具有雙連接結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有雙連接結(jié)構(gòu)的能夠減小邊框?qū)挾鹊腖CD裝置及其制造方法。連接線結(jié)構(gòu)包括交替設(shè)置的多條第一連接線和多條第二連接線。第一連接線和第二連接線形成在不同的層上。此外，本文的實施方式考慮到曝光設(shè)備的未對準的可能性，提供了一種能夠減少在制造工藝中所使用的掩模數(shù)量并且能夠易于制造LCD裝置的方法。
【專利說明】具有雙連接結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求享有2012年12月18日提交的韓國專利申請N0.10-2012-0148798的權(quán)益，通過援引的方式將該專利申請并入本文，如同在這里完全闡述一樣。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種液晶顯示(IXD)裝置及其制造方法，尤其涉及一種具有雙連接結(jié)構(gòu)的LCD裝置，所述雙連接結(jié)構(gòu)包括在第一層以及與所述第一層不同的第二層上以密集間隔設(shè)置的多條連接線。本發(fā)明提供一種具有雙連接結(jié)構(gòu)的LCD裝置，更具體地提供一種制造LCD裝置的方法，所述方法考慮到曝光設(shè)備的未對準的可能性，提出了一種用于減少在制造工藝中所使用的掩模數(shù)量的新制造工藝并且能夠易于制造LCD裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]圖1是示出在常規(guī)LCD裝置中的陣列基板的平面圖，在所述陣列基板中設(shè)置有多個開關(guān)元件。在LCD裝置中，在內(nèi)部形成有電極的兩塊基板彼此面對，并且通過密封劑彼此貼合，然后液晶被注入到兩塊基板之間。液晶是一種具有透光率各向異性的材料，并且根據(jù)光穿過液晶的方向來改變光的相位。LCD裝置的工作原理是:由改變光的相位并且僅透射特定方向的光的偏振器對光進行透射及阻擋，從而實現(xiàn)圖像。此外，通過選擇性地將電壓施加至在兩塊基板上形成的電極來調(diào)整液晶的取向方向，在該情形中，液晶由施加至電極的電壓所產(chǎn)生的電場來驅(qū)動，從而改變液晶的取向方向。
[0005]由兩塊耦合的基板、以及在這兩塊基板之間注入的液晶構(gòu)成的面板稱為LCD面板。
[0006]制造LCD面板的工藝包括:制造陣列基板的工藝，在所述陣列基板中提供有用于將電場施加至液晶的多個像素電極(第一電極)，以及用于選擇性地將電壓供給至相應(yīng)的像素電極的多個薄膜晶體管(TFT，開關(guān)元件)；制造與所述陣列基板面對的濾色器基板的工藝，在所述濾色器基板中提供有用于將電場施加至液晶的多個公共電極(第二電極)，以及多個紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)濾色器；以及將液晶注入至兩塊基板之間的工藝。
[0007]圖1示意性示出了陣列基板的平面圖。圖2是圖1中所示出的區(qū)域A的放大剖面圖。
[0008]參照圖1，陣列基板I被分為有源區(qū)域AA和無源區(qū)域NA，在有源區(qū)域AA中排列有多個單元像素，無源區(qū)域NA設(shè)置在有源區(qū)域AA的外側(cè)。
[0009]在有源區(qū)域中，多條柵極線GL橫向排列，并且多條數(shù)據(jù)線DL垂直排列從而與柵極線GL垂直交叉。
[0010]由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL限定的一個區(qū)域為單元像素區(qū)域C。圖1的區(qū)域C示出了放大的單元像素區(qū)域C。
[0011 ] 在一個單元像素區(qū)域中，提供有用于將電場施加至液晶的一個像素電極P，并且用于選擇性地將電壓施加至像素電極P的薄膜晶體管(開關(guān)元件)Tr被設(shè)置在單元像素區(qū)域的拐角部位。
[0012]薄膜晶體管Tr包括與相應(yīng)的柵極線GL連接的柵極、與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線DL連接的源極、與源極面對的漏極、以及有源層，所述有源層是由非晶硅或多晶硅形成的半導體層。
[0013]在薄膜晶體管Tr中，當掃描信號從柵極線施加至柵極時，有源層的溝道被掃描信號打開，并且同時，當從數(shù)據(jù)線施加像素信號時，像素信號經(jīng)由源極和有源層而被轉(zhuǎn)移至漏極。由于漏極與像素電極連接，所以像素信號被施加至像素電極。
[0014]用于將信號供給至設(shè)置在有源區(qū)域AA中的柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的驅(qū)動電路單元D-1C被設(shè)置在無源區(qū)域NA中。驅(qū)動電路單元通常被分為柵極驅(qū)動電路單元和數(shù)據(jù)驅(qū)動電路單元，但是，可如圖1中所示，使用用于既供給柵極信號又供給數(shù)據(jù)信號的一個驅(qū)動電路單元。圖1示出了既供給柵極信號又供給數(shù)據(jù)信號的一個驅(qū)動電路單元。
[0015]此外，在無源區(qū)域NA中還設(shè)置有多條連接線。連接線被分為多條柵極連接線GLL和多條數(shù)據(jù)連接線DLL，多條柵極連接線GLL將柵極線GL與驅(qū)動電路單元D-1C連接，多條數(shù)據(jù)連接線DLL將數(shù)據(jù)線DL與驅(qū)動電路單元D-1C連接。
[0016]參照圖1，區(qū)域A示出了柵極連接線，而區(qū)域B示出了數(shù)據(jù)連接線。
[0017]柵極連接線GLL設(shè)置在內(nèi)部設(shè)置有柵極線GL的第一層上，而數(shù)據(jù)連接線DLL設(shè)置在內(nèi)部設(shè)置有數(shù)據(jù)線DL的第二層上。
[0018]柵極連接線GLL分別與柵極線GL連接，而數(shù)據(jù)連接線DLL分別與數(shù)據(jù)線DL連接。
[0019]此外，在無源區(qū)域NA中還設(shè)置有將陣列基板I耦合于與陣列基板I面對的濾色器基板(未示出)的密封圖案S。
[0020]密封圖案S穿過柵極連接線GLL和數(shù)據(jù)連接線DLL，并且以閉合環(huán)型設(shè)置在無源區(qū)域中。密封圖案S通常由具有粘性的光敏有機材料形成。
[0021]圖2是圖1中示出的區(qū)域A的放大剖面圖。參照圖2，多條柵極連接線GLL設(shè)置在第一基板11上。盡管未示出，多條柵極線GL設(shè)置在第一基板11上。因此，柵極線和柵極連接線GLL由同一材料形成在同一層上。
[0022]多條柵極連接線GLL由柵極絕緣層12覆蓋且絕緣，并且在柵極絕緣層12上還形成有鈍化層(絕緣層)13。盡管在圖2中未示出，數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)連接線兩者均在柵極絕緣層12上形成為多條。將濾色器基板(上基板)2與陣列基板(下基板)耦合的密封圖案S形成在柵極連接線GLL上方以便將兩塊基板耦合。
[0023]像這樣，柵極連接線GLL和數(shù)據(jù)連接線DLL與它們各自的柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL形成在同一層上，也就是說，柵極連接線GLL形成在第一基板11上，而數(shù)據(jù)連接線DLL形成在柵極絕緣層12上。然而，在近來的LCD裝置中，邊框有變窄的趨向，因而無源區(qū)域的面積持續(xù)地減小。另一方面，LCD裝置的分辨率持續(xù)地增大，導致設(shè)置在單位面積中的柵極連接線和數(shù)據(jù)連接線的數(shù)量增大。
[0024]此外，在制造IXD裝置時，減少掩模數(shù)量以提高生產(chǎn)率的需求持續(xù)增長。也就是說，在制造薄膜晶體管時，由于用于制造LCD裝置的掩模的數(shù)量與成本和成品率有著密切的聯(lián)系，所以發(fā)展用以減少掩模數(shù)量的工藝是非常重要的生產(chǎn)因素。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0025]因此，本文的實施方式意在提供一種基本克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷所導致的一個或多個問題的具有雙連接結(jié)構(gòu)的LCD裝置及其制造方法。
[0026]本發(fā)明的一個方面意在提供一種能夠減少在生產(chǎn)陣列基板中所使用的掩模數(shù)量的LCD裝置的結(jié)構(gòu)以及制造所述LCD裝置的方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在所述LCD裝置中在每個單位區(qū)域中設(shè)置有更多的柵極連接線和數(shù)據(jù)連接線。
[0027]本發(fā)明的其它優(yōu)點和特點的一部分將在下面的描述中列出，一部分對于所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員在研究下文后是顯而易見的，或者可以通過實施本發(fā)明而獲悉。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點。
[0028]本文的實施方式提供一種能夠減少制造LCD裝置所需的掩模數(shù)量的制造LCD裝置的方法。特別地，本發(fā)明提供一種改進的工藝，以便在形成將柵極線和數(shù)據(jù)線與驅(qū)動電路單元連接的連接線時，連接線的線寬不會窄于在其中堆疊有半導體層和導電層的連接線的構(gòu)圖工藝中所設(shè)計的線寬。
[0029]為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的用途，如在此具體化和概括描述的，提供一種制造具有雙連接結(jié)構(gòu)的LCD裝置的方法，包括:制備第一基板，所述第一基板包括像素區(qū)域和非像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括開關(guān)單元，所述非像素區(qū)域包括連接部分并且圍繞所述像素區(qū)域；在所述第一基板上的所述開關(guān)單元中形成柵極，并且在所述連接部分中形成第一連接線；形成覆蓋所述第一基板的第一絕緣層；在所述第一絕緣層上依次形成有源層、歐姆接觸層以及源極金屬層；在一個掩模工藝中對所述有源層、所述歐姆接觸層以及所述源極金屬層進行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)線、從所述數(shù)據(jù)線分支的溝道圖案、以及第二連接線，所述溝道圖案和所述第二連接線被形成在所述開關(guān)單元中；在所述第一基板上形成第二絕緣層，以覆蓋所述溝道圖案和所述第二連接線；從所述溝道圖案和所述連接部分上移除所述第二絕緣層；在位于所述溝道圖案和所述連接部分上的所述第二絕緣層已經(jīng)被移除的所述第一基板上，形成透明電極層；在所述透明電極層上形成光刻膠圖案，用于在所述柵極上限定溝道；以及通過使用所述光刻膠圖案作為蝕刻掩模，從所述溝道上依次移除所述透明電極層、所述源極金屬層以及所述歐姆接觸層，以限定所述溝道，并且形成像素電極。
[0030]另一方面，提供一種具有雙連接結(jié)構(gòu)的IXD裝置，包括:基板；多條第一連接線，所述多條第一連接線形成在所述基板上；形成在所述多條第一連接線之上的第一絕緣層；以及形成在所述第一絕緣層上的多條第二連接線，所述多條第二連接線中的每條包括多個層，所述多個層至少包括有源層、歐姆接觸層、源極金屬層以及透明電極層；其中所述歐姆接觸層的寬度、所述源極金屬層的寬度、以及所述透明電極層的寬度窄于所述有源層的寬度。
[0031]在另一實施方式中，提供一種制造具有雙連接結(jié)構(gòu)的IXD裝置的方法，包括:形成基板；在所述基板上形成多條第一連接線；在所述多條第一連接線之上形成第一絕緣層；以及在所述第一絕緣層上形成多條第二連接線，所述多條第二連接線中的每條包括多個層，所述多個層至少包括有源層、歐姆接觸層、源極金屬層以及透明電極層；其中所述歐姆接觸層的寬度、所述源極金屬層的寬度以及所述透明電極層的寬度窄于所述有源層的寬度。
[0032]應(yīng)當理解，本發(fā)明前面的大體描述和下面的詳細描述都是例示性的和解釋性的，意在對要求保護的本發(fā)明提供進一步的解釋?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0033]給本發(fā)明提供進一步理解并結(jié)合在本申請中組成本申請一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0034]圖1是示出常規(guī)IXD裝置中陣列基板的平面圖；
[0035]圖2是示出圖1的區(qū)域A的剖面圖；
[0036]圖3是示出根據(jù)一個實施方式的陣列基板的平面圖；
[0037]圖4是示出根據(jù)一個實施方式的薄膜晶體管的剖面圖；
[0038]圖5A和圖5B是示出根據(jù)一個實施方式的連接部分的剖面圖；
[0039]圖5C是示出根據(jù)另一實施方式的連接部分的剖面圖；
[0040]圖6A至圖6J是示出制造根據(jù)一個實施方式的陣列基板的方法的順序圖；
[0041]圖6AA至圖6JJ是示出在根據(jù)一個實施方式的無源區(qū)域的連接區(qū)域中形成連接線的工藝的順序圖；
[0042]圖7A至圖71是示出制造根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的陣列基板的方法的順序圖；以及
[0043]圖7AA至圖711是示出在無源區(qū)域的連接區(qū)域中形成連接線的工藝的順序圖?！揪唧w實施方式】
[0044]現(xiàn)在詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，附圖中圖解了這些實施方式的一些實例。盡可能地在整個附圖中使用相同的參考數(shù)字表示相同或相似的部件。
[0045]在下文中，將參照附圖詳細描述本發(fā)明的實施方式。
[0046]<第一實施方式>
[0047]圖3是示意性示出根據(jù)一個實施方式的IXD裝置的平面圖。
[0048]如圖所示，根據(jù)一個實施方式的IXD裝置包括陣列基板(下基板)110和濾色器基板150，所述陣列基板150與陣列基板110面對，并且與陣列基板110耦合。
[0049]陣列基板110和濾色器基板150中的每個可包括用于顯示圖像的有源區(qū)域AA以及在有源區(qū)域AA四周的無源區(qū)域NA。在陣列基板110與濾色器基板150之間形成有一空間，液晶被注入至所述空間中，以便形成液晶層(未示出)。陣列基板110、濾色器基板150以及形成在它們之間的液晶層(未示出)統(tǒng)稱為LCD面板。
[0050]在圖3中，區(qū)域A表示位于無源區(qū)域NA中的柵極連接線區(qū)域，區(qū)域B表示位于無源區(qū)域NA中的數(shù)據(jù)連接線區(qū)域，而區(qū)域C表示在有源區(qū)域AA中的放大的單元像素。
[0051]在濾色器基板150中的朝向液晶層的內(nèi)表面處，形成有防止從背光單元(未示出)入射的光的泄露的黑矩陣(未示出)，和包括每個單元像素的紅色濾色器圖案、綠色濾色器圖案以及藍色濾色器圖案的濾色器層(未示出)。濾色器層形成在有源區(qū)域AA中，而黑矩陣是在有源區(qū)域AA四周的無源區(qū)域NA與有源區(qū)域AA中的單元像素之間形成。
[0052]以相等間隔橫向排列并且接收掃描信號的多條柵極線120、以及以相等間隔垂直排列以便與柵極線120垂直交叉并且與柵極線120—起限定多個像素的多條數(shù)據(jù)線130，設(shè)置在陣列基板110的有源區(qū)域AA中。
[0053]數(shù)據(jù)信號通過各條數(shù)據(jù)線130施加。
[0054]用于控制將數(shù)據(jù)信號施加至形成在每個單元像素中的像素電極(區(qū)域C中的140)的薄膜晶體管Tr，被形成在陣列基板110的有源區(qū)域AA中相應(yīng)的柵極線120與數(shù)據(jù)線130的交叉部處。下面將參照圖4更加詳細地描述薄膜晶體管。
[0055]薄膜晶體管Tr包括在結(jié)構(gòu)上依次堆疊的柵極203、柵極絕緣層(第一絕緣層)202、由有源層204和歐姆接觸層(未示出)構(gòu)成的半導體層(未示出)、源極205以及漏極206，所述源極205和漏極206彼此分離，在源極205和漏極206之間具有有源層204。
[0056]此外，在陣列基板110中，形成有覆蓋薄膜晶體管Tr并且暴露薄膜晶體管Tr的漏極206和溝道區(qū)域CH的鈍化層(第二絕緣層)207。在鈍化層207上還形成有有機保護層208。此外，在有機保護層208上，形成有穿過接觸孔(未示出)而與漏極206電連接的像素電極209。
[0057]在薄膜晶體管Tr的實施方式中，由于制造方法中的特點，數(shù)據(jù)線130、源極205以及漏極206中的每個均形成為三層，所述三層包括由半導體材料形成的有源層204、通過將雜質(zhì)注入到有源層204中而增強導電性的歐姆接觸層(未示出)、以及作為數(shù)據(jù)線130的主要成分的導電金屬層。在數(shù)據(jù)線130中，當從平面圖觀察時，僅導電金屬層可見，但是在導電金屬層下方進一步形成有歐姆接觸層和有源層。此外，和數(shù)據(jù)線130相似，源極205和漏極206中的每個電極也被形成為三層，所述三層包括有源層204、歐姆接觸層(未示出)以及金屬層。下文將在本發(fā)明的制造方法中對此進行描述，但是由于在形成數(shù)據(jù)線的工藝中將有源層沉積在基板上，所以依次執(zhí)行歐姆接觸層的形成以及用作數(shù)據(jù)線的金屬層的沉積，并且通過一個掩模工藝對數(shù)據(jù)線進行構(gòu)圖。
[0058]因此，在一個實施方式中，源極205從數(shù)據(jù)線130分支至單元像素區(qū)域內(nèi)，并且與數(shù)據(jù)線130結(jié)合。此外，有源層204與源極205和漏極206同時被構(gòu)圖，因此，源極205和漏極206具有相同的線寬。
[0059]如圖4中所示，根據(jù)本發(fā)明一實施方式，從柵極203上方的一區(qū)域移除歐姆接觸層(未示出)和金屬層，而僅留下有源層204，從而形成溝道CH。
[0060]此外，在本實施方式中，在鈍化層207上還形成有有機保護層208。有機保護層208對由于在有機保護層208下方形成的各個層而導致的臺階高度進行補償，并且減少在數(shù)據(jù)線130與像素電極209之間產(chǎn)生的串擾。本發(fā)明的有機保護層208可使用光丙稀脂，該光丙稀脂是一種光敏有機材料。
[0061]在有機保護層208上，進一步形成有用于保護有機保護層208的由無機材料形成的第三絕緣層210。在本實施方式中，第一絕緣層202、第二絕緣層207以及第三絕緣層210是由無機材料形成的絕緣層，并且可由硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成。
[0062]在有機保護層208上，進一步形成有第三絕緣層210，并且在接觸孔(未示出)內(nèi)部直接與第一絕緣層202接觸。在該情形中，由于具有相同特性的材料層彼此接觸，所以能夠提高第一絕緣層202與第三絕緣層210之間的粘合力。
[0063]此外，在第三絕緣層210上，進一步形成有與單元像素內(nèi)的像素電極209 —起產(chǎn)生橫向電場的公共電極211。因此，第三絕緣層210將像素電極209與公共電極211絕緣。
[0064]根據(jù)本實施方式，在無源區(qū)域NA中，設(shè)置有將掃描信號供給至柵極線120并且將數(shù)據(jù)信號供給至數(shù)據(jù)線130的驅(qū)動器IC D-1C0此外，在無源區(qū)域NA中，還形成有分別將由驅(qū)動器IC D-1C產(chǎn)生的信號供給至柵極線120和數(shù)據(jù)線130的多條柵極連接線121和多條數(shù)據(jù)連接線131。因此，驅(qū)動器IC D-1C通過柵極連接線121與柵極線120連接，并且通過數(shù)據(jù)連接線131與數(shù)據(jù)線130連接。在圖3中，區(qū)域A示出了形成柵極連接線121的區(qū)域，而區(qū)域B示出了形成數(shù)據(jù)線131的區(qū)域。
[0065]現(xiàn)在將參照圖5A和圖5B更加詳細地描述連接部分的一個實施方式的結(jié)構(gòu)。
[0066]圖5A示出了圖3的區(qū)域A的剖面圖，即，其中形成了多條柵極連接線121的柵極連接區(qū)域。圖5B是更加詳細地示出柵極連接區(qū)域的剖面圖的剖面圖。在該實施方式中，在區(qū)域A (柵極連接區(qū)域)中的柵極連接線121以及區(qū)域B (數(shù)據(jù)連接區(qū)域)中的數(shù)據(jù)連接線131具有相同的剖面結(jié)構(gòu)，因此下文將僅就柵極連接區(qū)域進行說明。此外，在下文的說明中，柵極連接線121簡稱為連接線121。
[0067]參照圖5A和圖5B，連接線121包括在第一基板201上形成的第一連接線121a和在第一絕緣層202上形成的第二連接線121b。多條第一連接線121a和多條第二連接線121b被交替設(shè)置，以使得每條第一連接線121a都不與第二連接線121b水平交疊。具體來講，當奇數(shù)編號的連接線稱作第一連接線，而偶數(shù)編號的連接線稱作第二連接線時，奇數(shù)編號的連接線形成在第一基板210上，而偶數(shù)編號的連接線形成在第一絕緣層202上。第一基板201是普通玻璃基板，而第一柵極絕緣層202是由硅氧化物或硅氮化物形成的柵極絕緣層。
[0068]因此，由于柵極絕緣層202設(shè)置在第一連接線121a和第二連接線121b之間，所以第一連接線121a和第二連接線121b可以被設(shè)置成彼此靠近而不會出現(xiàn)電短路。結(jié)果，在每個單位區(qū)域中設(shè)置更多的連接線，并且可以減小其中形成有連接線的無源區(qū)域的面積，從而實現(xiàn)窄邊框。如圖5A中所示，鈍化層207形成在第二連接線121b上。密封圖案S將鈍化層207與上基板250耦合。在一個實施方式中，上基板250包括第二基板251、濾色器層252以及取向(定向)層253。
[0069]為了參考圖5B對根據(jù)本實施方式的連接線結(jié)構(gòu)進行說明，第二連接線121b形成在第一絕緣層202上，并且其特征在于具有多層結(jié)構(gòu)。具體來講，第二連接線121b通過依次堆疊有源層204、歐姆接觸層(未示出)、源極金屬層205M以及透明電極層209而形成。
[0070]下面將描述根據(jù)本實施方式的制造方法，然而，由于第二連接線121b是在形成溝道的工藝中與溝道同時形成的，所以第二連接線121b的有源層的寬度比在有源層204上形成的歐姆接觸層、源極金屬層205M以及透明電極層209中每個的寬度都大。換言之，構(gòu)成連接區(qū)域中的第二連接線121b的歐姆接觸層、源極金屬層205M以及透明電極層209具有相同的寬度，所述寬度窄于有源層204的寬度。
[0071]有源層204和歐姆接觸層分別由與形成薄膜晶體管的有源層204和歐姆接觸層相同的材料而形成。源極金屬層205M由與構(gòu)成數(shù)據(jù)線、源極205和漏極206的金屬層相同的金屬而形成。
[0072]此外，透明電極層209被形成為與構(gòu)成像素電極的導電層等同的透明導電層。
[0073]由于連接線是與薄膜晶體管的溝道的形成同時形成的，所以第二連接線121b被形成為多層。
[0074]參照圖5B，在該實施方式中，有機保護層208已經(jīng)從其中形成有連接線的連接區(qū)域移除。也就是說，有機保護層208被形成為遍及第一基板201的長度，但是如圖4和圖5B中所示，有機保護層208已經(jīng)從其中形成有溝道的溝道區(qū)域以及其中形成有連接線的連接區(qū)域移除。這是用于防止由于有機保護層208與絕緣層之間的粘合力很弱而導致有機保護層208與由無機材料形成的絕緣層分離。具體來講，如果有機保護層208被保留在連接區(qū)域和溝道區(qū)域中，則有機保護層208與由無機材料形成的第二絕緣層207和第三絕緣層210貼合，然而，由于由有機材料形成的有機保護層208具有與由無機材料形成的第二絕緣層207和第三絕緣層210不同的特性，所以由于弱粘合力而在它們之間發(fā)生部分分離。為了防止這種缺陷并且提高粘合性能，有機保護層208被從溝道區(qū)域和連接區(qū)域移除。結(jié)果，參照圖5B，有機保護層208被從連接區(qū)域移除，并且有機保護層208被保留在不包括連接線的其它區(qū)域中。
[0075]圖5C示出了本發(fā)明的另一實施方式。圖5C的實施方式示出了在第二絕緣層207上并未設(shè)置有機保護層208的情形。在該情形中，第二絕緣層207形成在第一絕緣層202上，并且第三絕緣層210形成在第二絕緣層207上。由于并未設(shè)置有機保護層208，所以有機保護層208與絕緣層之間的粘合性能并未退化。
[0076]在下文中，將參照圖6A至圖6J描述根據(jù)第一實施方式的制造IXD裝置的方法。
[0077]圖6A至圖6J是示出根據(jù)一個實施方式的在有源區(qū)域AA中制造薄膜晶體管的方法的順序圖。圖6AA至圖6JJ是示出在無源區(qū)域NA的連接區(qū)域中形成連接線的工藝的順序圖。
[0078]在每個工藝中，通過一個掩模工藝，形成位于有源區(qū)域AA中的薄膜晶體管的任意層，并且同時形成位于無源區(qū)域NA的連接區(qū)域中的連接線的任意層。因此，薄膜晶體管被示出作為有源區(qū)域的代表性實例，并且連接線被示出作為無源區(qū)域的代表性實例。
[0079]連接線通常由柵極連接線和數(shù)據(jù)連接線構(gòu)成。然而，在本實施方式中，由于柵極連接線和數(shù)據(jù)連接線中的每條線都具有雙連接結(jié)構(gòu)，所以圖6AA至圖6CC僅示出數(shù)據(jù)連接線區(qū)域。
[0080]參照圖6A和圖6AA，制備諸如透明玻璃這樣的第一基板201?？稍谝粔K基板上形成多個單元LCD面板，在該情形中，第一基板201可被稱作母基板。在本實施方式中，一塊單元LCD面板將被描述為一個實例。然而，當在一塊母基板上形成多塊單元LCD面板時，所有的單元IXD面板經(jīng)歷相同的工藝。
[0081]在第一基板201上沉積柵極金屬材料。在本實施方式中,柵極金屬材料為導電金屬材料，并且可以使用銅(Cu)、鋁(Al)、鑰(Mo)、鑰鈦(MoTi)合金、或其中組合堆疊有上述金屬的多層。在第一基板201上方沉積柵極金屬材料。可通過金屬的濺射工藝進行沉積。
[0082]然后，在柵極金屬材料層上對準第一掩模(未示出)，然后通過光刻工藝形成柵極線和柵極203。同時，在第一掩模工藝中，在無源區(qū)域NA中對第一連接線121a進行構(gòu)圖。因此，由同一導電材料形成柵極線(未示出)、柵極203和第一連接線121a。
[0083]光刻工藝表示一系列工藝，包括:將光刻膠涂覆在已沉積的柵極金屬層上的操作；將多個第一掩模在光刻膠層上對準并且對該光刻膠層進行曝光的操作；將已曝光的光刻膠層進行顯影以形成光刻膠圖案的操作；通過使用光刻膠圖案作為蝕刻阻擋掩模來對柵極金屬層進行蝕刻的操作；以及剝離光刻膠圖案的操作。此外，從(利用一個掩模將光刻膠涂覆基板上的)操作至剝離光刻膠的操作的工藝被稱作一個掩模工藝。
[0084]從而，通過第一掩模工藝形成了柵極線、柵極以及第一連接線。
[0085]然后，形成覆蓋柵極線、柵極以及第一連接線的柵極絕緣層(第一柵極絕緣層202)。第一柵極絕緣層202對于使其下方的金屬圖案絕緣是必需的。通過沉積硅氧化物(SiO2)形成第一絕緣層202。
[0086]參照圖6B和圖6BB，將用于構(gòu)造有源圖案204的半導體材料沉積在其中形成有柵極203和第一連接線121a的第一基板201上。更具體地，半導體材料層包括有源層以及歐姆接觸層，其中在有源層中，3族和5族雜質(zhì)離子被注入至諸如非晶硅或多晶硅這樣的半導體材料中，而在歐姆接觸層中，通過進一步將雜質(zhì)離子注入至有源層的表面中而減少與金屬層之間的功函數(shù)值，并且從而提高歐姆-接觸特性。因此，半導體材料層可由有源層204以及在有源層204上形成的歐姆接觸層構(gòu)成。
[0087]當形成η-型半導體時，通過將3族元素注入至本征半導體中而形成有源層204。當形成P-型半導體時，通過將諸如磷(P)這樣的5族元素注入至本征半導體中而形成有源層 204。
[0088]然后，在其中形成有有源層204和歐姆接觸層的第一基板201上沉積源極金屬層205Μ。源極金屬層205Μ是構(gòu)成數(shù)據(jù)線、源極以及漏極的導電金屬層。此外,源極金屬層205Μ構(gòu)成第二連接線121b。
[0089]源極金屬層205M可使用導電的Mo、MoTi以及Al。在本實施方式中，源極金屬層205使用Mo。
[0090]在如上所述的工藝中，通過連續(xù)的沉積工藝形成有源層204、歐姆接觸層(未示出)以及源極金屬層205M。也就是說，可在沉積室中連續(xù)地形成所述各層。
[0091]然后，參照圖6B和圖6BB，執(zhí)行第二掩模工藝，用于形成第二連接線121b以及構(gòu)成薄膜晶體管的溝道圖案240。第二掩模包括數(shù)據(jù)線(未示出)、后溝道、從數(shù)據(jù)線向像素區(qū)域突出的溝道圖案240、以及限定第二連接線121b的多個圖案。
[0092]通過光刻工藝執(zhí)行使用第二掩模的第二掩模工藝。具體來講，第二掩模工藝包括:將光刻膠涂覆在源極金屬層205M上的工藝；將多個第二掩模在光刻膠上對準的工藝；通過使用每個第二掩模作為阻擋掩模來對光刻膠進行曝光的工藝；對已曝光的光刻膠進行顯影以形成光刻膠圖案的工藝；通過使用光刻膠圖案作為阻擋掩模執(zhí)行蝕刻的工藝；以及剝離光刻膠圖案的工藝。
[0093]在蝕刻工藝中，通過使用光刻膠圖案作為阻擋掩模而依次蝕刻光刻膠下方的源極金屬層205M、歐姆接觸層(未示出)以及有源層204。使用蝕刻劑通過濕蝕刻而形成源極金屬層205M，并通過干蝕刻形成歐姆接觸層和有源層204。
[0094]結(jié)果，如圖6B和圖6BB中所示，完整地形成了其中依次堆疊有有源層204、歐姆接觸層(未示出)以及源極金屬層205M的溝道圖案240。
[0095]在無源區(qū)域中形成了通過依次堆疊有源層204、歐姆接觸層(未示出)以及源極金屬層205M而形成的第二連接線121b。
[0096]在蝕刻工藝中，由于通過使用光刻膠圖案作為用于蝕刻的阻擋掩模而連續(xù)地執(zhí)行濕蝕刻和干蝕刻，所以有源層204和源極金屬層205M不包含兩者之間的臺階高度，并且有源層204和源極金屬層205M都僅僅包含一個臺階高度。
[0097]然后，參照圖6C和圖6CC，形成溝道圖案240和第二連接線121b，然后在第一絕緣層202上沉積覆蓋溝道圖案240和第二連接線121b的第二絕緣層207。第二絕緣層207保護并使溝道圖案240和第二連接線121b與外界絕緣。第二絕緣層207可使用與第一絕緣層202相同的材料。例如第二絕緣層207可使用硅氮化物或硅氧化物。[0098]在第一絕緣層202和第二絕緣層207中，在通過使用具有物理近似特性的無機材料沉積之后，粘合性能得到提升。
[0099]然后，參照圖6D和圖6DD，將具有光敏性的有機保護層208涂覆在第二絕緣層207上。例如，有機保護層208可使用光丙烯樹脂。作為光敏性有機層的有機保護層208形成在第二絕緣層207上，并且防止由于隨后形成的像素電極209與數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生的寄生電容所導致的串擾。此外，有機保護層208對由于在其下方的各層所導致的基板臺階高度進行補償。也就是說，有機保護層208對由于柵極203和溝道圖案240所導致的基板表面的臺階高度進行補償，并且使所述表面平坦化。
[0100]在本實施方式中，有機保護層208使用正型的光敏有機保護層，其中通過剝離而移除暴露出的區(qū)域。
[0101]然后，將其中已對溝道區(qū)域220和連接線區(qū)域230構(gòu)圖的多個掩模M在有機保護層208上對準，進行曝光和顯影。結(jié)果，形成了其中暴露出溝道區(qū)域和連接線區(qū)域的有機保護層208的圖案。通過使用有機保護層208的圖案作為用于蝕刻的阻擋掩模，對第二絕緣層207進行蝕刻。由于第二絕緣層207是無機層，所以第二絕緣層207通過普通干蝕刻工藝進行蝕刻。
[0102]結(jié)果，如圖6E和圖6EE中所示，在溝道區(qū)域220和連接線區(qū)域230中暴露出源極金屬層205M。
[0103]然后，參照圖6F和圖6FF，在溝道區(qū)域和連接線區(qū)域中暴露出源極金屬層205M的情況下，將透明電極材料沉積在整個第一基板201上方。透明電極材料可以是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(ΙΖ0)。對透明電極材料進行構(gòu)圖，使其形成像素電極209。特別地，透明電極材料被沉積在溝道區(qū)域220中的源極金屬層205M上，并且與溝道區(qū)域220中的源極金屬層205M電連接。
[0104]然后，參照圖6G和圖6GG，進一步在已沉積的透明材料層上形成光刻膠圖案。該光刻膠圖案包括用于構(gòu)圖像素電極209的第一光刻膠圖案PRl以及用于構(gòu)圖第二連接線121b的第二光刻膠圖案PR2。
[0105]此外，第二光刻膠圖案PR2限定其中形成溝道的區(qū)域以及所述溝道的尺寸。
[0106]特別地，如圖6GG中所示，第二光刻膠圖案PR2被設(shè)計為決定第二連接線121b的線寬，并且被設(shè)計成小于已構(gòu)圖的第二連接線的線寬?，F(xiàn)在將更詳細地說明原因。
[0107]盡管曝光設(shè)備很精確，但是在形成光刻膠圖案的工藝中仍會在一定程度上出現(xiàn)未對準。例如，假設(shè)要形成5μπι線寬的連接線。當圖6GG中所示的已構(gòu)圖的第二連接線121b的線寬為5 μ m時，在曝光中出現(xiàn)不對準，因而，當?shù)诙饪棠z圖案與第二連接線121b交疊3 μ m的寬度，并且與第二連接線121b的寬度偏差2 μ m寬度時，由于第二光刻膠圖案PR2與其下方的源極金屬205M的不對準而曝光的透明電極材料，將會在使用第二光刻膠圖案PR2作為蝕刻阻擋掩模的蝕刻中被移除。在該情形中，第二連接線121b的線寬僅為3 μ m，因而無法獲得按照設(shè)計的連接線的線寬。
[0108]另一方面，當如圖6GG中所示的第二連接線121b的線寬被設(shè)計成具有7至8 μ m的線寬，并且第二光刻膠圖案PR2被形成具有5 μ m線寬時，即使出現(xiàn)曝光設(shè)備的對準誤差，第二光刻膠圖案PR2仍被完整地形成在第二連接線121b上，因而在蝕刻之后，形成了具有5 μ m線寬的第二連接線121b。[0109]也就是說，在本實施方式中，當在形成溝道圖案240期間形成的第二連接線121b的線寬被設(shè)計成大于連接線實際所需的線寬，并且按照第二連接線121b的實際設(shè)計的線寬形成第二光刻膠圖案PR2時，即使出現(xiàn)曝光設(shè)備的未對準，第二光刻膠圖案PR2仍形成在第二連接線121b上，從而防止了由于曝光設(shè)備的未對準所導致的連接線的構(gòu)圖缺陷。
[0110]現(xiàn)在將進一步參照圖6G和圖6GG描述根據(jù)該實施方式的制造工藝。
[0111]第一光刻膠圖案PRl限定像素電極209，而第二光刻膠圖案PR2限定第二連接線121b。通過使用第一光刻膠圖案PRl和第二光刻膠圖案PR2作為用于蝕刻的阻擋圖案，來蝕刻透明電極材料。在所述蝕刻中，通過濕蝕刻對透明電極材料層進行蝕刻。在該情形中，透明電極材料層的未被第一光刻膠圖案PRl和第二光刻膠圖案PR2覆蓋的部分被蝕刻并移除。因此，移除了在溝道區(qū)域中的透明電極材料(未被光刻膠圖案覆蓋)以及在連接區(qū)域中的透明電極材料(未被光刻膠圖案覆蓋)。圖6H和圖6HH對此進行了圖示。
[0112]然后，在第一光刻膠圖案PRl和第二光刻膠圖案PR2被保持在目前狀況的情況下，對源極金屬層205M進行蝕刻。在所述蝕刻中，通過濕蝕刻對源極金屬205M進行蝕刻。然后，在源極金屬205被濕蝕刻之后，通過干蝕刻移除歐姆接觸層(未示出)，從而完整地形成溝道。也就是說，通過使用第一光刻膠圖案PRl和第二光刻膠圖案PR2作為蝕刻阻擋掩模，來依次蝕刻位于溝道區(qū)域中的透明電極材料、源極金屬以及歐姆接觸層，從而暴露出位于溝道區(qū)域中的有源層204，并且使源極205和漏極206彼此分離。在圖61中可見，源極205已與漏極206分離。
[0113]在連接區(qū)域中，通過使用第二光刻膠圖案PR2作為蝕刻阻擋掩模，依次蝕刻透明電極材料、源極金屬以及歐姆接觸層。與形成圖4中示出的溝道的操作中所執(zhí)行的蝕刻工藝同時地，蝕刻透明電極材料、源極金屬以及歐姆接觸層。
[0114]結(jié)果，如圖611中所示，在第二連接線121b中，有源層204的寬度被形成為寬于源極金屬層205M和透明電極材料層209中的每個的寬度，從而，源極金屬層205M的線寬與透明電極材料層209的線寬相同。
[0115]然后，剝離并移除第一光刻膠圖案PRl和第二光刻膠圖案PR2，然后如圖6J和圖6JJ中所示，將第三絕緣層210沉積在第一基板201的整個長度上。第三絕緣層210可被形成為無機層，并且可以是硅氧化物層或硅氮化物層。第三絕緣層210保護像素電極209和第二連接線121b，并且使像素電極209與將要在第三絕緣層210上形成的公共電極211絕緣。
[0116]然后，參照圖6J，在第三絕緣層210上形成公共電極211。在形成公共電極211的操作中使用一個掩模工藝。在公共電極211與像素電極209之間產(chǎn)生橫向電場,并且驅(qū)動液晶。
[0117]通過所述工藝完成了根據(jù)該實施方式的陣列基板。然后，通過使用密封圖案將濾色器基板與陣列基板(濾色器基板和陣列基板分別制造)耦合，完成LCD面板。
[0118]在本發(fā)明的第一實施方式中，如上描述了產(chǎn)生橫向電場的邊緣場切換(FFS)模式或面內(nèi)切換(IPS)模式，在該情形中共使用6個掩模工藝。具體來講，通過使用第一掩模形成柵極、柵極線和第一連接線，通過使用第二掩模形成溝道圖案和第二連接線，通過使用第三掩模對溝道區(qū)域和連接區(qū)域中的第二絕緣層進行暴露，通過使用第四掩模形成溝道和像素電極，通過使用第五掩模形成用于柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的接觸孔，以及通過使用第六掩模形成公共電極。
[0119]在第一實施方式中，上文已經(jīng)描述了包括有機保護層的情形，然而可以不提供有機保護層。在下文中，將參照圖7A至圖71描述本發(fā)明的第二實施方式。
[0120]〈第二實施方式〉
[0121]參照圖7A至圖7C以及圖7AA至圖7CC，圖7A至圖7C以及圖7AA至圖7CC分別與圖6A至圖6C以及圖6AA至圖6CC所描述的第一實施方式的第一掩模工藝和第二掩模工藝相同，因而不提供它們的描述。
[0122]參照圖7D和圖7DD，將限定溝道區(qū)域的、用于形成溝道區(qū)域的光刻膠圖案PRC形成在第二絕緣層207上。用于形成溝道區(qū)域的光刻膠圖案PRC通過第三掩模工藝形成。通過將光刻膠圖案PRC用作蝕刻阻擋掩模，對第二絕緣層207進行干蝕刻。
[0123]然后，參照圖7E和圖7EE，剝離并移除用于形成溝道區(qū)域的光刻膠圖案PRC，然后在第二絕緣層207上沉積透明電極材料。在第二絕緣層207上沉積透明電極材料的操作之后的操作與本發(fā)明的第一實施方式相同。也就是說，參照圖7E至圖71可見，執(zhí)行與本發(fā)明的第一實施方式相同的工藝。因此，所述附圖被應(yīng)用于后續(xù)工藝的描述，這里不提供后續(xù)工藝的描述。
[0124]本發(fā)明的第二實施方式特征在于，有機保護層并不單獨提供。由于不提供有機保護層，所以有機保護層與絕緣層之間的粘合性能不會退化。具體來講，在第一實施方式中，有機保護層208與第二絕緣層207和第三絕緣層210接觸，然而，由于有機保護層208具有與第二絕緣層207和第三絕緣層210不同的特性，所以它們之間的粘合性能可能很弱。由于該原因，第二實施方式可用于提高該粘合性能。
[0125]顯然，本發(fā)明的第一實施方式和第二實施方式僅僅是具有相同技術(shù)精神的不同的實施方式，而本發(fā)明并不限于此。
[0126]根據(jù)本發(fā)明的實施方式，通過在無源區(qū)域中的第一層和第二層上交替地設(shè)置柵極連接線和數(shù)據(jù)連接線，相鄰的連接線之間的間隔變得更窄，因此，設(shè)置在每個單位區(qū)域中的連接線的數(shù)量增加，從而實現(xiàn)了窄邊框。此外，在制造其中像素電極和公共電極均被設(shè)置在陣列基板上的IPS-模式IXD裝置中，可提供使用6個掩模制造IXD裝置的方法。
[0127]此外，在根據(jù)本發(fā)明的實施方式的使用6個掩模制造LCD裝置的方法中，形成連接線的操作通過曝光設(shè)備執(zhí)行曝光，并且隨后的蝕刻工藝不管曝光設(shè)備的工藝裕度如何，均可按照設(shè)計來形成每條連接線的線寬，從而更加簡化且便于制造工藝。
[0128]在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在本發(fā)明中可進行各種修改和變化，這對于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán)利要求書范圍及其等效范圍內(nèi)的對本發(fā)明的所有修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種制造具有雙連接結(jié)構(gòu)的液晶顯示(IXD)裝置的方法，包括: 制備第一基板，所述第一基板包括像素區(qū)域和非像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括開關(guān)單元，所述非像素區(qū)域包括連接部分并且圍繞所述像素區(qū)域； 在所述第一基板上的所述開關(guān)單元中形成柵極，并且在所述連接部分中形成第一連接線.形成覆蓋所述第一基板的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上依次形成有源層、歐姆接觸層以及源極金屬層； 在一個掩模工藝中對所述有源層、所述歐姆接觸層以及所述源極金屬層進行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)線、從所述數(shù)據(jù)線分支的溝道圖案、以及第二連接線，所述溝道圖案和所述第二連接線被形成在所述開關(guān)單元中； 在所述第一基板上形成第二絕緣層，以覆蓋所述溝道圖案和所述第二連接線； 從所述溝道圖案和所述連接部分上移除所述第二絕緣層； 在位于所述溝道圖案和所述連接部分上的所述第二絕緣層已經(jīng)被移除的所述第一基板上，形成透明電極層； 在所述透明電極層上形成光刻膠圖案，用于在所述柵極上限定溝道；以及通過使用所述光刻膠圖案作為蝕刻掩模，從所述溝道上依次移除所述透明電極層、所述源極金屬層以及所述歐姆接觸層，以限定所述溝道，并且形成像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在所述第二絕緣層上形成光敏有機保護層；` 對所述光敏有機保護層進行構(gòu)圖，以暴露出所述溝道圖案和所述連接部分；以及通過使用所述光敏有機保護層作為蝕刻掩模，從所述溝道圖案和所述連接部分上移除所述第二絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述移除第二絕緣層的步驟包括: 在所述第二絕緣層上形成光刻膠圖案，以暴露出所述溝道圖案和所述連接部分； 通過使用所述光刻膠圖案作為蝕刻掩模，對在所述溝道圖案和所述連接部分上的所述第二絕緣層的已暴露的部分進行蝕刻；以及移除所述光刻膠圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述形成光刻膠圖案的步驟中，所述光刻膠圖案還保留在所述第二連接線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中保留在所述第二連接線上的所述光刻膠圖案具有比所述第二連接線的線寬更窄的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述形成數(shù)據(jù)線、溝道圖案以及第二連接線的步驟中，所述第二連接線還形成在所述連接部分中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一連接線和所述第二連接線被交替地設(shè)置成多條。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一連接線和柵極線形成在同一層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二連接線和所述數(shù)據(jù)線形成在同一層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一連接線和所述第二連接線中的每條線包括柵極連接線和數(shù)據(jù)連接線。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其中在所述限定溝道的步驟中，所述源極金屬層與所述開關(guān)單元的源極和漏極分離開。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在所述限定溝道的步驟中，依次移除由保留在所述第二連接線上的所述光刻膠圖案所暴露出的所述第二連接線的所述透明電極層、所述源極金屬層以及所述歐姆接觸層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層為無機絕緣層。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述光敏有機保護層由光丙烯形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在其中已限定所述溝道并且已形成所述像素電極的所述第一基板上形成第三絕緣層；以及 在所述第三絕緣層上形成公共電極。
16.一種具有雙連接結(jié)構(gòu)的液晶顯示(IXD)裝置，所述IXD裝置包括: 基板； 形成在所述基板上的多條第一連接線； 形成在所述多條第一連接線之上的第一絕緣層；以及` 形成在所述第一絕緣層上的多條第二連接線，所述多條第二連接線中的每條第二連接線包括多個層，所述多個層至少包括有源層、歐姆接觸層、源極金屬層以及透明電極層；其中所述歐姆接觸層的寬度、所述源極金屬層的寬度、以及所述透明電極層的寬度窄于所述有源層的寬度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的IXD裝置，其中所述多條第一連接線和所述多條第二連接線為柵極連接線，所述多條第一連接線中的每條第一連接線以及所述多條第二連接線中的每條第二連接線與所述LCD裝置的相應(yīng)的柵極線相連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的IXD裝置，其中所述多條第一連接線和所述多條第二連接線為數(shù)據(jù)連接線，所述多條第一連接線中的每條第一連接線以及所述多條第二連接線中的每條第二連接線與所述LCD裝置的相應(yīng)的數(shù)據(jù)線相連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的LCD裝置，其中所述第二連接線中的每條第二連接線均不與所述多條第一連接線中的任意一條第一連接線水平交疊。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的LCD裝置，其中所述歐姆接觸層、所述源極金屬層以及所述透明電極層的寬度基本相同。
21.一種制造具有雙連接結(jié)構(gòu)的液晶顯示(IXD)裝置的方法，所述方法包括: 形成基板； 在所述基板上形成多條第一連接線； 在所述多條第一連接線之上形成第一絕緣層；以及 在所述第一絕緣層上形成多條第二連接線，所述多條第二連接線中的每條第二連接線包括多個層，所述多個層至少包括有源層、歐姆接觸層、源極金屬層以及透明電極層； 其中所述歐姆接觸層的寬度、所述源極金屬層的寬度以及所述透明電極層的寬度窄于所述有源層的寬度。
【文檔編號】G02F1/1368GK103869561SQ201310325584
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月18日
【發(fā)明者】樸濟炯, 鄭泰容 申請人:樂金顯示有限公司