陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置，屬于液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有的ADS模式陣列基板制造工藝復(fù)雜、透過率低、驅(qū)動效果不好的問題。本發(fā)明的陣列基板制備方法包括：在基底上依次形成第一透明導(dǎo)電材料層、絕緣材料層、半導(dǎo)體材料層、光刻膠層，并通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一透明電極的圖形，該柵絕緣層不超出柵極和柵線上方；形成鈍化層，并在鈍化層中形成與半導(dǎo)體層相連的源極過孔和漏極過孔；依次形成第二透明導(dǎo)電材料層和源漏金屬層，并通過構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極、第二透明電極的圖形，其中源極、漏極包括層疊的第二透明導(dǎo)電材料層和源漏金屬層。
【專利說明】陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示
>J-U ρ?α裝直。

【背景技術(shù)】
[0002]高級超維場轉(zhuǎn)換模式(ADS模式)的液晶顯示裝置具有視角寬、透過率高、清晰度高等諸多優(yōu)點(diǎn)，故成為液晶顯示裝置的一種重要模式。
[0003]如圖1所示，在ADS模式的陣列基板中，板狀的第一透明電極111、薄膜晶體管的柵極21/柵線22均設(shè)在基底9上，柵絕緣層31覆蓋第一透明電極111、柵極21、柵線22等，柵極21上方設(shè)有半導(dǎo)體層41 (半導(dǎo)體層41加上歐姆接觸層、過渡層等即構(gòu)成薄膜晶體管的有源區(qū))，鈍化層5、平坦化層6依次覆蓋半導(dǎo)體層41和柵絕緣層31，平坦化層6上設(shè)有數(shù)據(jù)線Data和第二透明電極121，數(shù)據(jù)線Data、第二透明電極121分別與薄膜晶體管的源極71、漏極72電連接，且第二透明電極121為狹縫電極，位于第一透明電極111上方。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，雖然以上是以第二透明電極121為像素電極，第一透明電極111為公共電極的情況為例；但若第一透明電極111為像素電極(即其與漏極72電連接)，第二透明電極121為公共電極，也是可行的。
[0004]如圖1所示，在現(xiàn)有的ADS模式的陣列基板中，柵極21/柵線22、半導(dǎo)體層41、第一透明電極111、源極71/漏極72、第二透明電極121需要分別在不同的構(gòu)圖工藝中制造，即為制造這些結(jié)構(gòu)至少需要進(jìn)行6次光刻，因此其制備工藝復(fù)雜。
[0005]同時(shí)，柵絕緣層31覆蓋了整個(gè)基底9，即柵絕緣層31在第一透明電極111和第二透明電極121間也有分布，而該位置的柵絕緣層31 —方面增大了兩電極間的距離，降低了電場強(qiáng)度和電容，影響了驅(qū)動效果；另一方面，該柵絕緣層31也會影響透光，降低陣列基板的透過率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有的ADS模式陣列基板制造工藝復(fù)雜、驅(qū)動效果不好、透過率低的問題，提供一種制造工藝簡單、驅(qū)動效果好、透過率高的陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置。
[0007]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板制備方法，其包括:
[0008]步驟1:在基底上依次形成第一透明導(dǎo)電材料層、絕緣材料層、半導(dǎo)體材料層、光刻膠層，并通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一透明電極的圖形；其中，所述柵絕緣層不超出所述柵極和柵線上方；
[0009]步驟2:在所述基底上形成鈍化層，并在所述鈍化層中形成與所述半導(dǎo)體層相連的源極過孔和漏極過孔；
[0010]步驟3:在所述基底上依次形成第二透明導(dǎo)電材料層和源漏金屬層，并通過構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極、第二透明電極的圖形，其中所述源極、漏極分別通過源極過孔、漏極過孔與所述半導(dǎo)體層電連接，且所述源極、漏極包括層疊的第二透明導(dǎo)電材料層和源漏金屬層。
[0011]優(yōu)選的是，所述步驟I具體包括:
[0012]步驟11、在基底上依次形成第一透明導(dǎo)電材料層、絕緣材料層、半導(dǎo)體材料層、光刻膠層；
[0013]步驟12、對所述光刻膠層階梯曝光并顯影，使柵極位置保留第一厚度的光刻膠層，柵線位置保留第二厚度的光刻膠層，第一透明電極位置保留第三厚度的光刻膠層，其余位置無光刻膠層，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度；
[0014]步驟13、除去無光刻膠區(qū)域的所述半導(dǎo)體材料層、絕緣材料層、第一透明導(dǎo)電材料層；
[0015]步驟14、除去第三厚度的光刻膠層，使第一透明電極位置的所述半導(dǎo)體材料層暴露；
[0016]步驟15、除去第一透明電極位置的所述半導(dǎo)體材料層、絕緣材料層，形成第一透明電極的圖形；
[0017]步驟16、除去厚度等于柵線位置剩余光刻膠層厚度的光刻膠層，使柵線位置的所述半導(dǎo)體層暴露；
[0018]步驟17、除去柵線位置的所述半導(dǎo)體材料層，形成柵線的圖形；
[0019]步驟18、除去剩余的光刻膠層，形成柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層的圖形。
[0020]優(yōu)選的是，所述步驟3具體包括:
[0021]步驟31、在所述基底上依次形成第二透明導(dǎo)電材料層、源漏金屬層、光刻膠層；
[0022]步驟32、對所述光刻膠層階梯曝光并顯影，使源極、漏極位置保留第四厚度的光刻膠層，第二透明電極位置保留第五厚度的光刻膠層，其余位置無光刻膠層，其中第四厚度大于第五厚度；
[0023]步驟33、除去無光刻膠區(qū)域的所述第二透明導(dǎo)電材料層和源漏金屬層；
[0024]步驟34、除去第五厚度的光刻膠層，使第二透明電極位置的所述源漏金屬層暴露；
[0025]步驟35、除去第二透明電極位置的所述源漏金屬層，形成第二透明電極的圖形；
[0026]步驟36、除去剩余的光刻膠層，形成源極、漏極的圖形。
[0027]優(yōu)選的是，所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
[0028]優(yōu)選的是，所述第一透明電極為公共電極；所述第二透明電極為像素電極，并與所述漏極中的第二透明導(dǎo)電材料層連為一體。
[0029]優(yōu)選的是，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；且所述步驟2還包括:在鈍化層中形成與所述第一透明電極相連的過孔，所述漏極通過過孔與第一透明電極電連接。
[0030]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括柵極、柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一透明電極、第二透明電極、源極、漏極、鈍化層；且
[0031]所述鈍化層覆蓋所述柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一透明電極；
[0032]所述第二透明電極位于所述鈍化層上方；
[0033]所述源極、漏極位于所述鈍化層上方，分別通過所述鈍化層中的源極過孔、漏極過孔與所述半導(dǎo)體層電連接；
[0034]所述柵極、柵線包括第一透明導(dǎo)電材料層，所述第一透明導(dǎo)電材料層與所述第一透明電極同層；
[0035]所述柵絕緣層不超出所述柵極和柵線上方；
[0036]所述源極、漏極包括第二透明導(dǎo)電材料層和設(shè)在第二透明導(dǎo)電材料層上的源漏金屬層，其中，所述第二透明導(dǎo)電材料層與所述第二透明電極同層。
[0037]優(yōu)選的是，所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體制成。
[0038]優(yōu)選的是，所述第二透明電極為像素電極，與所述漏極中的第二透明導(dǎo)電材料層連為一體；所述第一透明電極為公共電極。
[0039]優(yōu)選的是，所述第一透明電極為像素電極，并通過所述鈍化層中的過孔與所述漏極電連接；所述第二透明電極為公共電極。
[0040]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種液晶顯示裝置，其包括上述的陣列基板。
[0041]其中，“構(gòu)圖工藝”包括形成膜層、涂布光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離光刻膠等步驟中的一步或多步，其可通過上述步驟除去膜層中不需要的部分，從而使膜層的剩余部分形成所需圖形。
[0042]其中，“階梯曝光”是指對光刻膠層的不同位置進(jìn)行不同程度的曝光，從而使顯影后的光刻膠層在不同位置的厚度不同，以便完成后續(xù)的構(gòu)圖工藝。
[0043]其中，兩個(gè)結(jié)構(gòu)“同層”是指這兩個(gè)結(jié)構(gòu)是通過同一個(gè)完整的層經(jīng)構(gòu)圖工藝后形成的，即兩個(gè)結(jié)構(gòu)在構(gòu)圖工藝前是一個(gè)層；其并不代表這兩個(gè)結(jié)構(gòu)在高度上相等。
[0044]本發(fā)明的陣列基板制備方法中，柵線/柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一透明電極在同一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，且其源極/漏極、第二透明電極也在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，這樣，原本需要6次曝光(6Mask)的工藝變?yōu)橹恍枰纹毓?2Mask)，因此其制備工藝簡單；而且，其源極、漏極均為包括金屬層的雙層結(jié)構(gòu)，從而其導(dǎo)電性好；同時(shí)，由于其陣列基板的柵絕緣層不超出柵極和柵線上方，故其第一透明電極、第二透明電極間沒有柵絕緣層，因此兩電極間的距離短，電場強(qiáng)度高，電容大，驅(qū)動效果好；且柵絕緣層也不會對光的透過產(chǎn)生影響，故透過率高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]圖1為現(xiàn)有的ADS模式陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖3為圖2的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖5為圖4的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖7為圖6的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖8為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖9為圖8的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖10為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖11為圖10的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖12為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖13為圖12的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖14為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖15為圖14的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0060]圖16為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖17為圖16的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖18為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0063]圖19為圖18的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064]圖20為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0065]圖21為圖20的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0066]圖22為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0067]圖23為圖22的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0068]圖24為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0069]圖25為圖24的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0070]圖26為本發(fā)明的實(shí)施例2的另一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0071]其中附圖標(biāo)記為:11、第一透明導(dǎo)電材料層；111、第一透明電極；12、第二透明導(dǎo)電材料層；121、第二透明電極；2、柵金屬層；21、柵極；22、柵線；3、絕緣材料層；31、柵絕緣層；4、半導(dǎo)體材料層；41、半導(dǎo)體層；5、鈍化層；6、平坦化層；7、源漏金屬層；71、源極；72、漏極；8、光刻膠層；9、基底；Data、數(shù)據(jù)線；Q1、柵極位置；Q2、柵線位置；Q3、第一透明電極位置；Q4、其余位置。

【具體實(shí)施方式】
[0072]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0073]實(shí)施例1:
[0074]本實(shí)施例提供一種陣列基板制備方法，其包括:
[0075]步驟1:在基底上依次形成第一透明導(dǎo)電材料層、絕緣材料層、半導(dǎo)體材料層、光刻膠層，并通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一透明電極的圖形；其中，柵絕緣層不超出柵極和柵線上方；
[0076]步驟2:在基底上形成鈍化層，并在鈍化層中形成與半導(dǎo)體層相連的源極過孔和漏極過孔；
[0077]步驟3:在基底上依次形成第二透明導(dǎo)電材料層和源漏金屬層，并通過構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極、第二透明電極的圖形，其中源極、漏極分別通過源極過孔、漏極過孔與半導(dǎo)體層電連接，且源極、漏極包括層疊的第二透明導(dǎo)電材料層和源漏金屬層。
[0078]本實(shí)施例的陣列基板制備方法中，柵線/柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一透明電極在同一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，且其源極/漏極、第二透明電極也在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，這樣，原本需要6次曝光(6Mask)的工藝變?yōu)橹恍枰纹毓?2Mask)，因此其制備工藝簡單；而且，其源極、漏極均為包括金屬層的雙層結(jié)構(gòu)，從而其導(dǎo)電性好；同時(shí)，由于其陣列基板的柵絕緣層不超出柵極和柵線上方，故其第一透明電極、第二透明電極間沒有柵絕緣層，因此兩電極間的距離短，電場強(qiáng)度高，電容大，驅(qū)動效果好；且柵絕緣層也不會對光的透過產(chǎn)生影響，故透過率高。
[0079]實(shí)施例2:
[0080]本實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，如圖2至圖26所示，其包括以下步驟:
[0081]S101、依次形成第一透明導(dǎo)電材料層11、絕緣材料層3、半導(dǎo)體材料層4，并在半導(dǎo)體材料層4上涂布光刻膠層8。
[0082]優(yōu)選的，在第一透明導(dǎo)電材料層11和絕緣材料層3之間，還可形成柵金屬層2。
[0083]其中，第一透明導(dǎo)電材料層11是由透明且導(dǎo)電的材料形成的，例如氧化銦錫(ITO)，其用于形成第一透明電極111、柵極21、柵線22。
[0084]柵金屬層2通常由鑰、鋁等金屬或合金構(gòu)成，主要用于與第一透明導(dǎo)電材料層11共同形成柵極21、柵線22，從而改善柵極21、柵線22的導(dǎo)電性能。
[0085]顯然，由于具有第一透明導(dǎo)電材料層11，因此理論上也可不形成柵金屬層2，而直接用第一透明導(dǎo)電材料層11形成柵極21、柵線22。應(yīng)當(dāng)理解，若本步驟中未形成柵金屬層2，則后續(xù)步驟中“除去柵金屬層2”的操作也相應(yīng)的不再進(jìn)行。
[0086]絕緣材料層3可為氮化硅或氧化硅等，其主要用于形成柵絕緣層31，從而使柵極21與半導(dǎo)體層41絕緣并形成載流子的運(yùn)動界面。
[0087]半導(dǎo)體材料層4是由半導(dǎo)體材料形成的，其主要用于形成半導(dǎo)體層41。優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體層41 (或半導(dǎo)體材料層4)由金屬氧化物半導(dǎo)體制成，例如氧化鎵銦鋅(IGZO)、氧化錫銦鋅(ΙΤΖ0)、氧化鋅(ZnO)等；當(dāng)然，半導(dǎo)體材料層4也可采用多晶硅、非晶硅等其他半導(dǎo)體材料。
[0088]其中，在基底9上還可預(yù)先形成有緩沖層等已知結(jié)構(gòu)；各層也可采用其他已知的材料；形成各層的方法可為濺射、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積、涂覆等已知的工藝。由于上述的形成各種膜層的材料、工藝、參數(shù)等均是已知的，故對這些內(nèi)容在本實(shí)施例中均不再詳細(xì)描述。
[0089]S102、如圖2、圖3所示，對光刻膠層8階梯曝光并顯影，在柵極位置Ql保留第一厚度的光刻膠層8，柵線位置Q2保留第二厚度的光刻膠層8，第一透明電極位置Q3保留第三厚度的光刻膠層8，其余位置Q4無光刻膠層8，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度。
[0090]也就是說，通過對光刻膠層8的不同位置進(jìn)行不同程度的曝光，使顯影后的光刻膠層8如圖3所示分為三種不同的厚度，另外還有部分區(qū)域無光刻膠層8。
[0091]優(yōu)選的，階梯曝光可通過灰度掩膜板或半色調(diào)掩膜板實(shí)現(xiàn)。
[0092]S103、除去無光刻膠區(qū)域的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2、第一透明導(dǎo)電材料層11，得到如圖4、圖5所示的結(jié)構(gòu)。
[0093]也就是說，通過刻蝕等方法，依次除去無光刻膠區(qū)域Q4的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2、第一透明導(dǎo)電材料層11，從而將第一透明電極區(qū)域Ql的第一透明導(dǎo)電材料層11與其他區(qū)域的第一透明導(dǎo)電材料層11隔開。
[0094]其中，刻蝕可采用已知的方法進(jìn)行，依照各層材料和刻蝕工藝的不同，可以是在一次刻蝕中同時(shí)除去多個(gè)膜層，也可以是每次刻蝕只除去一個(gè)膜層；由于刻蝕工藝、刻蝕參數(shù)等均是已知的，故對這些內(nèi)容在本實(shí)施例中均不再詳細(xì)描述。
[0095]S104、除去第三厚度的光刻膠層8，使第一透明電極位置Q3的半導(dǎo)體材料層4暴露，得到如圖6、圖7所示的結(jié)構(gòu)。
[0096]也就是說，通過灰化(Ashing)工藝除去第三厚度的光刻膠層8，這樣第一透明電極位置Q3的光刻膠層8被徹底除去，其半導(dǎo)體材料層4暴露，而柵極位置Ql和柵線位置Q2的光刻膠層8只是相應(yīng)減薄，從而得到如圖6、圖7所示的結(jié)構(gòu)。
[0097]其中，由于灰化工藝的特性，故柵極位置Ql和柵線位置Q2的光刻膠層8面積實(shí)際也會稍微縮小，但因其對最終產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)不會產(chǎn)生實(shí)質(zhì)影響，故圖中未示出。
[0098]S105、如圖8、圖9所示，除去第一透明電極位置Q3的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層
3、柵金屬層2，形成第一透明電極111 (板狀電極)的圖形。
[0099]此時(shí)，由于第一透明電極位置Q3的光刻膠層8已被除去，故可通過刻蝕工藝依次除去該位置的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2，使第一透明導(dǎo)電材料層11暴露，形成透明第一透明電極111。
[0100]S106、除去厚度等于柵線位置Q2剩余光刻膠層8厚度的光刻膠層8，使柵線位置Q2的半導(dǎo)體層41暴露，得到如圖10、圖11所示的結(jié)構(gòu)。
[0101]也就是說，通過灰化工藝除去柵線位置Q2剩余的光刻膠層8 (其厚度可等于第二厚度減去第三厚度)，使該處的半導(dǎo)體層41暴露，同時(shí)，柵極位置Ql的光刻膠層8繼續(xù)減薄，從而得到如圖10、圖11所示的結(jié)構(gòu)。
[0102]S107、除去柵線位置Q2的半導(dǎo)體材料層4，并優(yōu)選同時(shí)除去該位置的絕緣材料層3，形成柵線22的圖形，得到如圖12、圖13所示的結(jié)構(gòu)。
[0103]也就是說，通過刻蝕工藝依次除去柵線位置Q2的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3，使柵金屬層2暴露，形成柵線22的圖形。
[0104]其中，本步驟中將柵線位置Q2的絕緣材料層3也一起除去了，從而最終產(chǎn)品中柵線22上方?jīng)]有柵絕緣層31，柵絕緣層31與半導(dǎo)體層41的圖形重合，且均只位于柵極21上方；這種工藝的優(yōu)點(diǎn)在于，可選用一定的腐蝕劑直接一次將半導(dǎo)體材料層4和絕緣材料層3除去，從而簡化工藝。
[0105]但是，應(yīng)當(dāng)理解，如果在本步驟中，只除去柵線位置Q2的半導(dǎo)體材料層4，而保留絕緣材料層3也是可行的；這樣，在最終產(chǎn)品中，在柵線22上方仍有柵絕緣層31 (但半導(dǎo)體層41僅位于柵極21上方)，該柵絕緣層31可增大柵線22與數(shù)據(jù)線間距離，從而降低二者間的耦合電容。
[0106]其中，本實(shí)施例是以具有柵金屬層2的情況為例子的，即柵線22由柵金屬層2和第一透明導(dǎo)電材料層11共同組成，從而改善柵線22的導(dǎo)電性能；但應(yīng)當(dāng)理解，如果步驟SlOl中未形成柵金屬層2，則此時(shí)柵線位置Q2僅剩余第一透明導(dǎo)電材料層11，即柵線22也可直接由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0107]同時(shí)，在本實(shí)施例中，還可同時(shí)形成公共電極線等其他的結(jié)構(gòu)，在此不再詳細(xì)描述。
[0108]S108、如圖14、圖15所示，除去全部剩余的光刻膠層8，形成柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41的圖形。
[0109]也就是說，剝離全部剩余的光刻膠層8 (即柵極位置Ql的光刻膠層8)，使半導(dǎo)體層41暴露，形成柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41。
[0110]可見，在本實(shí)施例中，只通過一次曝光就同時(shí)制備出了柵線22/柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41、第一透明電極111的圖形，故其曝光次數(shù)明顯減少，制備方法簡單。
[0111]同時(shí)，在本實(shí)施例的陣列基板中，半導(dǎo)體層41不超出柵極21和柵線22上方，即其第一透明電極111和第二透明電極121間沒有柵絕緣層31，因此第一透明電極111和第二透明電極121間的距離短，電場強(qiáng)度和電容大，驅(qū)動效果好，同時(shí)柵絕緣層31也不會對光的透過產(chǎn)生影響，因此透過率高。
[0112]S109、形成鈍化層5 (PVX)，并在鈍化層5中形成與半導(dǎo)體層41相連的源極過孔和漏極過孔。
[0113]其中，鈍化層5可由氮化硅、氧化硅等材料構(gòu)成，其主要作用是保護(hù)半導(dǎo)體層41，并使第一透明電極111與上方的其他結(jié)構(gòu)絕緣。
[0114]S110、依次形成第二透明導(dǎo)電材料層12、源漏金屬層7、光刻膠層8。
[0115]其中，第二透明導(dǎo)電材料層I可采用與第一透明導(dǎo)電材料層11相同的材料制成，而源漏金屬層7可采用與柵金屬層2相同的材料制成。
[0116]S111、對光刻膠層8階梯曝光并顯影，使源極71、漏極72位置保留第四厚度的光刻膠層，第二透明電極121位置保留第五厚度的光刻膠層，其余位置無光刻膠層，其中第四厚度大于第五厚度。
[0117]也就是說，用灰度掩膜板、半色調(diào)掩膜板等對光刻膠層8進(jìn)行階梯曝光，之后顯影，從而使對應(yīng)源漏極的位置保留較厚的光刻膠層8，對應(yīng)第二透明電極121的位置保留較薄的光刻膠層8，其余位置無光刻膠層8，得到如圖16、17所示的結(jié)構(gòu)。
[0118]當(dāng)然，由于數(shù)據(jù)線Data是與源極71連在一起的，故其可在本步驟中一同形成，若要形成數(shù)據(jù)線Data，則需要使對應(yīng)數(shù)據(jù)線Data的位置也保留較厚的光刻膠層8 (也可看作源極71的圖形包括數(shù)據(jù)線Data部分)。
[0119]S112、除去無光刻膠區(qū)域的第二透明導(dǎo)電材料層12和源漏金屬層7。
[0120]也就是說，通過刻蝕除去暴露的第二透明導(dǎo)電材料層12和源漏金屬層7，得到如圖18、19所示的結(jié)構(gòu)。
[0121]S113、除去第五厚度的光刻膠層8，使第二透明電極位置121的源漏金屬層7暴露。
[0122]也就是說，通過灰化工藝除去第二透明電極位置121的光刻膠層8，使該位置的源漏金屬層7暴露，同時(shí)對應(yīng)源漏極位置的光刻膠層8減薄，從而得到如圖20、圖21所示的結(jié)構(gòu)。
[0123]SI 14、除去第二透明電極121位置的源漏金屬層7，形成第二透明電極121的圖形。
[0124]也就是說，將暴露的源漏金屬層7除去，從而使剩余的第二透明導(dǎo)電材料層12形成第二透明電極121，得到如圖22、圖23所示的結(jié)構(gòu)。其中，第二透明電極121位于第一透明電極111上方，并為狹縫電極，從而構(gòu)成ADS模式的陣列基板。
[0125]此時(shí)，該第二透明電極121與漏極72中的第二透明導(dǎo)電材料層12連為一體，也就是說，從圖案上說，第二透明電極121與漏極72中的第二透明導(dǎo)電材料層12是一體的，并未斷開；由此，該第二透明電極121即為像素電極，而相應(yīng)的，第一透明電極111為公共電極。
[0126]S115、除去剩余的光刻膠層8，形成源極71、漏極72的圖形。
[0127]也就是說，將對應(yīng)源極71、漏極72位置的剩余的光刻膠層8除去，從而使該位置剩余的第二透明導(dǎo)電材料層12和源漏金屬層7形成源極71、漏極72(同時(shí)還可形成數(shù)據(jù)線Data)，得到如圖24、25所示的陣列基板。
[0128]本實(shí)施例中，源極71、漏極72、第二透明電極121在一次光刻工藝中形成，從而其制備工藝簡單；同時(shí)，源極71、漏極72均是由第二透明導(dǎo)電材料層12和源漏金屬層7層疊而成的，其中源漏金屬層7的導(dǎo)電性好，故源極71、漏極72的導(dǎo)電性也較好。
[0129]S116、繼續(xù)形成配向膜等其他已知的結(jié)構(gòu)(圖中未示出)，完成陣列基板的制備。
[0130]在本實(shí)施例中，以第一透明電極111為公共電極，第二透明電極121為像素電極為例進(jìn)行說明。但應(yīng)當(dāng)理解，作為本實(shí)施例的另一種方式，也可以是第一透明電極111為像素電極，而第二透明電極121為公共電極；此時(shí)，陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖26所示，漏極72 (具體為漏極72中的第二透明導(dǎo)電材料層12)通過鈍化層5中的過孔與第一透明電極111相連，而第二透明電極121的圖形則與漏極72中剩余的第二透明導(dǎo)電材料層12斷開相連；當(dāng)制備這種方式的陣列基板時(shí)，要在鈍化層5中形成用于使漏極72和第一透明電極111相連的過孔，且第二透明電極121的圖案需要改變。
[0131]當(dāng)然，以上實(shí)施例的陣列基板還可進(jìn)行許多的變化。
[0132]例如，在形成源極、漏極后，還可繼續(xù)形成平坦化層，平坦化層可由樹脂等材料制成，其主要用于將薄膜晶體管等結(jié)構(gòu)引起的段差“填平”，使陣列基板的表面整體上趨于平坦，以便于后續(xù)取向膜膜層均勻形成，并利于摩擦取向工藝的均勻摩擦。
[0133]或者，上述平坦化層也可在形成鈍化層之后立即形成，從而上述的源極、漏極、第二透明電極等可形成在平坦化層之上。
[0134]再如，上述的數(shù)據(jù)線、公共電極線等也可在其他步驟中形成。
[0135]實(shí)施例3:
[0136]如圖25、圖26所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，其包括柵極21、柵線22、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41、第一透明電極111、第二透明電極121、源極71、漏極72、鈍化層5 ;其中
[0137]鈍化層5覆蓋柵線22、柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41、第一透明電極111 ；
[0138]第二透明電極位于鈍化層上方121 ；
[0139]源極71、漏極72位于鈍化層5上方，分別通過鈍化層5中的源極過孔、漏極過孔與半導(dǎo)體層41電連接；
[0140]柵極21、柵線22包括第一透明導(dǎo)電材料層11，第一透明導(dǎo)電材料層11與第一透明電極111同層；
[0141]柵絕緣層31不超出柵極21和柵線22上方；
[0142]源極71、漏極72包括第二透明導(dǎo)電材料層12和設(shè)在第二透明導(dǎo)電材料層12上的源漏金屬層7，其中，第二透明導(dǎo)電材料層12與第二透明電極同層121。
[0143]優(yōu)選的，半導(dǎo)體層41由金屬氧化物半導(dǎo)體制成。
[0144]優(yōu)選的，第二透明電極121為像素電極，與漏極72中的第二透明導(dǎo)電材料層12連為一體；第一透明電極111為公共電極。
[0145]優(yōu)選的，作為本實(shí)施例的另一種方式，第一透明電極111為像素電極，并通過鈍化層5中的過孔與漏極72電連接；第二透明電極121為公共電極。
[0146]當(dāng)然，本實(shí)施例的陣列基板中還應(yīng)包括公共電極線、數(shù)據(jù)線Data、配向膜等其他已知結(jié)構(gòu)，在此不再詳細(xì)描述。
[0147]實(shí)施例4:
[0148]本實(shí)施例提供了一種液晶顯示裝置，其包括上述的陣列基板。所述液晶顯示裝置可以為:液晶顯示面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0149]本實(shí)施例的液晶顯示裝置包括上述陣列基板，故其制備工藝簡單、驅(qū)動性能好、透過率高。
[0150]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括: 步驟1:在基底上依次形成第一透明導(dǎo)電材料層、絕緣材料層、半導(dǎo)體材料層、光刻膠層，并通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一透明電極的圖形；其中，所述柵絕緣層不超出所述柵極和柵線上方； 步驟2:在所述基底上形成鈍化層，并在所述鈍化層中形成與所述半導(dǎo)體層相連的源極過孔和漏極過孔； 步驟3:在所述基底上依次形成第二透明導(dǎo)電材料層和源漏金屬層，并通過構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極、第二透明電極的圖形，其中所述源極、漏極分別通過源極過孔、漏極過孔與所述半導(dǎo)體層電連接，且所述源極、漏極包括層疊的第二透明導(dǎo)電材料層和源漏金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述步驟I具體包括: 步驟11、在基底上依次形成第一透明導(dǎo)電材料層、絕緣材料層、半導(dǎo)體材料層、光刻膠層； 步驟12、對所述光刻膠層階梯曝光并顯影，使柵極位置保留第一厚度的光刻膠層，柵線位置保留第二厚度的光刻膠層，第一透明電極位置保留第三厚度的光刻膠層，其余位置無光刻膠層，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度； 步驟13、除去無光刻膠區(qū)域的所述半導(dǎo)體材料層、絕緣材料層、第一透明導(dǎo)電材料層；步驟14、除去第三厚度的光刻膠層，使第一透明電極位置的所述半導(dǎo)體材料層暴露；步驟15、除去第一透明電極位置的所述半導(dǎo)體材料層、絕緣材料層，形成第一透明電極的圖形； 步驟16、除去厚度等于柵線位置剩余光刻膠層厚度的光刻膠層，使柵線位置的所述半導(dǎo)體層暴露； 步驟17、除去柵線位置的所述半導(dǎo)體材料層，形成柵線的圖形； 步驟18、除去剩余的光刻膠層，形成柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層的圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述步驟3具體包括: 步驟31、在所述基底上依次形成第二透明導(dǎo)電材料層、源漏金屬層、光刻膠層； 步驟32、對所述光刻膠層階梯曝光并顯影，使源極、漏極位置保留第四厚度的光刻膠層，第二透明電極位置保留第五厚度的光刻膠層，其余位置無光刻膠層，其中第四厚度大于第五厚度； 步驟33、除去無光刻膠區(qū)域的所述第二透明導(dǎo)電材料層和源漏金屬層； 步驟34、除去第五厚度的光刻膠層，使第二透明電極位置的所述源漏金屬層暴露； 步驟35、除去第二透明電極位置的所述源漏金屬層，形成第二透明電極的圖形； 步驟36、除去剩余的光刻膠層，形成源極、漏極的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于， 所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的陣列基板制備方法，其特征在于， 所述第一透明電極為公共電極； 所述第二透明電極為像素電極，并與所述漏極中的第二透明導(dǎo)電材料層連為一體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的陣列基板制備方法，其特征在于， 所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極； 且所述步驟2還包括:在鈍化層中形成與所述第一透明電極相連的過孔，所述漏極通過所述過孔與所述第一透明電極電連接。
7.—種陣列基板，其包括柵極、柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一透明電極、第二透明電極、源極、漏極、鈍化層；其特征在于， 所述鈍化層覆蓋所述柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一透明電極； 所述第二透明電極位于所述鈍化層上方； 所述源極、漏極位于所述鈍化層上方，分別通過所述鈍化層中的源極過孔、漏極過孔與所述半導(dǎo)體層電連接； 所述柵極、柵線包括第一透明導(dǎo)電材料層，所述第一透明導(dǎo)電材料層與所述第一透明電極同層； 所述柵絕緣層不超出所述柵極和柵線上方； 所述源極、漏極包括第二透明導(dǎo)電材料層和設(shè)在第二透明導(dǎo)電材料層上的源漏金屬層，其中，所述第二透明導(dǎo)電材料層與所述第二透明電極同層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于， 所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的陣列基板，其特征在于， 所述第二透明電極為像素電極，與所述漏極中的第二透明導(dǎo)電材料層連為一體； 所述第一透明電極為公共電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一透明電極為像素電極，并通過所述鈍化層中的過孔與所述漏極電連接； 所述第二透明電極為公共電極。
11.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括: 如權(quán)利要求7至10中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1333GK104133313SQ201410272714
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月18日
【發(fā)明者】劉圣烈, 宋泳錫, 金熙哲, 崔承鎮(zhèn) 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司