一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法，具體內(nèi)容為：通過在數(shù)據(jù)線上覆蓋透明導(dǎo)電膜，可將數(shù)據(jù)線上的毛刺或分層包裹住，當(dāng)在數(shù)據(jù)線上施加電壓時可減小不同像素電極上的電壓差異。
【專利說明】一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)技術(shù)的成熟，TFT液晶顯示器(Liquid Crystal Display,IXD)已成為主流的平板顯示器。其中，液晶顯示器中陣列基板的結(jié)構(gòu)直接影響著顯示質(zhì)量。
[0003]如圖1所示為現(xiàn)有的陣列基板的示意圖，其中，像素電極11與源極12電連接。如圖2所示為圖1中的陣列基板沿B-B’的剖視圖。
[0004]現(xiàn)有陣列基板的數(shù)據(jù)線13在其形成過程中可能存在有毛刺和分層等現(xiàn)象，該些現(xiàn)象的存在，將導(dǎo)致當(dāng)在數(shù)據(jù)線13上施加電壓時，數(shù)據(jù)線13和源極12之間會產(chǎn)生不均勻的電場，由此可能導(dǎo)致不同像素電極上的電壓差異較大，反映到實際的顯示效果上可能會導(dǎo)致TFT LCD出現(xiàn)斑點(Mura)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。
[0006]一種陣列基板，所述陣列基板包括:
[0007]數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線形成于基板上；
[0008]透明導(dǎo)電膜，所述透明導(dǎo)電膜覆蓋所述數(shù)據(jù)線上。
[0009]采用上述結(jié)構(gòu)，透明導(dǎo)電膜可將數(shù)據(jù)線上的毛刺或者分層包裹住，當(dāng)在數(shù)據(jù)線上施加電壓時可避免出現(xiàn)不同像素電極上的電壓差異較大的問題。
[0010]可選地，所述透明導(dǎo)電膜直接覆蓋在所述數(shù)據(jù)線之上。
[0011]由于透明導(dǎo)電膜可以直接覆蓋在數(shù)據(jù)線上，因此透明導(dǎo)電膜與數(shù)據(jù)線之間可以沒有絕緣層，從而在達到透明導(dǎo)電膜覆蓋數(shù)據(jù)線的效果的同時，簡化了陣列基板的結(jié)構(gòu)。
[0012]所述陣列基板中的薄膜晶體管形成于所述基板上；其中，所述薄膜晶體管包括源極、漏極，所述漏極與所述數(shù)據(jù)線電連接；所述陣列基板中的像素電極形成于所述基板上；其中，所述像素電極覆蓋在所述源極之上，所述像素電極與所述源極電連接。
[0013]可選地，所述透明導(dǎo)電膜與所述像素電極為相同材料。
[0014]所述透明導(dǎo)電膜、所述像素電極材料均為透明導(dǎo)電材料，且所述透明導(dǎo)電膜與所述像素電極位于同一層。
[0015]所述透明導(dǎo)電膜和所述像素電極的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。
[0016]一種顯示面板，包括上述陣列基板。
[0017]—種顯示裝置,包括上述顯示面板。
[0018]一種陣列基板的制造方法，包括:在一基板上形成金屬層；圖案化所述金屬層以形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中所述漏極與所述數(shù)據(jù)線電連接；在所述金屬層上形成透明導(dǎo)電層；圖案化所述透明導(dǎo)電層以形成像素電極和直接覆蓋在所述數(shù)據(jù)線上的透明導(dǎo)電膜。
[0019]采用上述方案，將透明導(dǎo)電膜直接覆蓋在數(shù)據(jù)線上，可將數(shù)據(jù)線包裹住，當(dāng)在數(shù)據(jù)線上施加電壓時，可減小數(shù)據(jù)線上的毛刺、分層對像素電極上的電壓的影響，從而避免出現(xiàn)不同像素電極上的電壓差異較大的問題。
[0020]可選地，所述像素電極覆蓋在所述源極之上，所述像素電極與所述源極電連接。
[0021]另需說明的，由于在本領(lǐng)域中源極、漏極的區(qū)分沒有嚴(yán)格的界限，故在本發(fā)明中源極、漏極兩者是可以互換的。在文中采用將源極、漏極分開表述，只是為了表述清楚。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為【背景技術(shù)】中的陣列基板的示意圖；
[0023]圖2為圖1中的陣列基板沿B-B’的剖視圖；
[0024]圖3為本發(fā)明實施例一中的陣列基板的示意圖；
[0025]圖4為圖3中的陣列基板沿A-A’的剖視圖；
[0026]圖5為本發(fā)明實施例二中的陣列基板的制造方法的流程示意圖；
[0027]圖6a為本發(fā)明實施例二中經(jīng)過步驟102處理后所形成的陣列基板的示意圖；
[0028]圖6b為6a中的陣列基板沿A_A’的剖視圖；
[0029]圖7a為本發(fā)明實施例二中經(jīng)過步驟104處理后所形成的陣列基板的示意圖；
[0030]圖7b為7a中的陣列基板沿A_A’的剖視圖；
[0031]圖8a為本發(fā)明實施例二中經(jīng)過步驟105處理后所形成的陣列基板的示意圖；
[0032]圖8b為8a中的陣列基板沿A_A’的剖視圖；
[0033]圖9a為本發(fā)明實施例二中經(jīng)過步驟106處理后所形成的陣列基板的示意圖；
[0034]圖9b為9a中的陣列基板沿A_A’的剖視圖。
【具體實施方式】
[0035]本發(fā)明實施例的方案通過在數(shù)據(jù)線上覆蓋透明導(dǎo)電膜，可將數(shù)據(jù)線上的毛刺或分層包裹住，當(dāng)在數(shù)據(jù)線上施加電壓時可減小不同像素電極上的電壓差異。
[0036]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細(xì)的說明。
[0037]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的【具體實施方式】的限制。
[0038]實施例一:
[0039]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括基板、形成在該基板上的數(shù)據(jù)線、覆蓋該數(shù)據(jù)線的透明導(dǎo)電膜、形成在該基板上的至少一個薄膜晶體管以及形成在該基板上的像素電極。其中，薄膜晶體管包括源極和漏極，漏極與數(shù)據(jù)線電連接?？蛇x地，像素電極覆蓋在源極之上并與源極電連接，透明導(dǎo)電膜直接覆蓋在數(shù)據(jù)線之上，上述基板可以但不限于為玻璃基板。
[0040]需要說明的是，本發(fā)明實施例中的透明導(dǎo)電膜可覆蓋數(shù)據(jù)線，也可部分覆蓋數(shù)據(jù)線，本發(fā)明并不對此做限定。[0041]如圖3(其他器件未示出)所示，為本發(fā)明實施例一提供的一種陣列基板的示意圖。該陣列基板包括由虛線所表示的數(shù)據(jù)線1、覆蓋數(shù)據(jù)線I的透明導(dǎo)電膜2、漏極3、源極4和像素電極5。其中，數(shù)據(jù)線I與漏極3電連接、像素電極5局部覆蓋在源極4之上(即源極4的一部分被像素電極5覆蓋)并與源極4電連接。
[0042]如圖4(其他器件未示出)所示為圖3中的陣列基板沿A-A’的剖視圖，包括基板6、形成在基板6上的數(shù)據(jù)線1、形成在基板6上的源極4、覆蓋數(shù)據(jù)線I的透明導(dǎo)電膜2、形成在基板6上以及覆蓋源極4的像素電極5。其中，透明導(dǎo)電膜2與像素電極5的材料相同、均為透明導(dǎo)電材料，且透明導(dǎo)電膜2與像素電極5位于同一層。具體地，透明導(dǎo)電膜2與像素電極5的材料均可以為氧化銦錫或氧化銦鋅。
[0043]另外，需要說明的是，基板6上還包括掃描線和有源層，以及層與層之間的絕緣層或鈍化層，由于不是本實施的重點所在，故在實施例中省略描述，圖3、圖4中也未示出。
[0044]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括陣列基板，該陣列基板的具體結(jié)構(gòu)與上述圖3和圖4中的陣列基板的結(jié)構(gòu)相同，在此不再贅述。
[0045]本發(fā)明實施例還提供了 一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0046]本發(fā)明實施例中陣列基板的數(shù)據(jù)線被透明導(dǎo)電膜覆蓋，數(shù)據(jù)線上的毛刺或分層可被透明導(dǎo)電膜包裹住，當(dāng)在數(shù)據(jù)線上施加電壓時可減小不同像素電極上的電壓差異。
[0047]實施例二:
[0048]下面對如圖3和圖4所示的陣列基板的制作方法做具體介紹。
[0049]如圖5所示，為本發(fā)明實施例二提供的一種陣列基板的制造方法的流程示意圖，包括以下步驟:
[0050]步驟101:在基板6上形成金屬層。
[0051]其中，基板6可以但不限于為玻璃基板?？蛇x地，在基板6上形成金屬層之前，可在基板6上先形成掃描線和有源層，以及層與層之間的絕緣層或鈍化層，再在有源層上形成金屬層，當(dāng)然有源層與金屬層之間，可有鈍化層或絕緣層，本發(fā)明實施例的方案并不對此做限定。
[0052]本步驟101與現(xiàn)有技術(shù)中在玻璃基板上形成金屬層的實現(xiàn)過程相同，在此不過多介紹。
[0053]步驟102:圖案化金屬層以形成數(shù)據(jù)線1、漏極3和源極4。
[0054]在步驟102中可采用構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線1、漏極3和源極4。如圖6a所示為經(jīng)過步驟102處理后所形成的陣列基板的示意圖，如圖6b所示為6a中的陣列基板沿A-A’的剖視圖。其中圖6a中，漏極3與數(shù)據(jù)線I電連接。
[0055]步驟103:在金屬層上形成透明導(dǎo)電層。
[0056]步驟104:圖案化透明導(dǎo)電層以形成像素電極5和直接覆蓋在數(shù)據(jù)線I之上的透明導(dǎo)電膜2。
[0057]在步驟104中可采用構(gòu)圖工藝形成像素電極5和透明導(dǎo)電膜2。如圖7a所示為經(jīng)過步驟104處理后所形成的陣列基板的示意圖，如圖7b所示為7a中的陣列基板沿A-A’的剖視圖。從圖7a中可以看出，像素電極5局部覆蓋在源極4之上并與源極4電連接。
[0058]步驟105:在透明導(dǎo)電層上形成鈍化層7。
[0059]如圖8a, 8b所示為經(jīng)過步驟105處理后所形成的陣列基板的示意圖，如圖8b所示為8a中的陣列基板沿A-A’的剖視圖。
[0060]步驟106:在鈍化層7上形成公共電極8。
[0061]如圖9a所示為經(jīng)過步驟106處理后所形成的陣列基板的示意圖，如圖9b所示為9a中的陣列基板沿A-A’的剖視圖。
[0062]本實施例中，透明導(dǎo)電膜2與像素電極5的材料相同、均為透明導(dǎo)電材料。具體地，透明導(dǎo)電膜2與像素電極5的材料可以為氧化銦錫或氧化銦鋅。
[0063]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板的制造方法，包括上述陣列基板的制造方法。
[0064]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置的制造方法，包括上述顯示面板的制造方法。
[0065]本發(fā)明實施例的方案通過在數(shù)據(jù)線上覆蓋透明導(dǎo)電膜，可將數(shù)據(jù)線上的毛刺包裹住，當(dāng)在數(shù)據(jù)線上施加電壓時可減小不同像素電極上的電壓差異。
[0066]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0067]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括: 數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線形成于基板上； 透明導(dǎo)電膜，所述透明導(dǎo)電膜覆蓋所述數(shù)據(jù)線上。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜直接覆蓋在所述數(shù)據(jù)線之上。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述陣列基板中的薄膜晶體管形成于所述基板上；其中，所述薄膜晶體管包括源極、漏極，所述漏極與所述數(shù)據(jù)線電連接； 所述陣列基板中的像素電極形成于所述基板上；其中，所述像素電極覆蓋在所述源極之上，所述像素電極與所述源極電連接。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜與所述像素電極為相同材料。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜、所述像素電極材料均為透明導(dǎo)電材料，且所述透明導(dǎo)電膜與所述像素電極位于同一層。
6.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜和所述像素電極的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。
7.—種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1?6任一所述的陣列基板。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的顯示面板。
9.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括: 在一基板上形成金屬層； 圖案化所述金屬層以形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中所述漏極與所述數(shù)據(jù)線電連接； 在所述金屬層上形成透明導(dǎo)電層； 圖案化所述透明導(dǎo)電層以形成像素電極和直接覆蓋在所述數(shù)據(jù)線上的透明導(dǎo)電膜。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述像素電極覆蓋在所述源極之上，所述像素電極與所述源極電連接。
【文檔編號】G02F1/1343GK103913874SQ201310393652
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月2日
【發(fā)明者】姜祥衛(wèi) 申請人:上海中航光電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司