用于在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的掩膜板和方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的掩膜板和方法，所述掩膜板具有透光區(qū)域和不透光區(qū)域，其特征在于：在所述掩膜板的所述透光區(qū)域與所述不透光區(qū)域之間還存在具有狹縫的區(qū)域。
【專利說(shuō)明】用于在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的掩膜板和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種用于在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的掩膜板和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Advanced Super Dimension Switch,ADS)技術(shù)是液晶顯不業(yè)界為解決大尺寸、高分辨率顯示裝置而開發(fā)的廣視角技術(shù)。而高開口率ADS (HADS)技術(shù)通過(guò)改變ADS技術(shù)的陣列基板中公共電極和像素電極的位置，由公共電極覆蓋數(shù)據(jù)信號(hào)線和柵極掃描信號(hào)線，進(jìn)一步提高了面板的開口率。
[0003]由于有機(jī)絕緣膜的厚度較大，鍵合區(qū)段差太大，在制造顯示面板的過(guò)程中易發(fā)生由摩擦導(dǎo)致的顯示不均現(xiàn)象(Rubbing Mura)，所以像素區(qū)以外的區(qū)域也保留有機(jī)絕緣膜。這樣在像素區(qū)以外的區(qū)域內(nèi)，需要采用過(guò)孔設(shè)計(jì)將公共電極與數(shù)據(jù)信號(hào)線導(dǎo)通，以導(dǎo)入信號(hào)。圖1A示出了現(xiàn)有技術(shù)中像素區(qū)以外的區(qū)域的截面圖。在圖1A中，基板11上形成有柵極絕緣膜12，在柵極絕緣膜12上形成數(shù)據(jù)信號(hào)線14，然后形成有機(jī)絕緣膜13，并在有機(jī)絕緣膜13上形成過(guò)孔以暴露出下方的數(shù)據(jù)信號(hào)線14，再然后形成覆蓋有機(jī)絕緣膜13和數(shù)據(jù)信號(hào)線14的像素電極15。像素電極15是整體形成在基板表面的，由于這部分區(qū)域處于像素區(qū)外，因此需要去除這部分區(qū)域內(nèi)的像素電極，通常去除該部分像素電極的方法是在基板上涂覆一層光刻膠16，然后對(duì)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域進(jìn)行曝光顯影。圖1B示出了光刻膠顯影后的示意圖。由于有機(jī)絕緣膜段差大，因此在曝光顯影結(jié)束后，過(guò)孔17邊緣處容易殘留部分光刻膠，從而導(dǎo)致在后續(xù)的蝕刻工藝中殘留的光刻膠下方的像素電極不能被完全去除，如圖1C所示。圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中像素區(qū)以外的區(qū)域的平面圖，在過(guò)孔17內(nèi)數(shù)據(jù)信號(hào)線14通過(guò)鈍化層過(guò)孔18與公共電極19電接觸。由于不能完全去除像素區(qū)以外的區(qū)域內(nèi)的像素電極15，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)信號(hào)線14間的短路高發(fā)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是有機(jī)絕緣膜中過(guò)孔內(nèi)光刻膠殘留的問(wèn)題。
[0005]為此目的，本發(fā)明提出了一種用于在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的掩膜板，所述掩膜板具有透光區(qū)域和不透光區(qū)域，其特征在于:在所述掩膜板的所述透光區(qū)域與所述不透光區(qū)域之間還存在具有狹縫的區(qū)域。
[0006]本發(fā)明還提出了一種用于在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的方法，包括:利用上述掩膜板對(duì)所述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的所述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行顯影，在所述有機(jī)絕緣膜中形成具有平緩坡度角的過(guò)孔。
[0007]優(yōu)選地，所述有機(jī)絕緣膜是負(fù)性光刻膠。
[0008]優(yōu)選地，所述有機(jī)絕緣膜的材料是聚酰亞胺樹脂、聚乙烯、聚四氟乙烯中的一種或多種。
[0009]通過(guò)采用本發(fā)明所公開的用于在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的掩膜板和方法，能夠在有機(jī)絕緣膜中形成具有平緩坡度角的過(guò)孔，從而避免過(guò)孔內(nèi)光刻膠殘留現(xiàn)象，降低陣列基板邊緣處發(fā)生數(shù)據(jù)信號(hào)線間短路的概率，提高產(chǎn)品的良品率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]通過(guò)參考附圖會(huì)更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0011]圖1A至IC示出了現(xiàn)有技術(shù)中去除像素區(qū)以外的區(qū)域內(nèi)的像素電極的示意圖；
[0012]圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中像素區(qū)以外的區(qū)域的平面圖；
[0013]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的示意圖；
[0014]圖4示出了在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在有機(jī)絕緣膜中的光路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0016]為了能夠完全去除有機(jī)絕緣膜過(guò)孔內(nèi)的光刻膠，需要使有機(jī)絕緣膜過(guò)孔的坡度角變緩，從而有效減少因有機(jī)絕緣膜的大段差所引起的光刻膠殘留現(xiàn)象。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的示意圖。
[0017]如圖3所示，本發(fā)明采用了一種具有狹縫23的掩膜板22，并且采用聚酰亞胺環(huán)氧樹脂來(lái)作為有機(jī)絕緣膜21的材料。聚酰亞胺環(huán)氧樹脂屬于一種負(fù)性光刻膠，即經(jīng)曝光后的感光部分形成不可溶物質(zhì)，從而在后續(xù)的顯影步驟中被保留下來(lái)。掩膜板22具有透光區(qū)域和不透光區(qū)域，并且在透光區(qū)域和不透光區(qū)域之間還存在具有狹縫23的區(qū)域。
[0018]當(dāng)采用掩膜板22對(duì)有機(jī)絕緣膜21進(jìn)行曝光顯影時(shí)，掩膜板22透光區(qū)域所對(duì)應(yīng)的有機(jī)絕緣膜21被完全曝光，由于有機(jī)絕緣膜21的負(fù)性光刻膠的性質(zhì)，該部分有機(jī)絕緣膜21被完全保留下來(lái)；掩膜板22不透光區(qū)域所對(duì)應(yīng)的有機(jī)絕緣膜21由于被掩膜板22完全遮擋，因此該部分有機(jī)絕緣膜21被完全去除，從而在有機(jī)絕緣膜21中形成了過(guò)孔。另外，在掩膜板22具有狹縫23的區(qū)域所對(duì)應(yīng)的有機(jī)絕緣膜21中，由于掩膜板22上的狹縫23，會(huì)有部分光透過(guò)狹縫23，并在有機(jī)絕緣膜21與其下方的膜層界面發(fā)生反射，如圖4所示。于是不同于現(xiàn)有技術(shù)中不帶有狹縫的掩膜板而使得過(guò)孔坡度較陡的情況，使得該部分有機(jī)絕緣膜21形成了一段坡度角較緩的斜坡。
[0019]對(duì)于較緩的坡度角，可以有效減小因有機(jī)絕緣膜的大段差所致的光刻膠殘留現(xiàn)象發(fā)生，從而可以完全去除掉多余的像素電極，降低陣列基板邊緣處發(fā)生數(shù)據(jù)信號(hào)線間短路的概率，提聞廣品的良品率。
[0020]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過(guò)調(diào)節(jié)狹縫的數(shù)量、寬度和間隔來(lái)調(diào)整有機(jī)絕緣膜過(guò)孔的坡度，實(shí)施工藝簡(jiǎn)單，只需一次掩膜工藝。本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以根據(jù)需要在同一掩膜的不同位置實(shí)現(xiàn)不同的坡度角設(shè)計(jì)。
[0021]在本實(shí)施例中采用聚酰亞胺環(huán)氧樹脂來(lái)作為有機(jī)絕緣膜的材料，但是本發(fā)明并不限于此，任何具有負(fù)性光刻膠性質(zhì)的絕緣材料均可以作為有機(jī)絕緣膜，例如聚乙烯、聚四氟乙烯等。
[0022]通過(guò)采用本發(fā)明所公開的用于在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的掩膜板和方法，能夠在有機(jī)絕緣膜中形成具有平緩坡度角的過(guò)孔，從而避免過(guò)孔內(nèi)光刻膠殘留現(xiàn)象，降低陣列基板邊緣處發(fā)生數(shù)據(jù)信號(hào)線間短路的概率，提高產(chǎn)品的良品率。
[0023]雖然結(jié)合附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下作出各種修改和變型，這樣的修改和變型均落入由所附權(quán)利要求所限定的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的掩膜板，所述掩膜板具有透光區(qū)域和不透光區(qū)域，其特征在于:在所述掩膜板的所述透光區(qū)域與所述不透光區(qū)域之間還存在具有狹縫的區(qū)域。
2.一種用于在有機(jī)絕緣膜中形成過(guò)孔的方法，包括: 利用根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板對(duì)所述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行曝光； 對(duì)曝光后的所述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行顯影，在所述有機(jī)絕緣膜中形成具有平緩坡度角的過(guò)孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述有機(jī)絕緣膜是負(fù)性光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述有機(jī)絕緣膜的材料是聚酰亞胺樹脂、聚乙烯、聚四氟乙烯中的一種或多種。
【文檔編號(hào)】G03F1/38GK103676465SQ201310723071
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月24日
【發(fā)明者】張敏, 金玟秀 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司