專利名稱：一種觸摸屏及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種觸摸屏及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不裝置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示裝置市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位，廣泛應(yīng)用于臺式電腦、筆記本電腦、個人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、手機(jī)、電視、監(jiān)視器等領(lǐng)域。隨著觸控技術(shù)在顯示面板的應(yīng)用，觸摸屏(Touch ScreenPanel)應(yīng)運(yùn)而生，并已逐漸發(fā)展成為主流平板顯示器的屏幕。目前，觸摸屏按照工作原理可以分為:電阻式、電容式、紅外線式以及表面聲波式；其中，電容式觸摸屏以其獨(dú)特的觸控原理，憑借高靈敏度、長壽命、高透光率等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)追捧為新寵。目前常用的電容式觸摸屏包括:用于顯示圖像的顯示模組及用于感知觸控的觸控模組；其中，顯示模組進(jìn)ー步包括:TFT陣列基板、彩膜(Color Filter, CF)基板以及位于TFT陣列基板與CF基板之間的液晶(Liquid Crystal, LC);觸控模組進(jìn)ー步包括相互絕緣且交叉設(shè)置的觸控驅(qū)動電極和觸控感應(yīng)電極。目前，按照觸控模組在觸摸屏中的不同位置，觸摸屏進(jìn)ー步又包括:Add-On (外掛式)觸摸屏、On-Cell (外嵌式)觸摸屏以及In-Cell (內(nèi)嵌式)觸摸屏三種類型，其中，In-Cell式觸摸屏中的觸控模組設(shè)置于TFT陣列基板與CF基板之間，On-Cell式觸摸屏中觸控模組設(shè)置于CF基板與偏光片之間。以O(shè)n-Cell觸摸屏為例，參見圖1，On-Cell觸摸屏包括:TFT陣列基板1、CF基板
2、位于TFT陣列基板I與CF基板2之間的液晶層3、位于CF基板2上的觸控模組4以及位于觸控模組4上的偏光片5 ;由于TFT陣列基板I或CF基板2中包含像素電極層,觸控模組4包含用于感應(yīng)外界觸摸信號的觸控電極層，觸摸屏在工作狀態(tài)下，顯示模組的像素電極層的電壓為Ul，觸控模組的觸控電極層的電壓為U2，兩者之間存在一定的電壓差A(yù) U，那么像素電極層與觸控電極層上信號之間會產(chǎn)生干擾，從而在像素電極層與觸控電極層之間形成寄生電容，參見圖2，從而影響觸摸屏的觸摸靈敏度，進(jìn)而影響觸摸屏的性能。綜上所述，現(xiàn)有觸摸屏在工作狀態(tài)下，由于顯示模組與觸控模組的信號干擾，從而影響觸摸屏的觸摸靈敏度，進(jìn)而影響觸摸屏的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種觸摸屏及其制造方法、顯示裝置，用于解決現(xiàn)有觸摸屏在工作狀態(tài)下，由于顯示模組對觸控模組的信號干擾，從而影響觸摸屏的觸摸靈敏度，進(jìn)而影響觸摸屏的性能的問題。本發(fā)明實(shí)施例提供了ー種觸摸屏，包括:顯示模組和觸控模組，其中，該觸摸屏還包括:至少ー個位于所述顯示模組與所述觸控模組之間的導(dǎo)電薄膜層。若上述觸控模組的觸控電極層與ー個所述導(dǎo)電薄膜層接觸，所述觸摸屏還包括位于所述觸控模組的觸控電極層與該導(dǎo)電薄膜層之間的第一絕緣層。若上述導(dǎo)電薄膜層的數(shù)量不小于2，所述觸摸屏還包括位于任意兩個相鄰的導(dǎo)電薄膜層之間的第二絕緣層。上述導(dǎo)電薄膜層采用透明導(dǎo)電性材料。上述透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫ITO或者銦鋅氧化物IZ0。上述第一絕緣層與所述第二絕緣層采用透明絕緣性材料。上述透明絕緣材料為氮化硅、氧化硅及樹脂絕緣材料中的一種或復(fù)合物。本發(fā)明實(shí)施例提供了 一種顯示裝置，包括上述觸摸屏。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種觸摸屏的制造方法，包括:在完成顯示模組的制作之后，在所述顯示模組的彩膜基板的背離液晶層的ー側(cè)上，至少沉積ー層透明導(dǎo)電薄膜，形成導(dǎo)電薄膜層；在形成的最后ー個導(dǎo)電薄膜層上形成觸控模組。本發(fā)明實(shí)施例的觸摸屏包括顯示模組、觸控模組及至少ー個位于該顯示模組與該觸控模組之間的導(dǎo)電薄膜層；由于本發(fā)明實(shí)施例在顯示模組的像素電極層與觸控模組的電極層之間增加了至少ー個導(dǎo)電薄膜層，顯示模組的像素電極層與導(dǎo)電薄膜層之間、導(dǎo)電薄膜層與觸控模組的電極層之間均形成了寄生電容，且形成的寄生電容之間為串聯(lián)連接，由于串聯(lián)連接，使得顯示模組與觸控模組之間的總寄生電容的電容值小于形成的最小的寄生電容的電容值，從而降低了顯示模組與觸控模組之間的總寄生電容。


圖1為背景技術(shù)中觸摸屏的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為背景技術(shù)中觸摸屏的寄生電容的等效結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例第一種觸摸屏的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例第一種觸摸屏的寄生電容的等效結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例第二種觸摸屏的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例第三種觸摸屏的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例第三種觸摸屏的寄生電容的等效結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例第四種觸摸屏的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例觸摸屏的制造方法流程示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例第四種觸摸屏的制造方法流程示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例的觸摸屏，通過在顯示模組與觸控模組之間設(shè)置至少ー個導(dǎo)電薄膜層，從而降低了顯示模組與觸控模組之間的總寄生電容。本發(fā)明實(shí)施例觸摸屏可以為Add-On觸摸屏或On-Cell觸摸屏；本發(fā)明實(shí)施例均以O(shè)n-Cell觸摸屏為例進(jìn)行說明，Add-On觸摸屏與On-Cell觸摸屏類似，此處不再一一列舉說明。下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)ー步詳細(xì)描述。本發(fā)明實(shí)施例的觸摸屏包括:顯示模組、觸控模組以及至少ー個位于該顯示模組與該觸控模組之間的導(dǎo)電薄膜層；其中，顯示模組包括陣列基板、彩膜基板、位于該陣列基板與彩膜基板之間的液晶、以及位于該彩膜基板上的偏光片；顯示模組包括像素電極層，觸控模組包括觸控電極層。本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)電薄膜層采用透明導(dǎo)電性材料；優(yōu)選的，該透明導(dǎo)電性材料為IT0( Indium-Tin Oxide,氧化銦錫)或者IZ0( IndiumZinc Oxide,銦鋅氧化物)等氧化物；其中，每個導(dǎo)電薄膜層的厚度為200埃米 400埃米。實(shí)施例一、以本發(fā)明實(shí)施例觸摸屏的顯不模組與觸控模組之間包含一個導(dǎo)電薄膜層為例進(jìn)行說明。參見圖3，本實(shí)施例中的觸摸屏包括:陣列基板1、彩膜基板2、位于陣列基板I與彩膜基板2之間的液晶層3、位于彩膜基板2的背離液晶層3的ー側(cè)上的導(dǎo)電薄膜層6、位于該導(dǎo)電薄膜層6上的觸控模組4、以及位于該觸控模組4上的偏光片5 ；其中，導(dǎo)電薄膜層6采用透明導(dǎo)電性材料；導(dǎo)電薄膜層6的厚度為200埃米 400埃米。優(yōu)選的，該透明導(dǎo)電性材料為ITO或者IZO等氧化物。參見圖4，本實(shí)施例中在彩膜基板與觸控模組之間包含一個導(dǎo)電薄膜層，由于陣列基板或彩膜基板包含像素電極層，觸控模組包含觸控電極層，導(dǎo)電薄膜層處于懸空狀態(tài)，因此，像素電極層與導(dǎo)電薄膜層之間形成第一寄生電容Cl，導(dǎo)電薄膜層與觸控電極層形成第ニ寄生電容C2 ;由于第一寄生電容Cl與第二寄生電容C2之間為串聯(lián)連接，因此，像素電極層與觸控電極層之間的寄生電容C的值小于第一寄生電容Cl與第二寄生電容C2中較小的寄生電容的值，因此，在彩膜基板與觸控模組之間包含一個導(dǎo)電薄膜層，由于陣列基板或彩膜基板包含ー個像素電極層，能夠?qū)⑾袼仉姌O層與觸控電極層之間的寄生電容C的值至少降為原有寄生電容的值的一半，從而降低了像素電極層與觸控電極層之間的總寄生電容C。進(jìn)一歩，參見圖5，若觸控模組4的觸控電極層與ー個導(dǎo)電薄膜層6接觸，則在該觸控電極層與該導(dǎo)電薄膜層6之間還包括第一絕緣層7;其中，該第一絕緣層7采用透明絕緣性材料。優(yōu)選的，該透明絕緣性材料為氮化硅SiNx、氧化硅SiOx及樹脂絕緣材料中的ー種或復(fù)合物。需要說明的是，由于采用的材料不同，第一絕緣層的厚度也會相應(yīng)不同；例如，若第一絕緣層采用SiNx，則第一該絕緣層的厚度為4000埃米左右；若第一絕緣層采用樹脂絕緣材料，則該第一絕緣層的厚度為I微米左右。本實(shí)施例中由于在像素電極層與觸控電極層之間設(shè)置ー個導(dǎo)電薄膜層，因此，能夠?qū)⑾袼仉姌O層與觸控電極層之間的總寄生電容C的值至少降為原有寄生電容的值的ー半，從而降低了像素電極層與觸控電極層之間的寄生電容。實(shí)施例ニ、本發(fā)明實(shí)施例觸摸屏的彩膜基板與觸控模組之間包含兩個或兩個以上導(dǎo)電薄膜層，其中，任意兩個相鄰的導(dǎo)電薄膜層之間包含第一絕緣層。下面以本發(fā)明實(shí)施例觸摸屏的彩膜基板與觸控模組之間包含兩個導(dǎo)電薄膜層為例進(jìn)行說明。
如圖6所示，本實(shí)施例中的觸摸屏包括:陣列基板1、彩膜基板2、位于陣列基板I與彩膜基板2之間的液晶層3、位于彩膜基板2的背離液晶層3的ー側(cè)上的導(dǎo)電薄膜層6a和6b、位于導(dǎo)電薄膜層6a和6b之間的第二絕緣層8、位于該導(dǎo)電薄膜層6上的觸控模組4、以及位于該觸控模組4上的偏光片5 ；其中，導(dǎo)電薄膜層6a和6b采用透明導(dǎo)電性材料；該導(dǎo)電薄膜層6的厚度為200埃米 400埃米；優(yōu)選的，該透明導(dǎo)電性材料為ITO或者IZO等氧化物；第二絕緣層8采用透明絕緣性材料；優(yōu)選的，該透明絕緣性材料為氮化硅SiNx、氧化硅SiOx及樹脂絕緣材料中的ー種或復(fù)合物。需要說明的是，由于采用的材料不同，第二絕緣層的厚度也會相應(yīng)不同；例如，若第二絕緣層采用SiNx，則第二該絕緣層的厚度為4000埃米左右；若第二絕緣層采用樹脂絕緣材料，則該第二絕緣層的厚度為I微米左右。參見圖7，本實(shí)施例中在彩膜基板與觸控模組之間包含兩個導(dǎo)電薄膜層，由于陣列基板或彩膜基板包含像素電極層，觸控模組包含觸控電極層，兩個導(dǎo)電薄膜層均處于懸空狀態(tài)，因此，像素電極層與導(dǎo)電薄膜層之間形成第一寄生電容Cl，導(dǎo)電薄膜層與觸控電極層形成第二寄生電容C2，兩個導(dǎo)電薄膜層之間形成第一寄生電容C3 ;由于第一寄生電容Cl、第二寄生電容C2與第三寄生電容C3之間為串聯(lián)連接，因此，像素電極層與觸控電極層之間的寄生電容C的值小于第一寄生電容Cl、第二寄生電容C2及第三寄生電容C3中最小的寄生電容的值，因此，在彩膜基板與觸控模組之間包含一個導(dǎo)電薄膜層，由于陣列基板或彩膜基板包含兩個導(dǎo)電薄膜層，能夠?qū)⑾袼仉姌O層與觸控電極層之間的寄生電容C的值至少降為原有寄生電容的值的三分之一，從而降低了像素電極層與觸控電極層之間的總寄生電容C0進(jìn)ー步,參見圖8,若觸控模組4的觸控電極層與ー個導(dǎo)電薄膜層6a或6b接觸,貝U在該觸控電極層與該導(dǎo)電薄膜層之間還包括第一絕緣層7;其中，該第一絕緣層7采用透明絕緣性材料。優(yōu)選的，該透明絕緣性材料為氮化硅SiNx、氧化硅SiOx及樹脂絕緣材料中的ー種或復(fù)合物。需要說明的是，由于采用的材料不同，第一絕緣層的厚度也會相應(yīng)不同；例如，若第一絕緣層采用SiNx，則第一該絕緣層的厚度為4000埃米左右；若第一絕緣層采用樹脂絕緣材料，則該第一絕緣層的厚度為I微米左右。本實(shí)施例中由于在像素電極層與觸控電極層之間設(shè)置兩個導(dǎo)電薄膜層，因此，能夠?qū)⑾袼仉姌O層與觸控電極層之間的寄生電容C的值至少降為原有寄生電容的值的三分之一，從而更有效地降低了像素電極層與觸控電極層之間的總寄生電容需要說明的是，若在像素電極層與觸控電極層之間設(shè)置多個導(dǎo)電薄膜層，能夠更有效地降低像素電極層與觸控電極層之間的總寄生電容，但是，考慮到多個導(dǎo)電薄膜層、第一絕緣層及第ニ絕緣層的疊加會降低可視光的透過率，優(yōu)選的，觸摸屏的彩膜基板與觸控模組之間包含兩個導(dǎo)電薄膜層，且兩個導(dǎo)電薄膜層之間包含ー個第二絕緣層。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其中，該顯示裝置包括上述任一觸摸屏。
參見圖9，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種觸摸屏的制造方法，該方法包括以下步驟:步驟91、在完成顯示模組的制作之后，在該顯示模組的彩膜基板的背離液晶層的ー側(cè)上，至少沉積ー層透明導(dǎo)電薄膜，形成導(dǎo)電薄膜層；其中，透明導(dǎo)電薄膜采用透明導(dǎo)電性材料；該導(dǎo)電薄膜的厚度為200埃米 400埃米;優(yōu)選的，該透明導(dǎo)電薄膜為ITO或者IZO等氧化物。進(jìn)ー步，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜エ藝，在彩膜基板的背離液晶層的ー側(cè)上，沉積至少ー層透明導(dǎo)電薄膜。步驟92、在形成的最后ー個導(dǎo)電薄膜層上形成觸控模組。進(jìn)ー步，若步驟91中形成的導(dǎo)電薄膜層的數(shù)量不小于2，則在沉積ー層透明導(dǎo)電薄膜之后，且在沉積下ー層透明導(dǎo)電薄膜之前，步驟91中還包括:在形成的最后ー個導(dǎo)電薄膜層上沉積ー層透明絕緣薄膜，形成第一絕緣層；其中，絕緣薄膜采用透明絕緣性材料；優(yōu)選的，該絕緣薄膜為氮化硅SiNx、氧化硅SiOx及樹脂絕緣材料中的一種或復(fù)合物；需要說明的是，由于采用的材料不同，沉積絕緣薄膜的厚度也會相應(yīng)不同；例如，若絕緣薄膜為SiNx，則沉積的厚度為4000埃米左右；若絕緣薄膜為樹脂絕緣材料，則沉積的厚度為I微米左右。進(jìn)ー步，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜エ藝，在導(dǎo)電薄膜層上沉積ー層絕緣薄膜，形成第一絕緣層。進(jìn)ー步，若觸控模組的觸控電極層與形成的最后ー個導(dǎo)電薄膜層接觸，則在沉積最后ー層導(dǎo)電薄膜之后，且在形成觸控模組之前，還包括:在形成的最后ー個導(dǎo)電薄膜層上沉積ー層絕緣薄膜，形成第二絕緣層；其中，絕緣薄膜采用透明絕緣性材料；優(yōu)選的，該絕緣薄膜為氮化硅SiNx、氧化硅SiOx及樹脂絕緣材料中的一種或復(fù)合物；需要說明的是，由于采用的材料不同，沉積絕緣薄膜的厚度也會相應(yīng)不同；例如，若絕緣薄膜為SiNx，則沉積的厚度為4000埃米左右；若絕緣薄膜為樹脂絕緣材料，則沉積的厚度為I微米左右。進(jìn)ー步，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜エ藝，在形成的最后ー個導(dǎo)電薄膜層上沉積ー層透明絕緣薄膜，形成第二絕緣層。下面以圖8所示的觸摸屏的結(jié)構(gòu)為例，對該觸摸屏的制造過程進(jìn)行詳細(xì)說明。參見圖10，圖8所示的觸摸屏的制造方法包括以下步驟:步驟101、在完成顯示模組的制作之后，在該顯示模組的彩膜基板的背離液晶層的ー側(cè)上，沉積ー層透明導(dǎo)電薄膜，形成第一個導(dǎo)電薄膜層；步驟102、在該第一個導(dǎo)電薄膜層上，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜エ藝，沉積ー層透明絕緣薄膜，形成第二絕緣層；步驟103、采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜エ藝，在形成的第二絕緣層上沉積ー層透明導(dǎo)電薄膜，形成第二個導(dǎo)電薄膜層；
步驟104、采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜エ藝，在形成的第二個導(dǎo)電薄膜層上，沉積ー層透明絕緣薄膜，形成第一絕緣層；步驟105、在形成的第一絕緣層上形成觸控模組；步驟106、在形成的觸控模組上貼覆偏光片。本發(fā)明實(shí)施例的觸摸屏的導(dǎo)電薄膜層、第一絕緣層及第ニ絕緣層在制作時，只需采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜エ藝，在相應(yīng)位置上沉積導(dǎo)電薄膜、絕緣薄膜，即可形成導(dǎo)電薄膜層、第一絕緣層及第ニ絕緣層，而不需要使用掩膜版(mask)對導(dǎo)電薄膜和/或絕緣薄膜制作圖形。盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。本發(fā)明實(shí)施例的觸摸屏包括顯示模組、觸控模組及至少ー個位于該顯示模組與該觸控模組之間的導(dǎo)電薄膜層；由于本發(fā)明實(shí)施例在顯示模組的像素電極層與觸控模組的電極層之間增加了至少ー個導(dǎo)電薄膜層，顯示模組的像素電極層與導(dǎo)電薄膜層之間、導(dǎo)電薄膜層與觸控模組的電極層之間均形成了寄生電容，且形成的寄生電容之間為串聯(lián)連接，由于串聯(lián)連接，使得顯示模組與觸控模組之間的總寄生電容的電容值小于形成的最小的寄生電容的電容值，從而降低了顯示模組與觸控模組之間的總寄生電容。本發(fā)明實(shí)施例的觸摸屏的導(dǎo)電薄膜層、第一絕緣層及第ニ絕緣層在制作時，只需采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜エ藝，在相應(yīng)位置上沉積導(dǎo)電薄膜、絕緣薄膜，即可形成導(dǎo)電薄膜層、第一絕緣層及第ニ絕緣層，而不需要使用掩膜版(mask)對導(dǎo)電薄膜和/或絕緣薄膜制作圖形。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種觸摸屏，包括:顯示模組和觸控模組，其特征在于，該觸摸屏還包括: 至少ー個位于所述顯示模組與所述觸控模組之間的導(dǎo)電薄膜層。
2.按權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，若所述觸控模組的觸控電極層與ー個所述導(dǎo)電薄膜層接觸，所述觸摸屏還包括: 位于所述觸控模組的觸控電極層與該導(dǎo)電薄膜層之間的第一絕緣層。
3.按權(quán)利要求1或2所述的觸摸屏，其特征在于，若所述導(dǎo)電薄膜層的數(shù)量不小于2，所述觸摸屏還包括: 位于任意兩個相鄰的導(dǎo)電薄膜層之間的第二絕緣層。
4.按權(quán)利要求1或2所述的觸摸屏，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜層采用透明導(dǎo)電性材料。
5.按權(quán)利要求4所述的觸摸屏，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫ITO或者銦鋅氧化物IZ0。
6.按權(quán)利要求3所述的觸摸屏，其特征在干，所述第一絕緣層與所述第二絕緣層采用透明絕緣性材料。
7.按權(quán)利要求6所述的觸摸屏，其特征在于，所述透明絕緣材料為氮化硅、氧化硅及樹脂絕緣材料中的一種或復(fù)合物。
8.一種觸摸屏的制造方法，其特征在于，該方法包括: 在完成顯示模組的制作之后，在所述顯示模組的彩膜基板的背離液晶層的ー側(cè)上，至少沉積ー層透明導(dǎo)電薄膜，形成導(dǎo)電薄膜層； 在形成的最后ー個導(dǎo)電薄膜層上形成觸控模組。
9.按權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，若所述導(dǎo)電薄膜層的數(shù)量不小于2，在沉積ー層透明導(dǎo)電薄膜之后，且在沉積下ー層透明導(dǎo)電薄膜之前，所述方法還包括: 在形成的最后ー個導(dǎo)電薄膜層上沉積ー層透明絕緣薄膜，形成第一絕緣層。
10.按權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，若所述觸控模組的電極層與所述導(dǎo)電薄膜層接觸，在沉積最后ー層透明導(dǎo)電薄膜之后，且在形成所述觸控模組之前，所述方法還包括: 在形成的最后ー個導(dǎo)電薄膜層上沉積ー層透明絕緣薄膜，形成第二絕緣層。
11.一種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置包括如權(quán)利要求f 7任一所述的觸摸屏。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種觸摸屏及其制造方法、顯示裝置，用于解決現(xiàn)有觸摸屏在工作狀態(tài)下，由于顯示模組與觸控模組的信號干擾，從而影響觸摸屏的觸摸靈敏度，進(jìn)而影響觸摸屏的性能的問題。本發(fā)明實(shí)施例的觸摸屏包括顯示模組、觸控模組、以及至少一個位于該顯示模組與該觸控模組之間的導(dǎo)電薄膜層。本發(fā)明實(shí)施例降低了顯示模組與觸控模組之間的總寄生電容。
文檔編號G02F1/1333GK103092450SQ201310032489
公開日2013年5月8日 申請日期2013年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月28日
發(fā)明者劉英明, 王海生, 楊盛際, 鄧立廣, 段亞鋒 申請人:北京京東方光電科技有限公司