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充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備的制作方法

文檔序號:2697850閱讀:122來源:國知局
充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備的制作方法
【專利摘要】提供一種具有對電子照相感光構(gòu)件優(yōu)越的充電性能的充電構(gòu)件,所述充電性能難以經(jīng)時(shí)變化。所述電子照相用充電構(gòu)件具有基體、彈性層和表面層;所述表面層包含在其分子結(jié)構(gòu)中具有Si-O-Ti鍵的高分子化合物和在說明書中定義的由通式(7)表示的環(huán)狀聚硅烷;并且所述高分子化合物具有在說明書中定義的由通式(1)表示的構(gòu)成單元和由式(2)表示的構(gòu)成單元。
【專利說明】充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于電子照相設(shè)備接觸充電的充電構(gòu)件,并涉及處理盒和電子照相設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]通常與電子照相感光構(gòu)件接觸設(shè)置以使電子照相感光構(gòu)件靜電地充電的充電構(gòu)件如此構(gòu)造以具有包含橡膠的彈性層,以便充分和均勻地確保電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu)件之間的接觸輥隙。在該彈性層中,不可避免地包含低分子量組分,因而低分子量組分可以滲出到充電構(gòu)件的表面,長期使用的結(jié)果是污染電子照相感光構(gòu)件的表面。
[0003]為了解決該現(xiàn)象,PTLl公開了用無機(jī)氧化物膜或有機(jī)-無機(jī)混合膜覆蓋彈性層外周以便阻止低分子量組分滲出到充電構(gòu)件的表面的構(gòu)造。
[0004]目前,隨著近年來電子照相圖像形成過程變得速度更快并且其設(shè)備變得壽命更長,電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu)件之間的接觸時(shí)間變得相對短,這對電子照相感光構(gòu)件穩(wěn)定和確定地充電趨于不利。
[0005]此外,在使電子照相感光構(gòu)件的表面充電時(shí),充電構(gòu)件還處于其表面趨于被氧化的環(huán)境中。因此,當(dāng)充電構(gòu)件長期持續(xù)使用時(shí),充電構(gòu)件的表面可能被氧化從而開始逐漸劣化并且充電性能隨時(shí)間改變。
[0006]引文列表
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]PTLl:日本專利申請?zhí)亻_2001-173641
【發(fā)明內(nèi)容】

_9] 發(fā)明要解決的問題
[0010]因此,本發(fā)明的目的是提供一種顯示對電子照相感光構(gòu)件的優(yōu)越充電性能的并且其充電性能還不能隨時(shí)間改變的充電構(gòu)件。
[0011]此外,本發(fā)明的另一目的是還提供一種能夠穩(wěn)定地形成高品質(zhì)電子照相圖像的電子照相設(shè)備和處理盒。
[0012]用于解決問題的方案
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種電子照相設(shè)備用充電構(gòu)件,所述充電構(gòu)件包括基體、彈性層和表面層,其中所述表面層包含在分子結(jié)構(gòu)中具有S1-O-Ti鍵的高分子化合物和由下列通式(7)表示的環(huán)狀聚硅烷,并且所述高分子化合物具有由下列通式(I)表示的構(gòu)成單元和由下式(2)表示的構(gòu)成單元。
[0014]通式(I)
[0015]
【權(quán)利要求】
1.一種電子照相設(shè)備用充電構(gòu)件,所述充電構(gòu)件包括基體、彈性層和表面層, 其中,所述表面層包含:在分子結(jié)構(gòu)中具有S1-O-Ti鍵的高分子化合物,和由下列通式(7)表示的環(huán)狀聚硅烷; 和其中,所述高分子化合物具有由以下通式(I)表示的構(gòu)成單元和由下式(2)表示的構(gòu)成單元: 通式(I)
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電構(gòu)件,其中所述通式(I)中的R1和R2各自獨(dú)立地表示選自由下列通式(8)至(11)表示的結(jié)構(gòu)中的任意結(jié)構(gòu):
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件,其中所述通式(7)中的Ra和1?0均為苯基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件,其中基于100質(zhì)量份所述在分子結(jié)構(gòu)中具有S1-O-Ti鍵的高分子化合物,所述由通式(7)表示的環(huán)狀聚硅烷的含量為1.0質(zhì)量份以上且10.0質(zhì)量份以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件,其中所述高分子化合物中鈦原子數(shù)與硅原子數(shù)之比Ti/Si為0.1以上且12.5以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件,其中所述高分子化合物為具有由以下通式(12)表示的結(jié)構(gòu)的可水解化合物和具有由以下通式(13)表示的結(jié)構(gòu)的可水解化合物的交聯(lián)產(chǎn)物: 通式(12)
R33-Si (OR 34) (OR35) (OR36) 通式(13)
Ti (OR37) (OR38) (OR39) (OR40) 其中,在所述通式(12)中,R33表示各自選自由下列通式(14)至(17)表示的結(jié)構(gòu)中的任意結(jié)構(gòu);R34至R36各自獨(dú)立地表示具有1-4個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基;和,在所述通式(13)中,R37至R4tl各自獨(dú)立地表示具有1-9個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基;和 通式(14)
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件,其中所述高分子化合物為具有由以下通式(12)表示的結(jié)構(gòu)的可水解化合物、具有由以下通式(13)表示的結(jié)構(gòu)的可水解化合物和具有由以下通式(18)表示的結(jié)構(gòu)的可水解化合物的交聯(lián)產(chǎn)物; 通式(12)
R33-Si (OR34) (OR35) (OR36) 通式(13)
Ti (OR37) (OR38) (OR39) (OR40) 其中,在所述通式(12)中,R33表示各自選自由下列通式(14)至(17)表示的結(jié)構(gòu)中的任意結(jié)構(gòu);R34至R36各自獨(dú)立地表示具有1-4個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基;和,在所述通式(13)中,R37至R4tl各自獨(dú)立地表示具有1-9個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基; 通式(14)
8.一種電子照相設(shè)備,其包括電子照相感光構(gòu)件和與所述電子照相感光構(gòu)件接觸設(shè)置的充電構(gòu)件; 所述充電構(gòu)件為根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件。
9.一種處理盒,其包括電子照相感光構(gòu)件和與所述電子照相感光構(gòu)件接觸設(shè)置的充電構(gòu)件,且以可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體而被裝配; 所述充電構(gòu)件為根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件。
【文檔編號】G03G15/02GK103492958SQ201280019991
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2012年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月25日
【發(fā)明者】黑田紀(jì)明, 兒玉真隆, 鈴村典子, 友水雄也, 益啟貴 申請人:佳能株式會(huì)社
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