專利名稱：Tft-lcd顯示面板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種TFT-IXD顯示面板結(jié)構(gòu)及顯示裝置。
技術(shù)背景
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡稱 TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對較低等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-IXD陣列基板是TFT-IXD的重要部件之一，其結(jié)構(gòu)如圖I所示，主要包括作為襯底的基板，形成在基板上的柵電極和柵線10，同時形成公共電極線30，其中， 柵電極可以位于柵線10上，通過柵線信號控制薄膜晶體管I的開關(guān)，公共電極線信號為陣列基板提供基準(zhǔn)電壓。形成在柵電極和柵線10上并覆蓋整個基板的柵絕緣層50，在公共電極線30的上方開設(shè)有柵絕緣層過孔7，如圖2所示。在柵電極上方形成半導(dǎo)體層(未示出)、 摻雜半導(dǎo)體層(未示出)，以及薄膜晶體管I的源電極2和漏電極3，同時形成與柵線10垂直交叉的數(shù)據(jù)線20，其中，源電極2和數(shù)據(jù)線20電連接。再用鈍化層(未示出)覆蓋整個基板，位于漏電極3的上方開設(shè)有鈍化層過孔4，在鈍化層過孔4上方形成像素電極5，其中， 像素電極5形成在柵線10和數(shù)據(jù)線20限定的像素區(qū)域，通過鈍化層過孔4與漏電極3電連接。此外，圖I所示的陣列基板上還包括位于柵線10上方通過柵絕緣層過孔7與位于該柵線10兩側(cè)的公共電極線30電連接的連接電極6，該連接電極6可以是與像素電極5同層制作。
TFT-IXD的顯示原理為以薄膜晶體管作為開關(guān)對液晶施加驅(qū)動電場來控制液晶的旋轉(zhuǎn)，從而控制TFT-LCD的顯示過程。其中，驅(qū)動電場由像素電極和透明公共電極產(chǎn)生。根據(jù)驅(qū)動電場的方向?qū)FT-IXD分為以橫向電場作為驅(qū)動電場的TFT-IXD (如IPS型 TFT-LCD)、以縱向電場作為驅(qū)動電場的TFT-LCD (如TN型TFT-LCD和ITN型TFT-LCD)、以及以多維電場作為驅(qū)動電場的TFT-LCD (如ADS型TFT-LCD)。
其中，ADS(或稱 AD-SDS, ADvanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠廣生旋轉(zhuǎn)，從而提聞了液晶工作效率并增大了透光效率。聞級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提聞 TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
對于以橫向電場或多維電場作為驅(qū)動電場的TFT-LCD，其透明公共電極和公共電極線均形成在陣列基板上，透明公共電極和公共電極線相連接，共同形成公共電極阻抗網(wǎng)絡(luò)。
從現(xiàn)有技術(shù)中的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)可以看出，用于電連接位于柵線10兩側(cè)的公共電極線30的連接電極6與柵線10之間有很大的交疊，擴(kuò)展到整個陣列基板就會有 1920*1080 (以1920*1080像素的顯示屏為例，還可以是其他像素值)個像素的交疊，這對公共電壓信號以及柵線信號都會產(chǎn)生很大的干擾，影響公共電壓的均一分布。并且連接電極6與數(shù)據(jù)線20距離也很近，且它們之間只有一層鈍化層，存在側(cè)向電容，也會對公共電壓信號以及數(shù)據(jù)線信號產(chǎn)生干擾。發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明提供一種TFT-IXD顯示面板結(jié)構(gòu)及顯示裝置，用以減少陣列基板上公共電極線與柵線之間以及公共電極線與數(shù)據(jù)線之間存在信號干擾，提高顯示裝置的顯示質(zhì)量。
(二)技術(shù)方案
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種TFT-IXD顯示面板，包括相對設(shè)置成盒的陣列基板和彩膜基板，及設(shè)置在所述陣列基板和彩膜基板之間的柱狀隔墊物，其中，位于同一柵線兩側(cè)的公共電極線通過至少一個連接電極進(jìn)行電連接；所述連接電極設(shè)在所述彩膜基板上并覆蓋位于所述柵線兩側(cè)的兩個柱狀隔墊物，位于所述柱狀隔墊物底端處的所述連接電極與所述陣列基板上的公共電極線電連接。
如上所述的TFT-IXD顯示面板，優(yōu)選的是，所述TFT-IXD顯示面板結(jié)構(gòu)的透明公共電極形成在所述彩膜基板上；且所述連接電極與所述透明公共電極電連接。
如上所述的TFT-LCD顯示面板，優(yōu)選的是，所述連接電極與所述透明公共電極同層制作。
如上所述的TFT-IXD顯示面板,優(yōu)選的是,所述TFT-IXD顯示面板的透明公共電極形成在所述陣列基板上。
如上所述的TFT-LCD顯示面板結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的是，所述連接電極為覆蓋所述柵線兩側(cè)的兩個柱狀隔墊物的透明導(dǎo)電金屬層。
如上所述的TFT-IXD顯示面板結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的是，所述透明導(dǎo)電金屬層采用透明金屬氧化物。
本發(fā)明還提供一種TFT-IXD顯示裝置，采用如上所述的TFT-IXD顯示面板。
(三)有益效果
本發(fā)明所提供的TFT-IXD顯示面板及顯示裝置，該顯示面板上位于同一柵線兩側(cè)的相鄰兩像素區(qū)域中的公共電極線通過至少一個連接電極進(jìn)行電連接，該連接電極設(shè)在彩膜基板上并覆蓋位于該柵線兩側(cè)的兩個柱狀隔墊物，且位于柱狀隔墊物底端處的連接電極與陣列基板上的公共電極線電連接，從而在彩膜基板上實現(xiàn)同一柵線兩側(cè)公共電極線的電連接，大大增加了公共電極線與柵線和數(shù)據(jù)線的距離，減少了公共電極線與柵線之間以及公共電極線與數(shù)據(jù)線之間的信號干擾，實現(xiàn)陣列基板上公共電壓信號的均一分布，也減少了陣列基板上公共電極線的電阻。同時，對于以縱向電場作為驅(qū)動電場的TFT-LCD顯示面板，由于增加了陣列基板和彩膜基板之間的導(dǎo)通點(diǎn)，實現(xiàn)了彩膜基板上公共電壓信號的均一分布，克服了公共電壓信號從四周加進(jìn)去導(dǎo)致信號到達(dá)彩膜基板中間的信號延遲。采用上述顯示面板可以提高顯示裝置的顯示質(zhì)量。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中TFT-IXD顯示面板陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖2為圖I沿A-A方向的剖視圖3為本發(fā)明實施例中TFT-IXD顯示面板陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明實施例中TFT-IXD顯示面板沿圖3中A-A方向的剖視其中，I :薄膜晶體管；2 :源電極；3 :漏電極；4 :鈍化層過孔；5 :像素電極；6、40 連接電極；7 :柵絕緣層過孔；8 :柱狀隔墊物；10 :柵線；20 :數(shù)據(jù)線；30 :公共電極線；50 :柵絕緣層；60 :透明公共電極；100 :陣列基板；101 :彩膜基板。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
實施例一
圖3所示為本發(fā)明實施例中TFT-LCD顯示面板陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本發(fā)明實施例中的TFT-LCD顯示面板陣列基板100包括形成在陣列基板100上的柵線 10、數(shù)據(jù)線20、像素電極5和薄膜晶體管1，交叉設(shè)置的柵線10、數(shù)據(jù)線20限定了像素區(qū)域， 像素電極5形成在像素區(qū)域內(nèi)。薄膜晶體管I包括與柵線10連接的柵電極、與數(shù)據(jù)線20 連接的源電極2和通過鈍化層過孔4與像素電極5連接的漏電極3。陣列基板100上還包括公共電極線30，為基板提供基準(zhǔn)電壓。本實施例中陣列基板100上位于同一柵線10兩側(cè)的公共電極線30通過至少一個連接電極40進(jìn)行電連接，其中，結(jié)合圖4所示，連接電極 40設(shè)在彩膜基板101上并覆蓋位于該柵線10兩側(cè)的兩個柱狀隔墊物8，位于柱狀隔墊物8 底端處的連接電極40與陣列基板100上的公共電極線30電連接，從而在彩膜基板101上實現(xiàn)同一柵線10兩側(cè)公共電極線30的電連接，大大增加了公共電極線30與柵線10和數(shù)據(jù)線20的距離，減少了公共電極線30與柵線10之間以及公共電極線30與數(shù)據(jù)線20之間的信號干擾；同時由于公共電極線30與透明公共電極60直接搭接，利用連接電極40將相鄰行的公共電極線30進(jìn)行串接后，可以進(jìn)一步實現(xiàn)陣列基板100上公共電壓信號的均一分布，也減少了陣列基板100上公共電極線30的電阻。
如圖4所示，對于以縱向電場作為驅(qū)動電場的TFT-IXD顯示面板，其透明公共電極 (圖中未示出)形成在彩膜基板101上，則在彩膜基板101上形成有透明導(dǎo)電金屬層；柱狀隔墊物8作為陣列基板100和彩膜基板101之間的導(dǎo)通點(diǎn)，其上也形成有透明導(dǎo)電金屬層，在實際制作工藝中，只需將柱狀隔墊物8設(shè)置在同一柵線10兩側(cè)公共電極線30的柵絕緣層過孔7上，就可以在彩膜基板101上實現(xiàn)同一柵線10兩側(cè)公共電極線30的電連接。其中， 連接電極40與透明公共電極電連接，兩者可以同層制作。同時，由于增加了陣列基板100和彩膜基板101之間的導(dǎo)通點(diǎn)，相對于現(xiàn)有技術(shù)中從彩膜基板101四周加入公共電壓信號，實現(xiàn)了彩膜基板101上公共電壓信號的均一分布，克服了公共電壓信號到達(dá)彩膜基板101中間的信號延遲。
同時，對于以縱向電場作為驅(qū)動電場的TFT-LCD顯示面板，由于增加了陣列基板 100和彩膜基板101之間的導(dǎo)通點(diǎn)(即柱狀隔墊物8的個數(shù))，實現(xiàn)了彩膜基板101上公共電壓信號的均一分布，克服了公共電壓信號從四周加進(jìn)去導(dǎo)致信號到達(dá)彩膜基板101中間的信號延遲，提高顯示質(zhì)量。
而對于以橫向電場或多維電場作為驅(qū)動電場的TFT-LCD顯示面板，由于其透明公共電極60 (如圖4所示)和公共電極線30均形成在陣列基板100上，在實際制作工藝中，為了在彩膜基板101上實現(xiàn)同一柵線10兩側(cè)公共電極線30的電連接，需要采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、涂敷、濺射等方法在彩膜基板101相對陣列基板100側(cè)的表面上形成透明導(dǎo)電金屬層，該透明導(dǎo)電金屬層也覆蓋位于該柵線10兩側(cè)的兩個柱狀隔墊物8，以形成連接電極40，從而在彩膜基板101上實現(xiàn)同一柵線10兩側(cè)公共電極線30的電連接。其中，本實施例中的連接電極40可以為覆蓋整個彩膜基板101和柵線10兩側(cè)的兩個柱狀隔墊物8 的透明導(dǎo)電金屬層，也可以為形成在柵線10兩側(cè)公共電極線30之間的區(qū)域相對應(yīng)的表面區(qū)域上并覆蓋柵線10兩側(cè)的柱狀隔墊物8的透明導(dǎo)電金屬層。
其中，透明導(dǎo)電金屬層采用氧化銦錫或氧化銦鋅等透明金屬氧化物，不影響顯示面板的透光性。
實施例二
本發(fā)明還提供一種TFT-IXD顯示裝置，該TFT-IXD顯示裝置采用實施例一中的 TFT-IXD顯示面板結(jié)構(gòu),提高了顯示質(zhì)量。
由以上實施例可以看出，本發(fā)明所提供的TFT-IXD顯示面板及顯示裝置，該顯示面板上位于同一柵線兩側(cè)的公共電極線通過至少一個連接電極進(jìn)行電連接，該連接電極設(shè)在彩膜基板上并覆蓋位于該柵線兩側(cè)的兩個柱狀隔墊物，且位于柱狀隔墊物底端處的連接電極與陣列基板上的公共電極線電連接，從而在彩膜基板上實現(xiàn)同一柵線兩側(cè)公共電極線的電連接，大大增加了公共電極線與柵線和數(shù)據(jù)線的距離，減少了公共電極線與柵線之間以及公共電極線與數(shù)據(jù)線之間的信號干擾，實現(xiàn)陣列基板上公共電壓信號的均一分布，也減少了陣列基板上公共電極線的電阻。同時，對于以縱向電場作為驅(qū)動電場的TFT-LCD顯示面板，由于增加了陣列基板和彩膜基板之間的導(dǎo)通點(diǎn)，實現(xiàn)了彩膜基板上公共電壓信號的均一分布，克服了公共電壓信號從四周加進(jìn)去導(dǎo)致信號到達(dá)彩膜基板中間的信號延遲。 采用上述顯示面板可以提高顯示裝置的顯示質(zhì)量。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-LCD顯示面板，包括相對設(shè)置成盒的陣列基板和彩膜基板，及設(shè)置在所述陣列基板和彩膜基板之間的柱狀隔墊物，其特征在于，位于同一柵線兩側(cè)的公共電極線通過至少一個連接電極進(jìn)行電連接；所述連接電極設(shè)在所述彩膜基板上并覆蓋位于所述柵線兩側(cè)的兩個柱狀隔墊物，位于所述柱狀隔墊物底端處的所述連接電極與所述陣列基板上的公共電極線電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的TFT-IXD顯示面板，其特征在于，所述TFT-IXD顯示面板的透明公共電極形成在所述彩膜基板上；且所述連接電極與所述透明公共電極電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-IXD顯示面板，其特征在于，所述連接電極與所述透明公共電極同層制作。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的TFT-IXD顯示面板，其特征在于，所述TFT-IXD顯示面板的透明公共電極形成在所述陣列基板上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-LCD顯示面板，其特征在于，所述連接電極為覆蓋所述柵線兩側(cè)的兩個柱狀隔墊物的透明導(dǎo)電金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的TFT-IXD顯示面板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電金屬層采用透明金屬氧化物。
7.一種TFT-IXD顯示裝置，其特征在于，采用權(quán)利要求1-6任一所述的TFT-IXD顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種TFT-LCD顯示面板及顯示裝置，該顯示面板上位于同一柵線兩側(cè)的公共電極線通過至少一個連接電極進(jìn)行電連接，該連接電極設(shè)在彩膜基板上并覆蓋位于該柵線兩側(cè)的兩個柱狀隔墊物，且位于柱狀隔墊物底端處的連接電極與陣列基板上的公共電極線電連接，從而在彩膜基板上實現(xiàn)同一柵線兩側(cè)公共電極線的電連接，大大增加了公共電極線與柵線和數(shù)據(jù)線的距離，減少了公共電極線與柵線以及公共電極線與數(shù)據(jù)線之間的信號干擾，實現(xiàn)陣列基板上公共電壓信號的均一分布，也減少了陣列基板上公共電極線的電阻，提高了顯示裝置的顯示質(zhì)量。
文檔編號G02F1/1362GK102981337SQ20121052619
公開日2013年3月20日 申請日期2012年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月7日
發(fā)明者馬禹 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司