陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置，所述陣列基板包括：第一基板及形成于所述第一基板上的公共電極層和公共電極線，所述公共電極層與所述公共電極線連接；其中，所述第一基板包括：像素區(qū)域及位于所述像素區(qū)域四周的非像素區(qū)域，所述公共電極層覆蓋所述第一基板的整個(gè)像素區(qū)域，所述公共電極線位于所述第一基板的非像素區(qū)域內(nèi)。通過采用本發(fā)明的技術(shù)方案，能夠提高顯示面板的開口率和透過率。
【專利說明】陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]請(qǐng)參考圖1和圖2，現(xiàn)有的薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-1XD)顯示面板的陣列基板包括:基板101,公共電極102,柵極掃描線103,公共電極線(Common Line) 104,絕緣層105，有源層(Active) 106，源/漏極線107，保護(hù)層(PVX) 108及像素電極109。該種結(jié)構(gòu)的陣列基板，公共電極線104是位于基板101的像素區(qū)域內(nèi)，通過公共電極線104將公共電壓加載到公共電極102上的，其中，整個(gè)陣列基板上的公共電極線104呈網(wǎng)格狀分布。
[0003]請(qǐng)參考圖3，圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的TFT-LCD顯示面板對(duì)盒后的結(jié)構(gòu)示意圖，該TFT-1XD顯示面板包括上述陣列基板100及彩膜基板200，彩膜基板200包括:基板201、黑矩陣(BM) 202、彩色濾光片203及透明電極層204。由于公共電極線104呈網(wǎng)格狀分布，且與柵極掃描線103之間需要間隔一定的距離，因此導(dǎo)致公共電極線104周圍區(qū)域產(chǎn)生漏光，為了遮擋住漏光區(qū)域，如圖3所示，需要將增加黑矩陣202的線寬將其延伸至漏光區(qū)域所在的位置，增加黑矩陣201的線寬，將使得TFT-1XD顯示面板的開口率和透過率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置，以解決為遮擋因公共電極線周邊區(qū)域的漏光需增加黑矩陣的線寬，而導(dǎo)致TFT-LCD顯示面板的開口率和透過率低的問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供陣列基板，包括:
[0006]第一基板及形成于所述第一基板上的公共電極層和公共電極線，所述公共電極層與所述公共電極線連接；其中，所述第一基板包括:像素區(qū)域及位于所述像素區(qū)域四周的非像素區(qū)域，所述公共電極層覆蓋所述第一基板的整個(gè)像素區(qū)域，所述公共電極線位于所述第一基板的非像素區(qū)域內(nèi)。
[0007]優(yōu)選地，所述公共電極線呈口字型，分布于所述公共電極層的四周。
[0008]優(yōu)選地，所述公共電極層的外側(cè)邊緣的第一部分位于所述第一基板的非像素區(qū)域內(nèi)，所述公共電極層的外側(cè)邊緣的第一部分與所述公共電極線的內(nèi)側(cè)邊緣的第一部分重疊。
[0009]優(yōu)選地，所述公共電極層的膜厚為600?2000埃。
[0010]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括:
[0011]形成于所述公共電極層上的第一絕緣層；及
[0012]形成于所述第一絕緣層上的柵極掃描線；
[0013]其中，所述第一絕緣層的尺寸等于或大于所述柵極掃描線的尺寸。
[0014]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括:[0015]形成于所述柵極掃描線上的第二絕緣層；
[0016]形成于所述第二絕緣層上的有源層；
[0017]形成于所述有源層上的源/漏電極線；
[0018]形成于所述源/漏電極線上的保護(hù)層；及
[0019]形成于所述保護(hù)層上的像素電極。
[0020]本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括彩膜基板及上述陣列基板。
[0021]優(yōu)選地，所述彩膜基板包括:第二基板及依次形成于所述第二基板上的黑矩陣、彩色濾光片及透明電極層。
[0022]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0023]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0024]提供一第一基板，所述第一基板包括:像素區(qū)域及位于所述像素區(qū)域四周的非像素區(qū)域；
[0025]形成覆蓋于所述第一基板的整個(gè)像素區(qū)域的公共電極層；
[0026]在所述第一基板的非像素區(qū)域內(nèi)形成公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極層連接；
[0027]在所述公共電極層上形成第一絕緣層；
[0028]在所述第一絕緣層上形成柵極掃描線；
[0029]在所述柵極掃描線上形成第二絕緣層；
[0030]在所述第二絕緣層上形成有源層；
[0031 ] 在所述有源層上形成源/漏電極線；
[0032]在所述源/漏電極線上形成保護(hù)層 '及
[0033]在所述保護(hù)層上形成像素電極。
[0034]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0035]將現(xiàn)有的位于基板的像素區(qū)域內(nèi)的公共電極線去除，將公共電極線設(shè)置在基板的非像素區(qū)域內(nèi)，將公共電極層覆蓋整個(gè)像素區(qū)域，從而避免了像素區(qū)域的漏光問題，進(jìn)一步地可以減小與陣列基板對(duì)應(yīng)設(shè)置的彩膜基板上的黑矩陣的線寬，以提高顯示面板的開口率和透過率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的TFT-1XD顯示面板的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖2為圖1中的陣列基板的沿A-A截面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3現(xiàn)有技術(shù)中的TFT-1XD顯示面板對(duì)盒后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖5為圖4中的陣列基板的沿B-B截面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖6為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的另一結(jié)構(gòu)不意圖；
[0042]圖7為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖8為圖7中的陣列基板的沿C-C截面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖9為本發(fā)明實(shí)施例二的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖10為包含本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；[0046]圖11為本發(fā)明實(shí)施例三的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖12為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制備方法的流程示意圖；
[0048]圖13為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板的制備方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0050]請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的一結(jié)構(gòu)示意圖，所述陣列基板包括:第一基板401及形成于所述第一基板401上的公共電極層402和公共電極線403，所述公共電極層402與所述公共電極線403連接；其中，所述第一基板401包括:用于顯示的像素區(qū)域及位于所述像素區(qū)域四周的非像素區(qū)域，所述公共電極層402覆蓋所述第一基板401的整個(gè)像素區(qū)域，所述公共電極線403位于所述第一基板401的非像素區(qū)域內(nèi)。
[0051]所述第一基板401可以采用玻璃、石英、陶瓷等材料制成。
[0052]所述公共電極層402可以采用氧化銦錫(ITO)等透明導(dǎo)電材料制成。
[0053]本實(shí)施例中，所述公共電極線403呈口字型，分布于所述公共電極層402的四周。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述公共電極線也可以為其他結(jié)構(gòu)，例如，僅位于所述公共電極層402的其中一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)邊緣外側(cè)。
[0054]請(qǐng)參考圖5，圖5為圖4中的陣列基板的沿B-B截面的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5所述的實(shí)施例中，所述公共電極層402的外側(cè)邊緣的第一部分4021位于所述第一基板401的非像素區(qū)域內(nèi)，所述公共電極層402的外側(cè)邊緣的第一部分4021與所述公共電極線403的內(nèi)側(cè)邊緣的第一部分4031重疊。
[0055]請(qǐng)參考圖6，圖6為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的另一結(jié)構(gòu)示意圖。圖6所述的實(shí)施例中，所述公共電極層402完全位于所述第一基板401的像素區(qū)域內(nèi)，所述公共電極線403位于所述公共電極層402的四周，與所述公共電極層402不重疊。
[0056]上述實(shí)施例中，所述公共電極層402的膜厚可以設(shè)置為600~2000埃(▲)，大于現(xiàn)有技術(shù)中的公共電極層的膜厚，以防止RC延遲。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括彩膜基板及上述陣列基板。
[0058]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0059]通過上述本實(shí)施例提供的方案，將現(xiàn)有的位于陣列基板的像素區(qū)域內(nèi)的公共電極線去除，將公共電極線設(shè)置在陣列基板的非像素區(qū)域內(nèi)，將公共電極層覆蓋整個(gè)像素區(qū)域，從而避免了像素區(qū)域的漏光問題，進(jìn)一步地可以減小與陣列基板對(duì)應(yīng)設(shè)置的彩膜基板上的黑矩陣的線寬，以提高顯示面板的開口率和透過率。
[0060]下面舉例對(duì)本實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0061]實(shí)施例一
[0062]請(qǐng)參考圖7和圖8，圖7為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8為圖7中的陣列基板的沿C-C截面的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0063]本實(shí)施例中的陣列基板包括:第一基板401，形成于所述第一基板401上的公共電極層402及公共電極線403，形成于所述公共電極層402上的第一絕緣層404，形成于所述第一絕緣層404上的柵極掃描線405，形成于所述柵極掃描線405上的第二絕緣層406，形成于所述第二絕緣層406上的有源層407，形成于所述有源層407上的源/漏電極線408，形成于所述源/漏電極線408上的保護(hù)層409，及形成于所述保護(hù)層409上的像素電極410。其中，所述第一基板401包括:用于顯示的像素區(qū)域及位于所述像素區(qū)域四周的非像素區(qū)域，所述公共電極層402覆蓋所述第一基板401的整個(gè)像素區(qū)域，所述公共電極線403位于所述第一基板401的非像素區(qū)域內(nèi)。
[0064]實(shí)施例二
[0065]請(qǐng)參考圖9，圖9為本發(fā)明實(shí)施例二的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例與上述實(shí)施例一的區(qū)別在于，實(shí)施例一中的第一絕緣層404完全覆蓋公共電極層402上，實(shí)施例二中的第一絕緣層404的尺寸略大于柵極掃描線405的尺寸。
[0066]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一絕緣層的尺寸也可以等于柵極掃描線的尺寸。
[0067]請(qǐng)參考圖10，圖10為包含本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，所述顯示面板包括:陣列基板400和彩膜基板500，所述陣列基板400為上述實(shí)施例一中的陣列基板，所述彩膜基板500包括:第二基板501，依次形成于所述第二基板501上的黑矩陣502、彩色濾光片503及透明電極層504。
[0068]從圖10中可以看出，由于將公共電極線403設(shè)置在第一基板401的非像素區(qū)域內(nèi)，將公共電極層402覆蓋第一基板401的整個(gè)像素區(qū)域，從而避免了第一基板401的像素區(qū)域的漏光問題，進(jìn)一步地可以減小與陣列基板400對(duì)應(yīng)設(shè)置的彩膜基板500上的黑矩陣502的線寬(可減少圖中虛線框體部分的黑矩陣)，以提高顯示面板的開口率和透過率。
[0069]實(shí)施例三
[0070]請(qǐng)參考圖11，圖11為本發(fā)明實(shí)施例三的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例中的陣列基板為平面轉(zhuǎn)換(IPS)模式的陣列基板，包括:第一基板(圖未示出)，形成于所述第一基板上的公共電極層402及公共電極線403，形成于所述公共電極層402上的第一絕緣層(圖未示出)，形成于所述第一絕緣層上的柵極掃描線405，形成于所述柵極掃描線405上的第二絕緣層(圖未示出)，形成于所述第二絕緣層上的有源層407，形成于所述有源層407上的源/漏電極線408，形成于所述源/漏電極線408上的保護(hù)層(圖未示出)，及形成于所述保護(hù)層上的像素電極410。其中，所述第一基板包括:用于顯示的像素區(qū)域及位于所述像素區(qū)域四周的非像素區(qū)域，所述公共電極層402覆蓋所述第一基板的整個(gè)像素區(qū)域，所述公共電極線403位于所述第一基板的非像素區(qū)域內(nèi)。
[0071]上述實(shí)施例中，所述第一絕緣層和第二絕緣層可以采用SiNx等絕緣材料制成。
[0072]請(qǐng)參考圖12，圖12為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制備方法的流程示意圖，所述制備方法用于制備上述實(shí)施例中所述的陣列基板，所述方法包括以下步驟:
[0073]步驟1201:提供一第一基板，所述第一基板包括:像素區(qū)域及位于所述像素區(qū)域四周的非像素區(qū)域；
[0074]步驟1202:形成覆蓋于所述第一基板的整個(gè)像素區(qū)域的公共電極層；
[0075]步驟1203:在所述第一基板的非像素區(qū)域內(nèi)形成公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極層連接。
[0076]下面以制備實(shí)施例一中的陣列基板為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制備方法進(jìn)行舉例說明。[0077]請(qǐng)參考圖13，圖13為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板的制備方法的流程示意圖，所述方法包括以下步驟:
[0078]步驟1301:提供一第一基板，所述第一基板包括:像素區(qū)域及位于所述像素區(qū)域四周的非像素區(qū)域；
[0079]步驟1302:在所述第一基板的非像素區(qū)域內(nèi)形成公共電極線；
[0080]步驟1303:形成覆蓋于所述第一基板的整個(gè)像素區(qū)域的公共電極層，所述公共電極線與所述公共電極層連接；
[0081]具體的，可以通過濺射沉積、曝光、刻蝕、剝離工藝，在第一基板上沉積一層ITO層，形成公共電極層；
[0082]步驟1304:在所述公共電極層上形成第一絕緣層；
[0083]具體的，可以通過化學(xué)氣相沉積、曝光、刻蝕、剝離工藝，在公共電極層上沉積一層SiNx層，形成第一絕緣層；
[0084]步驟1305:在所述第一絕緣層上形成柵極掃描線；
[0085]具體的，可以通過濺射沉積、曝光、刻蝕、剝離工藝，在第一絕緣層上形成柵極掃描線.[0086]步驟1306:按照傳統(tǒng)工藝依次形成第二絕緣層、有源層、源/漏電極線、保護(hù)層及像素電極。
[0087]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 第一基板及形成于所述第一基板上的公共電極層和公共電極線，所述公共電極層與所述公共電極線連接；其中，所述第一基板包括:像素區(qū)域及位于所述像素區(qū)域四周的非像素區(qū)域，所述公共電極層覆蓋所述第一基板的整個(gè)像素區(qū)域，所述公共電極線位于所述第一基板的非像素區(qū)域內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線呈口字型，分布于所述公共電極層的四周。
3.如權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極層的外側(cè)邊緣的第一部分位于所述第一基板的非像素區(qū)域內(nèi)，所述公共電極層的外側(cè)邊緣的第一部分與所述公共電極線的內(nèi)側(cè)邊緣的第一部分重疊。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極層的膜厚為600?2000埃。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 形成于所述公共電極層上的第一絕緣層；及 形成于所述第一絕緣層上的柵極掃描線； 其中，所述第一絕緣層的尺寸等于或大于所述柵極掃描線的尺寸。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 形成于所述柵極掃描線上的第二絕緣層； 形成于所述第二絕緣層上的有源層； 形成于所述有源層上的源/漏電極線； 形成于所述源/漏電極線上的保護(hù)層 '及 形成于所述保護(hù)層上的像素電極。
7.—種顯示面板，其特征在于，包括彩膜基板及如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括:第二基板及依次形成于所述第二基板上的黑矩陣、彩色濾光片及透明電極層。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求7或8所述的顯示面板。
10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供一第一基板，所述第一基板包括:像素區(qū)域及位于所述像素區(qū)域四周的非像素區(qū)域； 形成覆蓋于所述第一基板的整個(gè)像素區(qū)域的公共電極層； 在所述第一基板的非像素區(qū)域內(nèi)形成公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極層連接； 在所述公共電極層上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成柵極掃描線； 在所述柵極掃描線上形成第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上形成有源層； 在所述有源層上形成源/漏電極線； 在所述源/漏電極線上形成保護(hù)層 '及 在所述保護(hù)層上形成像素電極。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK103529605SQ201310521750
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月29日
【發(fā)明者】吳洪江, 黃常剛, 袁劍峰 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司