲線SL沿第一方向Dl延伸。
[0136]另外，第一數(shù)據(jù)線DLl設(shè)置在第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2的一側(cè)，第二數(shù)據(jù)線DL2設(shè)置在第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2的另一側(cè)。第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2沿第二方向D2延伸并且彼此分開，從而第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2之間。
[0137]第一子像素電極PEl包括第一桿部分PEla和以放射狀形式從第一桿部分PEla延伸的多個第一分岔部分PElb。
[0138]第一桿部分PEla具有十字形狀，第一子像素電極PEl被第一桿部分PEla分為四個疇。第一分岔部分PElb根據(jù)疇而沿不同的方向延伸。第一分岔部分PElb彼此分開并且在每個疇中彼此基本平行地延伸。
[0139]另外，第二子像素電極PE2包括第二桿部分PE2a以及從第二桿部分PE2a以放射狀形式延伸的第二分岔部分PE2b。第二桿部分PE2a具有十字形狀，第二子像素電極PE2被第二桿部分PE2a分為多個疇。第二分岔部分PE2b根據(jù)疇而沿不同的方向延伸。第二分岔部分PE2b彼此分開并且在由第二桿部分PE2a限定的每個疇中彼此基本平行地延伸。
[0140]金屬線ML設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2之間，以對應(yīng)于在第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2之間的第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2的非有效區(qū)域。
[0141]作為示例，金屬線ML被設(shè)置為面對沿第二方向D2延伸的第一桿部分PEla的一部分以及沿第二方向D2延伸的第二桿部分PE2a的一部分。
[0142]如圖13中所示，與第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2 —樣，金屬線ML設(shè)置在第一絕緣層121上。
[0143]在實施例中，金屬線ML通過第四接觸孔CH4與共電極EL2直接接觸。第四接觸孔CH4包括通過使第一保護(hù)層122、黑色矩陣125和有機層128敞開而限定的第一開口區(qū)域以及通過使第二保護(hù)層129和阻擋層130敞開而限定的第二開口區(qū)域。
[0144]阻擋層130設(shè)置在對應(yīng)于有效空腔EM的入口的位置處。在本示例性實施例中，阻擋層130可以設(shè)置在與入口直接相鄰的非有效區(qū)域中。
[0145]共電極EL2在有效區(qū)域中設(shè)置在有效空腔EM的內(nèi)壁上，但是在非有效區(qū)域中設(shè)置在阻擋層130上，如圖13中所示。
[0146]在實施例中，共電極EL2通過第四接觸孔CH4與金屬線ML直接接觸。
[0147]按照相同的方式，金屬線ML與沿第二方向D2排列的共電極EL2電接觸，以使共電極EL2彼此電連接。
[0148]另外，金屬線ML包括與第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2的金屬材料相同的金屬材料，因此金屬線ML的電阻低于用于形成共電極EL2的透明導(dǎo)電氧化物(例如，氧化銦錫、氧化銦鋅等)的電阻。
[0149]如上所述，當(dāng)共電極EL2通過具有低于共電極EL2的電阻的金屬線ML而沿第二方向D2彼此電連接時，可以防止每個共電極EL2的電勢在顯示區(qū)域DA的中心部分中降低，因此可以改善串?dāng)_缺陷。
[0150]圖14是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的顯示設(shè)備的平面圖，圖15是沿圖14中示出的線VII1-VIir截取的剖視圖。在圖14和圖15中，相同的參考標(biāo)號表示與圖11至圖13中的元件相同的元件，因此將省略對相同的元件的詳細(xì)描述。
[0151]參照圖14和圖15，像素PX還包括從存儲線SL延伸的延伸部分SEP (參見圖12)。延伸部分SEP被設(shè)置為與金屬線ML疊置。
[0152]在實施例中，共電極EL2通過第五接觸孔CH5與金屬線ML和延伸部分SEP直接接觸。第五接觸孔CH5包括暴露延伸部分SEP的第三開口區(qū)域和暴露金屬線ML的第四開口區(qū)域。
[0153]第三開口區(qū)域通過使第一絕緣層121、第一保護(hù)層122、黑色矩陣125和有機層128敞開來限定，第四開口區(qū)域通過使第一保護(hù)層122、黑色矩陣125和有機層128敞開來限定。通過第二保護(hù)層129和阻擋層130而限定的第二開口區(qū)域設(shè)置在第三開口區(qū)域和第四開口區(qū)域上方。
[0154]按照相同的方式，金屬線ML和存儲線SL電連接到沿第二方向D2排列的共電極EL2,以使共電極EL2彼此電連接。在實施例中，共電極EL2、金屬線ML和存儲線SL彼此電連接，在它們之間沒有任何開關(guān)元件、任何晶體管或任何二極管。在實施例中，共電極EL2、金屬線ML和存儲線SL彼此電連接，在它們之間沒有任何半導(dǎo)體材料。在另一實施例中，共電極EL2、金屬線ML和存儲線SL彼此電連接，在它們之間僅具有導(dǎo)電材料或多種導(dǎo)電材料。在可選的實施例中，金屬線ML和存儲線SL可以彼此直接接觸。
[0155]另外，金屬線ML和存儲線SL包括電阻小于用于形成共電極EL2的透明導(dǎo)電氧化物(例如，氧化銦錫、氧化銦鋅等)的電阻的金屬材料。
[0156]如上所述，共電極EL2通過電阻小于共電極EL2的電阻的金屬線ML沿第二方向D2彼此電連接，補償每個共電極EL2沿第一方向Dl的電壓降。因此，可以防止每個共電極EL2的電勢在顯示區(qū)域DA的中心部分中降低，因此可以改善串?dāng)_缺陷。
[0157]為了便于解釋，在圖14中，每個共電極EL2與存儲線SL部分地疊置，但是當(dāng)在平面圖中觀察時，共電極EL2可以被形成為覆蓋整個存儲線SL和延伸部分SEP。
[0158]另外，在實施例中，可以省略延伸部分SEP，在這種情況下，金屬線ML可以與存儲線SL直接接觸。
[0159]圖16是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的共電極的平面圖，圖17是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的兩個像素的平面圖，圖18是沿圖17中示出的線IX-1X'截取的首1J視圖。
[0160]參照圖16，共電極EL2沿第一方向Dl和第二方向D2排列，并且彼此分隔開預(yù)定的距離。為此,共電極EL2具有點狀形狀。在實施例中,共電極EL2通過第五接觸孔CH5與金屬線ML和存儲線SL直接接觸。金屬線ML使沿第二方向D2排列并且彼此分隔開的共電極EL2彼此電連接，存儲線SL使沿第一方向Dl排列并彼此分隔開的共電極EL2彼此電連接。
[0161]當(dāng)從平面圖中觀察時，每個共電極EL2具有矩形形狀。共電極EL2在第一方向Dl上之間的距離可以與共電極EL2在第二方向D2上之間的距離不同。
[0162]參照圖17，第一像素PXl設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2之間，第二像素PX2設(shè)置在第三數(shù)據(jù)線DL3和第四數(shù)據(jù)線DL4之間。第二數(shù)據(jù)線DL2和第三數(shù)據(jù)線DL3設(shè)置在第一像素PXl和第二像素PX2之間，并且彼此分隔開從而使彼此電絕緣。
[0163]第一像素PXl的第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2與第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2部分地疊置。第二像素PX2的第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2與第三數(shù)據(jù)線DL3和第四數(shù)據(jù)線DL4部分地疊置。
[0164]如圖18中所示，當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)線DL2和第三數(shù)據(jù)線DL3之間的距離被稱作“dl”，第一像素PXl的第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2之間的距離被稱作“d2”時，距離dl小于距離d2。另外，當(dāng)共電極EL2之間在第一方向Dl上的距離被稱作“d3”時，距離d3小于距離d2。
[0165]作為示例，共電極EL2之間在第一方向Dl上的距離d3可以等于或大于設(shè)置在第一像素PXl的有效空腔EM和第二像素PX2的有效空腔EM之間的溝槽TC的寬度。
[0166]在從溝槽TC去除共電極EL2時，可以減少第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2與共電極EL2之間的耦合電容或者數(shù)據(jù)線DLl至DL4與共電極EL2之間的耦合電容。因此，可以防止由耦合電容導(dǎo)致的缺陷。
[0167]圖19是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的兩個像素的平面圖，圖20是沿圖19中示出的線X-X^截取的剖視圖。在圖19和圖20中，相同的參考標(biāo)號表示與圖17和圖18中的元件相同的元件，因此將省略對相同的元件的詳細(xì)描述。
[0168]在下文中，為了便于解釋，將第一子像素電極PEl和第二子像素電極PE2稱作像素電極ELI。
[0169]參照圖19和圖20，當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)線DL2與第三數(shù)據(jù)線DL3之間的距離被稱作“dl”，第一像素PXl的像素電極ELl與第二像素PX2的像素電極ELl之間的距離被稱作“d2”時，距離dl大于距離d2。另外，當(dāng)共電極EL2之間在第一方向Dl上的距離被稱作“d3”時，距離d3大于距離d2。
[0170]因此，第一像素PXl的像素電極ELl與第一數(shù)據(jù)線DLl和第二數(shù)據(jù)線DL2完全疊置，第二像素PX的像素電極ELl與第三數(shù)據(jù)線DL3和第四數(shù)據(jù)線DL4完全疊置。
[0171]作為示例，共電極EL2之間在第一方向Dl上的距離d3可以大于設(shè)置在第一像素PXl的有效空腔EM與第二像素PX2的有效空腔EM之間的溝槽TC的寬度。
[0172]因此，共電極EL2在第一方向Dl上的端部存在于有效空腔EM上，并且共電極EL2不存在于在第一方向Dl上彼此相鄰的兩個有效空腔EM之間。
[0173]另外，第一像素PXl的像素電極ELl延伸至設(shè)置在其左側(cè)和右側(cè)的溝槽TC，第二像素PX2的像素電極ELl延伸至設(shè)置在其左側(cè)和右側(cè)的溝槽TC。因此，第一像素PXl的像素電極ELl與第二像素PX2的像素電極ELl之間的距離d2可以小于溝槽TC的寬度。
[0174]在從溝槽TC去除共電極EL2時，即使像素電極ELl延伸至溝槽TC，也可以防止共電極EL2與像素電極ELl短路。
[0175]另外，像素電極ELl可以擴展至溝槽TC，因此像素電極ELl可以與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線完全疊置。在完全疊置的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)與半疊置的結(jié)構(gòu)相比時，可以確保與像素電極ELl的左耦合電容與右耦合電容器之間的差相關(guān)的容差。
[0176]當(dāng)對應(yīng)的數(shù)據(jù)線彎曲或移動至像素區(qū)域，以使像素電極ELl與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線完全疊置時，像素電極ELl的透射率降低。
[0177]然而，當(dāng)像素電極ELl擴展至溝槽TC，以與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線完全疊置而不移動像素電極時，可以防止像素電極ELl的透射率降低。
[0178]雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不應(yīng)局限于這些示例性實施例，而是在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以進(jìn)行各種改變和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括: 基礎(chǔ)基底，包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的周圍區(qū)域； 像素電極的陣列，形成在所述基礎(chǔ)基底的所述顯示區(qū)域上方； 有效空腔的陣列，設(shè)置在所述像素電極的陣列上方； 多個共電極，與所述像素電極的陣列相對，使得所述有效空腔的陣列設(shè)置在所述多個共電極中的至少一個共電極與所述像素電極的陣列之間；以及 金屬線，與所述顯示區(qū)域中的所述至少一個共電極電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述像素電極以沿第一方向延伸的行排列，所述多個共電極沿所述第一方向延伸，使得所述至少一個共電極與至少兩個像素電極疊置，并且所述多個共電極沿與所述第一方向不同的第二方向排列。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中，所述金屬線包括沿所述第一方向延伸的存儲線。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括橋接電極，以使所述至少一個共電極與所述存儲線電連接。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中，所述橋接電極的一部分設(shè)置在所述像素電極所設(shè)置的層上，并且與所述像素電極電絕緣。
6.如權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括延伸部分，從所述存儲線分岔，以與所述橋接電極直接接觸。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括中間絕緣層，設(shè)置在所述像素電極與所述存儲線之間，其中，所述中間絕緣層設(shè)置有穿過所述中間絕緣層形成的至少一個接觸孔，以暴露所述延伸部分，所述橋接電極通過所述接觸孔與所述延伸部分直接接觸并且連接到所述至少一個共電極。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中，所述橋接電極在所述有效空腔外部的位置處與所述至少一個共電極直接接觸。
9.如權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中，所述橋接電極被設(shè)置為多個，所述多個橋接電極被設(shè)置為分別對應(yīng)于像素。
10.如權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中，所述橋接電極被設(shè)置為多個，所述多個橋接電極被設(shè)置為對應(yīng)于所述像素中的藍(lán)色像素。
11.如權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括從所述存儲線分岔的延伸部分，其中，所述至少一個共電極在所述有效空腔外部的位置處與所述延伸部分直接接觸。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括多個中間絕緣層，順序地堆疊在所述延伸部分和所述至少一個共電極之間，其中，所述多個中間絕緣層設(shè)置有穿過所述多個中間絕緣層形成的多個接觸孔，以暴露所述延伸部分，所述至少一個共電極通過所述多個接觸孔中至少一個接觸孔與所述延伸部分直接接觸。
13.如權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括覆蓋層，以限定所述有效空腔，其中，所述至少一個共電極設(shè)置在所述覆蓋層的內(nèi)表面上。
14.如權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括設(shè)置在所述周圍區(qū)域中的連接線，所述連接線沿所述第二方向延伸，并且在所述周圍區(qū)域中與所述至少一個共電極電連接。
15.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述像素電極以沿第一方向延伸的行排列，所述金屬線沿與所述第一方向不同的第二方向延伸，以使所述多個共電極彼此電連接。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括沿所述第二方向延伸的兩條數(shù)據(jù)線，其中，當(dāng)從垂直于所述基礎(chǔ)基底的主表面的觀察方向來觀察時，以沿所述第二方向延伸的列排列的每個像素電極被設(shè)置在所述兩條數(shù)據(jù)線之間，當(dāng)從所述觀察方向觀察時，所述金屬線設(shè)置在所述兩條數(shù)據(jù)線之間，以與所述每個像素電極的非有效區(qū)域疊置。
17.如權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中，所述金屬線設(shè)置在其上設(shè)置有所述數(shù)據(jù)線的層上。
18.如權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中，所述每個像素電極包括沿所述第一方向和所述第二方向延伸以具有十字形狀的桿部分以及以放射狀形式從所述桿部分延伸的多個分岔部分，所述金屬線被設(shè)置為與所述桿部分的沿所述第二方向延伸的豎直部分疊置。
19.如權(quán)利要求15所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括沿所述第一方向延伸的存儲線，其中，所述金屬線與所述存儲線電連接。
20.如權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備，其中，所述存儲線設(shè)置在與其上設(shè)置有所述金屬線的層不同的層上，所述存儲線通過穿過在所述存儲線和所述金屬線之間的絕緣層而形成的接觸孔與所述金屬線電連接。
21.如權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備，其中，所述多個共電極沿所述第一方向和所述第二方向以陣列形式布置，并且彼此分隔開。
22.如權(quán)利要求21所述的顯示設(shè)備，其中，所述像素電極以沿所述第一方向延伸的行排列，沿所述第一方向彼此相鄰的兩個共電極之間的距離小于沿所述第一方向彼此相鄰的兩個像素電極之間的距離。
23.如權(quán)利要求21所述的顯示設(shè)備，其中，所述像素電極以沿所述第一方向延伸的行排列，在所述第一方向上彼此相鄰的兩個共電極之間的距離大于在第一方向上彼此相鄰的兩個像素電極之間的距離。
24.如權(quán)利要求23所述的顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備還包括兩條數(shù)據(jù)線，分別與在所述第一方向上彼此相鄰的所述兩個像素電極疊置，其中，所述兩條數(shù)據(jù)線沿所述第二方向延伸。
25.如權(quán)利要求24所述的顯示設(shè)備，其中，所述兩條數(shù)據(jù)線之間的距離大于在所述第一方向上彼此相鄰的所述兩個像素電極之間的距離。
【文檔編號】G02F1/167GK104345506SQ201410360446
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月30日
【發(fā)明者】李仙花, 樸載華, 鄭光哲, 洪基表, 金容奭, 元盛煥, 鄭美惠 申請人:三星顯示有限公司