機(jī)電系統(tǒng)裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供用于EMS裝置的系統(tǒng)、方法和設(shè)備。在一個方面中，EMS裝置包含顯示元件陣列及多個驅(qū)動器線，其中所述多個驅(qū)動器線的至少一部分布設(shè)在所述陣列上方或下方在一或多個驅(qū)動器電路與所述陣列之間。在一些實施方案中，所述多個驅(qū)動器線的至少一部分安置于所述陣列的非作用區(qū)域上方。在一個方面中，EMS裝置可形成所述多個驅(qū)動器線中的至少一者的一部分。在一些實施方案中，所述陣列的可移動層可安置于顯示器的所述多個驅(qū)動器線的至少一部分與固定電極之間。
【專利說明】機(jī)電系統(tǒng)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及機(jī)電系統(tǒng)中的驅(qū)動器線的布設(shè)。

【背景技術(shù)】
[0002] 機(jī)電系統(tǒng)（EMS)包含具有電氣和機(jī)械元件、激活器、換能器、傳感器、光學(xué)組件（包 含鏡）和電子器件的裝置。EMS可在多種尺度下制造，包含（但不限于）微尺度和納米尺 度。舉例來說，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS)裝置可包含具有范圍從約一微米到數(shù)百微米或更大的大 小的結(jié)構(gòu)。納米機(jī)電系統(tǒng)（NEMS)裝置可包含具有小于一微米的大小的結(jié)構(gòu)，包含（例如） 小于數(shù)百納米的大小?？墒褂贸练e、蝕刻、光刻和/或其它蝕刻掉襯底和/或已沉積材料層 的部分或者添加層以形成電裝置和機(jī)電裝置的微加工工藝來產(chǎn)生機(jī)電元件。
[0003] -種類型的EMS裝置被稱為干涉式調(diào)制器（MOD)。如本文中所使用，術(shù)語MOD或 干涉式光調(diào)制器是指使用光學(xué)干涉的原理來選擇性地吸收和/或反射光的裝置。在一些實 施方案中，IM0D可包含一對導(dǎo)電板，所述對導(dǎo)電板中的一者或兩者可為整體或部分透明和 /或反射性的，且能夠在施加適當(dāng)電信號時相對運動。在一實施方案中，一個板可包含沉積 于襯底上的靜止層，且另一板可包含通過氣隙與所述靜止層分開的反射膜。一個板相對于 另一板的位置可改變?nèi)肷溆贛OD上的光的光學(xué)干涉。頂0D裝置具有廣泛范圍的應(yīng)用，且預(yù) 期用于改善現(xiàn)有產(chǎn)品且創(chuàng)造新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的產(chǎn)品。
[0004] 在一些實施方案中，EMS裝置可包含可從一或多個驅(qū)動器電路接收電信號的MOD 陣列。所述一或多個驅(qū)動器電路可通過在所述陣列與一或多個驅(qū)動器電路之間布設(shè)的多個 驅(qū)動器線而電耦合到所述陣列。驅(qū)動器線的布設(shè)可需要大于所述陣列的作用區(qū)域的幾何區(qū) 域或占地面積。因此，在一些實施方案中，所述陣列的作用區(qū)域可受到驅(qū)動器線布設(shè)的限 制。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的系統(tǒng)、方法和裝置各自具有若干創(chuàng)新方面，其中沒有單個一者單獨地負(fù) 責(zé)本文中所揭示的所需屬性。
[0006] 本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的一個創(chuàng)新方面可在包含界定陣列占地面積的顯示元 件陣列的設(shè)備中實施。所述顯示元件陣列包含在第一方向上延伸的多個可移動層、在第二 方向上延伸的多個固定電極、多個電連接墊，及多個驅(qū)動器線。所述多個可移動層及固定電 極形成多個顯示元件的一部分。每一連接墊安置于可移動層的末端處。每一驅(qū)動器線具有 連接到連接墊的第一末端及可連接到驅(qū)動器電路的第二末端。在所述陣列的占地面積內(nèi)在 所述陣列上方或下方布設(shè)多個驅(qū)動器線的至少一部分。
[0007] 在一個方面中，多個驅(qū)動器線的至少一部分可安置于所述陣列的非作用區(qū)域上 方，且固定電極可安置于可移動層與安置于所述陣列的非作用區(qū)域上的多個驅(qū)動器線的所 述部分之間。在一個方面中，多個驅(qū)動器線的至少一部分可安置于所述陣列的作用區(qū)域上。 所述設(shè)備可包含導(dǎo)電光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)，其安置于所述陣列上且在至少一些所述顯示元件之間 延伸以掩蓋顯示器的非作用區(qū)域。所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)可形成多個驅(qū)動器線中的至少一者的 一部分。在一個方面中，多個可移動層可安置于多個固定電極與多個驅(qū)動器線的至少一部 分之間。在一個方面中，所述設(shè)備可包含至少一個鈍化層，且多個驅(qū)動器線的至少一部分可 安置于所述至少一個鈍化層上。在一個方面中，顯示元件可為干涉式調(diào)制器（MOD)。
[0008] 本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新方面可在包含界定陣列占地面積的顯示元 件陣列的設(shè)備中實施。所述顯示元件陣列包含在第一方向上延伸的多個可移動層、在第二 方向上延伸的多個固定電極、多個電連接墊，及用于將所述多個可移動層中的每一者電連 接到驅(qū)動器電路的裝置。每一連接墊安置于可移動層的末端處。電連接裝置電連接到連接 墊且可連接到驅(qū)動器電路。在所述陣列的占地面積內(nèi)在所述陣列上方或下方將電連接裝置 的至少一部分從所述驅(qū)動器電路布設(shè)到所述連接墊。在一個方面中，所述電連接裝置可包 含多個驅(qū)動器線，每一驅(qū)動器線具有連接到連接墊的第一末端及可連接到驅(qū)動器電路的第 二末端。
[0009] 本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新方面可在包含形成界定陣列占地面積的顯 示元件陣列的制造設(shè)備的方法中實施。形成所述顯示元件陣列包含：形成在第一方向上延 伸的多個可移動層及在第二方向上延伸的多個固定電極；在每一可移動層的末端處形成電 連接墊；及形成多個驅(qū)動器線，每一驅(qū)動器線具有連接到連接墊的第一末端及可連接到驅(qū) 動器電路的第二末端。所述多個驅(qū)動器線的至少一部分在所述陣列的占地面積內(nèi)在所述陣 列上方或下方從所述驅(qū)動器電路通過到達(dá)所述連接墊。
[0010] 在一個方面中，多個驅(qū)動器線的至少一部分可形成于所述陣列的非作用區(qū)域上 方，且固定電極可安置于可移動層與安置于所述陣列的非作用區(qū)域上的多個驅(qū)動器線的所 述部分之間。所述方法可包含形成導(dǎo)電光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)，其位于所述陣列上且在至少一些所 述顯示元件之間延伸以掩蓋顯示器的非作用區(qū)域。形成所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)可包含形成多個 驅(qū)動器線中的至少一者的一部分。在一個方面中，多個可移動層可形成于固定電極與多個 驅(qū)動器線的至少一部分之間。在一個方面中，形成多個可移動層及多個固定電極可包含形 成多個干涉式調(diào)制器（MOD)顯示元件。
[0011] 在附圖和以下描述中陳述了本說明書中所描述的標(biāo)的物的一或多個實施方案的 細(xì)節(jié)。雖然本發(fā)明中提供的實例主要是在基于機(jī)電系統(tǒng)（EMS)和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS)的顯 示器方面進(jìn)行描述，但本文中所提供的概念可應(yīng)用于其它類型的顯示器，例如液晶顯示器、 有機(jī)發(fā)光二極管（"0LED"）顯示器和場發(fā)射顯示器。其它特征、方面及優(yōu)勢將從描述、附圖 以及權(quán)利要求書變得顯而易見。應(yīng)注意，下圖的相對尺寸可能未按比例繪制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 圖1展示描繪IM0D顯示裝置的一系列像素中的兩個鄰近像素的等距視圖的實例。
[0013] 圖2展示說明并入有3X3 IM0D顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實例。
[0014] 圖3展示說明針對圖1的IM0D的可移動反射層位置對所施加的電壓的圖的實例。
[0015] 圖4展示說明在施加各種共同和片段電壓時IM0D的各種狀態(tài)的表的實例。
[0016] 圖5A展示說明圖2的3X3 IM0D顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的實例。
[0017] 圖5B展示可用于寫入圖5A中所說明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共同和片段信號的時序圖 的實例。
[0018] 圖6A展示圖1的MOD顯示器的部分橫截面的實例。
[0019] 圖6B到6E展示MOD的不同實施方案的橫截面的實例。
[0020] 圖7展示說明IMOD的制造工藝的流程圖的實例。
[0021] 圖8A到8E展示制作IMOD的方法中的各個階段的橫截面示意性說明的實例。
[0022] 圖9展示EMS裝置的俯視平面圖的實例，所述EMS裝置包含顯示元件陣列、驅(qū)動器 電路及沿著陣列在陣列與驅(qū)動器電路之間布設(shè)的多個驅(qū)動器線。
[0023] 圖10A展示EMS裝置的仰視平面圖的實例，所述EMS裝置包含圖9的顯示元件陣 列、驅(qū)動器電路及至少部分在陣列下方及在陣列與驅(qū)動器電路之間布設(shè)的多個驅(qū)動器線。
[0024] 圖10B展示EMS裝置的仰視平面圖的實例，所述EMS裝置包含圖9的顯示元件陣 列、第一驅(qū)動器電路、第二驅(qū)動器電路及至少部分在陣列下方及在陣列與第二驅(qū)動器電路 之間布設(shè)的多個驅(qū)動器線。
[0025] 圖10C展示另一 EMS裝置的仰視平面圖的實例，所述EMS裝置包含圖9的顯示元 件陣列、第一驅(qū)動器電路、第二驅(qū)動器電路及至少部分在陣列下方及在陣列與第一驅(qū)動器 電路和第二驅(qū)動器電路中的一者之間布設(shè)的多個驅(qū)動器線。
[0026] 圖11A到11H展示制造 EMS裝置的實例過程的橫截面圖，所述EMS裝置具有至少 部分在顯示元件陣列下方布設(shè)的多個驅(qū)動器線。
[0027] 圖12A展示EMS裝置的部分俯視平面圖的實例，所述EMS裝置包含顯示元件陣列、 驅(qū)動器電路及至少部分在所述陣列上方通過導(dǎo)電光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)而布設(shè)的多個驅(qū)動器線。
[0028] 圖12B展示沿著線12B-12B取得的圖12A的EMS裝置的橫截面圖的實例。
[0029] 圖13展示說明制造設(shè)備的實例方法的流程圖。
[0030] 圖14A和14B展示說明包含多個MOD的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實例。
[0031] 各種圖式中的相同參考數(shù)字和標(biāo)示指示相同元件。

【具體實施方式】
[0032] 以下描述針對于用于描述本發(fā)明的創(chuàng)新方面的目的的一些實施方案。然而，所屬 領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易認(rèn)識到，可以多種不同方式應(yīng)用本文中的教示?？稍诳山?jīng)配置以顯 示圖像（無論是運動圖像（例如，視頻）還是靜止圖像（例如，靜態(tài)圖像），且無論是文本、圖 形還是圖畫圖像）的任何裝置或系統(tǒng)中實施所描述的實施方案。更特定來說，預(yù)期所描述 的實施方案可包含于多種電子裝置中或與所述電子裝置相關(guān)聯(lián)，所述電子裝置例如為（但 不限于）：移動電話、具備多媒體因特網(wǎng)功能的蜂窩式電話、移動電視接收器、無線裝置，智 能電話、Bluetooth?裝置、個人數(shù)據(jù)助理（PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或便攜式計 算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、智能本、平板計算機(jī)、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃描儀、傳真機(jī)裝置、GPS接收 器/導(dǎo)航器、相機(jī)、MP3播放器、攝像機(jī)、游戲裝置、腕表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯 示器、電子閱讀裝置（即，電子閱讀器）、計算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器（包含里程表和速度計 顯示器等等）、駕駛艙控制和/或顯示器、相機(jī)取景顯示器（例如車輛中的后視相機(jī)的顯示 器）、電子照片、電子廣告牌或標(biāo)志、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體聲系統(tǒng)、磁帶錄音 機(jī)，或者播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音機(jī)、便攜式存儲器芯片、洗衣機(jī)、烘干機(jī)、 洗衣機(jī)/烘干機(jī)、停車計時器、包裝（例如在機(jī)電系統(tǒng)（EMS)、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS)和非MEMS 應(yīng)用中）、美學(xué)結(jié)構(gòu)（例如，一件首飾上的圖像的顯示）和各種各樣的EMS裝置。本文中的 教示還可用于非顯示器應(yīng)用中，例如（但不限于）電子開關(guān)裝置、射頻濾波器、傳感器、加速 度計、陀螺儀、動作感測裝置磁力計、用于消費型電子器件的慣性組件、消費型電子產(chǎn)品的 零件、可變電抗器、液晶裝置、電泳裝置、驅(qū)動方案、制造工藝和電子測試設(shè)備。因此，所述教 示無意受限于僅圖中所描繪的實施方案，而是具有如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易明白的較 廣適用性。
[0033] 在一些實施方案中，可在通過布置在線段（例如，行）中的多個可移動層且通過布 置在線片段（例如，列）中的與所述可移動層重疊的多個固定電極形成的陣列中配置多個 顯示元件。所得的陣列可形成光學(xué)顯示器。在此些實施方案中，可通過電耦合到可移動層 線段和固定電極線段的一或多個驅(qū)動器電路在至少經(jīng)松弛狀態(tài)與經(jīng)激活狀態(tài)之間驅(qū)動每 一顯示元件。以此方式，可在單個顯示元件的可移動層與固定電極之間施加電壓來選擇性 地驅(qū)動可移動層。為了將一或多個驅(qū)動器電路與可移動層和固定電極電耦合，可在每一可 移動層線段與驅(qū)動器電路之間以及在每一固定電極線段與驅(qū)動器電路之間布設(shè)多個驅(qū)動 器線。在一些實施方案中，可移動層和固定電極可電耦合到單個驅(qū)動器電路。在一些其它 實施方案中，EMS裝置可包含電耦合到可移動層線段中的每一者的第一驅(qū)動器電路及電耦 合到固定電極線段中的每一者的第二驅(qū)動器電路。
[0034] 在現(xiàn)有的EMS裝置中，通常在顯示元件陣列的側(cè)上布設(shè)驅(qū)動器線，從而產(chǎn)生圍繞 所述陣列的占地面積的"布設(shè)邊界"。換句話說，通常不是在陣列上方或下方布設(shè)而是沿著 陣列布設(shè)驅(qū)動器線以將一或多個驅(qū)動器與陣列的側(cè)電耦合。如本文中所使用，陣列的占地 面積是指由陣列的顯示元件形成的陣列的區(qū)域。舉例來說，陣列的占地面積可為由陣列的 顯示元件形成的陣列的外邊界。此布設(shè)邊界的面積或?qū)挾瓤呻S著顯示器的大小而增加，因 為隨著可移動層的線段和/或固定電極的線段的數(shù)目增加，會需要更多的布設(shè)線。在一些 實施方案中，使EMS裝置的布設(shè)邊界的大小最小化可為有用的，使得可在給定區(qū)域或占地 面積內(nèi)使顯示器區(qū)域最大化。在本文中所揭示的一些實施方案中，至少部分在顯示元件陣 列上方或下方布設(shè)驅(qū)動器線以減小顯示器的側(cè)上的布設(shè)邊界的大小。也就是說，在一些實 施方案中，在陣列的至少一些顯示元件上方或下方布設(shè)驅(qū)動器線，這與專門沿著顯示器的 橫向側(cè)布設(shè)形成對比。以此方式，較大的陣列可配合在給定區(qū)域或占地面積內(nèi)，因為相關(guān)聯(lián) 的布設(shè)邊界需要較少的空間。
[0035] 本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的特定實施方案可經(jīng)實施以實現(xiàn)以下潛在優(yōu)點中的一 或多者。舉例來說，包含至少部分在陣列內(nèi)布設(shè)的驅(qū)動器線的EMS裝置可減小與所述陣列 相關(guān)聯(lián)的任何布設(shè)邊界的寬度。減小與顯示元件陣列相關(guān)聯(lián)的布設(shè)邊界的寬度允許將較大 的陣列定位在給定占地面積或區(qū)域內(nèi)。另外，減小與顯示元件陣列相關(guān)聯(lián)的布設(shè)邊界的寬 度允許將給定陣列放置在比通過完全在所述陣列外側(cè)布設(shè)的驅(qū)動器線而電耦合到驅(qū)動器 電路的類似大小的陣列小的外殼內(nèi)。減小顯示器外殼的大小還可導(dǎo)致用于生產(chǎn)EMS裝置的 較低材料成本，且可對用戶更具美觀（例如，導(dǎo)致圍繞顯示器的較纖細(xì)的外殼邊界和/或飾 邊）。減小與顯示元件陣列相關(guān)聯(lián)的布設(shè)邊界的寬度還可實現(xiàn)更緊湊和/或更纖細(xì)的顯示 器設(shè)計。此類設(shè)計可在給定大小的襯底上生產(chǎn)更多的EMS顯示裝置，從而減小所述裝置的 成本。此外，此類設(shè)計可產(chǎn)生具有與顯示器市場中的其它現(xiàn)有產(chǎn)品相容的形態(tài)因數(shù)的EMS 顯示裝置。
[0036] 可應(yīng)用所描述的實施方案的合適的EMS或MEMS裝置的實例是反射式顯示裝置。反 射式顯示裝置可并入MOD以使用光學(xué)干涉的原理選擇性地吸收和/或反射入射于其上的 光。IMOD可包含吸收器、可相對于吸收器移動的反射器，及在吸收器與反射器之間界定的光 學(xué)諧振腔。所述反射器可移動到兩個或更多不同位置，其可改變光學(xué)諧振腔的大小，且進(jìn)而 影響IM0D的反射性。IM0D的反射光譜可產(chǎn)生相當(dāng)廣的光譜帶，所述光譜帶可跨可見波長移 位以產(chǎn)生不同的色彩?？赏ㄟ^改變光學(xué)諧振腔的厚度，即，通過改變反射器的位置，來調(diào)整 光譜帶的位置。
[0037] 圖1展示描繪IM0D顯示裝置的一系列像素中的兩個鄰近像素的等距視圖的實例。 所述IM0D顯示裝置包含一或多個干涉式MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的 像素可處于明亮狀態(tài)或黑暗狀態(tài)。在明亮（"經(jīng)松弛"、"打開"或"接通"）狀態(tài)下，所述顯 示元件將較大部分的入射可見光反射到（例如）用戶。相反，在黑暗（"經(jīng)激活"、"關(guān)閉"或 "斷開"）狀態(tài)下，所述顯示元件反射極少的入射可見光。在一些實施方案中，可顛倒接通和 斷開狀態(tài)的光反射特性。MEMS像素可經(jīng)配置以主要反射特定波長，從而允許除了黑白以外 的彩色顯示。
[0038] MOD顯示裝置可包含IM0D的行/列陣列。每一 IM0D可包含一對反射層，即可移 動反射層和固定部分反射層，其定位在彼此相距可變且可控的距離處以形成氣隙（還被稱 作光學(xué)間隙或腔）。所述可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。在第一位置（即，經(jīng) 松弛位置）中，可移動反射層可定位在距固定部分反射層相對較大的距離處。在第二位置 (即，經(jīng)激活位置）中，可移動反射層可定位成更靠近所述部分反射層。視可移動反射層的 位置而定，從所述兩個層反射的入射光相長地或相消地進(jìn)行干涉，從而為每一像素產(chǎn)生全 反射狀態(tài)或非反射狀態(tài)。在一些實施方案中，MOD在未被激活時可處于反射狀態(tài)中，從而反 射可見光譜內(nèi)的光，且在被激活時可處于黑暗狀態(tài)中，從而反射可見范圍之外的光（例如， 紅外光）。然而，在一些其它實施方案中，頂0D可在未被激活時處于黑暗狀態(tài)中，且在被激 活時處于反射狀態(tài)中。在一些實施方案中，所施加的電壓的引入可驅(qū)動像素改變狀態(tài)。在 一些其它實施方案中，所施加的電荷可驅(qū)動像素改變狀態(tài)。
[0039] 圖1中的像素陣列的所描繪部分包含兩個鄰近MOD 12。在左邊上的頂0D 12 (如 所說明）中，說明可移動反射層14處于距包含部分反射層的光學(xué)堆疊16預(yù)定距離處的經(jīng) 松弛位置中?？缱筮吷系腗OD 12而施加的電壓％不足以致使激活可移動反射層14。在 右邊上的MOD 12中，說明可移動反射層14處于光學(xué)堆疊16附近或鄰近處的經(jīng)激活位置 中?？缬疫吷系腗OD 12而施加的電壓Vbias足以將可移動反射層14維持在經(jīng)激活位置中。
[0040] 在圖1中，一股用指示入射在像素12上的光13及從左邊上的像素12反射的光 15的箭頭說明像素12的反射性質(zhì)。雖然未詳細(xì)說明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，入射 在像素12上的光13的大多數(shù)將朝向光學(xué)堆疊16透射穿過透明襯底20。入射在光學(xué)堆疊 16上的光的一部分將透射穿過光學(xué)堆疊16的部分反射層，且一部分將反射回穿過透明襯 底20。透射穿過光學(xué)堆疊16的光13的部分將在可移動反射層14處朝向（及穿過）透射 襯底20反射回。從光學(xué)堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之 間的干涉（相長或相消）將確定從像素12反射的光15的（若干）波長。
[0041] 光學(xué)堆疊16可包含單一層或若干層。所述層可包含電極層、部分反射和部分透射 層及透明電介質(zhì)層中的一或多者。在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16具導(dǎo)電性、部分透明性 及部分反射性，且可（例如）通過將上述層中的一或多者沉積到透明襯底20上而制造。所 述電極層可由多種材料（例如各種金屬，例如氧化銦錫ατο))形成。所述部分反射層可由 具部分反射性的多種材料（例如各種金屬（例如鉻（Cr))、半導(dǎo)體及電介質(zhì)）形成。部分反 射層可由一或多個材料層形成，且所述層的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一 些實施方案中，光學(xué)堆疊16可包含充當(dāng)光學(xué)吸收器與導(dǎo)體兩者的單一半透明厚度的金屬 或半導(dǎo)體，而（例如，光學(xué)堆疊16或IM0D的其它結(jié)構(gòu)的）不同的更多導(dǎo)電層或部分可用來 匯流IM0D像素之間的信號。光學(xué)堆疊16還可包含覆蓋一或多個導(dǎo)電層或?qū)щ?吸收層的 一或多個絕緣或電介質(zhì)層。
[0042] 在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16的（若干）層可被圖案化成平行條帶且可形成顯 示裝置中的行電極，如下文進(jìn)一步描述。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，術(shù)語"圖案化"在 本文中用以指代掩蓋以及蝕刻工藝。在一些實施方案中，高導(dǎo)電及反射材料（例如鋁（A1)) 可用于可移動反射層14,且這些條帶可形成顯示裝置中的列電極。可移動反射層14可形成 為經(jīng)沉積金屬層的一系列平行條帶（正交于光學(xué)堆疊16的行電極）以形成沉積在柱18頂 部上的列及沉積于柱18之間的介入犧牲材料。當(dāng)所述犧牲材料被蝕刻掉時，所界定的間隙 19或光學(xué)腔可形成于可移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間。在一些實施方案中，柱18之間 的間隔可為約lum到lOOOum，而間隙19可小于10, 000埃(λ)。
[0043] 在一些實施方案中，頂0D的每一像素（無論處于經(jīng)激活還是經(jīng)松弛狀態(tài)）本質(zhì)上 為由固定及移動反射層形成的電容器。當(dāng)未施加電壓時，可移動反射層14保持處于機(jī)械松 弛狀態(tài)（如由圖1中的左邊上的像素12所說明），其中間隙19介于可移動反射層14與光 學(xué)堆疊16之間。然而，當(dāng)將電位差（例如電壓）施加到選定行及列中的至少一者時，對應(yīng)像 素處的形成在行與列電極的交叉點處的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。 如果所施加的電壓超過閾值，那么可移動反射層14可變形且在光學(xué)堆疊16附近移動或抵 著光學(xué)堆疊16移動。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層（未圖示）可防止短路并控制層14與16 之間的分離距離，如圖1中右邊上的經(jīng)激活的像素12所說明。不管所施加的電位差的極性 如何，表現(xiàn)均相同。雖然陣列中的一系列像素可在一些例子中被稱為"行"或"列"，但所屬 領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于理解，將一個方向稱為"行"且將另一方向稱為"列"是任意的。應(yīng)重 申，在一些定向中，行可被視為列且列可被視為行。此外，顯示元件可均勻地布置成正交的 行及列（"陣列"）或布置成（例如）具有相對于彼此的某些位置偏移的非線性配置（"馬 賽克"）。術(shù)語"陣列"及"馬賽克"可指代任一配置。因此，雖然顯示器被稱為包含"陣列" 或"馬賽克"，但在任何情況下，元件本身無需彼此正交布置或安置成均勻分布，但可包含具 有非對稱形狀及不均勻分布元件的布置。
[0044] 圖2展示說明并入有3X3 IM0D顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實例。所述電子 裝置包含可經(jīng)配置以執(zhí)行一或多個軟件模塊的處理器21。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)外，處理器21 可經(jīng)配置以執(zhí)行一或多個軟件應(yīng)用程序，包含網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或 任何其它軟件應(yīng)用程序。
[0045] 處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22通信。陣列驅(qū)動器22可包含將信號提供 到（例如）顯示陣列或面板30的行驅(qū)動器電路24及列驅(qū)動器電路26。由圖2中的線1-1 展示圖1中所說明的MOD顯示裝置的橫截面。雖然為了清晰起見而圖2說明IM0D的3X3 陣列，但顯示陣列30可含有極大量的MOD且可使行中的MOD數(shù)目不同于列中的MOD數(shù) 目，且反之亦然。
[0046] 圖3展示說明針對圖1的MOD的可移動反射層位置對所施加的電壓的圖的實例。 對于MEMS IMOD，行/列（即，共同/片段）寫入程序可利用這些裝置的滯后性質(zhì)，如圖3 中所說明。MOD可需要（例如）約10伏電位差以致使可移動反射層或鏡從經(jīng)松弛狀態(tài)改 變到經(jīng)激活狀態(tài)。當(dāng)所述電壓從所述值減小時，可移動反射層因所述電壓回降到低于（例 如）10伏而維持其狀態(tài)，然而，可移動反射層未完全松弛，直到所述電壓下降到低于2伏為 止。因此，存在約3伏到7伏的電壓范圍（如圖3中所展示），其中存在使裝置穩(wěn)定于經(jīng)松 弛或經(jīng)激活狀態(tài)的所施加電壓窗。此窗在本文中被稱為"滯后窗"或"穩(wěn)定窗"。對于具有 圖3的滯后特性的顯示陣列30,行/列寫入程序可經(jīng)設(shè)計以每次尋址一或多個行，使得在給 定行的尋址期間，經(jīng)尋址行中的待激活的像素被暴露于約10伏的電壓差，且待松弛的像素 被暴露于接近零伏的電壓差。在尋址之后，所述像素被暴露于穩(wěn)定狀態(tài)或約5伏的偏置電 壓差以使得其保持處于先前選通狀態(tài)。在此實例中，在被尋址之后，每一像素經(jīng)歷約3伏到 7伏的"穩(wěn)定窗"內(nèi)的電位差。此滯后性質(zhì)特征使（例如）圖1中所說明的像素設(shè)計能夠在 相同的所施加電壓條件下保持穩(wěn)定于經(jīng)激活或經(jīng)松弛的預(yù)先存在狀態(tài)。由于每一頂0D像 素（無論處于經(jīng)激活狀態(tài)還是經(jīng)松弛狀態(tài)）本質(zhì)上為由固定及移動反射層形成的電容器， 所以可在滯后窗內(nèi)的穩(wěn)定電壓處保持此穩(wěn)定狀態(tài)而實質(zhì)上不消耗或損失電力。另外，如果 所施加的電壓電位保持大體上固定，那么實質(zhì)上很少或無電流流入到MOD像素中。
[0047] 在一些實施方案中，根據(jù)給定行中的像素的狀態(tài)的所要改變（如果存在），可通過 沿列電極集合施加呈"片段"電壓形式的數(shù)據(jù)信號而產(chǎn)生圖像的幀?？梢来螌ぶ逢嚵械拿?一行，使得一次一行地寫入所述幀。為將所要數(shù)據(jù)寫入到第一行中的像素，可將與所述第一 行中的像素的所要狀態(tài)對應(yīng)的片段電壓施加于列電極上，且可將呈特定"共同"電壓或信號 形式的第一行脈沖施加到第一行電極。接著，可改變片段電壓的集合以對應(yīng)于第二行中的 像素的狀態(tài)的所要變化（如果存在），且可將第二共同電壓施加到第二行電極。在一些實施 方案中，所述第一行中的像素不受沿列電極而施加的片段電壓的變化影響，且保持于第一 共同電壓行脈沖期間其被設(shè)定到的狀態(tài)?？梢赃B續(xù)方式針對整個系列的行或列重復(fù)此過程 以產(chǎn)生所述圖像幀。可通過以每秒某所要數(shù)目個幀不斷重復(fù)此過程而用新的圖像數(shù)據(jù)刷新 及/或更新所述幀。
[0048] 跨越每一像素而施加的片段與共同信號的組合（即，跨越每一像素的電位差）確 定每一像素的所得狀態(tài)。圖4展示說明在施加各種共同和片段電壓時IM0D的各種狀態(tài)的 表的實例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，可將"片段"電壓施加到列電極或行電極且 可將"共同"電壓施加到列電極或行電極中的另一者。
[0049] 如圖4(以及5B中所展示的時序圖）中所說明，當(dāng)沿共同線施加釋放電壓VCKa時， 無論沿片段線而施加的電壓（即，高片段電壓VS H及低片段電壓VSJ如何，均將使沿所述共 同線的全部頂0D元件置于經(jīng)松弛狀態(tài)（或稱為經(jīng)釋放或未激活狀態(tài)）中。特定來說，當(dāng)沿 共同線施加釋放電壓時，在沿所述像素的對應(yīng)片段線施加高片段電壓VS H與低片段電 壓￥&兩種情況時，跨越調(diào)制器的電位電壓（或稱為像素電壓）均在松弛窗（參看圖3,也 稱為釋放窗）內(nèi)。
[0050] 當(dāng)在共同線上施加保持電壓（例如高保持電壓VCmD_H或低保持電壓VC HQUU)時， MOD的狀態(tài)將保持恒定。例如，經(jīng)松弛的頂0D將保持處于經(jīng)松弛位置，且經(jīng)激活的IM0D將 保持處于經(jīng)激活位置。保持電壓可經(jīng)選擇以使得在沿對應(yīng)片段線施加高片段電壓VS H與低 片段電壓￥&兩種情況時，像素電壓將保持在穩(wěn)定窗內(nèi)。因此，片段電壓擺動（即，高片段 電壓vsH與低片段電壓VS^之間的差）小于正或負(fù)穩(wěn)定窗的寬度。
[0051 ] 當(dāng)在共同線上施加尋址或激活電壓（例如高尋址電壓VC_ H或低尋址電壓VCADD D 時，可通過沿相應(yīng)片段線施加片段電壓而沿所述線將數(shù)據(jù)選擇性地寫入到調(diào)制器。所述片 段電壓可經(jīng)選擇以使得激活取決于所施加的片段電壓。當(dāng)沿共同線施加尋址電壓時，片段 電壓的施加將產(chǎn)生穩(wěn)定窗內(nèi)的像素電壓以導(dǎo)致像素保持未被激活。相比之下，另一片段電 壓的施加將產(chǎn)生超出所述穩(wěn)定窗的像素電壓以導(dǎo)致像素的激活。導(dǎo)致激活的特定片段電壓 可取決于所使用的尋址電壓而變化。在一些實施方案中，當(dāng)沿共同線施加高尋址電壓VC ADD H時，高片段電壓VSH的施加可導(dǎo)致調(diào)制器保持處于其當(dāng)前位置，而低片段電壓V&的施加可 導(dǎo)致所述調(diào)制器的激活。作為推論，當(dāng)施加低尋址電壓^時，片段電壓的效應(yīng)可相反，其 中高片段電壓vs H導(dǎo)致所述調(diào)制器的激活且低片段電不影響所述調(diào)制器的狀態(tài)（即， 保持穩(wěn)定）。
[0052] 在一些實施方案中，可使用始終產(chǎn)生跨越調(diào)制器的相同極性電位差的保持電壓、 尋址電壓及片段電壓。在一些其它實施方案中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交替的信 號。跨越調(diào)制器的極性的交替（即，寫入程序的極性的交替）可減少或抑制可發(fā)生在單一 極性的重復(fù)寫入操作之后的電荷積累。
[0053] 圖5A展示說明圖2的3X3 MOD顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的實例。圖5B展 示可用于寫入圖5A中所說明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共同和片段信號的時序圖的實例。所述信 號可施加到（例如）圖2的3X3陣列，此將最終產(chǎn)生圖5A中所說明的線時間60e顯示布 置。圖5A中的經(jīng)激活調(diào)制器處于黑暗狀態(tài)，S卩，其中反射光的實質(zhì)部分在可見光譜之外以 便向（例如）觀看者產(chǎn)生暗色外觀。在寫入圖5A中所說明的幀之前，像素可處于任何狀態(tài)， 但圖5B的時序圖中所說明的寫入程序假定：在第一線時間60a之前，每一調(diào)制器已被釋放 且駐留于未激活狀態(tài)中。
[0054] 在第一線時間60a期間：在共同線1上施加釋放電壓70 ;施加在共同線2上的電 壓開始于高保持電壓72且移動到釋放電壓70 ;且沿共同線3施加低保持電壓76。因此，沿 共同線1的調(diào)制器（共同1、片段1)、（1，2)及（1，3)在第一線時間60a的持續(xù)時間內(nèi)保持 處于經(jīng)松弛或未激活狀態(tài)，沿共同線2的調(diào)制器（2,1)、（2, 2)及（2, 3)將移動到經(jīng)松弛狀 態(tài)，且沿共同線3的調(diào)制器（3,1)、（3, 2)及（3, 3)將保持處于其先前狀態(tài)。參考圖4,當(dāng)共 同線1、2或3均未暴露于在線時間60a期間導(dǎo)致激活的電壓電平（即，VCKa-松弛及VC mD ^穩(wěn)定）時，沿片段線1、2及3而施加的片段電壓將不影響IM0D的狀態(tài)。
[0055] 在第二線時間60b期間，共同線1上的電壓移動到高保持電壓72,且因為共同線 1上未施加尋址或激活電壓，所以無論所施加的片段電壓如何，沿共同線1的全部調(diào)制器均 保持處于經(jīng)松弛狀態(tài)。沿共同線2的調(diào)制器因施加釋放電壓70而保持于經(jīng)松弛狀態(tài)，且當(dāng) 沿共同線3的電壓移動到釋放電壓70時，沿共同線3的調(diào)制器（3,1)、（3,2)及（3,3)將松 弛。
[0056] 在第三線時間60c期間，通過在共同線1上施加高尋址電壓74而尋址共同線1。 因為在此尋址電壓的施加期間沿片段線1及2施加低片段電壓64,所以跨越調(diào)制器（1，1) 及（1，2)的像素電壓大于所述調(diào)制器的正穩(wěn)定窗的高端（S卩，電壓微分超過預(yù)定義閾值） 且調(diào)制器（1，1)及（1，2)被激活。相反，因為沿片段線3施加高片段電壓62,所以跨越調(diào)制 器（1，3)的像素電壓小于調(diào)制器（1，1)及（1，2)的像素電壓且保持在所述調(diào)制器的正穩(wěn)定 窗內(nèi)；調(diào)制器（1，3)因此保持松弛。同樣在線時間60c期間，沿共同線2的電壓減小到低保 持電壓76,且沿共同線3的電壓保持處于釋放電壓70以使沿共同線2及3的調(diào)制器處于經(jīng) 松弛位置。
[0057] 在第四線時間60d期間，共同線1上的電壓返回到高保持電壓72,以使沿共同線1 的調(diào)制器處于其相應(yīng)尋址狀態(tài)。共同線2上的電壓減小到低尋址電壓78。因為沿片段線 2施加高片段電壓62,所以跨越調(diào)制器（2,2)的像素電壓低于所述調(diào)制器的負(fù)穩(wěn)定窗的低 端，從而導(dǎo)致調(diào)制器（2,2)激活。相反，因為沿片段線1及3施加低片段電壓64,所以調(diào)制 器（2,1)及（2,3)保持于經(jīng)松弛位置。共同線3上的電壓增加到高保持電壓72,從而使沿 共同線3的調(diào)制器處于經(jīng)松弛狀態(tài)。
[0058] 最后，在第五線時間60e期間，共同線1上的電壓保持處于高保持電壓72且共同 線2上的電壓保持處于低保持電壓76,從而使沿共同線1及2的調(diào)制器處于其相應(yīng)尋址狀 態(tài)。共同線3上的電壓增加到高尋址電壓74以尋址沿共同線3的調(diào)制器。當(dāng)在片段線2 及3上施加低片段電壓64時，調(diào)制器（3, 2)及（3, 3)激活，同時沿片段線1而施加的高片 段電壓62導(dǎo)致調(diào)制器（3,1)保持處于經(jīng)松弛位置。因此，在第五線時間60e結(jié)束時，3X3 像素陣列處于圖5A中所展示的狀態(tài)，且無論在沿其它共同線（未展示）的調(diào)制器被尋址時 可發(fā)生的片段電壓的變化如何，只要沿共同線施加保持電壓，3X3像素陣列將保持處于所 述狀態(tài)。
[0059] 在圖5B的時序圖中，給定的寫入程序（例如線時間60a到60e)可包含使用高保 持及尋址電壓，或低保持及尋址電壓。一旦已針對給定的共同線而完成寫入程序（且共同 電壓被設(shè)定為具有與激活電壓相同的極性的保持電壓）之后，像素電壓保持在給定的穩(wěn)定 窗內(nèi)且不通過松弛窗，直到將釋放電壓施加在所述共同線上為止。此外，因為在尋址每一 調(diào)制器之前釋放所述調(diào)制器被以作為寫入程序的部分，所以調(diào)制器的激活時間（非釋放時 間）可確定所需的線時間。具體來說，在其中調(diào)制器的釋放時間大于激活時間的實施方案 中，可施加釋放電壓達(dá)長于單一線時間，如圖5B中所描繪。在一些其它實施方案中，沿共同 線或片段線而施加的電壓可變化以考慮到不同的調(diào)制器（例如不同色彩的調(diào)制器）的激活 及釋放電壓的變化。
[0060] 根據(jù)以上所闡釋原理而操作的頂0D的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛變化。例如，圖6A到6E 展示包含可移動反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的IM0D的不同實施方案的橫截面的實例。圖6A 展示圖1的IM0D顯示器的部分橫截面的實例，其中金屬材料條帶（即，可移動反射層14) 沉積于從襯底20正交延伸的支撐件18上。在圖6B中，每一 MOD的可移動反射層14大體 上呈方形或矩形形狀且在系鏈32上在隅角處或隅角附近附接到支撐件。在圖6C中，可移 動反射層14大體上呈方形或矩形形狀且從可包含柔性金屬的可變形層34懸垂下來?？勺?形層34可圍繞可移動反射層14的周邊而直接或間接地連接到襯底20。這些連接在本文 中稱為支柱。圖6C中所展示的實施方案具有由可移動反射層14的光學(xué)功能與由可變形層 34實施的其機(jī)械功能的解耦得到的額外益處。此解耦允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計及材 料與用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計及材料獨立于彼此而優(yōu)化。
[0061] 圖6D展不IM0D的另一實例，其中可移動反射層14包含反射子層14a。可移動反 射層14擱置于支撐結(jié)構(gòu)（例如支撐柱18)上。支撐柱18使可移動反射層14與下部固定 電極（即，所說明IMOD中的光學(xué)堆疊16的部分）分離，使得（例如）在可移動反射層14 處于經(jīng)松弛位置時，使間隙19形成于可移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間。可移動反射 層14還可包含可經(jīng)配置以充當(dāng)電極的導(dǎo)電層14c，及支撐層14b。在此實例中，導(dǎo)電層14c 安置于支撐層14b的一個側(cè)上（在襯底20的遠(yuǎn)端處），且反射子層14a安置于支撐層14b 的另一側(cè)上（在襯底20的近端處）。在一些實施方案中，反射子層14a可具導(dǎo)電性且可安 置于支撐層14b與光學(xué)堆疊16之間。支撐層14b可包含一或多層電介質(zhì)材料（例如氮氧 化硅（SiON)或二氧化硅（Si0 2))。在一些實施方案中，支撐層14b可為層堆疊，例如Si02/ Si0N/Si02H層堆疊。反射子層14a及導(dǎo)電層14c中的任一者或兩者可包含（例如）具有 約0.5%的銅（Cu)的鋁（A1)合金或另一反射金屬材料。在電介質(zhì)支撐層14b上方及下方 采用導(dǎo)電層14a和14c可平衡應(yīng)力且提供增強(qiáng)的導(dǎo)電性。在一些實施方案中，反射子層14a 及導(dǎo)電層14c可由用于多種設(shè)計用途（例如，實現(xiàn)可移動反射層14內(nèi)的特定應(yīng)力分布）的 不同材料形成。
[0062] 如圖6D中所說明，一些實施方案還可包含黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可 形成于光學(xué)非作用區(qū)（例如，介于像素之間或柱18下方）中以吸收周圍或雜散光。黑色掩 模結(jié)構(gòu)23還可通過抑制光從顯示器的非作用部分反射或抑制光透射穿過顯示器的非作用 部分而改善顯示裝置的光學(xué)性質(zhì)，借此增加對比度。另外，黑色掩模結(jié)構(gòu)23可具導(dǎo)電性且 經(jīng)配置以用作電匯流層。在一些實施方案中，行電極可連接到黑色掩模結(jié)構(gòu)23以減小所連 接的行電極的電阻?？墒褂枚喾N方法（包含沉積及圖案化技術(shù)）來形成黑色掩模結(jié)構(gòu)23。 黑色掩模結(jié)構(gòu)23可包含一或多個層。例如，在一些實施方案中，黑色掩模結(jié)構(gòu)23包含充當(dāng) 光學(xué)吸收器的鑰鉻（MoCr)層、充當(dāng)反射器及匯流層的層和鋁合金，其分別具有約30埃到 80埃、500埃到1000埃及500埃到6000埃范圍內(nèi)的厚度。可使用多種技術(shù)（包含光刻及 干式蝕刻）來圖案化所述一或多個層，包含（例如）用于MoCr及Si0 2層的四氟甲烷（CF4) 及/或氧氣（〇2)及用于鋁合金層的氯氣（Cl 2)及/或三氯化硼（BC13)。在一些實施方案 中，黑色掩模23可為標(biāo)準(zhǔn)具（etalon)或干涉式堆疊結(jié)構(gòu)。在此類干涉式堆疊黑色掩模結(jié) 構(gòu)23中，導(dǎo)電吸收器可用以傳輸或匯流每一行或列的光學(xué)堆疊16中的下部固定電極之間 的信號。在一些實施方案中，間隔層35可用來使吸收器層16a與黑色掩模23中的導(dǎo)電層 大體上電隔離。
[0063] 圖6E展示IM0D的另一實例，其中可移動反射層14為自撐式。與圖6D相比，圖6E 的實施方案不包含支撐柱18。而是，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學(xué)堆疊16， 且可移動反射層14的曲率提供足夠支撐，使得在跨越IM0D的電壓不足以導(dǎo)致激活時，可移 動反射層14返回圖6E的未激活位置。為清晰起見，可含有多個若干不同層的光學(xué)堆疊16 在此處展示為包含光學(xué)吸收器16a及電介質(zhì)16b。在一些實施方案中，光學(xué)吸收器16a可充 當(dāng)固定電極與部分反射層兩者。
[0064] 在例如圖6A到6E中所展示的實施方案中，MOD用作直觀式裝置，其中從透明襯 底20的前側(cè)（即，與其上布置有調(diào)制器的側(cè)相對的側(cè)）觀看圖像。在這些實施方案中，可 配置及操作顯示裝置的背部（即，可移動反射層14后方的顯示裝置的任何部分，包含（例 如）圖6C中所說明的可變形層34)而不影響或負(fù)面地影響顯示裝置的圖像質(zhì)量，這是因為 反射層14光學(xué)屏蔽裝置的那些部分。例如，在一些實施方案中，可移動反射層14后方可包 含總線結(jié)構(gòu)（未說明），其提供使調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機(jī)電性質(zhì)（例如電壓尋址 及由此尋址引起的移動）分離的能力。另外，圖6A到6E的實施方案可簡化處理，例如圖案 化。
[0065] 圖7展示說明頂0D的制造工藝80的流程圖的實例，且圖8A到8E展示此制造工 藝80的對應(yīng)階段的橫截面示意性說明的實例。在一些實施方案中，除了圖7中未展示的其 它框之外，可實施制造工藝80以制造（例如）圖1及6中所說明的一股類型的IM0D。參考 圖1、6及7,工藝80開始于框82處，其中在襯底20上形成光學(xué)堆疊16。圖8A說明形成于 襯底20上方的此光學(xué)堆疊16。襯底20可為透明襯底（例如玻璃或塑料），其可具柔性或 相對剛性且不彎曲，且可能已經(jīng)受先前制備過程（例如清潔）以促進(jìn)光學(xué)堆疊16的有效形 成。如上所論述，光學(xué)堆疊16可具導(dǎo)電性、部分透明性及部分反射性且可（例如）通過將 具有所要性質(zhì)的一或多個層沉積到透明襯底20上來制造。在圖8A中，光學(xué)堆疊16包含具 有子層16a及16b的多層結(jié)構(gòu)，但在一些其它實施方案中可包含更多或更少的子層。在一 些實施方案中，子層16a和16b中的一者可配置有光學(xué)吸收性質(zhì)與導(dǎo)電性質(zhì)兩者，例如經(jīng)組 合導(dǎo)體/吸收器子層16a。另外，子層16a、16b中的一或多者可被圖案化成平行條帶且可形 成顯示裝置中的行電極。可通過此項技術(shù)中已知的掩蓋及蝕刻工藝或另一適合工藝而執(zhí)行 此圖案化。在一些實施方案中，子層16a和16b中的一者可為絕緣或電介質(zhì)層，例如沉積于 一或多個金屬層（例如，一或多個反射層及/或?qū)щ妼樱┥系淖訉?6b。另外，光學(xué)堆疊16 可被圖案化成形成顯示器的行的個別且平行的條帶。
[0066] 工藝80在框84處繼續(xù)，其中在光學(xué)堆疊16上形成犧牲層25。稍后移除犧牲層 25(例如，在框90處）以形成腔19,且因此，圖1所說明的所得MOD 12中未展示犧牲層25。 圖8B說明包含形成于光學(xué)堆疊16上的犧牲層25的經(jīng)部分制造裝置。在光學(xué)堆疊16上形 成犧牲層25可包含以在后續(xù)移除之后提供具有所要設(shè)計尺寸的間隙或腔19 (也參看圖1 及8E)而選擇的厚度來沉積二氟化氙（XeF2)可蝕刻材料（例如鑰（Mo)或非晶硅（a-Si))。 可使用例如物理氣相沉積（PVD，例如濺鍍）、等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積（PECVD)、熱化學(xué) 氣相沉積（熱CVD)或旋涂的沉積技術(shù)來進(jìn)行犧牲材料的沉積。
[0067] 工藝80在框86處繼續(xù)，其中形成支撐結(jié)構(gòu)，例如圖1、6及8C中所說明的柱18。柱 18的形成可包含：圖案化犧牲層25以形成支撐結(jié)構(gòu)孔口；接著，使用沉積方法（例如PVD、 PECVD、熱CVD或旋涂）來將材料（例如，聚合物或無機(jī)材料（例如氧化硅））沉積到所述孔 口中以形成柱18。在一些實施方案中，形成于犧牲層中的所述支撐結(jié)構(gòu)孔口可穿過犧牲層 25與光學(xué)堆疊16兩者而延伸到下伏襯底20,使得柱18的下端接觸襯底20,如圖6A中所說 明。或者，如圖8C中所描繪，形成于犧牲層25中的所述孔口可延伸穿過犧牲層25,但未穿 過光學(xué)堆疊16。例如，圖8E說明支撐柱18的下端與光學(xué)堆疊16的上表面接觸。可通過將 一層支撐結(jié)構(gòu)材料沉積于犧牲層25上且圖案化所述支撐結(jié)構(gòu)材料的遠(yuǎn)離犧牲層25中的孔 口而定位的部分而形成柱18或其它支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐結(jié)構(gòu)可位于所述孔口內(nèi)（如圖8C 中所說明），但也可至少部分在犧牲層25的一部分上延伸。如上所述，犧牲層25及/或支 撐柱18的圖案化可通過圖案化及蝕刻工藝而執(zhí)行，且也可通過替代性蝕刻方法而執(zhí)行。
[0068] 工藝80在框88處繼續(xù)，其中形成可移動反射層或隔膜，例如圖1、6及8D中所說 明的可移動反射層14。通過使用一或多個沉積步驟，如反射層（例如，鋁、鋁合金）沉積連 同一或多個圖案化、掩蔽及/或蝕刻步驟，可形成可移動反射層14?？梢苿臃瓷鋵?4可具 導(dǎo)電性且被稱為導(dǎo)電層。在一些實施方案中，可移動反射層14可包含多個子層14a、14b、 14c，如圖8D中所展示。在一些實施方案中，子層中的一或多者（例如子層14a和14c)可 包含針對其光學(xué)性質(zhì)而選擇的高反射子層，且另一子層14b可包含針對其機(jī)械性質(zhì)而選擇 的機(jī)械子層。由于犧牲層25仍存在于框88處所形成的經(jīng)部分制造的MOD中，所以可移動 反射層14通常不可在此階段處移動。含有犧牲層25的經(jīng)部分制造 MOD在本文中也可被 稱為"未釋放的"頂〇D。如以上結(jié)合圖1所描述，可移動反射層14可被圖案化成形成顯示 器的列的個別且平行的條帶。
[0069] 工藝80在框90處繼續(xù)，其中形成腔，例如圖1、6及8E中所說明的腔19?？赏ㄟ^ 將犧牲層25 (框84處所沉積）暴露于蝕刻劑而形成腔19。舉例來說，可例如通過將犧牲 層25暴露于氣態(tài)或蒸氣狀蝕刻劑（例如源自固體XeF 2的蒸汽）并持續(xù)對移除所要量的材 料（通常相對于環(huán)繞腔19的結(jié)構(gòu)而選擇性地移除）為有效的時間周期，而通過干式化學(xué)蝕 刻移除可蝕刻犧牲材料（例如Mo或非晶Si)。還可使用其它蝕刻方法，例如濕式蝕刻及/ 或等離子蝕刻。由于在框90期間移除犧牲層25,所以可移動反射層14通常可在此階段之 后移動。在移除犧牲材料25之后，所得的經(jīng)完全或部分制造的MOD在本文可被稱為"釋放 的"頂0D。
[0070] 圖9展示EMS裝置900的俯視平面圖的實例，所述EMS裝置包含顯示元件916的 陣列910、驅(qū)動器電路920及沿著陣列910在陣列910與驅(qū)動器電路920之間布設(shè)的多個 驅(qū)動器線922、924a及924b。在一些實施方案中，陣列910包含多個行912和多個列914。 如上文所論述，雖然陣列910的多個部分可在一些例子中被稱為"行"或"列"，但所屬領(lǐng)域 的技術(shù)人員將易于理解，將一個方向稱為"行"且將另一方向稱為"列"是任意的。應(yīng)重申， 在一些定向中，行912可被視為列且列914可被視為行。此外，顯示元件916可均勻地布置 成正交的行912及列914(如圖示）或布置成（例如）具有相對于彼此的某些位置偏移的 非線性配置（"馬賽克"）。術(shù)語"陣列"及"馬賽克"可指代任一配置。因此，雖然EMS裝置 900被稱為包含"陣列" 910,但在任何情況下，顯示元件916本身無需彼此正交布置或安置 成均勻分布，但可包含具有非對稱形狀及不均勻分布元件的布置。
[0071] 仍參看圖9,行912和列914的重疊部分可界定陣列910的個別顯示元件916。在 一些實施方案中，行912可包含可移動層，所述可移動層經(jīng)配置以當(dāng)在其間施加電壓時相 對于列914進(jìn)行移動。以此方式，每一顯示元件916的可移動層可在至少經(jīng)松弛狀態(tài)與經(jīng) 激活狀態(tài)之間移動以反映光的不同波長。在一些實施方案中，驅(qū)動器電路920電耦合到行 912和列914中的每一者，使得驅(qū)動器電路920可將信號施加到一或多個行912及一或多個 列914。以此方式，可在單個顯示元件916的行912與列914之間施加電壓以相對于彼此選 擇性地驅(qū)動行912或列914。
[0072] 在一些實施方案中，行912通過多個驅(qū)動器線924a和924b而電耦合到驅(qū)動器電 路920。如所示，在驅(qū)動器電路920與連接墊926之間布設(shè)每一驅(qū)動器線924a和924b。連 接墊926電連接到每一行912的一端，使得可經(jīng)由驅(qū)動器線924a和924b將信號施加到每 一行 912。
[0073] 在一些實施方案中，可從驅(qū)動器電路920沿著陣列910的第一橫向側(cè)將驅(qū)動器線 924a的第一群組布設(shè)到行912的群組。如圖9中所示，沿著陣列910的第一側(cè)布設(shè)驅(qū)動器 線924a產(chǎn)生具有寬度尺寸A的布設(shè)邊界931a。另外，可從驅(qū)動器電路920沿著陣列910 的第二橫向側(cè)將驅(qū)動器線924b的第二群組布設(shè)到行912的群組。沿著陣列910的第二側(cè) 布設(shè)驅(qū)動器線924b產(chǎn)生具有寬度尺寸W2的布設(shè)邊界931b。可從驅(qū)動器電路920沿著陣列 910的第三橫向側(cè)將驅(qū)動器線922的另一群組布設(shè)到列914。沿著陣列910的第三側(cè)布設(shè) 驅(qū)動器線922產(chǎn)生具有寬度尺寸W 3的布設(shè)邊界933。如上文所論述，布設(shè)邊界931a、931b 和933的寬度尺寸A、W2和W3可隨著陣列910的大小增加而增加，因為隨著行912的數(shù)目 和/或列914的數(shù)目增加，會需要更多的布設(shè)線922、924a和924b。因此，使EMS裝置的任 何布設(shè)邊界的大小最小化可為有用的，使得可在給定區(qū)域或占地面積內(nèi)使EMS裝置的陣列 的區(qū)域最大化。
[0074] 圖10A展示EMS裝置1000a的仰視平面圖的實例，所述EMS裝置包含圖9的顯示 元件916的陣列910、驅(qū)動器電路1021及至少部分在陣列910下方及在陣列910與驅(qū)動器 電路1021之間布設(shè)的多個驅(qū)動器線1024a。類似于圖9的EMS裝置900,列914通過多個 驅(qū)動器線922電耦合到驅(qū)動器電路1021。在驅(qū)動器電路1021與列914之間布設(shè)驅(qū)動器線 922產(chǎn)生具有寬度尺寸W 3的布設(shè)邊界1033。
[0075] 在一些實施方案中，行912通過多個驅(qū)動器線1024a而電耦合到驅(qū)動器電路1021。 與圖9的EMS裝置900相比，每一驅(qū)動器線1024a的至少一部分是從驅(qū)動器電路1021在陣 列910下方（例如，至少部分在區(qū)域的占地面積內(nèi)）被布設(shè)到電耦合到行912的一端的連接 墊926。如通過比較圖9和10A所展示，EMS裝置的布設(shè)邊界所需的總面積可通過至少部分 在顯示元件陣列上方或下方而不是專門在陣列的側(cè)面布設(shè)驅(qū)動器線而減小。舉例來說，因 為至少部分在陣列910下方布設(shè)驅(qū)動器線1024a，所以驅(qū)動器線1024a不影響陣列910的其 中安置著連接墊926的橫向側(cè)上的布設(shè)邊界1031a和1031b的寬度尺寸A和^。因此，布 設(shè)邊界1031a和1031b的寬度尺寸％和W 2顯著小于圖9的EMS裝置900的布設(shè)邊界931a 和931b的寬度尺寸。因此，圖10A的EMS裝置1000a可配合在比圖9的EMS裝置900小的 占地面積或區(qū)域內(nèi)，即使每一裝置的陣列910具有類似大小也如此?；蛘撸瑘D10A的驅(qū)動器 線1024a可用于將較大的陣列配合在與圖9的EMS裝置900相同的占地面積或區(qū)域內(nèi)，因 為布設(shè)邊界1031a和1031b需要較少的區(qū)域。
[0076] 圖10B展示EMS裝置1000b的仰視平面圖的實例，所述EMS裝置包含圖9的顯示元 件916的陣列910、第一驅(qū)動器電路1027、第二驅(qū)動器電路1029及至少部分在陣列910下 方及在陣列910與第二驅(qū)動器電路1029之間布設(shè)的多個驅(qū)動器線1024b。與圖10A的EMS 裝置1000a相比，EMS裝置1000b包含兩個驅(qū)動器電路：通過多個驅(qū)動器線1022b電耦合到 列914的第一驅(qū)動器電路1027,及通過多個驅(qū)動器線1024b電耦合到行912的第二驅(qū)動器 電路1029。因此，EMS裝置1000b包含布設(shè)邊界1053a，其安置在第一驅(qū)動器電路1027與陣 列910之間且具有由第一驅(qū)動器電路1027與陣列910之間的距離界定的寬度尺寸W 3。在 EMS裝置1000b的另一側(cè)上，布設(shè)邊界1053b安置在第二驅(qū)動器電路1029與陣列910之間 且具有由第二驅(qū)動器電路1029與陣列910之間的距離界定的寬度尺寸W 4。EMS裝置1000b 還包含布設(shè)邊界1051a和1051b，其分別具有由每一行912的末端處的連接墊926的橫向尺 寸界定的寬度尺寸1和1。
[0077] 與圖10A的EMS裝置1000a-樣，因為至少部分在陣列910下方布設(shè)驅(qū)動器線 1024b，所以驅(qū)動器線1024b不影響陣列910的其中安置著連接墊926的橫向側(cè)上的布設(shè)邊 界1051a和1051b的寬度尺寸％和W 2。因此，布設(shè)邊界1051a和1051b的寬度尺寸％和W2 顯著小于圖9的陣列910的布設(shè)邊界931a和931b的寬度尺寸。因此，圖10B的EMS裝置 1000b可并入用于陣列910的行912和列914的單獨驅(qū)動器電路1027和1029,同時仍配合 在比圖9的EMS裝置900小的占地面積或區(qū)域內(nèi)。
[0078] 圖10C展示另一 EMS裝置1000c的仰視平面圖的實例，所述EMS裝置包含圖9的 顯示元件916的陣列910、第一驅(qū)動器電路1026、第二驅(qū)動器電路1028及至少部分在陣列 910下方及布設(shè)在陣列910與第一驅(qū)動器電路1026和第二驅(qū)動器電路1028中的一者之間 的多個驅(qū)動器線1024c。與圖10B的EMS裝置1000b相比，第一驅(qū)動器電路1026和第二驅(qū) 動器電路1028中的每一者連接到顯示元件916的陣列910的至少一些行912且連接到陣 列910的列914。以此方式，第一驅(qū)動器電路1026和第二驅(qū)動器電路1028可將信號施加 到陣列910的一或多個行912和/或一或多個列914。因此，EMS裝置1000c包含布設(shè)邊界 1063a，其安置在第一驅(qū)動器電路1026與陣列910之間且具有由第一驅(qū)動器電路1026與陣 列910之間的距離界定的寬度尺寸W 3。在EMS裝置1000c的另一側(cè)上，布設(shè)邊界1063b安 置在第二驅(qū)動器電路1028與陣列910之間且具有由第二驅(qū)動器電路1028與陣列910之間 的距離界定的寬度尺寸W 4。EMS裝置1000c還包含布設(shè)邊界1061a和1061b，其分別具有由 每一行912的末端處的連接墊926的橫向尺寸界定的寬度尺寸％和W 2。
[0079] 與圖10B的EMS裝置1000b -樣，因為驅(qū)動器線1024c至少部分布設(shè)在陣列910 下方，所以驅(qū)動器線1024c不影響陣列910的其中安置著連接墊926的橫向側(cè)上的布設(shè)邊 界1061a和1061b的寬度尺寸^和^。因此，圖10C的EMS裝置1000c可并入單獨驅(qū)動器 電路1026和1028,其各自連接到陣列910的至少一些行912和列914,同時仍配合在比圖 9的EMS裝置900小的占地面積或區(qū)域內(nèi)。
[0080] 圖11A到11H展示制造 EMS裝置的實例過程的橫截面圖，所述EMS裝置具有至少部 分布設(shè)在顯示元件陣列下方的多個驅(qū)動器線。圖11A說明安置在前部襯底層1101上的實 例陣列1103。在一些實施方案中，前部襯底層1101可為透明襯底（例如玻璃或塑料），其 可具柔性或相對剛性且不彎曲，且可能已經(jīng)受先前制備過程（例如清潔）以促進(jìn)陣列1103 在其上的有效形成。此外，陣列1103可包含被配置為個別顯示元件的多個MOD。在一些實 施方案中，舉例來說，陣列1103的頂0D可根據(jù)圖7的流程圖及圖8A到8D的實例工藝來制 造，之后是釋放圖8E的犧牲層25,或圖7的腔形成框90。
[0081] 圖11B說明圖11A的陣列1103和前部襯底層1101，其中犧牲層1105安置在陣列 1103上且第一鈍化層1107安置在犧牲層1105和前部襯底層1101上。犧牲層1105可包含 與犧牲層25相同的（例如）二氟化氙（XeF 2)可蝕刻的材料，例如Mo或a-Si。第一鈍化層 1107可包含抗腐蝕材料，例如氧化硅（SiOx)、氮氧化硅（SiON)、氮化硅（SiN)，或具有較低 的透水率的任何無機(jī)材料?？墒褂贸练e技術(shù)（例如物理氣相沉積（PVD，例如濺鍍）、等離子 增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積（PECVD)、熱化學(xué)氣相沉積（熱CVD)或旋涂）來實施犧牲層1105和/ 或第一鈍化層1107的沉積。
[0082] 圖11C說明已沉積且電耦合到陣列1103的連接墊1109。連接墊1109可包含導(dǎo) 電材料，例如金屬或合金。在一些實施方案中，連接墊1109包含鋁（A1)、鋁銅（AlCu)、鋁硅 (AlSi)、鑰鉻（MoCr)、金（Au)、銅（Cu)、鉻（Cr)、鎳（Ni)和/或其它低電阻率金屬。連接墊 1109還電耦合到在陣列1103的至少一部分下方延伸的驅(qū)動器線1110a(參考前部襯底層 1101)。在此些實施方案中，驅(qū)動器線1110a的多個部分必須與其它驅(qū)動器線1110電隔離以 通過一系列處理步驟（例如，光致抗蝕劑圖案化、干式或濕式金屬蝕刻，抗蝕劑剝離）提供 離散且單獨的驅(qū)動器線1110。其它驅(qū)動器線1110也經(jīng)布設(shè)以便至少部分在陣列1103下方 延伸，且可電耦合到與所說明的橫截面外部的陣列1103的其它部分電耦合的其它連接墊。 以此方式，可在陣列1103下方布設(shè)驅(qū)動器線1110,從而與在陣列1103的橫向側(cè)上將驅(qū)動器 線1110布設(shè)到連接墊相比，減小陣列1103的橫向側(cè)上的布設(shè)邊界。在一些實施方案中，驅(qū) 動器線1110可包含鋁（A1)、鋁合金和/或任何低電阻率金屬。
[0083] 圖11D說明安置在驅(qū)動器線1110、連接墊1109和前部襯底層1101上方的第二鈍 化層1111。第二鈍化層1111可包含與第一鈍化層1107相同的材料或不同的抗腐蝕材料。 如圖11E中所展示，可對第二鈍化層1107進(jìn)行圖案化及蝕刻以產(chǎn)生穿過第一鈍化層1107 和第二鈍化層1111的釋放孔1113。可通過釋放孔1113與犧牲層25同時地釋放犧牲層 1105,從而在陣列1103與第一鈍化層1107之間產(chǎn)生空間，如圖所示。
[0084] 現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖11F，在一些實施方案中，陣列1103可被氣密密封在囊封外殼內(nèi)。作為 密封過程的部分，密封環(huán)1115可安置在沿圓周圍繞陣列1103的前部襯底層1101上。在一 些實施方案中，可在將抗靜摩擦涂層沉積在襯底層1101上且在將沉積密封環(huán)1115的位置 處選擇性地移除之后，沉積密封環(huán)1115。在一些實施方案中，抗靜摩擦涂層可包含基于碳?xì)?或碳氟氟硅烷的自組裝單層（SAM)。在一些實施方案中，密封環(huán)1115包含金（Au)、銀（Ag)， 或適合于共晶焊接的任何金屬。一旦密封環(huán)1115已沉積在陣列1103周圍，用于陣列1103 的囊封外殼的背部可耦合到密封環(huán)1115。
[0085] 圖11G說明用于陣列1103的囊封外殼1123的一部分。在一些實施方案中，囊封外 殼1123可包含水平延伸的背部襯底層1121及向后延伸的環(huán)1117。任選的祛濕材料1119 可安置成耦合到環(huán)1117內(nèi)的背部襯底層1121。在一些實施方案中，環(huán)1117可由銦（In)或 錫（Sn)共晶焊料制成。在一些實施方案中，背部襯底層1121可由玻璃、塑料、不銹鋼或具 有較低的透水率和充分的機(jī)械強(qiáng)度以用于EMS裝置的可靠性和觸摸損壞考慮的任何抗腐 蝕材料制成。如圖11H中所示，環(huán)1117可耦合到密封環(huán)1115以在環(huán)1117、密封環(huán)1115、前 部襯底層1101與背部襯底層1121之間氣密地密封陣列1103。從此配置，一或多個電路驅(qū) 動器（未圖示）可經(jīng)由連接墊而電耦合到驅(qū)動器線1110以將信號提供給陣列1103的列和 /或行。在一些實施方案中，密封環(huán)1115下方的驅(qū)動器線1110可通過無機(jī)或有機(jī)材料（未 圖示）與密封環(huán)1115電隔離。
[0086] 如上文所論述，在一些實施方案中，EMS裝置可包含形成于顯示元件或像素之間的 光學(xué)非作用區(qū)中的光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)（例如，黑色掩模結(jié)構(gòu)）以吸收環(huán)境或雜散光。光學(xué)掩模 結(jié)構(gòu)可通過抑制光從顯示器的非作用部分反射或抑制光透射穿過顯示器的非作用部分而 改善顯示裝置的光學(xué)性質(zhì)，借此增加對比度。圖12A展示EMS裝置1200的部分俯視平面圖 的實例，所述EMS裝置包含顯示元件1216的陣列1210、驅(qū)動器電路1221及至少部分在所述 陣列1210上方通過導(dǎo)電光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230而布設(shè)的多個驅(qū)動器線1224。如圖所不，多個 驅(qū)動器線1224可電耦合到安置于陣列1210的行1212的末端處的連接墊1226,以便將驅(qū)動 器電路1221與行1212電耦合。EMS裝置1200還可包含在陣列1210的列1214與驅(qū)動器電 路1221之間布設(shè)的多個驅(qū)動器線1222。以此方式，驅(qū)動器電路1221可將信號施加到一或 多個行1212及一或多個列1214以驅(qū)動陣列1210的一或多個顯示元件1216。
[0087] 在一些實施方案中，光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230安置于陣列1210上方（例如，在陣列1210 的最靠近EMS裝置1200的觀看者的一側(cè)上）的顯示元件1216之間。以此方式，可至少部 分在陣列1210上方或上將驅(qū)動器線1224布設(shè)到連接墊1226。作為此布設(shè)配置的結(jié)果，驅(qū) 動器線1224的布設(shè)邊界％受限于連接墊1226的寬度。因此，在陣列1210的側(cè)上布設(shè)驅(qū) 動器線1224的情況下，布設(shè)驅(qū)動器線1224所需的空間較小，這與在陣列1210上方或上布 設(shè)驅(qū)動器線形成對比。雖然在圖12A中，驅(qū)動器線1224被說明為安置在陣列1210的非作 用區(qū)域上（例如，在顯示元件1216之間），在一些實施方案中，可至少部分在陣列1210的作 用區(qū)域上（例如，在一或多個顯示元件1216上）布設(shè)驅(qū)動器線1224。在此些實施方案中， 還可至少部分在陣列1210的一或多個非作用區(qū)域上布設(shè)驅(qū)動器線1224的至少一部分。
[0088] 仍參看圖12A，在一些實施方案中，光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230提供用于驅(qū)動器線1224的 導(dǎo)電路徑。換句話說，光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230的結(jié)構(gòu)可用于將驅(qū)動器電路1221電耦合到連接 墊1226。如下文所論述，在一些實施方案中，光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230可包含一或多個導(dǎo)電層，所 述一或多個導(dǎo)電層可電耦合到連接墊1226和驅(qū)動器電路1221以在其間提供電路徑。在此 些實施方案中，光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230的多個部分必須彼此電隔離以提供穿過光學(xué)掩模結(jié)構(gòu) 1230的離散且單獨的驅(qū)動器線1224。為了電隔離光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230的多個部分，非導(dǎo)電 空間或空隙1270可安置于光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230中以在可用作單獨的驅(qū)動器線1224的光學(xué) 掩模結(jié)構(gòu)1230的部分之間提供中斷。舉例來說，如所說明，第一驅(qū)動器線1224a可至少部 分延伸穿過光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230,且第二驅(qū)動器線1224b可至少部分延伸穿過光學(xué)掩模結(jié)構(gòu) 1230。形成第一驅(qū)動器線1224a的至少一部分的光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230的所述部分可通過安 置于光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)中的非導(dǎo)電空間1270與形成第二驅(qū)動器線1224b的至少一部分的光學(xué) 掩模結(jié)構(gòu)1230的所述部分電隔離。以此方式，光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230可如上文所論述提高HMS 裝置1200的光學(xué)性質(zhì)，同時提供用于在驅(qū)動器電路1221與連接墊1226之間在陣列1210 上布設(shè)驅(qū)動器線1224的結(jié)構(gòu)。在此些實施方案中，可形成光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230以在不需要 額外沉積步驟的情況下并入所隔離的驅(qū)動器線1224。
[0089] 圖12B展示沿著線12B-12B取得的圖12A的EMS裝置1200的光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230 的橫截面圖的實例。光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230可包含吸收器層1250、間隔物層1252及反射層 1254。間隔物層1252可形成于吸收器層1250與反射層1254之間。
[0090] 在一些實施方案中，撞擊吸收器層1250的光1240的一部分被吸收器層1250反 射，且光1240的另一部分透射穿過吸收器層1250。透射穿過吸收器層1250的光1240的所 述部分傳播穿過間隔物層1252,且被反射層1254朝向吸收器層1250反射回穿過間隔物層 1252，且可產(chǎn)生具有局部峰值和空值的駐波。光的峰值和空值的位置可至少部分取決于光 的波長。為了光的特定波長被反射層1254反射，吸收器層1250(例如，6nm的鉻（Cr)層） 可放置在相對于駐波的空值位置處以吸收光的特定波長的極少的能力，但吸收器層1250 將吸收光的其它波長的更多能量（例如，具有不在空值處的波長的光）。未被吸收的所反射 的光的至少一部分通過吸收器層1250且顯現(xiàn)為從所述裝置反射的有色彩的光。
[0091] 用于反射層1254的合適材料可包含鑰（Mo)和/或鋁（A1)。反射層1254可具有 充分的厚度以實質(zhì)上反射可見光。在一些實施方案中，反射層1254可具有在約500埃與 6, 000埃之間的厚度。在一些實施方案中，間隔物層1252是由透明導(dǎo)電材料制成，例如氧 化銦錫（ΙΤ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦鎵鋅（InGaZnO)等。在一些其它實施方案中，間隔物層 1252是由例如二氧化硅（Si0 2)等透明絕緣材料制成。間隔物層1252可具有充分的厚度以 在吸收器層1250與反射層1254之間形成干涉腔，所述干涉腔將光干涉地調(diào)制成非可見波 長。在一些實施方案中，間隔物層1252可具有在約400埃與1000埃之間的厚度。用于吸收 器層1250的合適材料包含（例如）鉻（Cr)和鑰鉻（MoCr)。吸收器層1250可具有充分的 厚度以實質(zhì)上吸收光。在一些實施方案中，吸收器層1250可具有在約30埃與80埃之間的 厚度。如上文參考圖1所論述，吸收器層1250、間隔物層1252及反射層1254的材料和尺寸 可經(jīng)選擇以便干涉地調(diào)制入射于光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230上的光，從而限制可見光從其的反射。 舉例來說，在一些實施方案中，光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)1230可被配置成類似于上文參考圖6D所論述 的黑色掩模23。
[0092] 圖13展示說明制造設(shè)備的實例方法1300的流程圖。方法1300可用于制造具有 在陣列上方或下方在驅(qū)動器電路與多個連接墊之間布設(shè)的多個驅(qū)動器線的EMS裝置。舉例 來說，方法1300可用于制造上文所論述的圖10A到12B的EMS裝置。
[0093] 如框1301中所示，方法1300包含形成顯示元件陣列。在一些實施方案中，形成顯 示元件陣列可包含形成安置成行的多個可移動層及安置成列的多個固定電極。如上文所 述，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于理解，將一個方向稱為"行"且將另一方向稱為"列"是任意 的。因此，可移動層可安置于除了水平線段之外的其它定向上，且固定電極可安置于除了垂 直線段之外的其它定向上。在一些實施方案中，可根據(jù)圖7的流程圖來制造顯示元件陣列。 形成顯示元件陣列還可包含在每一行的末端處形成電連接墊。
[0094] 現(xiàn)在返回到框1303,在一些實施方案中，方法1300可包含形成多個驅(qū)動器線，每 一驅(qū)動器線具有連接到連接墊的第一末端及可連接到安置于所述陣列外部的驅(qū)動器電路 的第二末端，且所述驅(qū)動器線的至少一部分可在所述陣列上方或下方從所述驅(qū)動器電路通 過到達(dá)所述連接墊。作為形成如框1303中提供的多個驅(qū)動器線的結(jié)果，使用方法1300制 造的EMS裝置的布設(shè)邊界可小于其中與至少部分在所述陣列上方或下方相對的沿著所述 陣列布設(shè)驅(qū)動器線的類似EMS裝置。以此方式，使用方法1300制造的EMS裝置可具有類似 于圖10A到12B的裝置的減小的布設(shè)邊界。
[0095] 在一些實施方案中，方法1300可用于制造具有在陣列上方從所述驅(qū)動器電路通 過到達(dá)連接墊的驅(qū)動器線的至少一部分的EMS裝置。在此些實施方案中，多個驅(qū)動器線的 至少一部分可形成于可移動層的與固定電極相同的側(cè)上的陣列的非作用區(qū)域中。舉例來 說，方法1300可任選地包含形成導(dǎo)電光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)位于所述陣列 上且在至少一些所述顯示元件之間延伸以掩蓋顯示器的非作用區(qū)域，且形成光學(xué)掩模結(jié)構(gòu) 可包含形成多個驅(qū)動器線中的至少一者的一部分。以此方式，例如，方法1300可用于制造 圖12A的EMS裝置1200。
[0096] 在其它實施方案中，方法1300可用于制造具有在陣列下方從所述驅(qū)動器電路通 過到達(dá)連接墊的驅(qū)動器線的至少一部分的EMS裝置。舉例來說，可任選地形成多個驅(qū)動器 線，使得多個可移動層可形成于固定電極與多個驅(qū)動器線的至少一部分之間。以此方式，例 如，方法1300還可用于制造圖10A及10B的EMS裝置1000a和1000b。
[0097] 圖14A和14B展示說明包含多個頂0D的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖的實例。顯示裝 置40可為（例如）智能電話、蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其 稍微變化也說明例如電視、平板計算機(jī)、電子閱讀器、手持式裝置和便攜式媒體播放器等各 種類型的顯示裝置。
[0098] 顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48和麥克風(fēng) 46。外殼41可由多種制造工藝中的任一者形成，所述制造工藝包含注射模制和真空成形。 另外，外殼41可由多種材料中的任一者制成，所述材料包含（但不限于）：塑料、金屬、玻 璃、橡膠及陶瓷或其組合。外殼41可包含可與不同色彩或含有不同標(biāo)志、圖片或符號的其 它可移除部分互換的可移除部分（未展示）。
[0099] 如本文中描述，顯示器30可為多種顯示器（包含雙穩(wěn)態(tài)或模擬顯示器）中的任一 者。顯示器30還可經(jīng)配置以包含平板顯示器（例如等離子、EL、0LED、STN IXD或TFT IXD) 或非平板顯示器（例如CRT或其它顯像管裝置）。另外，顯示器30可包含MOD顯示器，如 本文中所描述。
[0100] 圖14B中示意地說明顯示裝置40的組件。顯示裝置40包含外殼41且可包含至 少部分圍封于所述外殼中的額外組件。舉例來說，顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口 27,所述網(wǎng)絡(luò) 接口包含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié) 硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號（例如，對信號進(jìn)行濾波）。調(diào)節(jié)硬件52連接 到揚聲器45和麥克風(fēng)46。處理器21也連接到輸入裝置48和驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控 制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動器22,所述陣列驅(qū)動器22進(jìn)而耦合到顯示器 陣列30。在一些實施方案中，電力供應(yīng)器50可將電力提供給特定顯示裝置40設(shè)計中的大 體上全部組件。
[0101] 網(wǎng)絡(luò)接口 27包含天線43和收發(fā)器47以使得示范性顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一 或多個裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口 27還可具有一些處理能力以減輕（例如）處理器21的數(shù)據(jù)處 理需求。天線43可發(fā)射及接收信號。在一些實施方案中，天線43根據(jù)IEEE 16. 11標(biāo)準(zhǔn) (包含 IEEE 16. 11(a)、（b)或（g))或 IEEE 802. 11 標(biāo)準(zhǔn)（包含 IEEE 802. 11a、b、g、η)而 發(fā)射及接收RF信號。在一些其它實施方案中，天線43根據(jù)藍(lán)牙（BLUETOOTH)標(biāo)準(zhǔn)而發(fā)射 及接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，天線43經(jīng)設(shè)計以接收碼分多址（CDMA)、頻分多 址（FDMA)、時分多址（TDMA)、全球移動通信系統(tǒng)（GSM)，GSM/通用分組無線電服務(wù)（GPRS)、 增強(qiáng)型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境（EDGE)、陸地集群無線電（TETRA)、寬帶CDMA(W-CDMA)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu) 化（EV-D0)、lxEV-DO、EV-D0版本A、EV-D0版本B、高速分組接入（HSPA)、高速下行鏈路分 組接入（HSDPA)、高速上行鏈路分組接入（HSUPA)、演進(jìn)型高速分組接入（HSPA+)、長期演進(jìn) (LTE)、AMPS，或用于在無線網(wǎng)絡(luò)（例如利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng)）內(nèi)通信的其它已知信號。 收發(fā)器47可預(yù)處理從天線43接收到的信號，使得處理器21可接收所述信號并進(jìn)一步對所 述信號進(jìn)行操縱。收發(fā)器47還可處理從處理器21接收到的信號，使得可經(jīng)由天線43從顯 示裝置40發(fā)射所述信號。
[0102] 在一些實施方案中，收發(fā)器47可由接收器取代。另外，在一些實施方案中，網(wǎng)絡(luò)接 口 27可由可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源取代。處理器21可控制 顯示裝置40的整個操作。處理器21接收例如來自網(wǎng)絡(luò)接口 27或圖像源的壓縮圖像數(shù)據(jù) 的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處 理器21可將已處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲。原始 數(shù)據(jù)通常是指識別圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，此些圖像特性可包含 色彩、飽和度和灰度級水平。
[0103] 處理器21可包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬 件52可包含放大器及濾波器以將信號發(fā)射到揚聲器45及從麥克風(fēng)46接收信號。調(diào)節(jié)硬 件52可為顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入于處理器21或其它組件內(nèi)。
[0104] 驅(qū)動器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28獲取由處理器21產(chǎn)生的原 始圖像數(shù)據(jù)，且可適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交紙D像數(shù)據(jù)以將其高速發(fā)射到陣列驅(qū)動器22。在一 些實施方案中，驅(qū)動器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成具有類光柵格式的數(shù)據(jù) 流，使得其具有適合于跨越顯示陣列30而掃描的時間次序。接著，驅(qū)動器控制器29將已格 式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。盡管驅(qū)動器控制器29 (例如LCD控制器）通常與系統(tǒng)處 理器21關(guān)聯(lián)而作為獨立的集成電路（1C)，但可以許多方式實施這些控制器。舉例來說，控 制器可作為硬件嵌入處理器21中、作為軟件嵌入處理器21中或與陣列驅(qū)動器22完全集成 于硬件中。
[0105] 陣列驅(qū)動器22可從驅(qū)動器控制器29接收經(jīng)格式化信息且可將視頻數(shù)據(jù)重新格式 化成一組平行波形，所述組平行波形每秒多次施加到來自顯示器的x-y像素矩陣的數(shù)百及 有時數(shù)千（或更多）引線。
[0106] 在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22及顯示陣列30適合于本文中 所述的任何類型的顯示器。舉例來說，驅(qū)動器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯 示器控制器（例如MOD控制器）。另外，陣列驅(qū)動器22可為常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū) 動器（例如MOD顯示器驅(qū)動器）。另外，顯示陣列30可為常規(guī)顯示陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示陣 列（例如包含MOD陣列的顯示器）。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29可與陣列驅(qū)動 器22集成。此實施方案在高度集成系統(tǒng)（例如移動電話、便攜式電子裝置、手表及小面積 顯示器）中可為有用的。
[0107] 在一些實施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許（例如）用戶控制顯示裝置40 的操作。輸入裝置48可包含小鍵盤（例如QWERTY鍵盤或電話小鍵盤）、按鈕、開關(guān)、搖桿、 與顯示陣列30集成的觸敏屏幕，或壓敏或熱敏隔膜。麥克風(fēng)46可配置為顯示裝置40的輸 入裝置。在一些實施方案中，通過麥克風(fēng)46的話音命令可用于控制顯示裝置40的操作。
[0108] 電力供應(yīng)器50可包含多種能量存儲裝置。例如，電力供應(yīng)器50可為可再充電電 池，例如鎳鎘電池或鋰離子電池。在使用可再充電電池的實施方案中，可再充電電池可為使 用來自（例如）壁式插座或光伏裝置或陣列的電力可充電的?；蛘撸稍俪潆婋姵乜蔀榭?無線充電的。電力供應(yīng)器50還可為可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電 池或太陽能電池涂料。電力供應(yīng)器50還可經(jīng)配置以從壁式插座接收電力。
[0109] 在一些實施方案中，控制可編程性駐留于可位于電子顯示系統(tǒng)中的若干位置中的 驅(qū)動器控制器29中。在一些其它實施方案中，控制可編程性駐留于陣列驅(qū)動器22中。上 述優(yōu)化可實施在任何數(shù)目的硬件和/或軟件組件中且可以各種配置實施。
[0110] 可將結(jié)合本文中所揭示的實施方案而描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路 和算法步驟實施為電子硬件、計算機(jī)軟件或兩者的組合。硬件與軟件的此互換性已大致關(guān) 于其功能性而描述，且在上文所描述的各種說明性組件、塊、模塊、電路及步驟中進(jìn)行說明。 所述功能性是實施為硬件還是軟件取決于特定應(yīng)用及強(qiáng)加于整個系統(tǒng)的設(shè)計約束。
[0111] 可用通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號處理器（DSP)、專用集成電路（ASIC)、 現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件， 或其經(jīng)設(shè)計以執(zhí)行本文所描述的功能的任何組合來實施或執(zhí)行用于實施結(jié)合本文中所揭 示的方面而描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊和電路的硬件和數(shù)據(jù)處理設(shè)備。通用處 理器可為微處理器，或任何常規(guī)的處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器還可實施為 計算裝置的組合，例如，DSP與微處理器的組合、多個微處理器的組合、一或多個微處理器與 DSP核心的聯(lián)合，或任何其它此配置。在一些實施方案中，可由專用于給定功能的電路來執(zhí) 行特定步驟及方法。
[0112] 在一或多個方面中，可以硬件、數(shù)字電子電路、計算機(jī)軟件、固件（包含本說明書 中所揭示的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物）或以其任何組合來實施所描述的功能。本說明書中所述 的標(biāo)的物的實施方案還可實施為一或多個計算機(jī)程序（即，計算機(jī)程序指令的一或多個模 塊），其在計算機(jī)存儲媒體上被編碼以由數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或用以控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操 作。
[0113] 所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于明白本發(fā)明中所描述的實施方案的各種修改，且可在 不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下將本文中所界定的一股原理應(yīng)用于其它實施方案。因 此，本發(fā)明無意限于本文中所展示的實施方案，而是將賦予本發(fā)明與本文中所揭示的此揭 示內(nèi)容、原理和新穎特征相一致的最廣范圍。詞語"示范性"在本文中專門用于表示充當(dāng)"實 例、例子或說明"。在本文中描述為"示范性"的實施方案不一定解釋為比其它實施方案優(yōu) 選或有利。另外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于了解，術(shù)語"上部"及"下部"有時用以使圖式 描述簡易，且指示與適當(dāng)定向頁上的圖式的定向?qū)?yīng)的相對位置，且可能不反映如所實施 的IM0D的適當(dāng)定向。
[0114] 在單獨實施方案的背景下描述于本說明書中的某些特征還可組合地實施于單一 實施方案中。相反，還可在多個實施方案中單獨地或以任何適合子組合實施在單一實施方 案的背景下所描述的各種特征。再者，雖然特征可在上文中被描述為以某些組合作用且甚 至最初被如此主張，但在一些情況下，可從所述組合刪除來自所主張的組合的一或多個特 征，且所述所主張的組合可針對子組合或子組合的變化。
[0115] 類似地，雖然圖式中以特定次序描繪操作，但此不應(yīng)被理解為需要以所展示的特 定次序或以連續(xù)次序執(zhí)行此類操作或需要執(zhí)行全部所說明的操作以實現(xiàn)合意的結(jié)果。此 夕卜，圖式可以流程圖的形式示意性地描繪一個以上實例過程。然而，未描繪的其它操作可并 入于示意性地說明的實例過程中。舉例來說，可在所說明的操作中的任一者之前、之后、同 時地或在其之間執(zhí)行一或多個額外的操作。在某些狀況中，多任務(wù)處理及并行處理可為有 利的。再者，上述實施方案中的各種系統(tǒng)組件的分離不應(yīng)被理解為全部實施方案中需要此 分離，且應(yīng)了解，所描述的程序組件及系統(tǒng)可一股一起集成在單一軟件產(chǎn)品中或封裝到多 個軟件產(chǎn)品中。另外，其它實施方案在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。在一些情況中，權(quán)利要求 書中所敘述的動作可以不同次序執(zhí)行且仍實現(xiàn)合意的結(jié)果。
【權(quán)利要求】
1. 一種設(shè)備，其包括： 顯示元件陣列，其界定陣列占地面積，所述顯示元件陣列包含： 在第一方向上延伸的多個可移動層及在第二方向上延伸的多個固定電極，所述多個可 移動層及固定電極形成多個所述顯示元件的一部分； 多個電連接墊，每一連接墊安置于可移動層的末端處或固定電極的末端處；及多個驅(qū) 動器線，每一驅(qū)動器線具有連接到連接墊的第一末端及可連接到驅(qū)動器電路的第二末端， 其中所述多個驅(qū)動器線的至少一部分被布設(shè)在所述陣列的所述占地面積內(nèi)所述陣列 上方或下方。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述多個驅(qū)動器線的至少一部分安置于所述陣列 的非作用區(qū)域上方，且其中所述固定電極安置于所述可移動層與安置于所述陣列的所述非 作用區(qū)域上的所述多個驅(qū)動器線的所述部分之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述多個驅(qū)動器線的至少一部分安置于所述陣列 的作用區(qū)域上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括導(dǎo)電光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電光學(xué)掩模 結(jié)構(gòu)安置于所述陣列上且在至少一些所述顯示元件之間延伸以掩蓋顯示器的非作用區(qū)域， 其中所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)形成所述多個驅(qū)動器線中的至少一者的一部分。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)包含膜堆疊，所述膜堆疊包含 導(dǎo)電第一反射層、導(dǎo)電第二反射層，及安置于所述第一反射層與所述第二反射層之間的非 導(dǎo)電層，形成所述多個驅(qū)動器線中的至少一者的一部分。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的設(shè)備，其中所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)包含至少一個非導(dǎo)電空間， 以將由所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)形成的所述至少一個驅(qū)動器線與所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)的剩余部分 電隔離。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述多個連接墊安置于可移動層的末端處。
8. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述多個可移動層安置于所述多個固定電 極與所述多個驅(qū)動器線的至少一部分之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括至少一個鈍化層，其中所述多個驅(qū)動器 線的至少一部分安置于所述至少一個鈍化層上。
10. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括驅(qū)動器電路，所述驅(qū)動器電路連 接到所述多個驅(qū)動器線的第二末端，且經(jīng)配置以通過所述多個驅(qū)動器線將信號發(fā)送到所述 可移動層。
11. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括： 處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示元件陣列通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；及 存儲器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括： 驅(qū)動器電路，其經(jīng)配置以將至少一個信號發(fā)送到所述顯示元件陣列；及 控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動器電路。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括圖像源模塊，所述圖像源模塊經(jīng) 配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器和發(fā) 射器中的至少一者。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括輸入裝置，所述輸入裝置經(jīng)配置以接 收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳送到所述處理器。
15. -種制造設(shè)備的方法，其包括： 形成顯示元件陣列，所述顯示元件陣列界定陣列占地面積，其中形成所述顯示元件陣 列包含： 形成在第一方向上延伸的多個可移動層及在第二方向上延伸的多個固定電極； 在可移動層或固定電極的末端處形成電連接墊；及 形成多個驅(qū)動器線，每一驅(qū)動器線具有連接到連接墊的第一末端及可連接到驅(qū)動器電 路的第二末端，其中所述驅(qū)動器線的至少一部分在所述陣列的所述占地面積內(nèi)在所述陣列 上方或下方通過。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在所述陣列的非作用區(qū)域上方形成所述多個驅(qū) 動器線的至少一部分，且其中所述固定電極安置于所述可移動層與安置于所述陣列的所述 非作用區(qū)域上的所述多個驅(qū)動器線的所述部分之間。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其進(jìn)一步包括形成導(dǎo)電光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電光 學(xué)掩模結(jié)構(gòu)位于所述陣列上且在至少一些所述顯示元件之間延伸以掩蓋顯示器的非作用 區(qū)域，其中形成所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)包含形成所述多個驅(qū)動器線中的至少一者的一部分。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中形成所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)包含形成膜堆疊，所述 膜堆疊包含導(dǎo)電第一反射層、導(dǎo)電第二反射層，及安置于所述第一反射層與所述第二反射 層之間的非導(dǎo)電層，且其中形成所述多個驅(qū)動器線中的所述至少一者包含形成所述第一反 射層或第二反射層。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中形成所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)包含形成至少一個非導(dǎo) 電空間，以將由所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)形成的所述至少一個驅(qū)動器線與所述光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)的剩 余部分電隔離。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在可移動層的末端處形成所述多個連接墊。
21. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在所述固定電極與所述多個驅(qū)動器線的至少一 部分之間形成所述多個可移動層。
22. 根據(jù)權(quán)利要求15到21中任一權(quán)利要求所述的方法，其進(jìn)一步包括將所述多個驅(qū)動 器線的第二末端連接到驅(qū)動器電路，所述驅(qū)動器電路經(jīng)配置以通過所述多個驅(qū)動器線將信 號發(fā)送到所述可移動層。
23. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述多個可移動層上形成犧牲層， 且其中形成所述多個驅(qū)動器線包含形成在所述陣列上方或下方在所述犧牲層上通過的所 述驅(qū)動器線的所述部分。
24. 根據(jù)權(quán)利要求15到23中任一權(quán)利要求所述的方法，其進(jìn)一步包括將所述顯示元件 陣列囊封在第一襯底與第二襯底之間。
【文檔編號】G02B26/08GK104145202SQ201380010543
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年2月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月23日
【發(fā)明者】從明·高, 查爾斯·洛伊, 科斯塔丁·喬爾杰夫, 何日暉 申請人:高通Mems科技公司