陣列基板及3d顯示設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及3D顯示設(shè)備,本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)設(shè)置將第N+1組掃描線的第一掃描線連接至第1組掃描線的第二掃描線,以使得所述第N+1組掃描線的第一掃描線的垂直起始脈沖輸出信號(hào)作為所述第1組掃描線的第二掃描線的垂直起始脈沖輸入信號(hào),進(jìn)而開(kāi)啟陣列基板中的其它第二掃描線,無(wú)需額外增加布線對(duì)所述第二掃描線輸入垂直起始脈沖輸入信號(hào),簡(jiǎn)化了陣列基板的走線布局,節(jié)省了成本。
【專利說(shuō)明】陣列基板及3D顯示設(shè)備
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及3D顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,特別是涉及一種陣列基板及3D顯示設(shè)備。
【【背景技術(shù)】】
[0002]隨著3D應(yīng)用的不斷普及推廣,對(duì)3D技術(shù)的要求越來(lái)越高。
[0003]3D的快門(Shutter Glass)常用的一種技術(shù)為黑畫面插入背光掃描模式(BlackInsertion, BLU Blinking Mode),此種3D技術(shù)在插入黑畫面時(shí),通常由3D顯示器的TCON(時(shí)序控制器)或SD (轉(zhuǎn)換器)進(jìn)行控制,其是通過(guò)在左右眼信號(hào)切換時(shí)插入黑畫面來(lái)實(shí)現(xiàn),例如在右眼幀結(jié)束之后,插入一幀黑畫面,然后進(jìn)行左眼幀的掃描。
[0004]因?yàn)樾枰谧笥已塾嵦?hào)切換時(shí)插入黑畫面,所以要求更高的刷新頻率。譬如通常的充電時(shí)間一般為120赫茲(Hz),但是在插入黑畫面方式下,充電時(shí)間(Charging time)縮小為240Hz,使面板存在充電不足的風(fēng)險(xiǎn),進(jìn)而導(dǎo)致亮度不均(Mura)的出現(xiàn),嚴(yán)重的將會(huì)導(dǎo)致面板顯示不良,極大地影響了面板的品質(zhì)。
[0005]為解決上述充電不足的問(wèn)題,業(yè)界有采用雙柵(Gate Doubling)的驅(qū)動(dòng)方式,這種方式將不會(huì)使充電時(shí)間減半,但是會(huì)使面板的分辨率降低為原來(lái)的一半,影響畫面品質(zhì)。而額外增加?xùn)艠O線(Gate line)的話,由于STV (垂直起始脈沖)信號(hào)需要通過(guò)TCON給出,不僅實(shí)現(xiàn)方式繁瑣,而且成本高。
[0006]因此,需解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述技術(shù)問(wèn)題。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0007]鑒于此,本發(fā)明提供一種陣列基板及3D顯示設(shè)備,以解決現(xiàn)有技術(shù)中黑畫面插入背光掃描模式的3D顯示技術(shù),只能顯示一種灰階畫面,導(dǎo)致在高亮度顯示時(shí)畫面模糊的技術(shù)問(wèn)題。
[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明構(gòu)造了一種陣列基板,其中包括沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線以及沿行方向延伸的公共電極線和掃描線,所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相互垂直交錯(cuò),呈矩陣式排列,并形成多個(gè)像素單元,所述像素單元內(nèi)包括有像素電極、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管;
[0009]每一行像素單兀對(duì)應(yīng)一組掃描線,每組掃描線均包括有第一掃描線和第二掃描線,所述第一掃描線通過(guò)所述第一薄膜晶體管連接所述像素電極,所述第二掃描線通過(guò)所述第二薄膜晶體管連接所述像素電極;
[0010]其中第I組掃描線的所述第二掃描線的起始端連接第N+1組掃描線的所述第一掃描線的末端,以使得所述第N+1組掃描線的所述第一掃描線的垂直起始脈沖輸出信號(hào)作為所述第I組掃描線中所述第二掃描線的垂直起始脈沖輸入信號(hào),以開(kāi)啟所述第I組掃描線中所述第二掃描線,其中N為大于等于I的自然數(shù)。
[0011]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明實(shí)施例還構(gòu)造了一種3D顯示設(shè)備,其特征在于,包括一陣列基板,其中包括沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線以及沿行方向延伸的公共電極線和掃描線,所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相互垂直交錯(cuò),呈矩陣式排列,并形成多個(gè)像素單元,所述像素單元內(nèi)包括有像素電極、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管;
[0012]每一行像素單兀對(duì)應(yīng)一組掃描線,每組掃描線均包括有第一掃描線和第二掃描線,所述第一掃描線通過(guò)所述第一薄膜晶體管連接所述像素電極,所述第二掃描線通過(guò)所述第二薄膜晶體管連接所述像素電極;
[0013]其中第I組掃描線的所述第二掃描線的起始端連接第N+1組掃描線的所述第一掃描線的末端,以使得所述第N+1組掃描線的所述第一掃描線的垂直起始脈沖輸出信號(hào)作為所述第I組掃描線中所述第二掃描線的垂直起始脈沖輸入信號(hào),以開(kāi)啟所述第I組掃描線中所述第二掃描線,其中N為大于等于I的自然數(shù)。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)設(shè)置將第N+1組掃描線的第一掃描線連接至第I組掃描線的第二掃描線,以使得所述第N+1組掃描線的第一掃描線的垂直起始脈沖輸出信號(hào)作為所述第I組掃描線的第二掃描線的垂直起始脈沖輸入信號(hào),進(jìn)而開(kāi)啟陣列基板中的其它第二掃描線,無(wú)需額外增加布線對(duì)所述第二掃描線輸入垂直起始脈沖輸入信號(hào),簡(jiǎn)化了陣列基板的走線布局,節(jié)省了成本。
[0015]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉優(yōu)選實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說(shuō)明如下:
【【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】】
[0016]圖I為本發(fā)明中陣列基板的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖;
[0017]圖2為本發(fā)明中陣列基 板的局部結(jié)構(gòu)示意圖;
[0018]圖3為本發(fā)明中陣列基板的布線結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖4為本發(fā)明中陣列基板的時(shí)序效果示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0020]以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式,用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ),例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明,而非用以限制本發(fā)明。在圖中,結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。
[0021]請(qǐng)參閱圖1,圖I為本發(fā)明中陣列基板的較佳實(shí)施例效果示意圖。
[0022]所述陣列基板包括沿列方向A延伸的數(shù)據(jù)線Dl、D2…Dn、沿行方向B延伸的公共電極線C1、C2…Cn以及沿行方向B延伸的多組掃描線G1、G2…Gn (η為自然數(shù)),其中每組掃描線包括有第一掃描線Gn1和第二掃描線Gn2。
[0023]所述數(shù)據(jù)線Dn與對(duì)應(yīng)的所述第一掃描線Gn1、所述第二掃描線Gn2均相互垂直交錯(cuò),呈矩陣式排列,并形成多個(gè)像素單元P。譬如請(qǐng)參閱圖2,在圖2中,所述數(shù)據(jù)線Dl與所述第一掃描線G11、所述第二掃描線G12均相互垂直交錯(cuò),呈矩陣式排列,并形成像素單元P,譬如請(qǐng)參閱圖2,圖2示出其中一像素單元的結(jié)構(gòu),更多的像素單元的結(jié)構(gòu)與圖2類似,本文不再贅述。
[0024]以圖2所示的像素單元為例,所述像素單元P包括有第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管Τ2,液晶電容Q和存儲(chǔ)電容CST,當(dāng)然還包括有像素電極Vp,圖2所示的所述像素電極Vp僅為一效果示意圖,在具體實(shí)施中,所述像素電極Vp為平行于所述陣列基板的層結(jié)構(gòu)。
[0025]其中所述第一掃描線Gll通過(guò)所述第一薄膜晶體管Tl連接所述像素電極Vp,所述第二掃描線G12通過(guò)所述第二薄膜晶體管Tl連接所述像素電極Vp。
[0026]具體的,所述第一薄膜晶體管Tl包括有柵極T11、源極T12以及漏極T13,所述第一薄膜晶體管Tl的柵極Tll電連接所述第一掃描線G11,所述第一薄膜晶體管Tl的源極T12電連接所述數(shù)據(jù)線D1,所述第一薄膜晶體管Tl的漏極T13電連接所述像素電極Vp。
[0027]類似的,所述第二薄膜晶體管T2包括有柵極T21、源極T22以及漏極T23,所述第二薄膜晶體管T2的所述柵極T21電連接所述第二掃描線G12,所述第二薄膜晶體管T2的所述源極T22電連接所述公共電極線Cl,所述第二薄膜晶體管T2的所述漏極T23電連接所述像素電極Vp。
[0028]當(dāng)然在圖1中的其它像素P的連接結(jié)構(gòu)類似圖2所示,本文不再一一詳述。
[0029]請(qǐng)?jiān)僖徊㈤唸D3,所述陣列基板還包括有柵驅(qū)動(dòng)芯片30以及卷帶芯片(C0F)31,其中所述數(shù)據(jù)線Dn、公共電極線Cn以及掃描線Gn均由所述卷帶芯片31延伸形成,并連接所述柵驅(qū)動(dòng)芯片30,并由所述柵驅(qū)動(dòng)芯片30提供信號(hào)。在具體實(shí)施過(guò)程中,所述柵驅(qū)動(dòng)芯片30發(fā)出兩組的STV信號(hào)(垂直起始脈沖信號(hào))來(lái)打開(kāi)第一掃描線Gn1和第二掃描線Gn2,兩組的STV信號(hào)分別為第一 STV輸入信號(hào)和第二 STV輸入信號(hào),所述第一 STV輸入信號(hào)用于打開(kāi)所述第一掃描線Gnl,譬如所述第一 STV輸入信號(hào)在輸入第一掃描線Gll后,將順序的打開(kāi)第一掃描線G11、G21……Gnl,而所述第二 STV輸入信號(hào)用于打開(kāi)所述第二掃描線Gn2,譬如所述第二 STV輸入信號(hào)在輸入第二掃描線G12后,將順序的打開(kāi)第二掃描線G12、G22......Gn2。
[0030]再回到圖2,在 所述第一 STV輸入信號(hào)打開(kāi)所述第一掃描線Gll后,所述第一掃描線Gll傳輸?shù)谝粧呙栊盘?hào),打開(kāi)所述第一薄膜晶體管Tl的所述柵極T11。所述數(shù)據(jù)線Dl通過(guò)所述第一薄膜晶體管Tl提供像素電壓至所述像素電極Vp,使所述像素電極Vp充電,以顯示相應(yīng)的左眼像素或者右眼像素。在充電結(jié)束,所述像素電極Vp處于電量保持狀態(tài)。此時(shí)第二 STV輸入信號(hào)打開(kāi)所述第二掃描線G12,所述第二掃描線G12傳輸?shù)诙呙栊盘?hào),打開(kāi)所述第二薄膜晶體管T2的柵極T21,而所述公共電極線Cl則通過(guò)所述第二薄膜晶體管T2提供公共電壓至所述像素電極Vp,以將所述像素電極Vp的電壓拉至所述公共電壓,實(shí)現(xiàn)黑畫面的插入。
[0031]其中所述第一掃描線具有一第一掃描周期Tl,所述第二掃描信號(hào)具有一第二掃描周期T2,所述第二掃描周期T2與所述第一掃描周期Tl優(yōu)選為相等,且所述第二掃描線G12優(yōu)選在所述第一掃描信號(hào)的1/2T時(shí)刻開(kāi)始傳輸所述第二掃描信號(hào),當(dāng)然也可在其它時(shí)刻傳輸所述第二掃描信號(hào),均在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0032]請(qǐng)參閱圖3,在本發(fā)明實(shí)施例中,將第I組掃描線Gl的所述第二掃描線G12的起始端連接第N+1組掃描線的第一掃描線G (n+l)l的末端。由此,所述第一 STV輸入信號(hào)在經(jīng)過(guò)所述第N+1組掃描線的所述第一掃描線G (n+1) I后,作為第一 STV輸出信號(hào),除了進(jìn)入第N+2組掃描線的所述第一掃描線G (n+2)l,還作為所述第二 STV輸入信號(hào)打開(kāi)第I組掃描線Gl的所述第二掃描線G12,進(jìn)而順序的打開(kāi)第二掃描線G12、G22……Gn2。
[0033]即所述第N+1組掃描線的所述第一掃描線G (n+1) I的垂直起始脈沖輸出信號(hào)作為所述第I組掃描線中所述第二掃描線G12的垂直起始脈沖輸入信號(hào),可開(kāi)啟所述第I組掃描線中所述第二掃描線,進(jìn)而開(kāi)啟所述陣列基板中其它第二掃描線。其中N為大于等于I的自然數(shù)。
[0034]更優(yōu)的,所述第一 STV輸入信號(hào)在經(jīng)過(guò)所述第N+1組掃描線的所述第一掃描線G(n+1) I時(shí),恰好是1/2 T時(shí)刻,使得所述第二 STV輸入信號(hào)在1/2 T時(shí)刻打開(kāi)所述第二掃描線G12。
[0035]譬如N為2時(shí),則第三組掃描線G3的所述第一掃描線G31的末端連接第I組掃描線Gl的所述第二掃描線G12的起始端,這樣,當(dāng)所述第一 STV輸入信號(hào)運(yùn)行至第三組掃描線G3時(shí),即在所述第三組掃描線G3的第一掃描線G31完成掃描后,除了打開(kāi)第四組掃描線G4的第一掃描線G41外,還打開(kāi)第I組掃描線的第二掃描線G12,進(jìn)而順序的打開(kāi)第二掃描線G22……Gn2。而圖4為該實(shí)施例的時(shí)序效果示意圖。其中所述第二掃描信號(hào)的第二掃描周期T2與所述第一掃描線的第一掃描周期Tl優(yōu)選為相等,且所述第二掃描線14優(yōu)選在所述第一掃描信號(hào)的1/2T時(shí)刻開(kāi)始傳輸所述第二掃描信號(hào),當(dāng)然也可在其它時(shí)刻傳輸所述第二掃描信號(hào),均在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。而且在所述第一掃描周期Tl內(nèi)包括有M組掃描線,其中N < M-I,以保證第一掃描周期Tl內(nèi)打開(kāi)所述第二掃描線G12,譬如在所述第一掃描周期Tl包括有4組掃描線,則在第3組掃描線的結(jié)束后,將第一 STV輸出信號(hào)輸入至所述第二掃描線G12。[0036]本發(fā)明的工作原理進(jìn)一步解釋為:以實(shí)際僅提供一組STV信號(hào)(即第一 STV輸入信號(hào))為例,其正常掃描方式類似時(shí)序脈沖顯示,從第一掃描線Gll開(kāi)始依時(shí)序產(chǎn)生的掃描信號(hào),在相隔一定數(shù)量掃描線(或一定時(shí)間后)的另一第一掃描線Gnl對(duì)應(yīng)的第一 STV輸出信號(hào)與第一掃描線GlI的第一 STV輸入信號(hào)間存在一定時(shí)隙差,如此通過(guò)調(diào)整WOA走線,將上述第一 STV輸出信號(hào)STVl與第二掃描線G12相連,即可等效認(rèn)為在第一顆COF處即產(chǎn)生兩組STV訊號(hào):第一 STV輸入信號(hào)以及第二 STV輸入信號(hào)。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)調(diào)整WOA走線,將傳到至第N+1顆COF (卷帶芯片)的第一 STV輸出訊號(hào),與第一顆COF的第二 STV輸入信號(hào)相連,在第一顆COF處即產(chǎn)生兩組STV訊號(hào):第一 STV輸入信號(hào)以及第二 STV輸入信號(hào),不僅實(shí)現(xiàn)方式簡(jiǎn)潔,而且節(jié)省成本。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種3D顯示設(shè)備,所述3D顯示設(shè)備包括本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板,鑒于該陣列基板在上文已有詳細(xì)的描述,此處不再贅述。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)設(shè)置將第N+1組掃描線的第一掃描線連接至第I組掃描線的第二掃描線,以使得所述第N+1組掃描線的第一掃描線的垂直起始脈沖輸出信號(hào)作為所述第I組掃描線的第二掃描線的垂直起始脈沖輸入信號(hào),進(jìn)而開(kāi)啟陣列基板中的其它第二掃描線,無(wú)需額外增加布線對(duì)所述第二掃描線輸入垂直起始脈沖輸入信號(hào),簡(jiǎn)化了陣列基板的走線布局,節(jié)省了成本。
[0040]綜上所述,雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上,但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板,其中包括沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線以及沿行方向延伸的公共電極線和掃描線,所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相互垂直交錯(cuò),呈矩陣式排列,并形成多個(gè)像素單元,所述像素單元內(nèi)包括有像素電極、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管; 每一行像素單兀對(duì)應(yīng)一組掃描線,每組掃描線均包括有第一掃描線和第二掃描線,所述第一掃描線通過(guò)所述第一薄膜晶體管連接所述像素電極,所述第二掃描線通過(guò)所述第二薄膜晶體管連接所述像素電極; 其中第I組掃描線的所述第二掃描線的起始端連接第N+1組掃描線的所述第一掃描線的末端,以使得所述第N+1組掃描線的所述第一掃描線的垂直起始脈沖輸出信號(hào)作為所述第I組掃描線中所述第二掃描線的垂直起始脈沖輸入信號(hào),以開(kāi)啟所述第I組掃描線中所述第二掃描線,其中N為大于等于I的自然數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,其中每組掃描線中的所述第一掃描線,用于在接收到垂直起始脈沖輸入信號(hào)時(shí),輸入第一掃描信號(hào),以打開(kāi)所述第一薄膜晶體管;所述數(shù)據(jù)線,用于在所述第一薄膜晶體管打開(kāi)后,通過(guò)所述第一薄膜晶體管提供像素電極電壓至所述像素電極,對(duì)所述像素電極充電; 其中每組掃描線中的所述第二掃描線,用于接收到垂直起始脈沖輸入信號(hào)時(shí),傳輸?shù)诙呙栊盘?hào),以打開(kāi)所述第二薄膜晶體管;所述公共電極線,用于在所述第二薄膜晶體管打開(kāi)后,通過(guò)所述第二薄膜晶體管提供公共電壓至所述像素電極,以將所述像素電極電壓拉至所述公共電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一掃描線具有第一掃描周期,在所述第一掃描周期內(nèi)包括有M組掃描線,其中N≤M-I。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第二掃描線在所述第一掃描信號(hào)的1/2T1時(shí)刻開(kāi)始傳輸所述第二掃描信號(hào)。
5.一種3D顯示設(shè)備,其特征在于,包括一陣列基板,其中包括沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線以及沿行方向延伸的公共電極線和掃描線,所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相互垂直交錯(cuò),呈矩陣式排列,并形成多個(gè)像素單元,所述像素單元內(nèi)包括有像素電極、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管; 每一行像素單兀對(duì)應(yīng)一組掃描線,每組掃描線均包括有第一掃描線和第二掃描線,所述第一掃描線通過(guò)所述第一薄膜晶體管連接所述像素電極,所述第二掃描線通過(guò)所述第二薄膜晶體管連接所述像素電極; 其中第I組掃描線的所述第二掃描線的起始端連接第N+1組掃描線的所述第一掃描線的末端,以使得所述第N+1組掃描線的所述第一掃描線的垂直起始脈沖輸出信號(hào)作為所述第I組掃描線中所述第二掃描線的垂直起始脈沖輸入信號(hào),以開(kāi)啟所述第I組掃描線中所述第二掃描線,其中N為大于等于I的自然數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的3D顯示設(shè)備,其特征在于,其中每組掃描線中的所述第一掃描線,用于在接收到垂直起始脈沖輸入信號(hào)時(shí),輸入第一掃描信號(hào),以打開(kāi)所述第一薄膜晶體管;所述數(shù)據(jù)線,用于在所述第一薄膜晶體管打開(kāi)后,通過(guò)所述第一薄膜晶體管提供像素電極電壓至所述像素電極,對(duì)所述像素電極充電; 其中每組掃描線中的所述第二掃描線,用于接收到垂直起始脈沖輸入信號(hào)時(shí),傳輸?shù)诙呙栊盘?hào),以打開(kāi)所述第二薄膜晶體管;所述公共電極線,用于在所述第二薄膜晶體管打開(kāi)后,通過(guò)所述第二薄膜晶體管提供公共電壓至所述像素電極,以將所述像素電極電壓拉至所述公共電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的3D顯示設(shè)備,其特征在于,所述第一掃描線具有第一掃描周期,在所述第一掃描周期內(nèi)包括有M組掃描線,其中N≤M-1。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的3D顯示設(shè)備,其特征在于,所述第二掃描線在所述第一掃描信號(hào)的1/2T1時(shí)刻 開(kāi)始傳輸所述第二掃描信號(hào)。
【文檔編號(hào)】G02B27/22GK103529612SQ201310498911
【公開(kāi)日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月22日
【發(fā)明者】陳政鴻, 姜佳麗 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司