干涉濾波器、光學濾波器裝置、光學模塊及電子設備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及干涉濾波器、光學濾波器裝置、光學模塊及電子設備。波長可變干涉濾波器（5），具備：固定基板（51）；設置于固定基板（51）、使入射光的一部分反射、至少一部分透過的固定反射膜（54）；與固定反射膜（54）對置、使入射光的一部分反射、至少一部分透過的可動反射膜（55）；設置于固定反射膜（54）的周圍，具備光吸收層（571）和金屬層（572）的固定電極（561），光吸收層（571）相比金屬層（572）設置于距離固定基板（51）近的位置。
【專利說明】干涉濾波器、光學濾波器裝置、光學模塊及電子設備

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及干涉濾波器、光學濾波器裝置、光學模塊及電子設備。

【背景技術】
[0002] 過去，已知一種波長可變干涉濾波器，具有相互對置的一對反射膜，通過使該反射 膜間的距離發(fā)生變化，從測定對象的光中取出規(guī)定波長的光(例如，參照專利文獻1)。波長 可變干涉濾波器，對置配置一對反射膜，通過使入射的光發(fā)生干涉，使對應于反射膜間空隙 的尺寸的波長的光透過。
[0003] 在這種波長可變干涉濾波器中，未通過一對反射膜所對置配置的區(qū)域的光，即未 被分光的光，透過波長可變干涉濾波器，由受光器接收時，分光精度下降。
[0004] 為了抑制這種分光精度的下降，在專利文獻1中，將為了用于使反射膜間的空隙 尺寸發(fā)生變化而設置的金屬電極作為孔徑(光圈）而使用。
[0005] 現(xiàn)有技術文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻1 :日本特開2003-57571號公報


【發(fā)明內容】

[0008](發(fā)明所要解決的課題）
[0009] 但是，在專利文獻1中，作為孔徑而使用的金屬電極，由反射率比較高的金屬材料 (例如，鋁、金、鉻及鈦等）形成。因此，將金屬電極作為孔徑而使用的情況下，存在入射的光 發(fā)生反射而產生反射光的可能。并且，該反射光通過封入有波長可變干涉濾波器的殼體或 具備該波長可變干涉濾波器的光學模塊等的裝置的內壁等反射而成為雜散光，被受光器接 收，分光精度有可能下降。
[0010] 本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制雜散光的產生的干涉濾波器、光學濾波器裝 置、光學模塊及電子設備。
[0011](解決課題的技術方案）
[0012] 本發(fā)明的干涉濾波器，其特征在于，具備：基板；設置于所述基板、使入射光的一 部分反射、至少一部分透過的第一反射膜；與所述第一反射膜對置、使入射光的一部分反 射、至少一部分透過的第二反射膜；設置于所述第一反射膜的周圍，具備光吸收層和金屬層 的第一電極，所述光吸收層，相比所述金屬層，設置于距離所述基板近的位置。
[0013] 在本發(fā)明中，第一電極設置于第一反射膜的周圍。該第一電極，具備設置于基板側 的光吸收層和相對于光吸收層而設置于基板的相反側的金屬層。
[0014] 如此構成的第一電極，作為通過其內周緣而規(guī)定入射至第一反射膜的光的入射范 圍的孔徑而發(fā)揮作用。如此，通過規(guī)定入射至第一反射膜的光的入射范圍，能夠抑制光入射 至不與反射膜對置的區(qū)域等，能夠抑制分光精度的下降。
[0015] 此外，在第一電極中，由于透過基板、入射至第一電極的光吸收層的光，被光吸收 層吸收，因此能夠降低被金屬層反射而再次射向基板側的光的光量。由此，能夠抑制由于第 一電極的金屬層的反射所產生的雜散光，能夠抑制分光精度的降低。
[0016] 在本發(fā)明的干涉濾波器中，優(yōu)選：所述第一電極中的內周緣的至少一部分與所述 第一反射膜接觸。
[0017] 在本發(fā)明中，第一電極的內周緣的至少一部分與第一反射膜接觸。由此，由于第一 電極和第一反射膜的一部分重合，因此在第一反射膜和第一電極之間沒有間隙，能夠抑制 光從該間隙透過。
[0018] 在本發(fā)明的干涉濾波器中，優(yōu)選：所述第一電極以框狀包圍所述第一反射膜。
[0019] 在本發(fā)明中，第一電極以框狀包圍第一反射膜地構成，以第一電極包圍第一反射 膜的周圍的方式配置。由此，第一電極作為孔徑，其遮光性能提高，能夠更有效地抑制分光 精度的下降。
[0020] 在本發(fā)明的干涉濾波器中，優(yōu)選具備可動部，所述可動部，設置有所述第二反射 膜，在所述第二反射膜的厚度方向能夠位移地設置，從所述厚度方向觀察時，所述第一反射 膜和所述第一電極的外周緣的最小距離，大于所述第一反射膜和所述可動部的外周緣的最 小距離。
[0021] 在本發(fā)明中，構成為：從第二反射膜的度方向觀察時（即，從基板的厚度方向觀察 的俯視中)，第一反射膜和第一電極的外周緣的最小距離，大于第一反射膜和可動部的外周 緣的最小距離。換言之，第一電極，在上述俯視中，從可動部的外周緣的內側跨至外側而設 置，第一電極的外周緣相比可動部的外周緣而位于外側。因此，能夠抑制光向可動部的外周 緣的入射，能夠抑制雜散光。
[0022] 在本發(fā)明的干涉濾波器中，優(yōu)選具備應力緩和膜，所述應力緩和膜與所述第一電 極對置地設置在所述基板的設置有所述第一電極的面的相反面，所述應力緩和膜，具備：兩 個光吸收層和設置于所述兩個光吸收層之間的金屬層。
[0023] 在本發(fā)明中，在基板上，在設置有第一電極的面的相反面上與第一電極對置地設 置有應力緩和膜，并且應力緩和膜具備兩個光吸收層和設置于光吸收層之間的金屬層。
[0024] 這樣，應力緩和膜由于具備與第一電極同樣的金屬層，所以通過與第一電極的金 屬層產生的內部應力大致相同大小的內部應力，能夠抵消對于基板的應力，從而能夠抑制 基板的變形。
[0025] 此外，應力緩和膜具備夾持金屬膜的一對光吸收層。基板側的光吸收層能夠吸收 來自基板側的入射光，即便在向干涉濾波器的入射光的一部分入射至應力緩和膜的情況 下，也能夠通過另一方的光吸收層將其吸收。
[0026] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的應力緩和膜，在緩和第一電極產生的應力的同時，能夠更 加可靠地抑制雜散光。
[0027] 在本發(fā)明的干涉濾波器中，優(yōu)選：所述第一反射膜具有導電性，所述第一電極與所 述第一反射膜導通。
[0028] 在本發(fā)明中，由于第一反射膜和第一電極導通，因此能夠經(jīng)由第一電極將第一反 射膜作為電極使用。此外，通過將第一電極設定為例如接地電位，也能夠除去第一反射膜的 帶電。
[0029] 在本發(fā)明的干涉濾波器中，優(yōu)選：所述第二反射膜具有導電性，具備連接于所述第 二反射膜的鏡電極。
[0030] 在本發(fā)明中，由于第二反射膜連接至鏡電極，因此能夠使第二反射膜作為電極而 發(fā)揮作用。這種情況下，例如，使第一電極及鏡電極為相同電位(例如，接地電位)，能夠抑制 第一反射膜及第二反射膜間的靜電力的產生。此外，也可以使第一反射膜及第二反射膜作 為靜電電容的檢測用電極發(fā)揮作用。此外，也能夠將驅動電壓施加于第一反射膜及第二反 射膜之間，這種情況下，也能夠使其作為用于變更第一反射膜及第二反射膜的空隙的尺寸 的驅動電極而發(fā)揮作用。
[0031 ] 在本發(fā)明的干涉濾波器中，優(yōu)選：具備第二電極，所述第二電極設置于所述可動部 上，與所述第一電極的至少一部分對置。
[0032] 在本發(fā)明中，通過第一電極和第二電極，能夠構成變更反射膜間空隙的尺寸的空 隙變更部。由此，由于沒有必要分別設置驅動電極和作為孔徑的第一電極，因此能夠實現(xiàn)干 涉濾波器的小型化。
[0033] 在本發(fā)明的干涉濾波器中，優(yōu)選：所述第二電極具備電獨立的多個部分電極，所述 第一電極是所述多個部分電極的公用電極。
[0034] 在本發(fā)明中，使第一電極作為這些部分電極的公用電極，通過對各部分電極分別 設定不同的電位，從而在各部分電極和第一電極之間，能夠分別作用不同的靜電引力。艮P， 能夠通過多個部分電極和與其對置的第一電極，構成多個靜電激勵器，能夠高精度地控制 反射膜間的空隙的尺寸。
[0035] 在本發(fā)明的干涉濾波器中，優(yōu)選：所述基板通過玻璃材料形成，所述光吸收層通過 TiW、TiN、NiCr、Ti02、A1203、MgF2、Nd 203及Ta205中的至少一種形成于所述基板上，所述金屬 層形成于所述光吸收層上。
[0036] 在本發(fā)明中，基板由玻璃材料形成。此外，光吸收層通過TiW、TiN、NiCr、Ti02、 Al203、MgF2、Nd203及Ta 205中的至少一種形成于基板上。此外，金屬層形成于光吸收層上。這 種光吸收層，在金屬層和由玻璃材料形成的基板之間具有良好的緊貼性，在金屬層和基板 之間能夠確保緊貼性。此外，光吸收層能夠抑制與玻璃材料的基板的界面中的反射，能夠更 有效地抑制雜散光的發(fā)生。
[0037] 在本發(fā)明的干涉濾波器中，優(yōu)選：所述金屬層通過Au、Al、Ti、Ag、W、Nb、Ta、Mo、Cu、 Ni、Co、Zn、Fe及Pt中的至少一種形成。
[0038] 在本發(fā)明中，金屬層通過 Au、Al、Ti、Ag、W、Nb、Ta、Mo、Cu、Ni、Co、Zn、Fe 及 Pt 中 的至少一種形成。
[0039] 由此，能夠通過導電性及遮光性高的材料形成金屬層，該金屬層能夠適合用作電 極兼孔徑。
[0040] 本發(fā)明的干涉濾波器，其特征在于，具備：使入射光的一部分反射、至少一部分透 過的第一反射膜；與所述第一反射膜對置、使入射光的一部分反射、至少一部分透過的第二 反射膜；設置于所述第一反射膜的周圍，具備光吸收層和金屬層的第一電極，所述光吸收 層，在從所述第一反射膜朝向所述第二反射膜的方向，相比所述金屬層，設置于距離所述第 二反射膜遠的位置。
[0041] 在本發(fā)明中，與上述發(fā)明同樣地，第一電極設置于第一反射膜的周圍，作為孔徑而 發(fā)揮作用。此外，第一電極具備光吸收層。由此，能夠降低金屬層所反射的光的光量。由此， 能夠抑制第一電極的金屬層的反射所產生的雜散光，能夠抑制分光精度的降低。
[0042] 在本發(fā)明的光學濾波器裝置中，其特征在于，具備：干涉濾波器，所述干涉濾波器 具備：基板；設置于所述基板、使入射光的一部分反射、至少一部分透過的第一反射膜；與 所述第一反射膜對置、使入射光的一部分反射、至少一部分透過的第二反射膜；以及設置于 所述第一反射膜的周圍，具備光吸收層和金屬層的第一電極；殼體，收納所述干涉濾波器， 所述光吸收層，相比所述金屬層，設置于距離所述基板近的位置。
[0043] 在本發(fā)明中，與上述發(fā)明同樣地，第一電極設置于第一反射膜的周圍，作為孔徑而 發(fā)揮作用。此外，第一電極具備光吸收層。由此，在第一電極的形成區(qū)域，在對透過基板而 至的光進行遮光的同時，能夠抑制第一電極的金屬層的反射所產生的雜散光，能夠抑制分 光精度的降低。
[0044] 此外，由于干涉濾波器收納于殼體內，因此能夠抑制大氣中所包含的氣體等導致 的反射膜的劣化或異物的附著。
[0045] 本發(fā)明的光學模塊，其特征在于，具備：基板；設置于所述基板、使入射光的一部 分反射、至少一部分透過的第一反射膜；與所述第一反射膜對置、使入射光的一部分反射、 至少一部分透過的第二反射膜；設置于所述第一反射膜的周圍，具備光吸收層和金屬層的 第一電極；檢測通過所述第一反射膜及所述第二反射膜提取的光的檢測部，所述光吸收層， 相比所述金屬層，設置于距離所述基板近的位置。
[0046] 在本發(fā)明中，與上述發(fā)明同樣地，第一電極設置于第一反射膜的周圍，作為孔徑而 發(fā)揮作用。此外，第一電極具備光吸收層。由此，能夠提供如下的光學模塊：在第一電極的 形成區(qū)域，在對透過基板而至的光進行遮光的同時，能夠抑制第一電極的金屬層的反射所 產生的雜散光，能夠抑制分光精度的降低。
[0047] 本發(fā)明的電子設備，其特征在于，具備：干涉濾波器，所述干涉濾波器具備：基板； 設置于所述基板、使入射光的一部分反射、至少一部分透過的第一反射膜；與所述第一反射 膜對置、使入射光的一部分反射、至少一部分透過的第二反射膜；以及設置于所述第一反射 膜的周圍，具備光吸收層和金屬層的第一電極；控制部，控制所述干涉濾波器，所述光吸收 層，相比所述金屬層，設置于距離所述基板近的位置。
[0048] 在本發(fā)明中，與上述發(fā)明同樣地，第一電極設置于第一反射膜的周圍，作為孔徑而 發(fā)揮作用。此外，第一電極具備光吸收層。由此，能夠提供如下的電子設備：在第一電極的 形成區(qū)域，在對透過基板而至的光進行遮光的同時，能夠抑制第一電極的金屬層的反射所 產生的雜散光，能夠抑制分光精度的降低。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0049] 圖1為表示第一實施方式的分光測定裝置的概略構成的框圖。
[0050] 圖2為表示前述實施方式的波長可變干涉濾波器的概略構成的俯視圖。
[0051] 圖3為圖2的波長可變干涉濾波器的于III-III線處的截面圖。
[0052] 圖4為表示第二實施方式的波長可變干涉濾波器的概略構成的截面圖。
[0053] 圖5為表示第三實施方式的波長可變干涉濾波器的概略構成的截面圖。
[0054] 圖6為表示第四實施方式的波長可變干涉濾波器的概略構成的截面圖。
[0055] 圖7為表示第五實施方式的波長可變干涉濾波器的概略構成的俯視圖。
[0056] 圖8為表示前述實施方式的波長可變干涉濾波器的概略構成的截面圖。
[0057] 圖9為表示第六實施方式的光學濾波器裝置的概略構成的截面圖。
[0058] 圖10為表示光學濾波器裝置的變形例的概略構成的截面圖。
[0059] 圖11為表示具備本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的測色裝置（電子設備）的概略構 成的圖。
[0060] 圖12為表示具備本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的氣體檢測裝置（電子設備）的概 略構成的圖。
[0061] 圖13為表示圖12的氣體檢測裝置的控制系統(tǒng)的框圖。
[0062] 圖14為表示具備本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的食物分析裝置（電子設備）的概 略構成的圖。
[0063] 圖15為表示具備本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的光譜照相機（電子設備）的概略 構成的圖。

【具體實施方式】
[0064] [第一實施方式]
[0065] 以下，根據(jù)【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明涉及的第一實施方式。
[0066][分光測定裝置的構成]
[0067] 圖1為表示本發(fā)明涉及的第一實施方式的分光測定裝置的概略構成的框圖。
[0068] 分光測定裝置1為本發(fā)明電子設備，并且是基于由測定對象X反射的測定對象光， 對于測定對象光的光譜進行測定的裝置。另外，在本實施方式中表示測定由測定對象X反 射的測定對象光的例子，但是作為測定對象X，例如使用液晶面板等發(fā)光體的情況下，可以 將該發(fā)光體發(fā)出的光作為測定對象光。
[0069] 該分光測定裝置1，如圖1所示，具備光學模塊10和控制部20。
[0070] [光學模塊的構成]
[0071] 光學模塊10具備波長可變干涉濾波器5、檢測部1UI-V轉換器12、放大器13、A/ D轉換器14和電壓控制部15。
[0072] 該光學模塊10使測定對象光通過入射光學系統(tǒng)（圖中未示出)，引導至波長可變干 涉濾波器5,從測定對象光中通過波長可變干涉濾波器5使規(guī)定波長的光透過，由檢測部11 接收透過的光。然后，來自檢測部11的檢測信號，經(jīng)由I-V轉換器12、放大器13及A/D轉 換器14,輸出至控制部20。
[0073][波長可變干涉濾波器的構成]
[0074] 這里，對于組裝入分光測定裝置1的波長可變干涉濾波器5進行說明。圖2為表 示波長可變干涉濾波器的概略構成的俯視圖。圖3為沿圖2中的III-III線切開時的截面 圖。
[0075] 本實施方式的波長可變干涉濾波器5,即所謂的法布里-珀羅標準具。該波長可變 干涉濾波器5,如圖2及圖3所示，具備：相當于本發(fā)明的基板的固定基板51、可動基板52。 這些固定基板51及可動基板52,分別由例如各種玻璃、水晶、硅等形成。并且，這些固定基 板51及可動基板52中，通過例如以硅氧烷為主要成分的等離子體聚合膜等構成的接合膜 53來接合固定基板51的第一接合部513與可動基板52的第二接合部523,從而固定基板 51及可動基板52被一體地構成。
[0076] 固定反射膜54 (第一反射膜）設置于固定基板51，可動反射膜55 (第二反射膜)， 設置于可動基板52。這些固定反射膜54及可動反射膜55,經(jīng)由反射膜間空隙G1 (空隙)對 置配置。并且，用于調整(變更）該反射膜間空隙G1的空隙量的靜電激勵器56設置于波長 可變干涉濾波器5中。該靜電激勵器56具備：設置于固定基板51的固定電極561、設置于 可動基板52的可動電極562。這些固定電極561、可動電極562經(jīng)由電極間空隙而對置，作 為靜電激勵器56而發(fā)揮作用。
[0077] 另外，在以后的說明中，將從固定基板51或者可動基板52的基板厚度方向觀察的 俯視，即，將從固定基板51、接合膜53以及可動基板52的層疊方向觀察波長可變干涉濾波 器5的俯視，稱為濾波器俯視。
[0078](固定基板的構成）
[0079] 在固定基板51上，如圖3所示,通過蝕刻形成有電極配置槽511及反射膜設置部 512。該固定基板51，相比可動基板52,其厚度尺寸較大地形成，不會發(fā)生由于將電壓施加 于固定電極561及可動電極562間時的靜電引力、固定電極561的內部應力導致的固定基 板51的撓曲。
[0080] 此外，如圖2所示，切口部514形成于固定基板51的頂點C1，在波長可變干涉濾波 器5的固定基板51側露出后述的可動電極墊564P。
[0081] 在濾波器俯視中，電極配置槽511形成為以固定基板51的平面中心點0為中心的 環(huán)狀。在所述俯視中，反射膜設置部512從電極配置槽511的中心部向可動基板52側以大 致圓柱狀地突出而形成。該電極配置槽511的槽底面成為配置有固定電極561 (相當于本 發(fā)明的第一電極）的電極設置面511A。此外，反射膜設置部512的突出頂端面成為反射膜 設置面512A。
[0082] 此外，在固定基板51上設置從電極配置槽511向固定基板51的外周緣的頂點C1、 頂點C2延伸的電極引出槽511B。
[0083] 在電極配置槽511的電極設置面511A設置有固定電極561。
[0084] 更具體而言，固定電極561以框狀(在本實施方式中為圓環(huán)狀)包圍固定反射膜54 而形成。此外，固定電極561在電極設置面511A中從后述的可動基板52中的與可動部521 對置的區(qū)域跨至與保持部522對置的區(qū)域而設置。即，在濾波器俯視中，固定電極561覆蓋 與后述的可動部521的側壁部521B (相當于本發(fā)明的可動部的外周緣)對置的位置而設置。 進一步換言之，在濾波器俯視中，固定電極561被構成為固定反射膜54和固定電極561的 外周緣的最小距離大于固定反射膜54和可動部521的側壁部521B的最小距離。
[0085] 固定電極561具備光吸收層571和金屬層572,這些光吸收層571及金屬層572順 序地層疊于固定基板51上。
[0086] 金屬層572通過具有導電性及遮光性的金屬材料形成，不讓光通過。作為形成金 屬層 572 的金屬材料，可以為例如 Au、Al、Ti、Ag、W、Nb、Ta、Mo、Cu、Ni、Co、Zn、Fe 及 Pt 等。 [0087] 光吸收層571抑制從固定基板51側入射的光的反射。即，光吸收層571，作為抑制 在固定基板51和光吸收層571的界面的反射的反射防止層發(fā)揮作用的同時，具有使入射至 光吸收層571的光發(fā)生衰減(吸收）的作用。作為形成這種光吸收層571的材料，可以為例 如 TiW、TiN、NiCr、Ti02、A1203、MgF2、Nd 203 及 Ta205 等。
[0088] 這種固定電極561通過例如以下方式形成：在固定基板51上將形成光吸收層571 的膜材料(例如TiW膜）成膜，進一步，將形成金屬層572的膜材(例如Au膜）成膜，利用光 刻蝕法將這些膜材料（TiW膜及Au膜）形成圖案。光吸收層571及金屬層572各自的厚度 例如為30nm和100nm。
[0089] 在固定基板51上設置從固定電極561的外周緣向頂點C2方向延伸的固定引出電 極563。該固定引出電極563的延伸前端部(位于固定基板51的頂點C2的部分)構成連接 至電壓控制部15的固定電極墊563P。該固定電極墊563P在電壓控制部15例如連接于GND (接地)。
[0090] 此外，在固定電極561上可以層疊用于確保固定電極561及可動電極562之間的 絕緣性的絕緣膜。
[0091] 反射膜設置部512,如上所述，在與電極配置槽511同軸上，形成為小于電極配置 槽511的直徑尺寸的大致圓柱狀，并且具備該反射膜設置部512的與可動基板52對置的反 射膜設置面512A。
[0092] 如圖3所示，固定反射膜54設置于該反射膜設置面512A上。
[0093] 固定反射膜54被設置為，如圖3所示，在濾波器俯視中，從反射膜設置面512A跨 至(延伸至）電極配置槽511中。固定反射膜54的外周部的一部分覆蓋固定電極561的內 周部(從內周緣起的預定尺寸的區(qū)域）而設置。
[0094] 在這種構成中，通過固定電極561的內周緣規(guī)定入射至固定反射膜54的光的有效 直徑。即，固定電極561作為孔徑發(fā)揮作用。
[0095] 另外，固定電極561和固定反射膜54重合的區(qū)域(重合區(qū)域)，形成于電極設置面 511A。該電極設置面511A，在基板厚度方向，相比反射膜設置面512A，設置在距離可動基板 52遠的位置，因此，當使可動基板52向固定基板51側位移時，該重合區(qū)域的固定反射膜54 不會接觸可動基板52、該可動基板52上的其他膜材料。
[0096] 該固定反射膜54具有導電性，例如能夠使用Ag、Bi、Nd等金屬膜、Ag合金等合金 膜形成。該固定反射膜54,接觸作為GND電極的固定電極561，被用作GND。
[0097] 另外，固定反射膜54例如可以使用如下的反射膜：在使高折射層為Ti02、使低折 射層為Si0 2的電介體多層膜上層疊金屬膜(或者合金膜）的反射膜、或在金屬膜(或者合金 膜）上層疊電介體多層膜的反射膜、或層疊單層折射層（Ti0 2或Si02等）和金屬膜（或者合 金膜）的反射膜等。
[0098] 此外，在固定基板51的光入射面(未設置有固定反射膜54的面)上，可以在對應于 固定反射膜54的位置形成反射防止膜。該反射防止膜，能夠通過交互地層疊低折射率膜及 高折射率膜而形成，使固定基板51的表面的可見光的反射率下降，使透過率增大。
[0099] 并且，在固定基板51的與可動基板52對置的面中，未通過蝕刻形成電極配置槽 511、反射膜設置部512及電極引出槽511B的面，構成第一接合部513。第一接合膜531設 置于該第一接合部513上，通過第一接合膜531接合于設置于可動基板52的第二接合膜 532,如上所述，固定基板51及可動基板52被接合。
[0100] (可動基板的構成）
[0101] 可動基板52，在如圖2所示的濾波器俯視中，具備以平面中心點0為中心的圓形狀 的可動部521、與可動部521同軸并保持可動部521的保持部522、設置于保持部522的外 側的基板外周部525。
[0102] 此外，在可動基板52上，如圖2所示，對應于頂點C2,形成有切口部524,從可動基 板52側觀察波長可變干涉濾波器5時，固定電極墊563P露出。
[0103] 可動部521的厚度尺寸形成為大于保持部522,例如，在本實施方式中，形成為與 可動基板52的厚度尺寸為相同尺寸。該可動部521，在濾波器俯視中，形成為至少比反射膜 設置面512A的外周緣的直徑尺寸大的直徑尺寸。并且，可動電極562及可動反射膜55設 置于該可動部521。
[0104] 另外，與固定基板51同樣地，在可動部521的與固定基板51的相反側的面形成有 反射防止膜。該反射防止膜，能夠通過交互地層疊低折射率膜及高折射率膜而形成，使可動 基板52的表面的可見光的反射率下降，使透過率增大。
[0105] 可動反射膜55在可動部521的可動面521A的中心部，經(jīng)由反射膜間空隙G1與固 定反射膜54對置地設置。作為該可動反射膜55,使用與上述的固定反射膜54相同構成的 反射膜。
[0106] 另外，可動反射膜55通過未圖示的配線連接于GND，與固定反射膜54成為相同電 位。
[0107] 可動電極562,在可動面521A上以平面中心點0為中心呈圓環(huán)狀地設置于可動反 射膜55的周圍。該可動電極562,經(jīng)由電極間空隙G2與固定電極561的一部分相對置。在 固定電極561及可動電極562相對置的區(qū)域構成了相當于本發(fā)明的空隙變更部的靜電激勵 器56。
[0108] 可動電極562,與固定電極561同樣地，具備光吸收層581和金屬層582,這些光吸 收層581及金屬層582順次重疊于可動基板52上。另外，光吸收層581及金屬層582通過 與固定電極561中的光吸收層571及金屬層572相同的材料構成。
[0109] 此外，在可動基板52上設置有從可動電極562的外周緣向可動基板52的頂點C1 延伸的可動引出電極564。該可動引出電極564的延伸前端部(位于可動基板52的頂點C1 的部分)構成連接至電壓控制部15的可動電極墊564P。驅動電壓通過電壓控制部15而施 加于可動電極562。
[0110] 另外，在本實施方式中，如上所述，例示出電極間空隙G2的空隙量比反射膜間空 隙G1的空隙量大的例子，但并不限于此。例如，使用紅外線或遠紅外線作為測定對象光的 情況等，根據(jù)測定對象光的波長域，可以為反射膜間空隙G1的空隙量比電極間空隙G2的空 隙量大的構成。
[0111] 此外，在可動電極562上可以層疊用于確保固定電極561及可動電極562之間的 絕緣性的絕緣膜。
[0112] 保持部522為包圍可動部521的周圍的振動板，并且形成為厚度尺寸小于可動部 521。這種保持部522,相比可動部521易于撓曲，通過微小的靜電引力，能夠使可動部521 向固定基板51側位移。此時，由于可動部521的厚度尺寸，比保持部522的厚度尺寸大，剛 性大。因此，即便在保持部522被靜電引力拉向固定基板51側的情況下，也不會發(fā)生可動 部521的形狀變化。從而，設置于可動部521的可動反射膜55也不發(fā)生撓曲，能夠總是將 固定反射膜54及可動反射膜55維持為平行狀態(tài)。
[0113] 另外，在本實施方式中，例示了振動板狀的保持部522,但不限于此，例如可以為以 平面中心點0為中心、以等角度間隔地配置的梁狀保持部的構成等。
[0114] 基板外周部525,如上所述，在濾波器俯視中設置于保持部522的外側。該基板外 周部525的與固定基板51對置的面具備與第一接合部513對置的第二接合部523。并且， 第二接合膜532設置于該第二接合部523,如上所述，通過第二接合膜532接合于第一接合 膜531，從而固定基板51及可動基板52被接合。
[0115] [檢測部、I-V轉換器、放大器、A/D轉換器、電壓控制部的構成]
[0116] 返回圖1，檢測部11接收(檢測)透過波長可變干涉濾波器5的各反射膜54、55相 對置的光干涉區(qū)域的光，輸出基于受光量的檢測信號。
[0117] I-V轉換器12將從檢測部11輸入的檢測信號轉換為電壓值，輸出至放大器13。
[0118] 放大器13使對應于從I-V轉換器12輸入的檢測信號的電壓(檢測電壓）增幅。
[0119] A/D轉換器14將從放大器13輸入的檢測電壓(模擬信號）轉換為數(shù)字信號，輸出 至控制部20。
[0120] 電壓控制部15連接于波長可變干涉濾波器5的固定引出電極563 (固定電極墊 563Ρ)及可動引出電極564 (可動電極墊564Ρ)。電壓控制部15,基于控制部20的控制，通 過向固定電極墊563Ρ及可動電極墊564Ρ施加電壓，對靜電激勵器56施加電壓。具體而言， 電壓控制部15將固定電極墊563Ρ連接于接地電路，使其為接地電位。另一方面，對于可動 電極墊564Ρ，設定基于來自控制部20的控制的驅動電位。由此，在靜電激勵器56的固定電 極561及可動電極562之間產生靜電引力，可動部521向固定基板51側發(fā)生位移，反射膜 間空隙G1的尺寸被設定為規(guī)定值。
[0121] [控制部的構成]
[0122] 控制部20通過例如組合CPU和存儲器等而構成，控制分光測定裝置1的整體動 作。該控制部20,如圖1所示，具備：濾波器驅動部21、光量取得部22、分光測定部23。
[0123] 此外，控制部20具備存儲各種數(shù)據(jù)的存儲部30，該存儲部30中存儲用于控制靜電 激勵器56的V-λ數(shù)據(jù)。
[0124] 該V-λ數(shù)據(jù)中記錄有對于施加于靜電激勵器56的電壓的透過波長可變干涉濾波 器5的光的峰值波長。
[0125] 濾波器驅動部21設定通過波長可變干涉濾波器5提取的光的目的波長，并且讀入 對應于由存儲部30所存儲的V-λ數(shù)據(jù)所設定的目的波長的目標電壓值。然后，濾波器驅 動部21將控制信號輸出至電壓控制部15。所述控制信號為施加讀入的目標電壓值。從而， 目標電壓值的電壓從電壓控制部15施加至靜電激勵器56。
[0126] 光量取得部22,基于通過檢測部11取得的光量，取得透過波長可變干涉濾波器5 的目的波長的光的光量。
[0127] 分光測定部23,基于通過光量取得部22取得的光量，對于測定對象光的光譜特性 進行測定。
[0128] 作為分光測定部23的分光測定方法，例如可以例舉：將針對測定對象波長由檢測 部11檢測到的光量作為該測定對象波長的光量而測定分光光譜的方法，或者基于多個測 定對象波長的光量而推定分光光譜的方法等。
[0129] 作為推定分光光譜的方法，例如，生成將對于多個測定對象波長的光量分別作為 矩陣要素的計測光譜矩陣，通過將預定的轉換矩陣作用于該計測光譜矩陣，推定作為測定 對象的光的分光光譜。這種情況下，由分光測定裝置1測定分光光譜已知的多個樣本光，并 設定轉換矩陣，使得將轉換矩陣作用于基于測定所得的光量生成的計測光譜矩陣而得到的 矩陣與已知的分光光譜之間的偏差為最小。
[0130] [第一實施方式的作用效果]
[0131] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，在固定基板51設置有環(huán)狀(框狀)包圍 固定反射膜54的固定電極561。該固定電極561由光吸收層571和不使光通過的金屬層 572順次層疊而構成。
[0132] 在如此構成的固定電極561中，能夠通過該固定電極561的內周緣規(guī)定入射至固 定反射膜54的光的有效直徑，能夠使其作為孔徑而發(fā)揮作用。此外，即使在入射光的一部 分透過固定基板51，而是入射至固定電極561的情況下，由于光吸收層571的反射防止功 能，入射光不會被光吸收層571所反射，而是透過至該光吸收層571的內部。并且，由于入 射光的一部分在光吸收層571被吸收，能夠使該入射光的光量減少。進一步，即使該光被金 屬層572反射，會再次通過光吸收層571，反射光進一步被吸收，從而使其衰減。
[0133] 如上所示，本實施方式的固定電極561由于能夠使其作為孔徑而發(fā)揮作用，并且， 即使在光入射至該固定電極561的情況下也能夠使該光發(fā)生衰減，能夠抑制雜散光的產 生。從而，能夠抑制波長可變干涉濾波器5的分光精度的下降，在光學模塊10中，能夠以高 精度接收目標波長的光的光量。從而，分光測定裝置1，能夠實施對于測定對象X的正確的 分光測定。
[0134] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，固定電極561的內周部與固定反射膜 54的外周部重合。由此，在固定電極561和固定反射膜54之間不產生間隙，能夠避免來自 該間隙的光成為雜散光的不良情況。
[0135] 特別是，在本實施方式中，在固定電極561和固定反射膜54重合的區(qū)域(重合區(qū) 域）與固定反射膜54和可動反射膜55相對置的區(qū)域(對置區(qū)域）的中心部(平面中心點0) 相比，基板間距離更大。
[0136] 因此，在靜電激勵器56驅動時，能夠避免可動部521上的可動電極562接觸固定 電極561上的固定反射膜54的不良情況。
[0137] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，固定電極561被設置為，在濾波器俯視 中，從可動部521跨至保持部522中。即，固定電極561被設置為覆蓋作為可動部521的外 周緣和保持部522的邊界部分的可動部521的側壁部521B。從而，能夠抑制光入射至側壁 部521B，從而能夠抑制入射至側壁部521B的入射光發(fā)生漫反射而導致的雜散光的產生。
[0138] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，固定反射膜54具有導電性，與固定電 極561導通。由此，能夠除去固定反射膜54所帶的電荷。從而，當變更反射膜間的空隙尺寸 時，能夠避免多余的靜電力作用于反射膜間，能夠抑制該靜電引力導致的驅動精度的下降。
[0139] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，固定電極561兼具構成靜電激勵器56 的驅動用電極和孔徑的功能。從而，由于沒有必要分別設置驅動電極和孔徑，因此能夠實現(xiàn) 干涉濾波器5的小型化。
[0140] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，固定基板51通過玻璃材料形成。此 夕卜，光吸收層571通過TiW、TiN、NiCr、Ti0 2、Al203、MgF2、Nd20 3及Ta205等形成于固定基板51 上。此外，金屬層572形成于光吸收層571上。
[0141] 這種光吸收層571在金屬層572和由玻璃材料構成的固定基板51之間具有良好 的緊貼性，能夠在金屬層572和固定基板51之間確保緊貼性。此外，光吸收層571能夠抑 制其與固定基板51的界面中的反射，能夠更有效地抑制雜散光的發(fā)生。
[0142] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，金屬層572通過Au、Al、Ti、Ag、W、Nb、 Ta、Mo、Cu、Ni、Co、Zn、Fe及Pt等導電性及遮光性高的材料形成。由此，能夠將金屬層572 適當?shù)刈鳛殡姌O兼孔徑使用。
[0143] [第二實施方式]
[0144] 下面，基于【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明涉及的第二實施方式。
[0145] 在本實施方式中，與上述第一實施方式的不同在于，固定電極以覆蓋反射膜設置 部512的側壁的方式構成這一點。
[0146] 圖4為表示本發(fā)明涉及的第二實施方式的波長可變干涉濾波器5A的概略構成的 截面圖。另外，波長可變干涉濾波器5A，除了上述不同點之外，基本上與第一實施方式的波 長可變干涉濾波器5具有同樣的構成。在以后的實施方式的說明中，對于已經(jīng)說明的構成， 賦予相同的符號，省略或簡化其說明。
[0147] 固定電極561A，如圖4所不，其內周緣位于反射膜設置面512A上，覆蓋反射膜設置 部512的側壁部512B。
[0148] 此外，固定反射膜54A的外周部，在濾波器俯視中，以覆蓋設置于反射膜設置面 512A上的固定電極561A的內周部的方式設置。
[0149] [第二實施方式的作用效果]
[0150] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5A中，在靠固定電極561A的內周緣的內側 的固定反射膜54A與可動反射膜55的距離一律相同。由此，能夠以更高精度使期望的目標 波長的光從波長可變干涉濾波器5A透過，能夠更加提高分光精度。
[0151] [第三實施方式]
[0152] 下面，基于【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明涉及的第三實施方式。
[0153] 在本實施方式中，與上述第一實施方式的不同之處在于，以與設置于固定基板51 的一個表面的固定電極561相對置的方式，將應力緩和膜設置于固定基板51的另一個表 面。
[0154] 圖5為表示本發(fā)明涉及的第三實施方式的波長可變干涉濾波器5B的概略構成的 截面圖。
[0155] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5B中，如圖5所示，在固定基板51的設置有 固定電極561的面的相反面，在濾波器俯視中的與固定電極561重合的位置，設置有應力緩 和膜59。該應力緩和膜59,具備：第一光吸收層591、金屬層592、第二光吸收層593,這些 第一光吸收層591、金屬層592、第二光吸收層593順次層疊于固定基板51上。
[0156] 金屬層592由與金屬層572相同的材料構成，具有相同厚度尺寸。從而，與從金屬 層572賦予的內部應力具有相同大小、并且方向相反的內部應力從金屬層592賦予固定基 板51，施加于固定基板51的內部應力被緩和(抵消)。
[0157] 第一光吸收層591由與光吸收層571相同的材料構成，抑制從固定基板51側入射 的光的反射，并且，使入射的光衰減。
[0158] 第二光吸收層593也由與光吸收層571相同的材料構成，在入射至波長可變干涉 濾波器的入射光的一部分入射至應力緩和膜59的情況下，抑制入射光的反射，并且，使入 射的光衰減。
[0159] [第三實施方式的作用效果]
[0160] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5B中，在固定基板51上，在與設置有固定電 極561的面相反的面，與固定電極561對置地設置有應力緩和膜59。應力緩和膜59具備2 層的光吸收層591、593、設置于這些光吸收層591、593之間的金屬層592。該金屬層592與 固定電極561的金屬層572具有相同的構成，2層的光吸收層591、593與光吸收層571具有 相同的構成。
[0161] 因此，通過金屬層592能夠抵消固定電極561的金屬層572的內部應力，能夠抑制 固定基板51的變形。
[0162] 此外，通過第一光吸收層591，能夠抑制從固定基板51側入射的光的反射，使光量 減少。因此，即使在入射至固定電極561的光的一部分未完全衰減而被反射的情況下，由于 入射至應力緩和膜59,能夠進一步使其光量減少，從而能夠進一步抑制雜散光。
[0163] 進一步，即使在入射至波長可變干涉濾波器5B的光的一部分入射至應力緩和膜 59的情況下，能夠通過第二光吸收層593使反射光衰減，能夠抑制雜散光。
[0164] 如上所示，通過應力緩和膜59,在緩和固定電極561產生的應力的同時，能夠更加 可靠地抑制雜散光的產生。
[0165] 此外，金屬層592,如本實施方式所述，由于使其與金屬層572為相同材料及形狀， 因此能夠容易地形成能夠實現(xiàn)應力緩和功能的金屬層592。但是，金屬層592并不限于與 金屬層572為相同材料及形狀地形成，只要能夠將緩和金屬層572所產生的應力的應力賦 予固定基板51，可以以任意的材料及形狀形成。特別是，通過使應力緩和膜59的內周緣的 直徑小于反射膜設置面512A的直徑，可以規(guī)定入射范圍使得光僅在反射膜54、55間的空隙 G1的尺寸大致相同的區(qū)域中入射至反射膜54。
[0166] [第四實施方式]
[0167] 下面，基于【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明涉及的第四實施方式。
[0168] 在本實施方式中，與上述第一實施方式的不同之處在于，可動電極由多個部分電 極構成。
[0169] 圖6為表示本發(fā)明涉及的第四實施方式的波長可變干涉濾波器5C的概略構成的 截面圖。
[0170] 本實施方式的波長可變干涉濾波器5C，如圖6所示，在可動基板52的可動面521A 具備：以平面中心點0為中心的大致C字狀的第一可動電極562A、在濾波器俯視中設置于 第一可動電極562A之外的大致C字狀的第二可動電極562B。
[0171] 這些第一可動電極562A及第二可動電極562B彼此分開。即，在本實施方式中，在 濾波器俯視中，具備配置有內側和外側的兩個可動電極的雙重電極構造。
[0172] 另外，盡管省略了圖不，但第一可動電極562A設置有從外周緣向可動基板52的1 個頂點延伸的可動引出電極，其延伸前端部(位于可動基板52的頂點的部分)構成連接至電 壓控制部15的可動電極墊。
[0173] 此外，第二可動電極562B也同樣地設置有從外周緣向可動基板52的其他頂點延 伸的可動引出電極，其延伸前端部構成連接至電壓控制部15的可動電極墊。
[0174] 固定電極561為對于第一可動電極562A及第二可動電極562B的公用電極，例如， 在電壓控制部15中連接至GND電路。通過固定電極561及第一可動電極562A對置的區(qū)域 構成第一靜電激勵器56A。此外，通過固定電極561及第二可動電極562B對置的區(qū)域構成 第二靜電激勵器56B。
[0175] 在如此構成的波長可變干涉濾波器5C中，能夠分別向第一可動電極562A及第二 可動電極562B施加不同的電壓。
[0176] [第四實施方式的作用效果]
[0177] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器5C中，通過第一可動電極562A及第二可動 電極562B、即多個部分電極構成可動電極562,使固定電極561成為對于這些部分電極的公 用電極。由此，與上述第一至第三實施方式同樣地，能夠使固定電極561作為孔徑發(fā)揮作 用，并且，能夠抑制雜散光。而且，通過將第一可動電極562A及第二可動電極562B分別設 定為不同的電位，能夠使分別不同的靜電引力作用于第一靜電激勵器56A及第二靜電激勵 器56B。由此，能夠以更高的精度進行反射膜間的空隙尺寸的控制，能夠進行高精度的分光。
[0178] [第五實施方式]
[0179] 下面，基于【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明涉及的第五實施方式。
[0180] 在本實施方式中，與上述第一實施方式的不同之處在于，鏡電極551連接至可動 反射膜55這一點。
[0181] 圖7為表示本實施方式的波長可變干涉濾波器?的概略構成的俯視圖。
[0182] 圖8為沿圖7中的VIII-VIII線切開的截面圖。
[0183] 在本實施方式的波長可變干涉濾波器?中，可動電極562形成大致C字狀。并且， 可動基板52具備鏡電極551，所述鏡電極551連接至可動反射膜55,通過可動電極562的 C字開口部、延伸至頂點C3。該鏡電極551例如在可動反射膜55由Ag合金等金屬膜構成 的情況下，能夠與可動反射膜55同時形成。
[0184] 此外，鏡電極551的前端部(位于可動基板52的頂點C3的部分)，構成鏡電極墊 551P，連接于電壓控制部15。
[0185] 此外，電壓控制部15將固定電極墊563P及鏡電極墊551P連接于接地電路，設定 為接地電位（0V)。
[0186] 此外，固定基板51在頂點C3的位置設置有切口部515,露出鏡電極墊551P。
[0187] [第五實施方式的作用效果]
[0188] 在本實施方式中，將連接于可動反射膜55的鏡電極551設定為接地電位。為此，能 夠防止可動反射膜55的帶電。從而，能夠更可靠地抑制反射膜54、55間的靜電力的產生， 能夠進一步提高驅動靜電激勵器56時的驅動精度。
[0189] 另外，在本實施方式中，示出了通過電壓控制部15將墊551P、563P連接于接地電 路，使其為接地電位的例子，但不限于此。例如，可以將墊551P、563P設定為規(guī)定的公共電 位。這種情況下，能夠使固定反射膜54及可動反射膜55的電荷量相同，能夠抑制靜電力的 產生。
[0190] [第五實施方式的變形例]
[0191] 在上述第五實施方式中，示出了電壓控制部15將墊551P、563P連接于接地電路， 使固定反射膜54及可動反射膜55為接地電位的例子，但不限于此。
[0192] 例如，在電壓控制部15中，可以構成為墊551P、563P連接于靜電電容檢測電路。
[0193] 這種情況下，通過靜電電容檢測電路，將高頻電壓施加于固定反射膜54及可動反 射膜55,從而能夠檢測反射膜54、55間的靜電電容、即反射膜54、55間的空隙G1的尺寸。
[0194] [第六實施方式]
[0195] 下面，基于【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明涉及的第六實施方式。
[0196] 在所述第一實施方式的分光測定裝置1中，對光學模塊10直接設置波長可變干涉 濾波器5。但是，作為光學模塊，有時具有復雜的構成，特別是對于小型的光學模塊，存在難 以直接設置波長可變干涉濾波器5的情況。在本實施方式中，針對對于這種光學模塊也能 夠容易地設置波長可變干涉濾波器5的光學濾波器裝置進行說明。
[0197] 圖9為表示本發(fā)明涉及的第六實施方式的光學濾波器裝置的概略構成的截面圖。
[0198] 如圖9所示，光學濾波器裝置600,具備收納波長可變干涉濾波器5的殼體610。
[0199] 該殼體610具有：底部611、蓋612、射出側玻璃窗613(導光部)、入射側玻璃窗614 (導光部)。
[0200] 底部611例如由單層陶瓷基板構成。波長可變干涉濾波器5的可動基板52設置 于該底部611。此外，在底部611上，在與波長可變干涉濾波器5的反射膜（固定反射膜54、 可動反射膜55)對置的區(qū)域，開口形成有光射出孔611A。該光射出孔611A為由波長可變干 涉濾波器5分光并提取的光通過的窗，接合有射出側玻璃窗613。另外，作為底部611及射 出側玻璃窗613的接合，例如能夠使用玻璃熔塊接合，其中，以高溫熔解玻璃原料，使用作 為急速冷卻的玻璃碎片的玻璃熔塊。
[0201] 此外，對應于波長可變干涉濾波器5的各電極墊563P、564P的數(shù)量的端子部616， 設置在底部611的上面(殼體610的內部側)。此外，底部611在設置有各端子部616的位 置形成有貫通孔615,各端子部616經(jīng)由貫通孔615與設置于底部611的下面(殼體610的 外部側）的連接端子617連接。
[0202] 此外，接合蓋612的密封部619設置于底部611的外周緣。
[0203] 如圖9所示，蓋612具備：與底部611的密封部619接合的密封部620 ;從密封部 620連續(xù)，向遠離底部611的方向立起的側壁部621 ;從側壁部621延續(xù)，覆蓋波長可變干涉 濾波器5的固定基板51側的頂面部622。該蓋612例如可由科瓦鐵鎳鈷合金（=〃'一>) 或者金屬形成。
[0204] 該蓋612例如通過激光密封等而將密封部620和底部611的密封部619接合，從 而接合于底部611。此外，在蓋612的頂面部622,光入射孔612A開口形成于與波長可變干 涉濾波器5的各反射膜54、55對置的區(qū)域。該光入射孔612A為希望由波長可變干涉濾波 器5分光的入射光(測定對象光）入射的窗，接合有入射側玻璃窗614。
[0205] [第六實施方式的作用效果]
[0206] 在本實施方式的光學濾波器裝置600中，與所述第一實施方式同樣地，在固定電 極561的形成區(qū)域，能夠抑制透過固定基板51而至的光的反射，能夠抑制該反射光在殼體 610的內壁反射而產生雜散光。
[0207] 此外，在本實施方式的光學濾波器裝置600中，由于波長可變干涉濾波器5被殼體 610保護，因此能夠防止外因導致的波長可變干涉濾波器5的破損。從而，對于測色傳感器 等光學模塊或電子設備，設置波長可變干涉濾波器5時，或者維護時，能夠防止與其他部件 沖撞等而導致的破損。
[0208] 此外，例如將工廠制造的波長可變干涉濾波器5運輸至組裝光學模塊或電子設備 的組裝線的情況下，被光學濾波器裝置600保護的波長可變干涉濾波器5,能夠安全運輸。
[0209] 此外，光學濾波器裝置600,由于設置有露出殼體610的外周面的連接端子617,因 此對于光學模塊或電子設備進行組裝時，能夠容易地實施配線。
[0210] [第六實施方式的變形例]
[0211] 圖10為表示上述第六實施方式的一變形例的光學濾波器裝置的概略構成的截面 圖。
[0212] 如圖10所示，光學濾波器裝置600A具備：設置有作為收納波長可變干涉濾波器5 的凹部的濾波器收納部631C的陶瓷基板631 ;覆蓋濾波器收納部631C的玻璃蓋632。該光 學濾波器裝置600A，在將波長可變干涉濾波器5收納于濾波器收納部631C的狀態(tài)下，玻璃 蓋632接合于陶瓷基板631，密封內部空間634。
[0213] 在陶瓷基板631的與玻璃蓋632相對置的面，開口形成有貫通基板的厚度方向的 光射出孔631A。射出側玻璃窗633接合于該光射出孔631A。
[0214] 此外，用于向波長可變干涉濾波器5供給電力的端子部616設置于陶瓷基板631。 此外，陶瓷基板631在設置有端子部616的位置，形成有貫通孔631B。端子部616,經(jīng)由貫 通孔631B，連接于設置于陶瓷基板631的下面的連接端子617。
[0215] 在本變形例的光學濾波器裝置600A中，從玻璃蓋632側入射的光，入射至波長可 變干涉濾波器5,被分光的光從光射出孔631A射出。通過本變形例，也能夠取得與上述第六 實施方式同樣的效果。
[0216] 另外，在光學濾波器裝置600A中，光入射側的蓋由玻璃材料形成，光能夠透過。由 此，即使入射光的一部分被設置于波長可變干涉濾波器5的固定電極561反射，也射向光入 射側而透過玻璃蓋632。因此，能夠抑制起因于在固定電極561的反射的雜散光的產生。
[0217] [其他實施方式]
[0218] 另外，本發(fā)明并不限定于上述的實施方式，能夠達成本發(fā)明目的的范圍內的變形、 改良等也包含于本發(fā)明中。
[0219] 例如，固定電極561為光吸收層571及金屬層572順次層疊于固定基板51的雙層 構成，但本發(fā)明不限于此，可以為在固定基板51和光吸收層571之間、在光吸收層571和金 屬層572之間具備其他的層的3層以上的構成。例如，可以在固定基板51和光吸收層571 之間設置ΙΤ0等構成的透明電極層。
[0220] 在上述各實施方式中，例示了作為孔徑的固定電極561的內周部與固定反射膜54 的外周部重疊的構成，但本發(fā)明不限于此。例如，可以通過固定電極561的內周緣的側面和 固定反射膜54的外周緣的側面接觸，而構成固定電極561的內側成為固定反射膜54的構 成。
[0221] 此外，例如，可以構成為作為孔徑的固定電極561的內周部與固定反射膜54的外 周部的至少一部分重疊。在這種情況下，通過固定電極561和固定反射膜54的重疊部分， 能夠抑制固定電極561及固定反射膜54間的光的透過。
[0222] 在所述各實施方式中，作為孔徑電極的固定電極561，跨越作為可動部521的外周 緣和保持部522的邊界部分的可動部521的側壁部512B而設置，但本發(fā)明不限于此。艮P， 固定電極561，可以以至少覆蓋固定反射膜54的周圍的方式設置，在濾波器俯視中，可以僅 在靠保持部522的對置位置的內側而設置。
[0223] 此外，固定電極561，可以至少設置于固定反射膜54的周圍，例如以包圍固定反射 膜54的周圍的一部分的方式設置。在這種情況下，在固定電極561的配置區(qū)域中，能夠規(guī) 定入射光的范圍，并且能夠抑制固定電極561的金屬層572的反射光導致的雜散光的產生。
[0224] 在所述第五實施方式中，示出了使可動反射膜55為GND電位而除去帶電的例子、 使固定反射膜54及可動反射膜55作為靜電電容檢測電極而發(fā)揮作用的例子，此外，可以使 固定反射膜54及可動反射膜55作為驅動用的靜電激勵器而發(fā)揮作用。
[0225] 此外，在上述各實施方式中，各反射膜54、55具有導電性，也可以由非導電性的材 料構成。例如，固定反射膜54及可動反射膜55可以通過不具有導電層的電介體多層膜等 構成。
[0226] 在上述各實施方式中，使設置于固定基板51的固定電極561作為孔徑電極，但本 發(fā)明不限于此。即，也可以使設置于可動基板52的可動電極562作為孔徑電極，也可以使 固定電極561及可動電極562雙方作為孔徑電極。
[0227] 在上述各實施方式及變形例中，例示了靜電激勵器作為空隙變更部，但不限于此。 例如，作為空隙變更部，可以使用配置第一感應線圈代替固定電極561，配置第二感應線圈 或永磁鐵代替可動電極562的感應激勵器的構成。此外，作為空隙變更部，例如使用壓電元 件而使可動部521發(fā)生位移的構成、通過空氣壓使反射膜間空隙發(fā)生變化的構成等，只要 是能夠使反射膜間空隙G1發(fā)生變化的構成，可以使用任何驅動單元。
[0228] 此外，在上述各實施方式及變形例中，對于為波長可變型的法布里-珀羅標準具 的波長可變干涉濾波器5、5八、58、5(：、^)進行了說明，但本發(fā)明不限于此。即，可以為不具備 靜電激勵器56 (空隙變更部）的波長固定型法布里-珀羅標準具。這種情況下，能夠將本 發(fā)明的孔徑電極，例如作為上述的靜電電容檢測電極、帶電防止電極等其他電極使用。
[0229] 在上述各實施方式及變形例中，作為波長可變干涉濾波器5、5八、58、5(：、50，例示了 如下的構成：將作為第一反射膜的固定反射膜54設置于固定基板51上，將作為第二反射膜 的可動反射膜55設置于可動基板52上，但不限于此。例如，可以為不將各反射膜設置于基 板的構成。這種情況下，例如將第一電極及第一反射膜設置于平行玻璃基板的一個面，將第 二電極及第二反射膜設置于與該一個面平行的另一個面后，通過蝕刻等方式蝕刻平行玻璃 基板。該構成成為不設置基板的構成，能夠使分光元件更為薄型化。這種情況下，將例如隔 墊放置在第一反射膜及第二反射膜之間，從而能夠維持反射膜間的空隙尺寸。
[0230] 此外，作為本發(fā)明的電子設備，在上述各實施方式中，例示了分光測定裝置1，除此 之外，根據(jù)領域的不同，能夠使用本發(fā)明的光學濾波器裝置5、光學模塊、電子設備。
[0231] 例如，也能夠將本發(fā)明的電子設備適用于測定顏色的測色裝置。
[0232] 圖11為表示具備波長可變干涉濾波器5的測色裝置400的一例的框圖。
[0233] 該測色裝置400,如圖11所示，具備：向測定對象X射出光的光源裝置410、測色傳 感器420 (光學模塊)、控制測色裝置400的整體動作的控制裝置430 (控制部)。并且，該測 色裝置400是，通過測定對象X使從光源裝置410射出的光發(fā)生反射，通過測色傳感器420 接收被反射的檢查對象光，基于從測色傳感器420輸出的檢測信號，對于檢查對象光的色 度、即測定對象X的顏色進行分析、測定的裝置。
[0234] 光源裝置410具備光源411、多個透鏡412(圖11中僅記載1個)，向測定對象X射 出例如基準光(例如，白色光)。此外，多個透鏡412中可以包含準直透鏡，這種情況下，光源 裝置410,將從光源411射出的基準光通過準直透鏡變?yōu)槠叫泄?，從未圖示的投射透鏡朝向 測定對象X射出。另外，在本實施方式中，例示了具備光源裝置410的測色裝置400,在例如 測定對象X為液晶板等的發(fā)光構件的情況下，也可以為不設置光源裝置410的構成。
[0235] 如圖11所示，該測色傳感器420具備：波長可變干涉濾波器5、接收透過波長可變 干涉濾波器5的光的檢測部11、控制向波長可變干涉濾波器5的靜電激勵器56的施加電壓 的電壓控制部15。此外，測色傳感器420,在與波長可變干涉濾波器5對置的位置，具備將 通過測定對象X反射的反射光(測定對象光）導入內部的未圖示的入射光學透鏡。然后，該 測色傳感器420,通過波長可變干涉濾波器5,將從入射光學透鏡入射的測定對象光中的規(guī) 定波長的光進行分光，由檢測部11接收分光后的光。
[0236] 控制裝置430為本發(fā)明的控制部，控制測色裝置400的整體動作。
[0237] 作為該控制裝置430能夠使用例如通用個人電腦、攜帶信息終端，此外能夠使用 測色專用計算機等。而且，如圖11所示，控制裝置430具備光源控制部431、測色傳感器控 制部432及測色處理部433等而構成。
[0238] 光源控制部431連接至光源裝置410,基于例如使用者的設定輸入，向光源裝置 410輸出規(guī)定的控制信號，使規(guī)定的亮度的白色光射出。
[0239] 測色傳感器控制部432連接至測色傳感器420,并且，基于例如使用者的設定輸 入，設定通過測色傳感器420接收的光的波長，將表示檢測該波長的光的受光量的控制信 號輸出至測色傳感器420。由此，測色傳感器420的電壓控制部15,基于控制信號，向靜電 激勵器56的施加電壓，驅動波長可變干涉濾波器5。
[0240] 測色處理部433從由檢測部11檢測出的受光量分析測定對象X的色度。此外，測 色處理部433,與上述第一及第二實施方式同樣地，將由檢測部11得到的光量作為計測光 譜D，可以通過使用推定矩陣M s推算分光光譜S，從而分析測定對象X的色度。
[0241] 此外，作為本發(fā)明的電子設備的其他例子，能夠例舉用于檢測特定物質的存在的 基于光的系統(tǒng)。作為這種系統(tǒng)，例如可以有以下系統(tǒng)：通過利用采用了本發(fā)明的波長可變干 涉濾波器5的光譜計測方式而高靈敏度地檢測特定氣體的車載用氣體泄漏檢測器、呼氣檢 查用的光聲稀有氣體檢測器等氣體檢測裝置。
[0242] 以下，基于【專利附圖】

【附圖說明】這種氣體檢測裝置的一例。
[0243] 圖12為示出具備波長可變干涉濾波器5的氣體檢測裝置的一例的概略圖。
[0244] 圖13為示出圖12的氣體檢測裝置的控制系統(tǒng)的構成的框圖。
[0245] 如圖12所示，該氣體檢測裝置100構成為具備：具備傳感器芯片110、吸引口 120A、吸引流路120B、排出流路120C和排出口 120D的流路120、以及主體部130。
[0246] 主體部130由檢測裝置、控制部138、電力供給部139等構成，檢測裝置包含：具有 可拆裝流路120的開口的傳感器部蓋131、排出單元133、殼體134、光學部135、濾波器136、 波長可變干涉濾波器5及受光元件137 (檢測部）等；控制部138,處理檢測的信號，控制檢 測部；電力供給部139供給電力。此外，光學部135通過如下部件構成：射出光的光源135A ; 將從光源135A入射的光反射至傳感器芯片110側并使從傳感器芯片側入射的光透過至受 光元件137側的分光器135B ;透鏡135C、135D、135E。
[0247] 此外，如圖13所示，操作板140、顯示部141、用于與外部的接口的連接部142、電力 供給部139設置于氣體檢測裝置100的表面。電力供給部139為二次電池的情況下，也可 以具備用于充電的連接部143。
[0248] 進一步，如圖13所示，氣體檢測裝置100的控制部138具備：由CPU等構成的信號 處理部144、用于控制光源135A的光源驅動電路145、用于控制波長可變干涉濾波器5的電 壓控制部146、用于接收來自受光元件137的信號的受光電路147、接收來自讀取傳感器芯 片110的編碼并檢測傳感器芯片110的有無的傳感器芯片檢測器148的信號的傳感器芯片 檢測電路149、以及控制排出單元133的排出驅動電路150等。此外，氣體檢測裝置100具 備存儲V-λ數(shù)據(jù)的存儲部（圖中未示出）。
[0249] 下面，對于上述的氣體檢測裝置100的動作進行說明。
[0250] 在主體部130的上部的傳感器部蓋131的內部，設置有傳感器芯片檢測器148,通 過該傳感器芯片檢測器148檢測傳感器芯片110的有無。信號處理部144,當檢測到來自傳 感器芯片檢測器148的檢測信號時，判斷為安裝有傳感器芯片110的狀態(tài)，向顯示部141發(fā) 出使其顯示表示能夠實施檢測動作的信息的顯示信號。
[0251] 然后，當通過例如使用者操作操作板140,從操作板140向信號處理部144輸出表 示開始檢測處理的指示信號時，首先，信號處理部144向光源驅動電路145輸出光源動作的 信號，使光源135Α動作。當光源135Α被驅動時，從光源135Α射出單一波長的、直線偏振光 穩(wěn)定的激光。此外，光源135Α中內置有溫度傳感器或光量傳感器，其信息向信號處理部144 輸出。于是，信號處理部144基于從光源135Α輸入的溫度或光量，判斷出光源135Α穩(wěn)定動 作時，控制排出驅動電路150,使排出單元133動作。由此，包含應檢測的標的物質(氣體分 子）的氣體試料，被從吸引口 120Α向吸引流路120Β、傳感器芯片110內、排出流路120C、排 出口 120D引導。另外，在吸引口 120Α設置有除塵過濾器120Α1，比較大的粉塵和一部分水 蒸氣等被除去。
[0252] 此外，傳感器芯片110為組裝有多個金屬納米構造體并且利用局部表面等離子體 共振的傳感器。在這種傳感器芯片110中，通過激光在金屬納米構造體間形成增強電場，當 氣體分子進入該增強電場內時，產生包含分子振動的信息的拉曼散射光及瑞利散射光。
[0253] 這些拉曼散射光和瑞利散射光，通過光學部135而入射至濾波器136,瑞利散射光 通過濾波器136而被分離，拉曼散射光入射至波長可變干涉濾波器5。然后，信號處理部 144,對于控制電壓控制部146輸出控制信號。從而，電壓控制部146,如上述第一實施方式 所示，從存儲部讀入對應于測定對象波長的電壓值，將該電壓施加于波長可變干涉濾波器5 的靜電激勵器56,使波長可變干涉濾波器5對于對應于作為檢測對象的氣體分子的拉曼散 射光進行分光。之后，由受光元件137接收分光后的光，對應于受光量的受光信號經(jīng)由受光 電路147輸出至信號處理部144。這種情況下，能夠從波長可變干涉濾波器5精度良好地提 取目的拉曼散射光。
[0254] 信號處理部144將如上方式得到的對應于作為檢查對象的氣體分子的拉曼散射 光的光譜數(shù)據(jù)與存儲于ROM的數(shù)據(jù)進行比較，判定是否為目的氣體分子，進行物質的確定。 此外，信號處理部144使顯示部141顯示該結果信息，從連接部142向外部輸出。
[0255] 另外，在上述圖12及圖13中，例示了通過波長可變干涉濾波器5將拉曼散射光進 行分光、從被分光后的拉曼散射光進行氣體檢測的氣體檢測裝置100,作為氣體檢測裝置， 也可以用作通過檢測氣體固有的吸光度而確定氣體類型的氣體檢測裝置。這種情況下，將 使氣體流入傳感器內部、并檢測入射光中被氣體吸收的光的氣體傳感器作為本發(fā)明的光學 模塊使用。并且，將通過這種氣體傳感器分析、判別流入傳感器內的氣體的氣體檢測裝置作 為本發(fā)明的電子設備。在這種構成中，也能夠使用波長可變干涉濾波器5檢測氣體的成分。
[0256] 此外，作為檢測特定物質的存在的系統(tǒng)，不限于上述的氣體的檢測，可以是例如通 過近紅外線分光的糖類的非侵襲性測定裝置、關于食物、生物體、礦物等的信息的非侵襲性 測定裝置等物質成分分析裝置。
[0257] 以下，作為上述物質成分分析裝置的一例，說明食物分析裝置。
[0258] 圖14為表示作為使用本發(fā)明的波長可變干涉濾波器5的電子設備的一例的食物 分析裝置的概略構成的圖。
[0259] 如圖14所示，該食物分析裝置200具備：檢測器210 (光學模塊)、控制部220、顯 示部230。檢測器210具備：射出光的光源211、導入來自測定對象物的光的拍攝透鏡212、 將從拍攝透鏡212導入的光分光的波長可變干涉濾波器5、檢測被分光后的光的拍攝部213 (檢測部)。
[0260] 此外，控制部220具備：實施光源211的點亮/熄滅控制、點亮時的亮度控制的光 源控制部221、控制波長可變干涉濾波器5的電壓控制部222、控制拍攝部213并取得由拍 攝部213拍攝的分光圖像的檢測控制部223、信號處理部224、存儲部225。
[0261] 該食物分析裝置200中，當驅動系統(tǒng)時，由光源控制部221控制光源211，從光源 211向測定對象物照射光。接著，由測定對象物反射的光，通過拍攝透鏡212入射至波長可 變干涉濾波器5。通過電壓控制部222的控制，波長可變干涉濾波器5通過上述第一實施方 式或第二實施方式所示的驅動方法而被驅動。由此，能夠從波長可變干涉濾波器5精度良 好地提取目的波長的光。然后，提取出的光被例如由CCD照相機等構成的拍攝部213拍攝。 此外，拍攝的光作為分光圖像，存儲于存儲部225。此外，信號處理部224控制電壓控制部 222,使施加于波長可變干涉濾波器5的電壓值發(fā)生變化，取得對于各波長的分光圖像。
[0262] 接著，信號處理部224,對存儲于存儲部225的各圖像中的各像素的數(shù)據(jù)進行運算 處理，確定各像素中的光譜。此外，存儲部225中存儲例如有關對應于光譜的食物的成分的 信息，信號處理部224基于存儲部225所存儲的有關食物的信息來分析所確定的光譜的數(shù) 據(jù)，從而確定檢測對象中包含的食物成分及其含有量。此外，從得到的食物成分及含有量， 能夠算出食物卡路里或鮮度等。進一步，通過分析圖像內的光譜分布，也能夠實施將作為檢 查對象的食物中鮮度下降的部分的抽出等，進一步，也能夠實施食物內包含的異物等的檢 測。
[0263] 然后，信號處理部224進行如下處理：使通過上述方式得到的作為檢查對象的食 物的成分或含有量、卡路里、鮮度等信息顯示于顯示部230。
[0264] 此外，在圖14中，示出食物分析裝置200的例子，通過大致相同的構成，也能夠作 為上述的其他信息的非侵襲性測定裝置使用。例如，能夠作為血液等體液成分的測定、分析 等，分析生物體成分的生物體分析裝置使用。作為這種生物體分析裝置，例如作為測定血液 等體液成分的裝置，使用檢測乙醇的裝置的話，能夠作為檢測駕駛員的飲酒狀態(tài)的防止酒 駕裝置使用。此外，也可以作為具備這種生物體分析裝置的電子內視鏡系統(tǒng)使用。
[0265] 進一步，也能夠作為實施礦物的成分分析的礦物分析裝置使用。
[0266] 進一步，作為本發(fā)明的波長可變干涉濾波器、光學模塊，電子設備，能夠適用于以 下的裝置。
[0267] 例如，通過使各波長的光的強度發(fā)生隨時間的變化，能夠以各波長的光傳輸數(shù)據(jù)。 這種情況下，通過設置于光學模塊的波長可變干涉濾波器5,對特定波長的光進行分光，由 受光部接收，從而能夠抽出由特定波長的光傳輸?shù)臄?shù)據(jù)，利用具備這種數(shù)據(jù)抽出用光學模 塊的電子設備，通過處理各波長的光的數(shù)據(jù)，能夠實施光通信。
[0268] 此外，作為電子設備，通過本發(fā)明的波長可變干涉濾波器對光進行分光，也能夠適 用于拍攝分光圖像的光譜照相機、光譜分析機等。作為這種光譜照相機的一例，可以是例如 內置有波長可變干涉濾波器5的紅外線照相機。
[0269] 圖15為表示光譜照相機的概略構成的示意圖。如圖15所示，光譜照相機300具 備照相機主體310、拍攝透鏡單元320、拍攝部330 (檢測部)。
[0270] 照相機主體310為由使用者把持、操作的部分。
[0271] 拍攝透鏡單元320設置于照相機主體310中，將入射的圖像光導光至拍攝部330。 此外，該拍攝透鏡單元320,如圖15所示，具備對物透鏡321、成像透鏡322及設置于這些透 鏡之間的波長可變干涉濾波器5而構成。
[0272] 拍攝部330由受光元件構成，對由拍攝透鏡單元320導光的圖像光進行拍攝。
[0273] 在這種光譜照相機300中，通過波長可變干涉濾波器5使成為拍攝對象的波長的 光透過，從而能夠拍攝期望波長的光的分光圖像。
[0274] 進一步，也可以將本發(fā)明的波長可變干涉濾波器作為帶通濾波器使用，例如，能夠 作為光學式激光裝置使用，上述光學式激光裝置，通過波長可變干涉濾波器5,從發(fā)光元件 射出的規(guī)定波長域的光中，僅對以規(guī)定的波長為中心的窄帶域的光進行分光而使其透過。
[0275] 此外，也可以將本發(fā)明的波長可變干涉濾波器作為生物體認證裝置使用，例如，能 夠適用于使用近紅外區(qū)域、可視區(qū)域的光的、血管或指紋、網(wǎng)膜、虹膜等的認證裝置。
[0276] 進一步，能夠將光學模塊及電子設備作為濃度檢測裝置使用。這種情況下，通過波 長可變干涉濾波器5,對從物質射出的紅外能量(紅外光)進行分光后分析，測定樣品中的被 檢測體濃度。
[0277] 如上所述，本發(fā)明的波長可變干涉濾波器、光學模塊及電子設備，能夠適用于從入 射光分光預定光的任何裝置。并且，由于本發(fā)明的波長可變干涉濾波器，如上所述，能夠通 過1個儀器使多個波長分光，因此，能夠精度良好地實施對于多個波長的光譜的測定、對于 多個成分的檢測。從而，與通過多個儀器提取希望波長的現(xiàn)有裝置相比，能夠促進光學模塊 和電子設備的小型化，例如適于作為攜帶用或車載用的光學設備使用。
[0278] 此外，本發(fā)明實施時的具體構造，在能夠達成本發(fā)明目的的范圍內，可以通過適當 組合上述各實施方式及變形例而構成，并且也可以適當?shù)刈兏鼮槠渌麡嬙斓取?br> 【權利要求】
1. 一種干涉濾波器，其特征在于，具備： 基板； 第一反射膜，設置在所述基板上； 第二反射膜，與所述第一反射膜對置；以及 第一電極，設置于所述第一反射膜的周圍，并且具備光吸收層和金屬層， 其中，所述光吸收層比所述金屬層設置在距離所述基板更近的位置。
2. 根據(jù)權利要求1所述的干涉濾波器，其特征在于，所述第一電極的內周緣的至少一 部分與所述第一反射膜接觸。
3. 根據(jù)權利要求1所述的干涉濾波器，其特征在于，所述第一電極以框狀包圍所述第 一反射膜。
4. 根據(jù)權利要求1所述的干涉濾波器，其特征在于，具備： 可動部，設置有所述第二反射膜，并且被設置為能夠在所述第二反射膜的厚度方向上 位移， 其中，從所述厚度方向觀察時，所述第一反射膜和所述第一電極的外周緣的最小距離 大于所述第一反射膜和所述可動部的外周緣的最小距離。
5. 根據(jù)權利要求1所述的干涉濾波器，其特征在于，具備： 應力緩和膜，與所述第一電極對置地設置在所述基板的設置有所述第一電極的面的相 反面上， 其中，所述應力緩和膜具備兩個光吸收層和設置于所述兩個光吸收層之間的金屬層。
6. 根據(jù)權利要求1所述的干涉濾波器，其特征在于， 所述第一反射膜具有導電性，并且 所述第一電極與所述第一反射膜導通。
7. 根據(jù)權利要求6所述的干涉濾波器，其特征在于， 所述第二反射膜具有導電性，并且 所述干涉濾波器具備連接至所述第二反射膜的鏡電極。
8. 根據(jù)權利要求4所述的干涉濾波器，其特征在于，具備： 第二電極，設置在所述可動部上，并且與所述第一電極的至少一部分對置。
9. 根據(jù)權利要求8所述的干涉濾波器，其特征在于， 所述第二電極具備電獨立的多個部分電極，并且 所述第一電極為所述多個部分電極的公用電極。
10. 根據(jù)權利要求1所述的干涉濾波器，其特征在于， 所述基板通過玻璃材料形成， 所述光吸收層通過TiW、TiN、NiCr、Ti02、A1203、MgF 2、Nd203及Ta205中的至少一種形成 于所述基板上，并且 所述金屬層形成于所述光吸收層上。
11. 根據(jù)權利要求1至10中任一項所述的干涉濾波器，其特征在于， 所述金屬層通過Au、Al、Ti、Ag、W、Nb、Ta、Mo、Cu、Ni、Co、Zn、Fe及Pt中的至少一種形 成。
12. -種干涉濾波器，其特征在于，具備： 第一反射膜； 第二反射膜，與所述第一反射膜對置；以及 第一電極，設置于所述第一反射膜的周圍，并且具備光吸收層和金屬層， 其中，所述光吸收層在從所述第一反射膜朝向所述第二反射膜的方向上比所述金屬層 設置在距離所述第二反射膜更遠的位置。
13. -種光學濾波器裝置，其特征在于，具備： 干涉濾波器，具備：基板；設置在所述基板上的第一反射膜；與所述第一反射膜對置的 第二反射膜；以及設置于所述第一反射膜的周圍并且具備光吸收層和金屬層的第一電極； 以及 殼體，收納所述干涉濾波器， 其中，所述光吸收層比所述金屬層設置在距離所述基板更近的位置。
14. 一種光學模塊，其特征在于，具備： 基板； 第一反射膜，設置在所述基板上； 第二反射膜，與所述第一反射膜對置； 第一電極，設置于所述第一反射膜的周圍，并且具備光吸收層和金屬層；以及 檢測部，檢測通過所述第一反射膜和所述第二反射膜提取的光， 其中，所述光吸收層比所述金屬層設置在距離所述基板更近的位置。
15. -種電子設備，其特征在于，具備： 干涉濾波器，具備：基板；設置在所述基板上的第一反射膜；與所述第一反射膜對置的 第二反射膜；以及設置于所述第一反射膜的周圍并且具備光吸收層和金屬層的第一電極； 以及 控制部，控制所述干涉濾波器， 其中，所述光吸收層比所述金屬層設置在距離所述基板更近的位置。
【文檔編號】G02B5/28GK104062700SQ201410097629
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年3月14日 優(yōu)先權日:2013年3月18日
【發(fā)明者】佐野朗 申請人:精工愛普生株式會社