充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供在低-中-高速電子照相設(shè)備中在不需要預(yù)曝光裝置下具有充分的帶電性能并可以使感光構(gòu)件均勻帶電的充電構(gòu)件。還提供可以防止發(fā)生多色重影圖像或類似地可以穩(wěn)定地形成高級電子照相圖像的處理盒和電子照相設(shè)備。所述充電構(gòu)件包括基體、彈性層和表面層，其中所述表面層包含具有Si-O-Nb鍵的高分子化合物；所述高分子化合物具有由下式(1)表示的構(gòu)成單元和由下式(2)表示的構(gòu)成單元：式(1)式(2)NbO5/2。
【專利說明】充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，作為使電子照相感光構(gòu)件表面帶靜電的方法之一，接觸充電法已實(shí)用化。接觸充電法為將電壓施加至與感光構(gòu)件接觸配置的充電構(gòu)件，從而在充電構(gòu)件與感光構(gòu)件之間的接觸部及其附近引起微小放電以使感光構(gòu)件表面帶靜電的方法。
[0003]對于以接觸充電法使用的充電構(gòu)件，從充分地和均勻地確保充電構(gòu)件與感光構(gòu)件之間的接觸輥隙的觀點(diǎn)，通常構(gòu)成為具有導(dǎo)電性的彈性層。然而，此類導(dǎo)電性彈性層經(jīng)常以相對大的量包含低分子量組分，因此低分子量組分可能滲出至充電構(gòu)件表面并且粘附至感光構(gòu)件。因此，為了防止低分子量組分滲出至充電構(gòu)件表面，在一些情況下在導(dǎo)電性彈性層上設(shè)置表面層。
[0004]如今，接觸充電法中，為了使充電組件和電子照相設(shè)備小型化并且還實(shí)現(xiàn)成本降低，在一些情況下采用將僅由直流電壓組成的電壓施加至充電構(gòu)件的方法(下文中也稱作“DC接觸充電法”)。
[0005]然而，作為當(dāng)采用DC接觸充電法時涉及的問題，可能發(fā)生使感光構(gòu)件充電時充電第一周期與充電第二周期及之后的充電周期的飽和電位之間產(chǎn)生電位差。此類電位差引起如下現(xiàn)象:當(dāng)再現(xiàn)文字或黑色圖形的圖像后連續(xù)再現(xiàn)半色調(diào)圖像時，在半色調(diào)圖像上出現(xiàn)之前即刻再現(xiàn)的文字或黑色圖形的任何痕跡。本說明書中，出現(xiàn)之前即刻再現(xiàn)的該圖像的任何痕跡的圖像還稱作“重影圖像”。
[0006]于是，出于防止發(fā)生重影圖像的目的，專利文獻(xiàn)I提議使充電構(gòu)件表面層的電阻值高并且還薄膜化，并且進(jìn)一歩使其導(dǎo)電性彈性層的電阻值低。
[0007]引文列表
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本專利申請?zhí)亻_2009-086263
【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明要解決的問題
[0011]然而，全色電子照相圖像形成設(shè)備中，存在發(fā)生由上述電位差的種類不同的電位差引起的“多色重影圖像”的問題。
[0012]以下說明發(fā)生“多色重影圖像”的原因。即，作為全色電子照相圖像形成設(shè)備，在本領(lǐng)域中已知使用中間轉(zhuǎn)印構(gòu)件的全色電子照相圖像形成設(shè)備。通過使用中間轉(zhuǎn)印構(gòu)件形成全色電子照相圖像通過如下進(jìn)行:在多個感光構(gòu)件上形成各色的調(diào)色劑圖像，將各色的調(diào)色劑圖像從各感光構(gòu)件順次轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印構(gòu)件，此后將中間轉(zhuǎn)印構(gòu)件上保持的多色調(diào)色劑圖像一起轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)如紙。
[0013]此處，當(dāng)中間轉(zhuǎn)印構(gòu)件以中間轉(zhuǎn)印構(gòu)件上保持調(diào)色劑圖像的狀態(tài)與下ー站(next-station)感光構(gòu)件接觸時，因?yàn)閺闹虚g轉(zhuǎn)印構(gòu)件流至感光構(gòu)件的電流量在中間轉(zhuǎn)印構(gòu)件上形成調(diào)色劑圖像的部分和中間轉(zhuǎn)印構(gòu)件上未形成調(diào)色劑圖像的部分之間不同，所以在感光構(gòu)件上不可避免地發(fā)生電位差。
[0014]對于其上發(fā)生此類電位差的感光構(gòu)件，如果當(dāng)使感光構(gòu)件帶電以在其上形成新的電子照相圖像時不能消除電位差，則新形成電子照相圖像中可能發(fā)生由電位差引起的濃度不均勻。發(fā)生該濃度不均勻的電子照相圖像稱作“多色重影圖像”。
[0015]與任何感光構(gòu)件接觸的中間轉(zhuǎn)印構(gòu)件保持的調(diào)色劑層數(shù)越大，在感光構(gòu)件上產(chǎn)生的電位差就會越大。結(jié)果，存在電子照相圖像中也更大幅地發(fā)生濃度不均勻的趨勢。于是，使處理速度越高，越趨于發(fā)生多色重影圖像。
[0016]作為防止發(fā)生多色重影圖像的方法，已知在借助于充電構(gòu)件使感光構(gòu)件一次充電以前，通過使用預(yù)曝光裝置除去感光構(gòu)件上發(fā)生的電位差的方法。然而，如果不使用此類預(yù)曝光裝置可以防止發(fā)生多色重影圖像，則這可以使得電子照相設(shè)備和處理盒小型化并且還可以實(shí)現(xiàn)成本降低。
[0017]因此，本發(fā)明g在提供具有優(yōu)異的充電性能并且即使對于其上已發(fā)生電位差的感光構(gòu)件也可以進(jìn)行均勻充電至規(guī)定電位的充電構(gòu)件。
[0018]本發(fā)明還g在提供兩者均可以穩(wěn)定地形成高級電子照相圖像的電子照相設(shè)備和
處理盒。
[0019]用于解決問題的方案
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供具有基體、彈性層和表面層的充電構(gòu)件，其中表面層包含具有S1-O-Nb鍵的高分子化合物；高分子化合物具有由下式(I)表示的構(gòu)成單元和由下式(2)表示的構(gòu)成單元。`
[0021]式(I)
[0022]
【權(quán)利要求】
1.ー種充電構(gòu)件，所述充電構(gòu)件包括基體、彈性層和表面層；其中所述表面層包含具有S1-O-Nb鍵的高分子化合物；所述高分子化合物具有由下式(I)表示的構(gòu)成單元和由下式(2)表示的構(gòu)成單元:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電構(gòu)件，其中，所述高分子化合物中，式(I)中的R1和R2各自獨(dú)立地為由下式(7)至(10)表示的結(jié)構(gòu)的任ー種:
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中，所述高分子化合物中，鈮原子數(shù)與硅原子數(shù)之比Nb/Si為0.1以上且12.5以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所`述的充電構(gòu)件，其中所述高分子化合物為由下式(11)表示的可水解化合物和由下式(12)表示的可水解化合物的交聯(lián)產(chǎn)物: 式(11)
R33-Si (OR34) (OR35) (OR36) 式(12)
Nb (OR37) (OR38) (OR39) (OR40) (OR41) 其中，式(11)中，R33表示各自具有環(huán)氧基的由下式(13)至(16)表示的結(jié)構(gòu)的任ー種；R34至R36各自獨(dú)立地表示烴基；以及式(12)中，R37至R41各自獨(dú)立地表示烴基: 式(13)
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件，其中所述高分子化合物為由下式(11)表示的可水解化合物、由下式(12)表示的可水解化合物和由下式(17)表示的可水解化合物的交聯(lián)產(chǎn)物: 式(11)
6.一種電子照相設(shè)備，所述電子照相設(shè)備包括電子照相感光構(gòu)件，以及與所述電子照相感光構(gòu)件接觸配置的根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件。
7.—種處理盒，所述處理盒包括電子照相感光構(gòu)件和與所述電子照相感光構(gòu)件接觸配置的根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件，并且所述處理盒構(gòu)成為可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體。
【文檔編號】G03G15/02GK103502895SQ201280020428
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2012年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月28日
【發(fā)明者】益啟貴, 黑田紀(jì)明, 兒玉真隆, 鈴村典子, 友水雄也 申請人:佳能株式會社