專利名稱：像素單元結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種像素單元結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IXD根據(jù)電場(chǎng)形式的不同可分為多種類型,其中，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(AdvancedsuperDimension Switch，簡(jiǎn)稱ADS)型TFT-LCD具有寬視角、高開(kāi)口率、高透過(guò)率等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛的應(yīng)用。其通過(guò)同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場(chǎng)以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場(chǎng)形成多維空間復(fù)合電場(chǎng)，像素電極和公共電極之間的電勢(shì)差可以驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，使液晶盒內(nèi)像素電極間、像素電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，通過(guò)不同的電勢(shì)差可以控制液晶層透過(guò)率的變化，使得液晶顯示器上形成不同的灰階，實(shí)現(xiàn)顯示。發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，在一幀畫(huà)面的時(shí)間間隔里，某一像素電極必須與公共電極之間保持一定的電勢(shì)差，使得該像素電極與公共電極之間的液晶保持一定的排布情況。而只要液晶顯示器在工作，公共電極的電勢(shì)是固定不變的，因此像素電極的電勢(shì)也需要在一幀畫(huà)面的時(shí)間間隔里保持不變，故而需要在像素單元內(nèi)設(shè)置有存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容有助于增強(qiáng)像素電極的電勢(shì)維持能力。但增加存儲(chǔ)電容后，又會(huì)減小像素單元的開(kāi)口率，同時(shí)，增加存儲(chǔ)電容意味著增加了制作像素單元結(jié)構(gòu)的掩膜的工序，增加了像素單元結(jié)構(gòu)的制作成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種像素單元結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置，該像素單元結(jié)構(gòu)在實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)電容的同時(shí)，保證像素單元的高開(kāi)口率和低制作成本。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明像素單元結(jié)構(gòu)和陣列基板采用如下技術(shù)方案—種像素單元結(jié)構(gòu)，包括薄膜晶體管TFT、第一遮蔽層，所述第一遮蔽層與TFT有源層的漏極區(qū)域相對(duì)，所述第一遮蔽層連接至陣列基板的公共電極，與所述有源層的漏極區(qū)域之間形成電容。進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管包括包括有源層、第二絕緣層、柵極、位于同一層的源極和漏極，其中，所述源極連接所述像素單元結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線和所述有源層的源極區(qū)域，所述漏極連接所述像素單元結(jié)構(gòu)的像素電極和所述有源層的漏極區(qū)域。所述像素單元結(jié)構(gòu)還包括與所述第一遮蔽層位于同一層的第二遮蔽層，所述第二遮蔽層與所述有源層上除去漏極區(qū)域的其他區(qū)域相對(duì)。當(dāng)所述像素單元結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)模式為高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式時(shí)，所述像素單元結(jié)構(gòu)還包括依次設(shè)置于所述第三絕緣層上的第四絕緣層、公共電極層、第五絕緣層和像素電極，所述第三絕緣層、第四絕緣層和第五絕緣層均具有過(guò)孔，各所述過(guò)孔填充有導(dǎo)電材料，且各所述過(guò)孔中填充的導(dǎo)電材料相通；其中，所述有源層的漏極或源極通過(guò)所述相接的導(dǎo)電材料連接至所述像素電極上。所述有源層由單晶硅或經(jīng)過(guò)輕摻雜處理的多晶硅和經(jīng)過(guò)重?fù)诫s處理的多晶硅間隔形成。述像素單元結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)柵極，所述有源層中的單晶硅或經(jīng)過(guò)輕摻雜處理的多晶硅與所述柵極相對(duì)。所述有源層的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的材質(zhì)為經(jīng)過(guò)重?fù)诫s處理的多晶硅。所述第一遮蔽層和所述第二遮蔽層一體成型。一種陣列基板，包括襯底基板和多個(gè)位于所述襯底基板上的上述的像素單元結(jié)構(gòu)，其中，各所述像素單元結(jié)構(gòu)的第一遮蔽層分別連接至所述陣列基板的公共電極，或各所述像素單元結(jié)構(gòu)的第一遮蔽層串聯(lián)共同連接至所述陣列基板的公共電極。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，該裝置中包括上述陣列基板。本發(fā)明提供的像素單元結(jié)構(gòu)中，第一遮蔽層能夠與有源層的連接像素電極的源極或漏極之間形成電容，從而實(shí)現(xiàn)了像素單元結(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)電容。另外，由于與所述漏極形成存儲(chǔ)電容的第一遮蔽層與連接像素電極的源極或漏極相對(duì)，對(duì)所述像素單元結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率無(wú)影響，保證了所述像素單元結(jié)構(gòu)的高開(kāi)口率。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的像素單元結(jié)構(gòu)的剖面圖一；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的部分像素單元結(jié)構(gòu)的平面圖一；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的像素單元結(jié)構(gòu)的剖面圖二 ；圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的部分像素單元結(jié)構(gòu)的平面圖二 ；圖5為本發(fā)明實(shí)施例中的部分像素單元結(jié)構(gòu)的平面圖三；圖6為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面圖一；圖7為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面圖二 ；圖8為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面圖三。附圖標(biāo)記說(shuō)明I一第一遮蔽層； 2—第一絕緣層; 3—有源層；4一第二絕緣層； 5—柵極；6—源極；7一漏極；8—第二絕緣層； 9一像素電極；10—第二遮蔽層； 11 一第四絕緣層；12—公共電極層；
13—第五絕緣層； 14一過(guò)孔；15—襯底基板。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素單元結(jié)構(gòu)，如圖1所示，包括薄膜晶體管TFT、第一遮蔽層，所述第一遮蔽層與TFT有源層的漏極區(qū)域相對(duì)，所述第一遮蔽層連接至陣列基板的公共電極，與所述有源層的漏極區(qū)域之間形成電容。具體地，該像素單元結(jié)構(gòu)由下至上依次包括包括第一遮蔽層I、第一絕緣層2、有源層3、第二絕緣層4、柵極5、位于同一層的源極6和漏極7、第三絕緣層8。 在上述像素結(jié)構(gòu)單元中，所述第一遮蔽層I與有源層3的漏極區(qū)域相對(duì)，所述源極6連接所述像素單元結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線和所述有源層3的源極區(qū)域，所述漏極7連接所述像素單元結(jié)構(gòu)的像素電極9和所述有源層3的漏極區(qū)域，所述第一遮蔽層I連接至陣列基板的公共電極的輸出端，與所述有源層3的漏極區(qū)域之間形成電容。在本文中，對(duì)于像素單元結(jié)構(gòu)的TFT，無(wú)論其是P型還是N型，所述TFT的源極、漏極是可以互換，將與數(shù)據(jù)線連接一端定義為源極，與像素電極連接的一端為漏極。在一幀畫(huà)面顯示時(shí)，所述柵極5輸入電信號(hào)，導(dǎo)通了有源層3上的源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的區(qū)域，所述像素單元結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線向所述源極6輸送具有某一電勢(shì)的電信號(hào)，該電信號(hào)可通過(guò)所述有源層3傳遞至所述漏極7，進(jìn)而通過(guò)所述漏極7傳遞至與所述漏極7相連的像素電極9，使得所述像素電極9與所述液晶顯示器的公共電極共同控制像素電極9和所述公共電極之間的液晶分子的偏轉(zhuǎn)、排布情況，以實(shí)現(xiàn)液晶顯示器的圖像顯示。進(jìn)一步的，所述第一遮蔽層I通常采用金屬制成，例如鑰、鋁等金屬材料，并且所述第一遮蔽層I與陣列基板的公共電極的輸出端相連，進(jìn)而，如圖1所示，由于所述第一遮蔽層I與有源層的漏極區(qū)域相對(duì)，之間間隔有一層第一絕緣層2，且所述第一遮蔽層I與所述有源層的漏極區(qū)域之間具有電勢(shì)差，故而所述第一遮蔽層I與所述有源層的漏極區(qū)域之間形成存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容的存在，有利于維持所述像素電極9和所述公共電極之間的電勢(shì)差，進(jìn)而有利于使得液晶分子在一幀畫(huà)面現(xiàn)實(shí)的時(shí)間內(nèi)，可以維持正常顯示所需要的排布情況，提高了液晶顯示器的圖像顯示效果。由圖1中可看出，該存儲(chǔ)電容的大小由第一遮蔽層I和所述漏極區(qū)域的相對(duì)的面積、第一遮蔽層I和所述漏極之間的絕緣材料(即第一絕緣層2的材料)的厚度和介電常數(shù)共同決定，出于效果和節(jié)約材料等方面的考慮，所述第一遮蔽層I與所述漏極區(qū)域均緊密貼附所述第一絕緣層2，并且，如圖2所示，所述第一遮蔽層I在所述第一絕緣層2上的投影區(qū)域與所述漏極區(qū)域在所述第一絕緣層2上的投影區(qū)域完全重合。進(jìn)一步的，如圖2所示，所述第一遮蔽層I在所述第一絕緣層2上的投影區(qū)域與所述漏極在所述第一絕緣層2上的投影區(qū)域完全重合，對(duì)所述像素單元結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率無(wú)影響，保證了所述像素單元結(jié)構(gòu)的高開(kāi)口率；而現(xiàn)有技術(shù)中由于過(guò)孔的存在，與有源層的漏極區(qū)域形成存儲(chǔ)電容的GATE金屬之間要具有很大的間隔，會(huì)嚴(yán)重的影響像素單元的開(kāi)口率。需要說(shuō)明的是，所述第一絕緣層2慣常稱為緩沖層，所述第二絕緣層4慣常稱為柵絕緣層(Gate Insulator,簡(jiǎn)稱GI),所述第三絕緣層8慣常稱為層間絕緣體(Inter LayerDielectric，簡(jiǎn)稱ILD)，所述第一絕緣層2、所述第二絕緣層4和所述第三絕緣層8的材質(zhì)均可為氮化硅、二氧化硅或其他混合物中的一種，所述第一絕緣層2、所述第二絕緣層4和所述第三絕緣層8的材質(zhì)可為同一種材料。本本實(shí)施例的技術(shù)方案中，第一遮蔽層能夠與有源層的連接像素電極的漏極區(qū)域之間形成電容，從而實(shí)現(xiàn)了像素單元結(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)電容。另外，由于與所述漏極區(qū)域形成存儲(chǔ)電容的第一遮蔽層與連接像素電極的漏極區(qū)域相對(duì)，對(duì)所述像素單元結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率無(wú)影響，保證了所述像素單元結(jié)構(gòu)的高開(kāi)口率。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素單元結(jié)構(gòu)，在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，如圖3所示，所述像素單元結(jié)構(gòu)還可包括與所述第一遮蔽層I位于同一層的第二遮蔽層10，所述第二遮蔽層10與所述有源層3上除去漏極區(qū)域的其他區(qū)域相對(duì)。由于實(shí)際上像素單元結(jié)構(gòu)通常采用N型的TFT，N型的TFT的漏極電流較P型TFT大，特別在光照情況下，過(guò)量的光線經(jīng)由散射或直接照射于TFT的有源區(qū)域，而溝道邊緣區(qū)受到激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對(duì)，部分電子空穴形成漏極電流，漏極電流的大小會(huì)顯著增加，大大縮短了像素電極9維持穩(wěn)定的電勢(shì)的時(shí)間長(zhǎng)度。即使存在存儲(chǔ)電容，漏極電流的存在也具有相當(dāng)大的影響，因而需要將漏極電流的電流值盡可能減小，故而，如圖3或4所示，通常在所述像素單元結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有與所述有源層3上除去源極區(qū)域的其他區(qū)域相對(duì)的所述第二遮蔽層10，所述第二遮蔽層10遮蔽了可能射至所述有源層3上除去源極區(qū)域的其他區(qū)域的光線，防止了漏極電流的增大，故而，一般的像素單元結(jié)構(gòu)內(nèi)都需設(shè)置有第二遮蔽層10。由于所述第一遮蔽層I和第二遮蔽層10可由制作像素單元結(jié)構(gòu)的工藝流程中的同一道工序制成，無(wú)需為了制造存儲(chǔ)電容而增加額外的工序，保證了像素單元的低制作成本。進(jìn)一步的，當(dāng)所述像素單元結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)模式為高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式時(shí)，該像素單元結(jié)構(gòu)還包括依次設(shè)置于所述第三絕緣層8上的第四絕緣層11、公共電極層12、第五絕緣層13和像素電極9，所述第三絕緣層8、第四絕緣層11和第五絕緣層13均具有過(guò)孔14，各所述過(guò)孔14填充有導(dǎo)電材料，且各所述過(guò)孔14中填充的導(dǎo)電材料相通；所述公共電極層12和像素電極9的位置可以互換，只要滿足兩者之間形成電場(chǎng)即可。因而，所述有源層3的漏極可通過(guò)所述相接的導(dǎo)電材料連接至所述像素電極9上，導(dǎo)電材料通?？刹捎眉{米銦錫金屬氧化物(Indium Tin Oxides,簡(jiǎn)稱ITO)。通過(guò)層間過(guò)孔上相接的導(dǎo)電材料，將所述漏極連接至所述像素電極9上，無(wú)需通過(guò)其他的連接方式連接所述像素電極9和所述漏極，簡(jiǎn)化了像素單元結(jié)構(gòu)的制作工藝，并且防止所述像素單元結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率的縮小。通常的，所述有源層3由單晶硅或經(jīng)過(guò)輕摻雜處理的多晶硅和經(jīng)過(guò)重?fù)诫s處理的多晶硅間隔形成，所述有源層3的有源區(qū)域?yàn)閱尉Ч杌蚪?jīng)過(guò)輕摻雜處理的多晶硅，所述有源層3的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的材質(zhì)為經(jīng)過(guò)重?fù)诫s處理的多晶硅。
摻雜是針對(duì)雜質(zhì)半導(dǎo)體而言的處理工藝，就是在本征半導(dǎo)體(此處為單晶硅)中摻入3價(jià)或5價(jià)的元素，使其成為向價(jià)帶提供空穴的受主雜質(zhì)或向?qū)Оl(fā)送電子的施主雜質(zhì)。重?fù)诫s就是向本征半導(dǎo)體中摻入的雜質(zhì)濃度比較大。如圖1或圖3所示，所述像素單元結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)柵極5，所述有源層3中的單晶硅或經(jīng)過(guò)輕摻雜處理的多晶硅與所述柵極5相對(duì)。柵極5的數(shù)量的增加，意味著有源層3中源級(jí)區(qū)域與漏極區(qū)域之間的多晶硅的總量的增加，進(jìn)一步的，源級(jí)與漏極之間的阻值也增加，有利于進(jìn)一步的減小有源層3中的漏極電流，進(jìn)而有利于像素電極9的電勢(shì)的穩(wěn)定。通常，如圖5所示，為了簡(jiǎn)化制作工藝并且降低掩膜成本，所述第一遮蔽層I和所述第二遮蔽層10可以一體成型。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，如圖1所示，包括襯底基板15和多個(gè)位于所述襯底基板15上的上述的像素單元結(jié)構(gòu)，其中，各所述像素單元結(jié)構(gòu)的第一遮蔽層I分別連接至所述陣列基板的公共電極的輸出端(圖中未不出)，或各所述像素單元結(jié)構(gòu)的第一遮蔽層I串聯(lián)共同連接至所述陣列基板的公共電極的輸出端(圖中未不出)。所述第一遮蔽層I與所述陣列基板的公共電極的輸出端的連接沒(méi)有限制，可以是顯示區(qū)域內(nèi)的各像素單元結(jié)構(gòu)的第一遮蔽層I分別與所述陣列基板的公共電極的輸出端連接，也可以是如圖6、圖7或圖8中所示將各第一遮蔽層I串聯(lián)后，在顯示區(qū)域內(nèi)部或外部與所述陣列基板的公共電極的輸出端連接。進(jìn)一步的，所述第一遮蔽層I與所述陣列基板的公共電極的輸出端的具體連接形式也可由多種，可以通過(guò)填充有導(dǎo)電材料的過(guò)孔將第一遮蔽層I與所述陣列基板的公共電極的輸出端連接，也可通過(guò)填充有導(dǎo)電材料的通孔和導(dǎo)電層共同配合實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限制。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括薄膜晶體管TFT、第一遮蔽層，所述第一遮蔽層與TFT有源層的漏極區(qū)域相對(duì)，所述第一遮蔽層連接至陣列基板的公共電極，與所述有源層的漏極區(qū)域之間形成電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管包括包括有源層、第二絕緣層、柵極、位于同一層的源極和漏極， 其中，所述源極連接所述像素單元結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線和所述有源層的源極區(qū)域，所述漏極連接所述像素單元結(jié)構(gòu)的像素電極和所述有源層的漏極區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括與所述第一遮蔽層位于同一層的第二遮蔽層，所述第二遮蔽層與所述有源層上除去漏極區(qū)域的其他區(qū)域相對(duì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素單元結(jié)構(gòu)還包括 依次設(shè)置于所述第三絕緣層上的第四絕緣層、公共電極層、第五絕緣層和像素電極，所述第三絕緣層、第四絕緣層和第五絕緣層均具有過(guò)孔，各所述過(guò)孔填充有導(dǎo)電材料，且各所述過(guò)孔中填充的導(dǎo)電材料相通；或者 依次設(shè)置于所述第三絕緣層上的第四絕緣層、像素電極、第五絕緣層和公共電極層，所述第三絕緣層、第四絕緣層具有過(guò)孔，各所述過(guò)孔填充有導(dǎo)電材料，且各所述過(guò)孔中填充的導(dǎo)電材料相通； 其中，所述漏極通過(guò)所述相接的導(dǎo)電材料連接至所述像素電極上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源層由單晶硅或經(jīng)過(guò)輕摻雜處理的多晶硅，以及經(jīng)過(guò)重?fù)诫s處理的多晶硅間隔形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素單元結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)柵極，所述有源層中的單晶硅或經(jīng)過(guò)輕摻雜處理的多晶硅與所述柵極相對(duì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源層的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的材質(zhì)為經(jīng)過(guò)重?fù)诫s處理的多晶硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一遮蔽層和所述第二遮蔽層一體成型。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板和多個(gè)位于所述襯底基板上的如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的像素單元結(jié)構(gòu)， 其中，各所述像素單元結(jié)構(gòu)的第一遮蔽層分別連接至所述陣列基板的公共電極， 或 各所述像素單元結(jié)構(gòu)的第一遮蔽層串聯(lián)共同連接至所述陣列基板的公共電極。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種像素單元結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置，涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，該像素單元結(jié)構(gòu)在實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)電容的同時(shí)，保證像素單元的高開(kāi)口率和低制作成本。該像素單元結(jié)構(gòu)，包括薄膜晶體管TFT、第一遮蔽層，所述第一遮蔽層與TFT有源層的漏極區(qū)域相對(duì)，所述第一遮蔽層連接至陣列基板的公共電極，與所述有源層的漏極區(qū)域之間形成電容。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102981335SQ201210501139
公開(kāi)日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月15日
發(fā)明者祁小敬, 吳博, 胡理科 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司