專(zhuān)利名稱(chēng)：光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種頂蓋結(jié)構(gòu)，尤指一種光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，往往會(huì)因?yàn)橐恍o(wú)法避免的原因而生成細(xì)小的微?；蛉毕?，而隨著半導(dǎo)體工藝中元件尺寸的不斷縮小與電路密極度的不斷提高，這些極微小的缺陷或微粒對(duì)集成電路質(zhì)量的影響也日趨嚴(yán)重。因此，為維持產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定，通常在進(jìn)行各項(xiàng)半導(dǎo)體工藝的同時(shí)，亦須針對(duì)所生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件進(jìn)行缺陷檢測(cè)，以根據(jù)檢測(cè)的結(jié)果來(lái)分析造成這些缺陷的根本原因，之后才能進(jìn)一步通過(guò)工藝參數(shù)的調(diào)整來(lái)避免或減少缺陷的產(chǎn)生，以達(dá)到提升半導(dǎo)體工藝合格率以及可靠度的目的。再者，針對(duì)發(fā)光二極管封裝芯片的檢測(cè)與分類(lèi)，除了需要進(jìn)行是否有缺陷的檢測(cè)夕卜，仍需要進(jìn)行不同發(fā)光特性的分類(lèi)，然后再收集在不同的分類(lèi)盤(pán)內(nèi)，以符合不同客戶(hù)的需求。然而，傳統(tǒng)應(yīng)用于發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)的導(dǎo)光線(xiàn)路錯(cuò)綜復(fù)雜，非常影響整體的美觀。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其具有內(nèi)嵌式的光纖導(dǎo)光設(shè)計(jì)，以解決傳統(tǒng)應(yīng)用于發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)的導(dǎo)光線(xiàn)路錯(cuò)綜復(fù)雜的問(wèn)題，并增加整體的美觀性。本實(shí)用新型其中一實(shí)施例所提供的一種光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其包括一頂蓋單元及一導(dǎo)光單元。該頂蓋單元的內(nèi)部具有多個(gè)容置空間。該導(dǎo)光單元包括多個(gè)導(dǎo)光群組，其中每一個(gè)導(dǎo)光群組包括多個(gè)容置于相對(duì)應(yīng)的容置空間內(nèi)的光纖線(xiàn)纜，且每一個(gè)光纖線(xiàn)纜的兩相反末端面皆從該頂蓋單元的底面被裸露且分別面向已設(shè)置于該頂蓋單元下方的至少一發(fā)光元件及至少一光感測(cè)元件。本實(shí)用新型另外一實(shí)施例所提供的一種光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其包括一頂蓋單元及一導(dǎo)光單元。該頂蓋單元的內(nèi)部具有至少一容置空間。該導(dǎo)光單元包括多個(gè)容置于上述至少一容置空間內(nèi)的光纖線(xiàn)纜，且每一個(gè)光纖線(xiàn)纜的兩相反末端面皆從該頂蓋單元的底面被裸露且分別面向已設(shè)置于該頂蓋單元下方的至少一發(fā)光元件及至少一光感測(cè)元件。綜上所述，本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果在于，實(shí)施例所提供的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其可通過(guò)“多個(gè)容置于相對(duì)應(yīng)的容置空間內(nèi)的光纖線(xiàn)纜”或“多個(gè)容置于上述至少一容置空間內(nèi)的光纖線(xiàn)纜”的設(shè)計(jì)，以使得本實(shí)用新型能夠提供一種具有內(nèi)嵌式光纖導(dǎo)光設(shè)計(jì)的頂蓋結(jié)構(gòu)，解決了傳統(tǒng)應(yīng)用于發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)的導(dǎo)光線(xiàn)路錯(cuò)綜復(fù)雜的問(wèn)題，進(jìn)而增加整體的美觀性。為使能更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本實(shí)用新型加以限制。
圖IA為本實(shí)用新型光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)的立體示意圖。圖IB為圖IA的1B-1B割面線(xiàn)的剖面示意圖。圖IC為本實(shí)用新型光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)的頂蓋單元的立體示意圖。圖2A為本實(shí)用新型應(yīng)用于發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)的立體示意圖。圖2B為本實(shí)用新型應(yīng)用于發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)上的上視示意圖。圖2C為本實(shí)用新型發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)的第一旋轉(zhuǎn)單元或第二旋轉(zhuǎn)單元的立體示意圖。圖2D為本實(shí)用新型發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝芯片測(cè)量方式的測(cè)量流程示意圖(從步驟(A)至(C))。圖2E為本實(shí)用新型圖2A的X部分放大圖。圖2F為本實(shí)用新型圖2A的Y部分放大圖。圖2G為本實(shí)用新型發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝芯片被吹離第一容置部或第二容置部的流程示意圖(從步驟(A)至(B))。圖2H為本實(shí)用新型設(shè)置于發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)上的立體示意圖。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)D頂蓋單元Dl 基座本體DlO底面DlOO頂蓋本體Dll底面DllO固定件D12容置空間D1000導(dǎo)光單元D2 導(dǎo)光群組D20光纖線(xiàn)纜D200末端部D200’中段部D200”光纖核心D2OOl末端部D2001’保護(hù)外皮D2002末端面El末端面E2發(fā)光元件SI光感測(cè)元件S2第一旋轉(zhuǎn)單元 I 第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán) 11第一容置部12第一吸排氣兩用開(kāi)13旋轉(zhuǎn)單元I’ 可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)11’[0044]容置部12’吸排氣兩用開(kāi)口 13’芯片測(cè)量單元 2 芯片測(cè)量模塊20供電元件20A供電接腳200A測(cè)量元件20B第二旋轉(zhuǎn)單元3 第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)31第二容置部32 第二吸排氣兩用開(kāi)口 33第一芯片分類(lèi)單元 4 第一芯片分類(lèi)模塊 40第一通行部40A第一收納部40B芯片分類(lèi)單元4’ 芯片分類(lèi)模塊40’通行部40A’收納部40B’第二芯片分類(lèi)單元 5 第二芯片分類(lèi)模塊 50第二通行部50A第二收納部50B輸送單兀6 輸送兀件60芯片到位檢測(cè)單元 7 導(dǎo)光元件70A芯片到位檢測(cè)元件 70B第一芯片脫離檢測(cè)單兀8 第一導(dǎo)光兀件80A第一芯片脫離檢測(cè)元件 80B芯片脫離檢測(cè)單元8’第二芯片脫離檢測(cè)單元9 第二導(dǎo)光元件90A第二芯片脫離檢測(cè)元件 90B承載單元A承載底盤(pán)Al開(kāi)口AlO貫穿孔All橋接單元B橋接元件BI發(fā)光二極管封裝芯片C正極焊墊Cl負(fù)極焊墊C2上表面ClOO光束L
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖IA至圖IC所示，本實(shí)用新型提供一種光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)D，其包括一頂蓋單元Dl及一導(dǎo)光單元D2。頂蓋單元Dl的內(nèi)部具有多個(gè)容置空間D1000。導(dǎo)光單元D2包括多個(gè)導(dǎo)光群組D20，其中每一個(gè)導(dǎo)光群組D20包括多個(gè)容置于相對(duì)應(yīng)的容置空間DlOOO內(nèi)的光纖線(xiàn)纜D200，且每一個(gè)光纖線(xiàn)纜D200的兩相反末端面(E1，E2)皆從頂蓋單元Dl的底面DlOO被裸露且分別面向已設(shè)置于頂蓋單元Dl下方的至少一發(fā)光元件SI (例如發(fā)光二極管)及至少一光感測(cè)元件S2 (例如光傳感器)。舉例來(lái)說(shuō),頂蓋單元Dl包括一基座本體DlO及多個(gè)設(shè)置于基座本體DlO上的頂蓋本體Dll，且每一個(gè)容置空間D1000可從相對(duì)應(yīng)的頂蓋本體Dll的底面DllO向內(nèi)凹陷且面向基座本體D10，以使得每一個(gè)容置空間D1000成為一位于基座本體DlO與頂蓋本體Dll之間的封閉空間。每一個(gè)光纖線(xiàn)纜D200可被區(qū)分成兩個(gè)嵌入基座本體DlO內(nèi)的末端部D200’及一連接于上述兩個(gè)末端部D200’之間且容置于相對(duì)應(yīng)的容置空間D1000內(nèi)的中 段部D200”。每一個(gè)光纖線(xiàn)纜D200包括至少一光纖核心D2001及一用于包覆上述至少一光纖核心D2001的保護(hù)外皮D2002，上述至少一光纖核心D2001的兩相反末端部D2001’從保護(hù)外皮D2002裸露出來(lái)且嵌入基座本體DlO內(nèi)，且上述至少一光纖核心D2001的兩相反末端面(E1，E2)皆從基座本體DlO的底面DlOO被裸露且分別面向上述至少一發(fā)光元件SI及上述至少一光感測(cè)兀件S2。上述至少一光纖核心D2001的兩相反末端面(El, E2)實(shí)質(zhì)上皆與基座本體DlO的底面DlOO齊平。頂蓋單元Dl包括多個(gè)嵌入基座本體DlO內(nèi)的固定件D12，且上述至少一光纖核心D2001的兩相反末端部D2001’可分別被兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的固定件D12所固定。當(dāng)然，本實(shí)用新型的頂蓋單元Dl的內(nèi)部亦可只具有至少一容置空間D1000，且導(dǎo)光單元D2包括多個(gè)容置于上述至少一容置空間D1000內(nèi)的光纖線(xiàn)纜D200。上述至少一容置空間D1000從上述至少一頂蓋本體Dll的底面DllO向內(nèi)凹陷且面向基座本體D10，以使得上述至少一容置空間成為一位于基座本體DlO與頂蓋本體Dll之間的封閉空間。每一個(gè)光纖線(xiàn)纜D200被區(qū)分成兩個(gè)嵌入基座本體DlO內(nèi)的末端部D200’及一連接于上述兩個(gè)末端部D200’之間且容置于上述至少一容置空間D1000內(nèi)的中段部D200”。請(qǐng)參閱圖2A至圖2H所示，其中圖2A至圖2G的頂蓋單元Dl暫時(shí)被移除。本實(shí)用新型光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)D可應(yīng)用于一發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)(如圖2H所示)，其中發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)包括一用于輸送多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的第一旋轉(zhuǎn)單元I、一芯片測(cè)量單元2、一第二旋轉(zhuǎn)單元3、一第一芯片分類(lèi)單元4、及一第二芯片分類(lèi)單J Li 5 o首先，配合圖2A、圖2B、圖2C、及圖2D所示，第一旋轉(zhuǎn)單元I包括至少一第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)11、多個(gè)設(shè)置于第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)11上的第一容置部12、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)第一容置部12內(nèi)的第一吸排氣兩用開(kāi)口 13，其中每一個(gè)容置部12內(nèi)可選擇性地容納上述多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C(如圖2B所示)中的至少一個(gè)，且每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的底部具有一正極焊墊Cl及一負(fù)極焊墊C2 (如圖2D所示)。舉例來(lái)說(shuō)，上述多個(gè)第一容置部12可排列成一環(huán)繞狀，且上述多個(gè)第一容置部12可環(huán)繞地設(shè)置于第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)11的外周?chē)?，以使得每一個(gè)第一容置部12產(chǎn)生一朝外的第一開(kāi)口，而每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C則可通過(guò)每一個(gè)朝外的第一開(kāi)口而進(jìn)入每一個(gè)第一容置部12內(nèi)。另外，本實(shí)用新型第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一承載單元A，其包括至少一承載底盤(pán)Al，其中第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)11可設(shè)置于承載底盤(pán)Al上。此外,配合圖2A、圖2B、及圖2D所示,芯片測(cè)量單元2包括至少一鄰近第一旋轉(zhuǎn)單元I且用于測(cè)試每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的芯片測(cè)量模塊20。當(dāng)然，依據(jù)不同的測(cè)試需求，本實(shí)用新型亦可使用多個(gè)芯片測(cè)量模塊20。再者，芯片測(cè)量模塊20包括一位于發(fā)光二極管封裝芯片C下方以用于供給發(fā)光二極管封裝芯片C所需電源的供電元件20A及一位于發(fā)光二極管封裝芯片C上方以用于定義出每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的發(fā)光特性范圍的測(cè)量元件20B。舉例來(lái)說(shuō)，供電元件20A可為兩個(gè)分別供應(yīng)正電源與負(fù)極源的供電接腳200A，且測(cè)量元件20B可為一用于判斷每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的發(fā)光特性范圍(例如亮度)的傳感器或分析儀器。關(guān)于芯片測(cè)量模塊20的測(cè)量方式，如圖2D中㈧、⑶、(C)三個(gè)步驟所示，其中圖2D的(A)步驟顯示芯片測(cè)量模塊20在測(cè)量前，發(fā)光二極管封裝芯片C容置于第一旋轉(zhuǎn)單元I的第一容置部12內(nèi)且位于供電元件20A的上方。圖2D的(B)步驟顯示芯片測(cè)量模塊20在測(cè)量中，供電元件20A的兩個(gè)供電接腳200A—同向上移動(dòng)(如圖2D的⑶步驟中 向上的箭頭所示的方向)且穿過(guò)承載底盤(pán)Al的開(kāi)口 A10，以使得兩個(gè)供電接腳200A分別電性接觸發(fā)光二極管封裝芯片C的正極焊墊Cl與負(fù)極焊墊C2。圖2D的(C)步驟顯示芯片測(cè)量模塊20在測(cè)量后，供電元件20A的兩個(gè)供電接腳200A—同向下移動(dòng)(如圖2D的(C)步驟中向下的箭頭所示的方向)，以使得供電元件20A回復(fù)到原來(lái)圖2D的(A)步驟所顯示的位置。另外，配合圖2A、圖2B、及圖2C所示，第二旋轉(zhuǎn)單元3的外觀可與第一旋轉(zhuǎn)單元I相同或相似，且第二旋轉(zhuǎn)單元3鄰近第一旋轉(zhuǎn)單元I。第二旋轉(zhuǎn)單元3具有至少一第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)31、多個(gè)設(shè)置于第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)上31上的第二容置部32、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)第二容置部32內(nèi)的第二吸排氣兩用開(kāi)口 33，其中每一個(gè)第二容置部32內(nèi)可選擇性地容納上述由第一旋轉(zhuǎn)單元I所輸送來(lái)的多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C中的至少一個(gè)。舉例來(lái)說(shuō)，上述多個(gè)第二容置部32可排列成一環(huán)繞狀，且上述多個(gè)第二容置部32可環(huán)繞地設(shè)置于第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)31的外周?chē)?，以使得每一個(gè)第二容置部32產(chǎn)生一朝外的第二開(kāi)口，而每一個(gè)由第一旋轉(zhuǎn)單元I所輸送來(lái)的發(fā)光二極管封裝芯片C則可通過(guò)每一個(gè)朝外的第二開(kāi)口而進(jìn)入每一個(gè)第二容置部32內(nèi)。此外，第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)11與第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)31皆可同時(shí)設(shè)置于承載底盤(pán)Al上。當(dāng)然,承載底盤(pán)Al亦可分為兩個(gè)彼此分離的分離底盤(pán)(圖未示)，而使得第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)11與第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)31可分別設(shè)置于上述兩個(gè)分離底盤(pán)(圖未示)上。再者，配合圖2A、圖2B、及圖2E所示，第一芯片分類(lèi)單元4包括多個(gè)鄰近第一旋轉(zhuǎn)單元I且用于分類(lèi)上述多個(gè)經(jīng)過(guò)芯片測(cè)量模塊20測(cè)量后的發(fā)光二極管封裝芯片C的第一芯片分類(lèi)模塊40，其中上述多個(gè)第一芯片分類(lèi)模塊40環(huán)繞第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)11。此外，每一個(gè)第一芯片分類(lèi)模塊40具有一第一通行部40A及一連通于第一通行部40A的第一收納部40B,且同一個(gè)第一芯片分類(lèi)模塊40的第一通行部40A與第一收納部40B可相互配合，以用于收集具有相同發(fā)光特性范圍的發(fā)光二極管封裝芯片C。舉例來(lái)說(shuō)，如圖2E所示，第一通行部40A可為一連通于第一容置部12的第一通行斜面，第一收納部40B可為一連接于第一通行斜面的第一收納開(kāi)口，且第一通行斜面(第一通行部40A)可從第一容置部12朝第一收納開(kāi)口(第一收納部40B)的方向漸漸向下傾斜。另外，配合圖2A、圖2B、及圖2F所示，第二芯片分類(lèi)單元5包括多個(gè)鄰近第二旋轉(zhuǎn)單元3且用于分類(lèi)上述多個(gè)經(jīng)過(guò)芯片測(cè)量模塊20測(cè)量后的發(fā)光二極管封裝芯片C的第二芯片分類(lèi)模塊50，其中上述多個(gè)第二芯片分類(lèi)模塊50環(huán)繞第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)31。此外，每一個(gè)第二芯片分類(lèi)模塊50具有一第二通行部50A及一連通于第二通行部50A的第二收納部50B,且同一個(gè)第二芯片分類(lèi)模塊50的第二通行部50A與第二收納部50B可相互配合，以用于收集具有相同發(fā)光特性范圍的發(fā)光二極管封裝芯片C。舉例來(lái)說(shuō)，如圖2F所示，第二通行部50A可為一連通于第二容置部32的第二通行斜面，第二收納部50B可為一連接于第二通行斜面的第二收納開(kāi)口，且第二通行斜面(第二通行部50A)可從第二容置部32朝第二收納開(kāi)口(第二收納部50B)的方向漸漸向下傾斜。此外，配合圖2A與圖2B所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一輸送單元6，其具有至少一鄰近第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)11且依據(jù)不同時(shí)序以依序?qū)?yīng)每一個(gè)第一容置部12的輸送兀件60。另外，配合圖2A、圖2B、及圖2G所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一芯片到位檢測(cè)單元7，其包括一位于第一容置部12上方且鄰近輸送元件60的導(dǎo)光元件70A(亦即光纖線(xiàn)纜D200)及一位于第一容置部12下方且對(duì)應(yīng)導(dǎo)光元件70A的芯片到位檢測(cè)元件70B (亦即光感測(cè)元件S2)，且導(dǎo)光元件70A所產(chǎn)生的光束L可選擇性投射在發(fā)光二極管封裝芯片C的上表面ClOO (如圖2G的步驟(A)所示)或穿過(guò)一貫穿承載底盤(pán)Al且位于第一容置部12下方的貫穿孔All而傳送到芯片到位檢測(cè)元件70B (如圖2G的步驟(B)所示)，以判斷發(fā)光二極管封裝芯片C是否已從輸送元件60傳送到第一容置部12內(nèi)。例如發(fā)光二極管封裝芯片C可通過(guò)第一吸排氣兩用開(kāi)口 13所提供的吸力而被吸入到第一容置部12內(nèi)。再者，配合圖2A、圖2B、圖2E、及圖2G所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一第一芯片脫離檢測(cè)單元8，其包括多個(gè)分別位于不同的第一容置部12上方且分別鄰近不同的第一芯片分類(lèi)模塊40的第一導(dǎo)光元件80A(亦即光纖線(xiàn)纜D200)及多個(gè)分別位于不同的第一容置部12下方且分別對(duì)應(yīng)上述多個(gè)第一導(dǎo)光元件80A的第一芯片脫離檢測(cè)元件80B (亦即光感測(cè)元件S2)，且每一個(gè)第一導(dǎo)光元件80A所產(chǎn)生的光束L可選擇性投射在發(fā)光二極管封裝芯片C的上表面ClOO (如圖2G的步驟(A)所示)或穿過(guò)一貫穿承載底盤(pán)Al且位于第一容置部12下方的貫穿孔All而傳送到第一芯片脫離檢測(cè)元件80B (如圖2G的步驟(B)所示)，以判斷發(fā)光二極管封裝芯片C是否已脫離第一容置部12而傳送到第一芯片分類(lèi)模塊40或第二容置部32內(nèi)。例如發(fā)光二極管封裝芯片C可通過(guò)第一吸排氣兩用開(kāi)口 13所提供的吹力而被吹離第一容置部12。另外，配合圖2A、圖2B、圖2F、及圖2G所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一第二芯片脫離檢測(cè)單元9，其包括多個(gè)分別位于不同的第二容置部32上方且分別鄰近不同的第二芯片分類(lèi)模塊50的第二導(dǎo)光元件90A(亦即光纖線(xiàn)纜D200)及多個(gè)分別位于不同的第二容置部32下方且分別對(duì)應(yīng)上述多個(gè)第二導(dǎo)光元件90A的第二芯片脫離檢測(cè)元件90B (亦即光感測(cè)元件S2)，且每一個(gè)第二導(dǎo)光元件90A所產(chǎn)生的光束L可選擇性投射在發(fā)光二極管封裝芯片C的上表面C 100(如圖2G的步驟(A)所示)或穿過(guò)一貫穿承載底盤(pán)Al且位于第二容置部32下方的貫穿孔34而傳送到第二芯片脫離檢測(cè)元件90B (如圖2G的步驟(B)所示)，以判斷發(fā)光二極管封裝芯片C是否已脫離第一容置部12而傳送到第二容置部32內(nèi)或判斷發(fā)光二極管封裝芯片C是否已脫離第二容置部32而傳送到第二芯片分類(lèi)模塊50。例如發(fā)光二極管封裝芯片C可通過(guò)第二吸排氣兩用開(kāi)口 23所提供的吹力而被吹離第二容置部32。此外，配合圖2A與圖2B所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一橋接單元B，其包括至少一設(shè)置于第一 旋轉(zhuǎn)單元I與第二旋轉(zhuǎn)單元3之間的橋接元件BI，且橋接元件BI可作為用于將發(fā)光二極管封裝芯片C從第一容置部12傳送至第二容置部32的橋梁。〔實(shí)施例的可能功效〕綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其可通過(guò)“多個(gè)容置于相對(duì)應(yīng)的容置空間內(nèi)的光纖線(xiàn)纜”或“多個(gè)容置于上述至少一容置空間內(nèi)的光纖線(xiàn)纜”的設(shè)計(jì)，以使得本實(shí)用新型能夠提供一種具有內(nèi)嵌式光纖導(dǎo)光設(shè)計(jì)的頂蓋結(jié)構(gòu)，解決了傳統(tǒng)應(yīng)用于發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)的導(dǎo)光線(xiàn)路錯(cuò)綜復(fù)雜的問(wèn)題，進(jìn)而增加整體的美觀性。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳可行實(shí)施例，并非因此局限本實(shí)用新型的專(zhuān)利范圍，故凡運(yùn)用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一頂蓋單元，其內(nèi)部具有多個(gè)容置空間；以及 一導(dǎo)光單元，其包括多個(gè)導(dǎo)光群組，其中每一個(gè)導(dǎo)光群組包括多個(gè)容置于相對(duì)應(yīng)的容置空間內(nèi)的光纖線(xiàn)纜，且每一個(gè)光纖線(xiàn)纜的兩相反末端面皆從該頂蓋單元的底面被裸露且分別面向已設(shè)置于該頂蓋單元下方的至少一發(fā)光元件及至少一光感測(cè)元件。
2.如權(quán)利要求I所述的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，該頂蓋單元包括一基座本體及多個(gè)設(shè)置于該基座本體上的頂蓋本體，且每一個(gè)容置空間從相對(duì)應(yīng)的頂蓋本體的底面向內(nèi)凹陷且面向該基座本體，以使得每一個(gè)容置空間成為一封閉空間。
3.如權(quán)利要求2所述的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一個(gè)光纖線(xiàn)纜被區(qū)分成兩個(gè)嵌入該基座本體內(nèi)的末端部及一連接于上述兩個(gè)末端部之間且容置于相對(duì)應(yīng)的容置空間內(nèi)的中段部。
4.如權(quán)利要求3所述的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一個(gè)光纖線(xiàn)纜包括至少一光纖核心及一用于包覆上述至少一光纖核心的保護(hù)外皮，上述至少一光纖核心的兩相反末端部從該保護(hù)外皮裸露出來(lái)且嵌入該基座本體內(nèi)，且上述至少一光纖核心的兩相反末端面皆從該基座本體的底面被裸露且分別面向上述至少一發(fā)光元件及上述至少一光感測(cè)元件。
5.如權(quán)利要求4所述的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu),其特征在于,上述至少一光纖核心的兩相反末端面皆與該基座本體的底面齊平。
6.如權(quán)利要求4所述的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，該頂蓋單元包括多個(gè)嵌入該基座本體內(nèi)的固定件，且上述至少一光纖核心的兩相反末端部分別被兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的固定件所固定。
7.一種光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一頂蓋單元，其內(nèi)部具有至少一容置空間；以及 一導(dǎo)光單元，其包括多個(gè)容置于上述至少一容置空間內(nèi)的光纖線(xiàn)纜，且每一個(gè)光纖線(xiàn)纜的兩相反末端面皆從該頂蓋單元的底面被裸露且分別面向已設(shè)置于該頂蓋單元下方的至少一發(fā)光元件及至少一光感測(cè)元件。
8.如權(quán)利要求7所述的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，該頂蓋單元包括一基座本體及至少一設(shè)置于該基座本體上的頂蓋本體，且上述至少一容置空間從上述至少一頂蓋本體的底面向內(nèi)凹陷且面向該基座本體，以使得上述至少一容置空間成為一封閉空間。
9.如權(quán)利要求8所述的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一個(gè)光纖線(xiàn)纜被區(qū)分成兩個(gè)嵌入該基座本體內(nèi)的末端部及一連接于上述兩個(gè)末端部之間且容置于上述至少一容置空間內(nèi)的中段部。
10.如權(quán)利要求9所述的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一個(gè)光纖線(xiàn)纜包括至少一光纖核心及一用于包覆上述至少一光纖核心的保護(hù)外皮，上述至少一光纖核心的兩相反末端部從該保護(hù)外皮裸露出來(lái)且嵌入該基座本體內(nèi)，且上述至少一光纖核心的兩相反末端面皆從該基座本體的底面被裸露且分別面向上述至少一發(fā)光元件及上述至少一光感測(cè)元件。
11.如權(quán)利要求10所述的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一光纖核心的兩相反末端面皆與該基座本體的底面齊平。
12.如權(quán)利要求10所述的光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其特征在于，該頂蓋單元包括多個(gè)嵌入該基座本體內(nèi)的固定件，且上述至少一光纖核心的兩相反末端部分別被兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的固定件所固定。
專(zhuān)利摘要一種光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)，其包括一頂蓋單元及一導(dǎo)光單元。頂蓋單元的內(nèi)部具有多個(gè)容置空間。導(dǎo)光單元包括多個(gè)導(dǎo)光群組，其中每一個(gè)導(dǎo)光群組包括多個(gè)容置于相對(duì)應(yīng)的容置空間內(nèi)的光纖線(xiàn)纜，且每一個(gè)光纖線(xiàn)纜的兩相反末端面皆從頂蓋單元的底面被裸露且分別面向已設(shè)置于頂蓋單元下方的至少一發(fā)光元件及至少一光感測(cè)元件。因此，本實(shí)用新型光纖導(dǎo)光式頂蓋結(jié)構(gòu)可通過(guò)“多個(gè)容置于相對(duì)應(yīng)的容置空間內(nèi)的光纖線(xiàn)纜”的設(shè)計(jì)，以提供一種具有內(nèi)嵌式光纖導(dǎo)光設(shè)計(jì)的頂蓋結(jié)構(gòu)，解決傳統(tǒng)應(yīng)用于發(fā)光二極管封裝芯片分類(lèi)系統(tǒng)的導(dǎo)光線(xiàn)路錯(cuò)綜復(fù)雜的問(wèn)題，進(jìn)而增加整體的美觀性。
文檔編號(hào)G02B6/44GK202421528SQ201220005529
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月4日
發(fā)明者汪秉龍, 邱證家, 陳信呈, 陳桂標(biāo) 申請(qǐng)人:久元電子股份有限公司