一種多波長光源及其低成本制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種多波長光源及其低成本制作方法，其制作方法包括以下步驟：在陣列波導(dǎo)光柵（1）輸入端下方粘接一個設(shè)置有凹槽的玻璃墊塊（6），拋光處理使玻璃墊塊（6）與陣列波導(dǎo)光柵（1）輸入端持平；陣列波導(dǎo)光柵（1）的和半導(dǎo)體光增益芯片（2）的輸入與輸出端面鍍光學(xué)薄膜；陣列波導(dǎo)光柵輸出端面耦合單芯光纖陣列（7），單芯光纖陣列（7）接光隔離器（8）；將半導(dǎo)體光增益芯片（2）焊接到熱沉墊塊（3）定位區(qū)域內(nèi)；將半導(dǎo)體光增益芯片（2）與陣列波導(dǎo)光柵（1）耦合；將耦合在一起的半導(dǎo)體光增益芯片（2）與陣列波導(dǎo)光柵（1）粘接到銅基底（4）上，將銅基底粘接到半導(dǎo)體制冷器（5）上，本發(fā)明方法制作的光源裝置具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定簡單，成本低廉，輸出多波長可同時調(diào)諧，熱學(xué)性能良好。
【專利說明】一種多波長光源及其低成本制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種多波長光源及其低成本制作方法，具體涉及一種多波長光源以及利用陣列波導(dǎo)光柵(AWG Arrayed Waveguide Grating)芯片和半導(dǎo)體光增益芯片陣列集成方法制作該多波長光源的方法，本發(fā)明屬于通信領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在波分復(fù)用(WDM Wavelength Division Multiplexing)系統(tǒng)中，多波長激光器和可調(diào)諧激光器具有重要的作用，在各種形式的多波長激光器和可調(diào)諧激光器中，通過將硅基二氧化硅材料的陣列波導(dǎo)光柵與半導(dǎo)體增益芯片集成從而共同組成一個激光諧振腔，由增益芯片提供光放大，陣列波導(dǎo)光柵提供濾波和合波，從而實(shí)現(xiàn)多波長輸出是一種較為常見的多波長光源方案。這種方案的優(yōu)點(diǎn)在于:首先，可以連續(xù)高效的在同一波導(dǎo)內(nèi)輸出所有指定波長的光信號；其次，硅基二氧化硅AWG是一種無源器件，因此可以長時間穩(wěn)定輸出諧振腔選定的波長；最后，各波長可以通過溫度進(jìn)行統(tǒng)一調(diào)諧，現(xiàn)對于通過改變注入電流來調(diào)節(jié)波長的方式，這種方案的調(diào)節(jié)原理更為簡單可靠。
[0003]實(shí)現(xiàn)上述方案的關(guān)鍵步驟在于AWG與增益芯片的高效耦合的混合集成。尤其當(dāng)所需波長較多，AffG通道數(shù)較大的時候，多個增益芯片與單個AWG的集成尤為重要。為了將AWG與增益芯片耦合對準(zhǔn)，可以采用有源對準(zhǔn)和無源對準(zhǔn)兩種技術(shù)。目前在混合集成領(lǐng)域，大量使用了無源對準(zhǔn)的技術(shù)，雖然采用無源對準(zhǔn)技術(shù)可以提高生產(chǎn)效率，但是由于寬譜增益芯片較大的發(fā)散角，使得增益芯片與AWG的耦合容差非常小，采用無源對準(zhǔn)技術(shù)制作的多波長光源往往輸出光功率很低。使用有源對準(zhǔn)可以實(shí)現(xiàn)最高的耦合效率，通過改進(jìn)耦合工藝以及簡化封裝結(jié)構(gòu)，可以在保證器件性能指標(biāo)良好的情況下有效提高混合集成的效率。
[0004]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種多波長光源，以及通過采用AWG芯片與半導(dǎo)體光增益芯片混合集成的低成本制作方法。
[0006]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種多波長光源，包括陣列波導(dǎo)光柵、半導(dǎo)體光增益芯片、單芯光纖陣列、光隔離器、熱沉墊塊、半導(dǎo)體制冷器，陣列波導(dǎo)光柵輸入端下方粘接一個設(shè)置有凹槽的玻璃墊塊，玻璃墊塊與陣列波導(dǎo)光柵輸入端持平，半導(dǎo)體光增益芯片與陣列波導(dǎo)光柵對準(zhǔn)；陣列波導(dǎo)光柵的輸入與輸出端面和半導(dǎo)體光增益芯片的背面與輸出端面鍍有光學(xué)薄膜；陣列波導(dǎo)光柵輸出端面與單芯光纖陣列耦合，單芯光纖陣列接光隔離器；半導(dǎo)體光增益芯片焊接于熱沉墊塊定位區(qū)域上，半導(dǎo)體光增益芯片陽極、陰極與熱沉墊塊上的電極連通；玻璃墊塊與熱沉墊塊的連接端面固定，陣列波導(dǎo)光柵粘接在帶有凹槽的銅基底的凸臺上，玻璃墊塊與熱沉墊塊設(shè)置于銅基底的凹槽內(nèi)，銅基底粘接在半導(dǎo)體制冷器上。
[0007]所述半導(dǎo)體光增益芯片采用芯片數(shù)量大于4的增益芯片陣列，各通道具有相同的寬增益譜線。
[0008]所述玻璃墊塊與熱沉墊塊之間采用紫外膠固定，所述陣列波導(dǎo)光柵與銅基底采用導(dǎo)熱膠粘接，熱沉墊塊和銅基底采用導(dǎo)熱硅脂相連，銅基底與半導(dǎo)體制冷器采用導(dǎo)熱膠粘接。
[0009]所述半導(dǎo)體光增益芯片輸出端面與陣列波導(dǎo)光柵輸入端面所鍍的光學(xué)薄膜為反射率小于十萬分之一的增透膜；半導(dǎo)體光增益芯片背面所鍍的光學(xué)薄膜為反射率在80%~90%的高反膜；陣列波導(dǎo)光柵輸出端面所鍍的光學(xué)薄膜為半透半反膜。
[0010]所述陣列波導(dǎo)光柵為高斯型陣列波導(dǎo)光柵，其光譜范圍大于半導(dǎo)體光增益芯片3dB增益譜寬。
[0011]所述陣列波導(dǎo)光柵輸入輸出端面采用90度垂直拋光。
[0012]一種多波長光源的低成本制作方法，包括以下步驟:
步驟1:制作陣列波導(dǎo)光柵；步驟2:在陣列波導(dǎo)光柵輸入端下方粘接一個設(shè)置有凹槽的玻璃墊塊，拋光處理使玻璃墊塊與陣列波導(dǎo)光柵輸入端持平；步驟3:陣列波導(dǎo)光柵的輸入與輸出端面和半導(dǎo)體光增益芯片的背面與輸出端面鍍有光學(xué)薄膜；步驟4:陣列波導(dǎo)光柵輸出端面耦合單芯光纖陣列，單芯光纖陣列接光隔離器；步驟5:在熱沉墊塊上制作定位區(qū)域以及制作電極；步驟6:將半導(dǎo)體光增益芯片焊接到熱沉墊塊定位區(qū)域內(nèi)，通過引線鍵合將半導(dǎo)體光增益芯片陽極、陰極與熱沉墊塊上的電極連通；步驟7:將半導(dǎo)體光增益芯片與陣列波導(dǎo)光柵對準(zhǔn)后，在玻璃墊塊與熱沉墊塊的連接端面點(diǎn)膠固化，使半導(dǎo)體光增益芯片與陣列波導(dǎo)光柵耦合粘接在一起；步驟8:將耦合在一起的半導(dǎo)體光增益芯片、陣列波導(dǎo)光柵與帶有凹槽的銅基底固 定在一起，所述陣列波導(dǎo)光柵芯片固定于銅基底的凸臺上，玻璃墊塊和熱沉墊塊設(shè)置于銅基底的凹槽內(nèi)，熱沉墊塊與銅基底之間粘導(dǎo)熱硅脂，然后將銅基底粘接到半導(dǎo)體制冷器上。
[0013]所述步驟5中在熱沉墊塊上制作電極的具體方法是:在熱沉墊塊上旋涂光刻膠，利用光刻的方法制作出電極的圖形，然后通過磁控濺射工藝制作出電極，最后將光刻膠剝離。
[0014]所述步驟7中半導(dǎo)體光增益芯片與陣列波導(dǎo)光柵對準(zhǔn)的方法為:半導(dǎo)體光增益芯片采用金屬探針供電，半導(dǎo)體光增益芯片下方設(shè)置半導(dǎo)體制冷器控制芯片工作溫度，單芯光纖陣列連接3dB定向耦合器，3dB定向耦合器分別連接光譜儀和光功率計(jì)，調(diào)節(jié)半導(dǎo)體光增益芯片與陣列波導(dǎo)光柵輸入端相對位置直至光功率計(jì)達(dá)到最大功率且光譜儀達(dá)到光譜穩(wěn)定。
[0015]本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)和積極效果:
1、相對于現(xiàn)有技術(shù)采用的硅基二氧化硅AWG與增益芯片的集成方法，本發(fā)明提供的方法可以使增益芯片與AWG芯片間的耦合效率達(dá)到最大，通過紫外膠固化粘接，實(shí)現(xiàn)了光路的無膠化和集成工藝的簡單化，降低了集成的成本。
[0016]2、利用本發(fā)明方法制作的多波長光源裝置具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定簡單，成本低廉，輸出多波長可同時調(diào)諧，熱學(xué)性能良好。
[0017]
【專利附圖】

【附圖說明】[0018]圖1為本發(fā)明裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明中集成方法流程圖；
圖3為本發(fā)明中AWG芯片截面不意圖；
圖4為本發(fā)明中增益芯片與AWG芯片的耦合集成方法示意圖；
圖5為本發(fā)明中增益芯片陣列與陣列波導(dǎo)光柵粘接耦合端面橫截面示意圖；
圖6為本發(fā)明實(shí)施例完成封裝后的多波長光源輸出光譜圖；
圖7為本發(fā)明實(shí)施例完成封裝后的多波長光源PI曲線圖；
其中:
1:陣列波導(dǎo)光柵；2:半導(dǎo)體光增益芯片；
3:熱沉墊塊；4:銅基底；
5:半導(dǎo)體制冷器；6:玻璃墊塊；
7:單芯光纖陣列；8:光隔離器；
9:上包層；10:芯層；
I1:下包層；12:娃基襯底；
13:金屬探針；14:3dB定向耦合器；
15:光譜儀；16:光功率計(jì)；
17:紫外膠；18:紫外光源；
19:導(dǎo)熱膠；20:導(dǎo)熱硅脂。
[0019]【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)例對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明，如圖1所示為本發(fā)明一種低成本的多波長光源裝置結(jié)構(gòu)立體示意圖，包括陣列波導(dǎo)光柵1、半導(dǎo)體光增益芯片2、單芯光纖陣列7、光隔離器8、熱沉墊塊3、半導(dǎo)體制冷器5，陣列波導(dǎo)光柵I輸入端下方粘接一個設(shè)置有凹槽的玻璃墊塊6，玻璃墊塊6與陣列波導(dǎo)光柵I輸入端持平，半導(dǎo)體光增益芯片2與陣列波導(dǎo)光柵I對準(zhǔn)；陣列波導(dǎo)光柵I的輸入與輸出端面和半導(dǎo)體光增益芯片2的背面與輸出端面鍍有光學(xué)薄膜；陣列波導(dǎo)光柵I輸出端面與單芯光纖陣列7耦合，單芯光纖陣列7接光隔離器8 ;半導(dǎo)體光增益芯片2焊接于熱沉墊塊3定位區(qū)域內(nèi)，半導(dǎo)體光增益芯片2陽極、陰極與熱沉墊塊3上的電極連通；玻璃墊塊6與熱沉墊塊3的連接端面固定，熱沉墊塊3與陣列波導(dǎo)光柵I粘接在銅基底4上，銅基底4粘接在半導(dǎo)體制冷器5上。玻璃墊塊6與熱沉墊塊3則均與銅基底的凹槽底部不直接接觸，玻璃墊片6與銅基底之間有縫隙，熱沉墊塊3與銅基底凹槽底部的縫隙填充導(dǎo)熱硅脂20。
[0021]陣列波導(dǎo)光柵I輸入端面與寬譜半導(dǎo)體光增益芯片2輸出端面耦合，半導(dǎo)體光增益芯片與陣列波導(dǎo)光柵輸入輸出端面鍍有光學(xué)薄膜，使得半導(dǎo)體光增益芯片與陣列波導(dǎo)光柵形成激光諧振腔，陣列波導(dǎo)光柵輸出端面與單芯光纖陣列7耦合，單模光纖接入光隔離器8后輸出多波長。在陣列波導(dǎo)光柵波導(dǎo)輸入端，芯片下有玻璃墊塊6與其粘接并同時拋光；玻璃墊塊6上帶有凹槽，其凹槽可以通過刻蝕和切割機(jī)切割獲得，可以有效防止紫外膠由于毛細(xì)作用溢出到半導(dǎo)體光增益芯片端面；陣列波導(dǎo)光柵輸入輸出端面皆為90度垂直拋光。陣列波導(dǎo)光柵芯片通過導(dǎo)熱膠與銅基底4粘接，粘接面無氣泡；半導(dǎo)體光增益芯片2通過硅脂與銅基底4相連；銅基底4通過導(dǎo)熱膠與半導(dǎo)體制冷器5粘接。半導(dǎo)體光增益芯片2采用增益芯片陣列，增益芯片陣列集成芯片數(shù)量大于4，其中各通道具有相同的寬增益譜線。
[0022]本發(fā)明這種低成本的多波長光源其制作步驟如圖2流程圖所示:
第一步:設(shè)計(jì)制作陣列波導(dǎo)光柵芯片，要求芯片具有小尺寸，低插損，寬自由光譜范圍和小光程；要求AWG自由光譜范圍大于增益芯片3dB增益譜寬，要求AWG光程小于50mm以滿足多波長光源的調(diào)制特性要求；利用硅基二氧化硅平面光波導(dǎo)工藝制作AWG芯片1，采用本步驟制作的AWG芯片截面圖如圖3所示，由上至下分別包括上包層9、芯層10、下包層11和硅基襯底12 ；
第二步:陣列波導(dǎo)光柵I輸入端下方粘接一個帶有凹槽的玻璃墊塊6，同時采用90°垂直拋光方式使玻璃墊塊與陣列波導(dǎo)光柵輸入端持平；垂直拋光可以減小反射往返損耗，從而降低激光諧振腔內(nèi)的損耗；
第三步:陣列波導(dǎo)光柵I與半導(dǎo)體光增益芯片陣列輸入與輸出端面分別鍍光學(xué)薄膜；增益芯片輸出端面與陣列波導(dǎo)光柵輸入端面的光學(xué)薄膜為增透膜，要求反射率小于十萬分之一；增益芯片背面鍍光學(xué)薄膜為高反膜，反射率在80%?90% ;陣列波導(dǎo)光柵輸出端面鍍光學(xué)薄膜為半透半反膜；鍍膜通過鍍膜機(jī)完成；
第四步:單芯光纖陣列7與陣列波導(dǎo)光柵I輸出端面耦合，然后接入光隔離器8 ;耦合過程在六維微調(diào)架上完成，在陣列波導(dǎo)光柵AWG輸入端輸入寬譜光源,單芯光纖陣列7輸出端接光功率計(jì)16，調(diào)節(jié)單芯光纖陣列7與陣列波導(dǎo)光柵I的相對位置，通過光功率計(jì)16監(jiān)控光纖陣列輸出功率，得到最大功率時即為最佳對準(zhǔn)位置，固定，并通過紫外膠將單芯光纖陣列7與陣列波導(dǎo)光柵AWG輸出端耦合固化在一起；通過光纖焊接將輸出光纖與光隔離器相連接，如圖1中所示，可以有效降低光反射所引起的信號劣變；
第五步:在熱沉墊塊3上制作定位區(qū)域，并制作電極，具體過程為:在整個熱沉墊塊上旋涂光刻膠，利用光刻的方法制作出電極的圖形，然后通過磁控濺射工藝制作出電極，，然后將光刻膠剝離；
第六步:將半導(dǎo)體光增益芯片焊接到熱沉墊塊焊接區(qū)域內(nèi)，本過程通過高精度貼片機(jī)完成，半導(dǎo)體光增益芯片通過焊錫與熱沉墊塊相鏈接，其中半導(dǎo)體光增益芯片輸出端面相比于熱沉墊塊端面突出5到10微米，為獲得最大的耦合效果提供位移余量，如圖5中所示；第七步:將半導(dǎo)體光增益芯片與陣列波導(dǎo)光柵耦合在一起；該步驟在六維微調(diào)架上完成，通過有源對準(zhǔn)的方法完成耦合對準(zhǔn)，如圖4所示，在耦合過程中，半導(dǎo)體光增益芯片由金屬探針13供電，其下方有半導(dǎo)體制冷器5在熱沉墊塊3下方控制芯片工作溫度，已經(jīng)耦合完成的單芯光纖陣列7通過一個3dB定向耦合器14分別連入光譜儀15和光功率計(jì)16，通過調(diào)節(jié)凹槽與陣列波導(dǎo)光柵AWG芯片輸入端相對位置，當(dāng)達(dá)到最大功率，且光譜穩(wěn)定后即達(dá)到最佳耦合位置，此時在玻璃墊塊6與熱沉墊塊3連接端面點(diǎn)紫外膠17，紫外光源18發(fā)射紫外光如圖所示通過玻璃墊塊6照射在連接端面使得紫外膠固化完成集成，整個光路無膠。
[0023]第八步:將耦合在一起的半導(dǎo)體光增益芯片2與陣列波導(dǎo)光柵I粘接到的帶有凹槽的銅基底4上；陣列波導(dǎo)光柵芯片I放置于銅基底4的凸臺上，玻璃墊塊6和熱沉墊塊3嵌于處于凹槽內(nèi)，在陣列波導(dǎo)光柵芯片I與銅基底4接觸面上使用熱固化膠粘接完成固定，玻璃墊塊6與熱沉墊塊3則均與銅基底的凹槽底部不直接接觸，玻璃墊片6與銅基底之間有縫隙，熱沉墊塊3與銅基底凹槽底部的縫隙填充導(dǎo)熱硅脂20實(shí)現(xiàn)散熱。
[0024]其中陣列波導(dǎo)光柵芯片與銅基底粘接面通過導(dǎo)熱膠19粘接，粘接面導(dǎo)熱膠需要均勻無氣飽；熱沉墊塊3通過導(dǎo)熱硅脂20與銅基底4相連以提供可靠的散熱窗口 ；最后將銅基底4通過導(dǎo)熱膠19粘接到半導(dǎo)體制冷器5上，粘接面導(dǎo)熱膠需要均勻無氣飽，如圖所示；粘接完成后通過熱固化即可制作出多波長光源器件，完成后集成端面截面示意圖如圖5所示。
[0025]如圖6，圖7分別為本發(fā)明實(shí)施例完成封裝后的多波長光源輸出光譜圖和通道5的PI曲線圖，可以看到起具有輸出光譜具有良好的一致性和較高的輸出功率，性能良好。
[0026]雖然本發(fā)明已詳細(xì)地示出并描述了相關(guān)的特定的實(shí)施例參考，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該能夠理解，在不背離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種改變。這些改變都將落入本發(fā)明的權(quán)利要求所要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種多波長光源，其特征在于:包括陣列波導(dǎo)光柵(I)、半導(dǎo)體光增益芯片(2)、單芯光纖陣列(7)、光隔離器(8)、熱沉墊塊(3)、半導(dǎo)體制冷器(5)，陣列波導(dǎo)光柵(I)輸入端下方粘接一個設(shè)置有凹槽的玻璃墊塊(6),玻璃墊塊(6)與陣列波導(dǎo)光柵(I)輸入端持平，半導(dǎo)體光增益芯片(2)與陣列波導(dǎo)光柵(I)對準(zhǔn)；陣列波導(dǎo)光柵(I)的輸入與輸出端面和半導(dǎo)體光增益芯片(2)的背面與輸出端面鍍有光學(xué)薄膜；陣列波導(dǎo)光柵(I)輸出端面與單芯光纖陣列(7)耦合，單芯光纖陣列(7)接光隔離器(8);半導(dǎo)體光增益芯片(2)焊接于熱沉墊塊(3)定位區(qū)域上，半導(dǎo)體光增益芯片(2)陽極、陰極與熱沉墊塊(3)上的電極連通；玻璃墊塊(6)與熱沉墊塊(3)的連接端面固定，陣列波導(dǎo)光柵(I)粘接在帶有凹槽的銅基底(4)的凸臺上，玻璃墊塊(6 )與熱沉墊塊(3 )設(shè)置于銅基底(4)的凹槽內(nèi)，銅基底(4)粘接在半導(dǎo)體制冷器(5)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多波長光源，其特征在于:所述半導(dǎo)體光增益芯片(2)采用芯片數(shù)量大于4的增益芯片陣列，各通道具有相同的寬增益譜線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多波長光源，其特征在于:所述玻璃墊塊(6)與熱沉墊塊(3)之間采用紫外膠(17)固定，所述陣列波導(dǎo)光柵(I)與銅基底(4)采用導(dǎo)熱膠(19)粘接，熱沉墊塊(3)和銅基底(4)采用導(dǎo)熱硅脂(20)相連，銅基底(4)與半導(dǎo)體制冷器(5)采用導(dǎo)熱膠(19)粘接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種多波長光源，其特征在于:所述半導(dǎo)體光增益芯片(2)輸出端面與陣列波導(dǎo)光柵(I)輸入端面所鍍的光學(xué)薄膜為反射率小于十萬分之一的增透膜；半導(dǎo)體光增益芯片(2)背面所鍍的光學(xué)薄膜為反射率在80%~90%的高反膜；陣列波導(dǎo)光柵(I)輸出端 面所鍍的光學(xué)薄膜為半透半反膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多波長光源，其特征在于:所述陣列波導(dǎo)光柵(I)為高斯型陣列波導(dǎo)光柵，其光譜范圍大于半導(dǎo)體光增益芯片(2) 3dB增益譜寬。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種多波長光源,其特征在于:所述陣列波導(dǎo)光柵(I)輸入輸出端面采用90度垂直拋光。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多波長光源的低成本制作方法，其特征在于:包括以下步驟: 步驟1:制作陣列波導(dǎo)光柵(I); 步驟2:在陣列波導(dǎo)光柵(I)輸入端下方粘接一個設(shè)置有凹槽的玻璃墊塊(6)，拋光處理使玻璃墊塊(6)與陣列波導(dǎo)光柵(I)輸入端持平； 步驟3:陣列波導(dǎo)光柵(I)的輸入與輸出端面和半導(dǎo)體光增益芯片(2 )的背面與輸出端面鍍有光學(xué)薄膜； 步驟4:陣列波導(dǎo)光柵(I)輸出端面耦合單芯光纖陣列(7)，單芯光纖陣列(7)接光隔離器(8); 步驟5:在熱沉墊塊(3)上制作定位區(qū)域以及制作電極； 步驟6:將半導(dǎo)體光增益芯片(2)焊接到熱沉墊塊(3)定位區(qū)域內(nèi)，通過引線鍵合將半導(dǎo)體光增益芯片陽極、陰極與熱沉墊塊(3)上的電極連通； 步驟7:將半導(dǎo)體光增益芯片(2)與陣列波導(dǎo)光柵(I)對準(zhǔn)后，在玻璃墊塊(6)與熱沉墊塊(3)的連接端面點(diǎn)膠固化，使半導(dǎo)體光增益芯片(2)與陣列波導(dǎo)光柵(I)耦合粘接在一起;步驟8:將耦合在一起的半導(dǎo)體光增益芯片(2)、陣列波導(dǎo)光柵(I)與帶有凹槽的銅基底(4)固定在一起，所述陣列波導(dǎo)光柵芯片(I)固定于銅基底的凸臺上，玻璃墊塊(6)和熱沉墊塊(3)設(shè)置于銅基底(4)的凹槽內(nèi)，熱沉墊塊(3)與銅基底(4)之間粘導(dǎo)熱硅脂，然后將銅基底(4)粘接到半導(dǎo)體制冷器(5)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種低成本的多波長光源制作方法，其特征在于:所述步驟5中在熱沉墊塊上制作電極的具體方法是:在熱沉墊塊(3)上旋涂光刻膠，利用光刻的方法制作出電極的圖形，然后通過磁控濺射工藝制作出電極，最后將光刻膠剝離。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種低成本的多波長光源制作方法，其特征在于:所述步驟7中半導(dǎo)體光增益芯片(2)與陣列波導(dǎo)光柵(I)對準(zhǔn)的方法為:半導(dǎo)體光增益芯片(2)采用金屬探針(13)供電，半導(dǎo)體光增益芯片(2)下方設(shè)置半導(dǎo)體制冷器(5)控制芯片工作溫度，單芯光纖陣列(7)連接3dB定向耦合器(14)，3dB定向耦合器(14)分別連接光譜儀(15)和光功率計(jì)(16)，調(diào)節(jié)半導(dǎo)體光增益芯片(2)與陣列波導(dǎo)光柵(I)輸入端相對位置直至光功率計(jì)(16)達(dá)到最大功率且光譜儀(15)達(dá)到光譜穩(wěn)定。
【文檔編號】G02B6/43GK103926663SQ201410170037
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月25日
【發(fā)明者】陳昊, 馬衛(wèi)東, 丁麗, 朱虎, 王寧 申請人:武漢光迅科技股份有限公司