一種顯示器及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示器及其制作方法，所述顯示器包括：相對設(shè)置的TFT基板以及彩膜基板，所述TFT基板包括：第一TFT元件以及第二TFT元件，所述第一TFT元件與第二TFT元件之間透光區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)；設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的像素單元，所述像素單元位于所述像素區(qū)的表面上，所述像素單元包括：設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的透明參考電位層；設(shè)置在所述參考電位層上的不透明形變層，所述形變層與所述參考電位層絕緣。所述顯示器的結(jié)構(gòu)簡單，制作成本較低。
【專利說明】一種顯示器及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，涉及一種顯示器及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(IXD)以其低功耗、易于制作大屏顯示等特點(diǎn)成為當(dāng)今主流顯示裝置。
[0003]一般的，現(xiàn)有的液晶顯示裝置包括:相對設(shè)置的TFT基板以及彩膜基板；設(shè)置在所述TFT基板與彩膜基板之間的液晶層。為了實(shí)現(xiàn)液晶層的液晶分子對出射光線的控制，需要在所述彩膜基板的內(nèi)表面設(shè)置供電同電極，在其外表設(shè)置上偏光片，并需要在TFT基板內(nèi)表面設(shè)置定向膜，在其外表面設(shè)置下偏光片?？梢姡壕э@裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，導(dǎo)致制作成本較聞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種顯示器，所述顯示器的結(jié)構(gòu)簡單，制作成本較低。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0006]一種顯示器，該顯示器包括:相對設(shè)置的TFT基板以及彩膜基板，所述TFT基板包括:第一 TFT元件以及第二 TFT元件，所述第一 TFT元件與第二 TFT元件之間透光區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)；設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的像素單元，所述像素單元位于所述像素區(qū)的表面上，所述像素單元包括:設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的透明參考電位層；設(shè)置在所述參考電位層上的不透明形變層，所述形變層與所述參考電位層絕緣；其中，所述第一 TFT元件的輸出電極與所述參考電位層電連接；所述第二 TFT元件的輸出電極與所述形變層電連接；所述形變層根據(jù)其與所述參考電位層的電壓差，以其與所述TFT基板的固定連接部分為固定軸發(fā)生與所述電壓差對應(yīng)程度的彈性形變，以改變所述形變層對所述像素區(qū)的覆蓋面積。
[0007]本發(fā)明還提供了一種顯示器的制造方法，該制作方法包括:提供一 TFT基板，所述TFT基板包括:第一 TFT元件以及第二 TFT元件；在所述TFT基板上表面的絕緣層形成與所述第一 TFT元件的輸出電極貫通的第一凹槽以及與所述第二 TFT元件的輸出電極貫通的第二凹槽；在所述TFT基板上表面形成參考電位層，所述參考電位層通過所述第一凹槽與所述第一 TFT元件的輸出電極電連接；在所述參考電位層上形成形變層，所述形變層通過所述第二凹槽與所述第二 TFT元件的輸出電極電連接，所述形變層與所述參考電位層絕緣；提供一彩膜基板，將所述彩膜基板與所述TFT基板貼合，所述形變層以及參考電位層位于所述彩膜基板與所述TFT基板之間；其中，所述形變層能夠以其與所述TFT基板的固定連接部分為固定軸發(fā)生不同程度的彈性形變，以改變其對所述第一 TFT元件與第二 TFT元件之間像素區(qū)的覆蓋面積。
[0008]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供了一種平面顯示器以及其制作方法，所述平面顯示器像素單元包括:固定設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的透明參考電位層；設(shè)置在所述參考電位層與所述彩膜基板之間的不透明形變層，所述形變層與所述參考電位層絕緣。其中，所述形變層能夠以其與所述TFT基板的固定連接部分為固定軸發(fā)生與所述電壓差對應(yīng)程度的彈性形變。因此，可通過所述第一 TFT元件控制所述參考電位層的電壓，通過所述第二 TFT元件控制所述形變層的電壓，能夠控制所述形變層與所述參考電位層的電壓差，進(jìn)而控制所述形變層對所述像素區(qū)的覆蓋面積，從而可以控制所述像素區(qū)的透光率。
[0009]可見，所述平面顯示器無需采用液晶材料，通過所述參考電壓層以及所述形變層即可實(shí)現(xiàn)對像素區(qū)出光率的控制，故相對于傳統(tǒng)的液晶顯示器，結(jié)構(gòu)簡單，無需設(shè)置在彩膜基板上的共同電極及上偏光片，無需設(shè)置在TFT基板上的定向膜以及下偏光片，制作工藝簡單，且成本低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖1b圖1a所示顯示器的一個像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示器的控制原理示意圖；
[0014]圖3-圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示器的制造方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有液晶顯示裝置通過驅(qū)動液晶層的液晶分子的偏轉(zhuǎn)對出射光線進(jìn)行控制，需要在所述彩膜基板的內(nèi)表面設(shè)置供電同電極，在其外表設(shè)置上偏光片，并需要在TFT基板內(nèi)表面設(shè)置定向膜，在其外表面設(shè)置下偏光片。因此，液晶顯裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，導(dǎo)致制作成本較高。
[0016]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在TFT基板的像素區(qū)設(shè)置不透明形變層以及參考電位差，通過TFT基板的TFT元件控制所述形變層與所述參考電位差的電壓，控制所述形變層發(fā)生不同程度的形變，即可通過所述形變層控制像素區(qū)的出光率，這樣無需液晶材料即可實(shí)現(xiàn)圖像顯示控制。
[0017]基于上述研究，本發(fā)明提供了一種顯示器，該顯示器包括:
[0018]相對設(shè)置的TFT基板以及彩膜基板，所述TFT基板包括:第一 TFT元件以及第二TFT元件，所述第一 TFT元件與第二 TFT元件之間透光區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)；
[0019]設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的像素單元，所述像素單元位于所述像素區(qū)的表面上，所述像素單元包括:設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的透明參考電位層；設(shè)置在所述參考電位層上的不透明形變層，所述形變層與所述參考電位層絕緣；
[0020]其中，所述第一 TFT元件的輸出電極與所述參考電位層電連接；所述第二 TFT元件的輸出電極與所述形變層電連接；所述形變層根據(jù)其與所述參考電位層的電壓差，以其與所述TFT基板的固定連接部分為固定軸發(fā)生與所述電壓差對應(yīng)程度的彈性形變，以改變所述形變層對所述像素區(qū)的覆蓋面積。
[0021]本發(fā)明所述顯示器可通過所述第一 TFT元件控制所述參考電位層的電壓，通過所述第二 TFT元件控制所述形變層的電壓，能夠控制所述形變層與所述參考電位層的電壓差，進(jìn)而控制所述形變層對所述像素區(qū)的覆蓋面積，從而可以控制所述像素區(qū)的透光率。
[0022]可見，所述平面顯示器無需采用液晶材料，通過所述參考電壓層以及所述形變層即可實(shí)現(xiàn)對像素區(qū)出光率的控制，故相對于傳統(tǒng)的液晶顯示器，結(jié)構(gòu)簡單，無需設(shè)置在彩膜基板上的共同電極及上偏光片，無需設(shè)置在TFT基板上的定向膜以及下偏光片，制作工藝簡單,且成本低。
[0023]以上是本申請的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0024]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0025]其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時，為便于說明，表示裝置件結(jié)構(gòu)的示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及高度的三維空間尺寸。
[0026]基于上述思想，本申請實(shí)施例提供了一種顯示器，參考圖la，包括:相對設(shè)置的TFT基板21以及彩膜基板22 ;設(shè)置在所述TFT基板21朝向所述彩膜基板22 —側(cè)表面的像素單元。
[0027]所述彩膜基板22包括:第一基板221以及設(shè)置在所述第一基板朝向所述TFT基板21 一側(cè)表面的黑色矩陣222以及彩色濾光膜223。所述黑色矩陣222對應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴煌腹獾姆秋@示區(qū)。優(yōu)選的，所述顯示器還包括設(shè)置在所述彩膜基板背離所述TFT基板一側(cè)表面、用于防止靜電的透明導(dǎo)電層(圖2中未示出)，所述透明導(dǎo)電層可以為ITO層。
[0028]所述TFT基板包括:第二基板211以及設(shè)置在所述第一基板221朝向所述彩膜基板22 —側(cè)表面的第一 TFT元件23以及第二 TFT元件24。所述第一 TFT元件包括:控制電極231、輸入電極232以及輸出電極233。所述第二 TFT元件24包括:控制電極241、輸入電極242以及輸出電極243。
[0029]其中，所述第一 TFT元件23與第二 TFT元件24之間透光區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)。所述控制電極為TFT元件的柵極，所述輸入電極為TFT元件的源極，所述輸出電極為TFT元件的漏極。
[0030]參考圖1a以及圖lb，所述像素單元包括:透明的參考電位層25以及不透明的形變層26。所述像素單元設(shè)置在所述像素區(qū)的表面。其中，所述參考電位層25設(shè)置在所述TFT基板21朝向所述彩膜基板22 —側(cè)的表面；所述形變層26設(shè)置在所述參考電位層23上，且與所述參考電位層25絕緣。所述參考電位層25表面覆蓋有透明絕緣層27。
[0031]所述第一 TFT元件23的輸出電極233與所述參考電位層25電連接，通過所述輸出電極233控制所述參考電位層25的電壓；所述第二 TFT元件24的輸出電極243與所述形變層26電連接，通過所述輸出電極243控制所述形變層26的電壓。
[0032]所述形變層25為可發(fā)生彈性形變的導(dǎo)電層，當(dāng)所述形變層26與所述參考電位層25之間電壓不同時，二者之間的電場強(qiáng)度不同，導(dǎo)致所述形變層26受到的電場力不同，因此，所述形變層26可以根據(jù)其與所述參考電位層25的電壓差，以其與所述TFT基板21的固定連接部分為固定軸發(fā)生與所述電壓差對應(yīng)程度的彈性形變，以改變所述形變層對所述像素區(qū)的覆蓋面積。
[0033]為了避免所述形變層26發(fā)生脫落，使得其與TFT基板21連接更加穩(wěn)固，在所述固定連接部分表面還設(shè)置有保護(hù)層28。所述保護(hù)層28為粘附性高的材料，如二氧化硅等。
[0034]通過支撐部件29固定連接所述TFT基板21與所述彩膜基板22，所述支撐部件29的厚度大于所述形變層26發(fā)生最大程度形變時，所述形變層26最高點(diǎn)與所述TFT基板上表面的距離，以使得所述形變層26有足夠的高度空間發(fā)生彈性形變。所述支撐部件29的形狀可以為圓柱結(jié)構(gòu)、或立方體結(jié)構(gòu)、或球體結(jié)構(gòu)、或椎體結(jié)構(gòu)、或棱臺結(jié)構(gòu)。
[0035]為了降低空氣阻力，所述像素單元為壓強(qiáng)小于標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的密封空間，以降低氣體壓強(qiáng)對形變層26運(yùn)動的阻力，且該密閉空間僅填充抑制氧化氣體，所述抑制氧化氣體為氮?dú)?、或是任意一種惰性氣體、或多種惰性氣體的混合氣體、或氮?dú)馀c一種或是多種惰性氣體的混合氣體，以防止形變層26氧化而老化，保證其具有較長的使用壽命。
[0036]在本實(shí)施例中，所述形變層26的材料可以為鈦、或銅、或銀、或鋁，但不限于上述材料。所述形變層26厚度為Inm-lOOOOnm，包括端點(diǎn)值，具體厚度可以根據(jù)設(shè)定的形變程度設(shè)定。
[0037]參考圖3，圖3示出了一個TFT基板21上三個像素單元的不同透光狀態(tài)。左邊像素單元的參考電位層25與形變層26均為施加電壓，故該形變層26保持初始狀態(tài)，光線部分通過。中間像素單元的參考電位層25與形變層26均為施加極性相反的電壓，使得其形變層26完全覆蓋在絕緣層27表面，光線不能通過，右邊像素單元的參考電位層25與形變層26均為施加極性相同的電壓，使得其形變層26發(fā)生向上翻轉(zhuǎn)的彈性形變，背光能夠通過，通過控制器向上翻轉(zhuǎn)程度控制光線的通過率。
[0038]通過上述描述可知，本實(shí)施例所述顯示器，通過控制所述形變層與所述參考電位層二者之間的電壓差以及二者各自的電壓極性，能夠控制形變層的形變程度，進(jìn)而控制所述形變層對所述像素區(qū)的覆蓋面積，進(jìn)而控制光線的透過率，實(shí)現(xiàn)不同的灰度的圖像顯示。
[0039]可見，所述平面顯示器無需采用液晶材料，通過所述參考電壓層以及所述形變層即可實(shí)現(xiàn)對像素區(qū)出光率的控制，故相對于傳統(tǒng)的液晶顯示器，結(jié)構(gòu)簡單，無需設(shè)置在彩膜基板上的共同電極及上偏光片，無需設(shè)置在TFT基板上的定向膜以及下偏光片，制作工藝簡單,且成本低。
[0040]本申請另一實(shí)施例還提供了一種上述顯示器的制造方法，包括:
[0041]步驟Sll:參考圖3，提供一 TFT基板21。
[0042]所述TFT基板21包括:第二基板211以及設(shè)置在所述第一基板221上表面的第一TFT元件23以及第二 TFT元件24。所述第一 TFT元件包括:控制電極231、輸入電極232以及輸出電極233。所述第二 TFT元件24包括:控制電極241、輸入電極242以及輸出電極243。所述TFT基板21還包括覆蓋所述第一 TFT元件23與第二 TFT元件24的鈍化層212。[0043]步驟S12:參考圖4，在所述TFT基板21上形成第一凹槽A與第二凹槽B。
[0044]可通過光刻或是激光刻蝕等工藝形成所述第一凹槽A與第二凹槽B。所述第一凹槽A與所述第一 TFT元件23的輸出電極233貫通，所述第二凹槽B與所述第二 TFT元件24的輸出電極243貫通。
[0045]步驟S13:參考圖5，在所述TFT基板21上表面形成參考電位層25，所述參考電位層25通過所述第一凹槽A與所述第一 TFT元件23的輸出電極233電連接。
[0046]可首先在所述TFT基板21上表面形成整層的透明導(dǎo)電層，在此過程中，透明導(dǎo)電層的材料沉積在第一凹槽A，實(shí)現(xiàn)與輸出電極233電連接。然后通過光刻工藝對所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定形狀的參考電位層25。
[0047]步驟S14:參考圖6，在所述參考電位層25上形成形變層26，所述形變層26通過所述第二凹槽B與所述第二 TFT元件24的輸出電極243電連接，所述形變層26與所述參考電位層25絕緣。
[0048]在該過程中，為了保證形變層26與參考電位層25絕緣，首先在所述參考電位層25表面形成設(shè)定形狀的絕緣層27。在所述絕緣層27上覆蓋光刻膠層，在光刻膠固化后，在所述光刻膠層上形成所述形變層26。通過鍍膜以及刻蝕工藝形成設(shè)定形狀的形變層26，在鍍膜時，形變層26的材料會填充第二凹槽B，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)形變層26與所述第二 TFT元件24的輸出電極243的電連接。最后，去除光刻膠，使得形變層26僅通過與第二凹槽B連接的部分被固定，使得其他部分可以發(fā)生彈性形變。
[0049]為了使得形變層26在TFT基板上連接更加穩(wěn)固，在其與TFT基板固定連接的部分形成保護(hù)層28。所述保護(hù)層28可以為二氧化硅層，可通過沉積鍍膜與刻蝕工藝形成。
[0050]步驟S15:提供一彩膜基板22，將所述彩膜基板22與所述TFT基板21貼合，所述形變層26以及參考電位層25位于所述彩膜基板22與所述TFT基板21之間，最終形成的顯示器結(jié)構(gòu)如圖1所示。
[0051]所述形變層26能夠以其與所述TFT基板21的固定連接部分為固定軸發(fā)生不同程度的彈性形變，以改變其對所述第一 TFT元件與第二 TFT元件之間像素區(qū)的覆蓋面積。
[0052]為了防止邊緣漏光問題，所述形變層26與所述TFT基板固定連接的部分被所述彩膜基板22的黑色矩陣222在TFT基板上的投影覆蓋，即形變層26在TFT基板投影的面積大于黑色矩陣222的開口。
[0053]在將所述彩膜基板22與所述TFT基板21貼合之前，為了避免靜電對顯示器的干擾，可以在所述彩膜基板背離所述TFT基板一側(cè)表面形成透明導(dǎo)電層。
[0054]所述彩膜基板22與所述TFT基板21低壓密封設(shè)置，以減小形變層26阻力，且二者之間填充抑制氧化氣體，以防止形變層26被氧化，保證其使用壽命。
[0055]通過上述描述可知，本實(shí)施例所述制作方法制備的顯示器無需液晶盒，在制作過程中，無需液晶層的平坦化處理，無需設(shè)置在彩膜基板上的共同電極及上偏光片，無需設(shè)置在TFT基板上的定向膜以及下偏光片，制作工藝簡單，且成本低。
[0056]需要說明的是，本申請裝置實(shí)施例與方法實(shí)施例描述各有側(cè)重，相同相似的描述可相互補(bǔ)充說明。在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實(shí)體或者操作與另一個實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。申請文件中提及的動詞“包括”、“包含”及其詞形變化的使用不排除除了申請文件中記載的那些元素或步驟之外的元素或步驟的存在。元素前的冠詞“一”或“一個”不排除多個這種元素的存在。另外，上述TFT元件結(jié)構(gòu)可為a-Si非晶硅結(jié)構(gòu)、LTPS低溫多晶硅結(jié)構(gòu)，或氧化物半導(dǎo)體(如IGZO)結(jié)構(gòu)。
[0057]雖然已經(jīng)參考若干【具體實(shí)施方式】描述了本發(fā)明的精神和原理，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明并不限于所公開的【具體實(shí)施方式】，對各方面的劃分也不意味著這些方面中的特征不能組合以進(jìn)行受益，這種劃分僅是為了表述的方便。本發(fā)明旨在涵蓋所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)所包括的各種修改和等同布置。所附權(quán)利要求的范圍符合最寬泛的解釋，從而包含所有這樣的修改及等同結(jié)構(gòu)和功能。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示器，其特征在于，包括: 相對設(shè)置的TFT基板以及彩膜基板，所述TFT基板包括:第一 TFT元件以及第二 TFT元件，所述第一 TFT元件與第二 TFT元件之間透光區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)； 設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的像素單元，所述像素單元位于所述像素區(qū)的表面上，所述像素單元包括:設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的透明參考電位層；設(shè)置在所述參考電位層上的不透明形變層，所述形變層與所述參考電位層絕緣； 其中，所述第一 TFT元件的輸出電極與所述參考電位層電連接；所述第二 TFT元件的輸出電極與所述形變層電連接；所述形變層根據(jù)其與所述參考電位層的電壓差，以其與所述TFT基板的固定連接部分為固定軸發(fā)生與所述電壓差對應(yīng)程度的彈性形變，以改變所述形變層對所述像素區(qū)的覆蓋面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，還包括: 覆蓋所述連接部分的保護(hù)層，所述保護(hù)層用于固定所述連接部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，所述TFT基板與所述彩膜基板之間設(shè)置有支撐部件，所述形變層發(fā)生最大形變時，所述支撐部件的厚度大于所述形變層最高點(diǎn)與所述TFT基板上表面的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平面顯示器，其特征在于，所述支撐部件形狀為圓柱結(jié)構(gòu)、立方體結(jié)構(gòu)、球體結(jié)構(gòu)、椎體結(jié)構(gòu)或棱臺結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面顯示器，其特征在于，還包括: 設(shè)置在所述彩膜基板背離所述TFT基板一側(cè)表面、用于防止靜電的透明導(dǎo)電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面顯示器，其特征在于，所述像素單元所處空間為壓強(qiáng)不大于標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，且僅填充抑制氧化氣體的密閉空間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的平面顯示器，其特征在于，所述抑制氧化氣體為氮?dú)?、或是任意一種惰性氣體、或多種惰性氣體的混合氣體、或氮?dú)馀c一種或是多種惰性氣體的混合氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的平面顯示器，其特征在于，所述形變層的材料為鈦、銅、銀或鋁。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的平面顯示器，其特征在于，所述形變層的厚度為Inm-1OOOOnm,包括端點(diǎn)值。
10.一種顯示器的制造方法，其特征在于，包括 提供一 TFT基板，所述TFT基板包括:第一 TFT元件以及第二 TFT元件； 在所述TFT基板上表面的絕緣層形成與所述第一 TFT元件的輸出電極貫通的第一凹槽以及與所述第二 TFT元件的輸出電極貫通的第二凹槽； 在所述TFT基板上表面形成參考電位層，所述參考電位層通過所述第一凹槽與所述第一 TFT元件的輸出電極電連接； 在所述參考電位層上形成形變層，所述形變層通過所述第二凹槽與所述第二 TFT元件的輸出電極電連接，所述形變層與所述參考電位層絕緣； 提供一彩膜基板，將所述彩膜基板與所述TFT基板貼合，所述形變層以及參考電位層位于所述彩膜基板與所述TFT基板之間；其中，所述形變層能夠以其與所述TFT基板的固定連接部分為固定軸發(fā)生不同程度的彈性形變，以改變其對所述第一 TFT元件與第二 TFT元件之間像素區(qū)的覆蓋面積。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，在將所述彩膜基板與所述TFT基板貼合之前，還包括，在所述彩膜基板背離所述TFT基板一側(cè)表面形成透明導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述TFT基板與所述彩膜基板密封設(shè)置，且二者之間填充抑制氧化氣體。
【文檔編號】G02F1/1343GK103926755SQ201310750189
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】楊育青 申請人:廈門天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司