耐彎曲損耗的多模光纖的制作方法
【專利摘要】一種漸變折射率多模光纖，包括：(a)二氧化硅纖芯，其摻雜有氧化鍺和包含P2O5或F或B2O3中的一者的至少一種共摻雜劑，所述纖芯延伸至最外側(cè)纖芯半徑r1并具有雙α，α1；(b)圍住纖芯并偏離所述纖芯的低折射率內(nèi)包層；(c)圍住內(nèi)包層并與內(nèi)包層接觸的外包層，以使內(nèi)包層的至少與所述纖芯偏離的區(qū)域具有比外包層更低的折射率。在中心線的中心氧化鍺濃度CGe1大于或等于0，并且在r1處的纖芯中最外側(cè)氧化鍺濃度CGe2大于或等于0。纖芯在中心線處具有大于或等于0的中心共摻雜劑濃度Cc-d1以及在r1處的最外側(cè)共摻雜劑濃度Cc-d2，其中Cc-d2大于或等于0。
【專利說明】耐彎曲損耗的多模光纖 相關(guān)申請交叉引用
[0001] 本申請要求2011年11月4日提交的美國專利申請S/N. 13/289029的優(yōu)先權(quán)，且 基于其內(nèi)容并將其內(nèi)容整體援引包含于此。

【背景技術(shù)】
[0002] 本公開總地涉及光纖，具體地涉及漸變折射率的多模光纖，更具體地涉及漸變折 射率的氧化鍺多模光纖，其具有共摻雜了 Ge和另一摻雜劑的漸變折射率纖芯，并表現(xiàn)出低 彎曲fe耗。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本公開的一些實(shí)施例涉及在光纖纖芯內(nèi)具有氧化鍺（Ge02)和另一摻雜劑的光 纖。
[0004] 根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例，一種漸變折射率多模光纖包括： (a) 包括二氧化硅的纖芯，所述二氧化硅摻雜了氧化鍺和至少一種共摻雜劑c-d，所述 共摻雜劑包括P2〇 5或F或B203中的一者，所述纖芯從r = 0的中心線延伸至最外側(cè)纖芯半 徑A并具有雙α，即a i和α ; (b) 圍住纖芯并與纖芯接觸的內(nèi)包層； (c) 圍住內(nèi)包層并與內(nèi)包層接觸的外包層，內(nèi)包層的至少一部分具有比外包層更低的 折射率；以及 氧化鍺以氧化鍺摻雜劑濃度分布(r)被設(shè)置在纖芯中，并且纖芯具有在中心線大于 或等于〇的中心氧化鍺濃度，以及在&的最外側(cè)氧化鍺濃度Cfc2,其中Cfe2大于或等于 〇 ;以及 其中共摻雜劑以共摻雜劑濃度分布(；_d(r)被設(shè)置在纖芯中，并且纖芯具有在中心線大 于或等于〇的中心共摻雜劑濃度(；_dl，以及在Γι的最外側(cè)共摻雜劑濃度(；_d2，其中(；_ d2大 于或等于〇 ;以及

【權(quán)利要求】
1. 一種漸變折射率多模光纖，包括： (a) 包括二氧化硅的纖芯，所述二氧化硅摻雜了氧化鍺和至少一種共摻雜劑c_d，所述 共摻雜劑包括P2〇 5或F或B203中的一者，所述纖芯從r = 0處的中心線延伸至最外側(cè)纖芯 半徑A并具有雙α，即a i和α ; (b) 圍住纖芯并與纖芯接觸的內(nèi)包層； (c) 圍住內(nèi)包層并與所述內(nèi)包層接觸的外包層，所述內(nèi)包層的至少一個(gè)區(qū)域具有比外 包層更低的折射率并與所述纖芯偏離；以及 所述氧化鍺以一氧化鍺摻雜劑濃度分布(r)被設(shè)置在纖芯中，并且所述纖芯具有在 中心線處大于或等于0的中心氧化鍺濃度Cfel以及在&處的最外側(cè)氧化鍺濃度Cfe2，其中 Cfc2大于或等于0;以及 其中共摻雜劑以一共摻雜劑濃度分布(；_d(r)被設(shè)置在纖芯中，并且纖芯具有在中心 線處大于或等于0的中心共摻雜劑濃度(；_dl以及在Γι處的最外側(cè)共摻雜劑濃度(；_ d2，其中 大于或等于〇 ;以及
2. 如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，與所述纖芯偏離并比外包層具有更低折射 率的所述內(nèi)包層的區(qū)域包括隨機(jī)孔隙或由摻雜了硼、氟、或氟和氧化鍺的共摻雜的二氧化 硅構(gòu)成。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的光纖，其特征在于，氟在中心線處的濃度基本為零，并且氟 的濃度隨著所述纖芯內(nèi)的半徑而增加。
4. 如權(quán)利要求3所述的光纖，其特征在于，氧化鍺在^處的濃度從大約1摩爾％至大 約11. 5摩爾％。
5. 如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述帶寬BW滿足下列條件中的至少一個(gè)： (i) 在大約 85〇nm 處 BW>75〇MHz-Km ; (ii) 在大約 850nm 處 BW>1500MHz-Km ; (iii) 在大約 980nm 處 BW>1500MHz-Km ; (iv) 在大約 1300nm 處 BW>500MHz-Km ;
6. 如前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光纖，其特征在于，在850nm處的受限制的發(fā)射彎 曲損耗小于1. 5dB/阻。
7. 如前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光纖，其特征在于，在850nm處的受限制的發(fā)射彎 曲損耗小于0. 25dB/匝。
8. 如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述纖芯區(qū)域內(nèi)的體積平均F濃度為至少 0. 25重量％。
9. 如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述壕溝區(qū)內(nèi)的體積平均Ge濃度為至少 0. 5重量％。
10. 如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述纖芯與具有比所述外包層更低的折射 率的內(nèi)包層的部分相隔至少〇. 5 μ m。
11. 如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，具有比所述外包層更低的折射率的內(nèi)包層 的區(qū)域包括氟，并且氟的體積大于30 μ m2%。
12. 如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，具有比所述外包層更低的折射率的內(nèi)包層 的區(qū)域包括氟，并且氟的體積大于100 μ m2%且小于300 μ m2%。
13. -種漸變折射率多模光纖，包括： (a) 包括二氧化硅的纖芯，所述二氧化硅摻雜了氧化鍺和至少一種共摻雜劑c_d，所述 共摻雜劑包括B20 3，所述纖芯從r = 0處的中心線延伸至最外側(cè)纖芯半徑Γι并具有雙α， 即a i和α ; (b) 圍住纖芯并與所述纖芯接觸的內(nèi)包層； (c) 圍住內(nèi)包層并與所述內(nèi)包層接觸的外包層，所述內(nèi)包層的至少一個(gè)區(qū)域具有比所 述外包層更低的折射率；以及 所述氧化鍺以一氧化鍺摻雜劑濃度分布(r)被設(shè)置在纖芯中，并且所述纖芯具有在 中心線處大于或等于0的中心氧化鍺濃度Cfel以及在&處的最外側(cè)氧化鍺濃度Cfe2，其中 Cfc2大于或等于0;以及 其中所述共摻雜劑以一共摻雜劑濃度分布(；_d(r)被設(shè)置在纖芯中，并且纖芯具有在中 心線處大于或等于〇的中心共摻雜劑濃度(；_dl以及在Γι處的最外側(cè)共摻雜劑濃度(；_ d2，其 中（；_d2大于或等于0;以及
14. 如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，比外包層具有更低的折射率的所述內(nèi)包 層的區(qū)域包括隨機(jī)孔隙或由摻雜了硼、氟、或氟和氧化鍺的共摻雜的二氧化硅構(gòu)成。
15. 如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，所述帶寬BW滿足下列條件中的至少一 個(gè)： (i) 在大約 85〇nm 處 BW>l5〇OMHz-Km ; (ii) 在大約 980nm 處 BW>1500MHz-Km ; (iii) 在大約 1300nm 處 BW>500MHz-Km ;
16. 如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，氧化鍺在&處的濃度從大約1摩爾％至 大約11. 5摩爾％。
17. 如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，所述帶寬在大約850nm處大于 750MHz-Km。
【文檔編號】G02B6/028GK104160310SQ201280065935
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月4日
【發(fā)明者】D·C·布克班德, M-J·李, P·坦登 申請人:康寧股份有限公司