改良的光成像的制作方法
【專利摘要】本文中描述一種用于進(jìn)行光成像的方法和裝置。具體來說，描述一種用于對經(jīng)濕的可固化光聚合物覆蓋的襯底進(jìn)行光成像的方法和裝置，其中所述經(jīng)光成像襯底是用于形成圖像，如光化學(xué)加工業(yè)(Photochemical?Machining?Industry，PCMI)中所用的電路或其它特征，例如線、正方形、螺旋形、圓形或其它幾何和非幾何形狀。
【專利說明】改良的光成像
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于進(jìn)行光成像的方法和裝置。更具體來說，本發(fā)明涉及一種用于對經(jīng)濕的可固化光聚合物覆蓋的襯底進(jìn)行光成像的方法和裝置，其中所述經(jīng)光成像襯底是用于形成圖像，如光化學(xué)加工業(yè)(PCMI)中所用的電路或其它特征，例如線、正方形、螺旋形、圓形或其它幾何和非幾何形狀。
【背景技術(shù)】
[0002]雖然本領(lǐng)域中存在用于制造適合形成PCB或PCMI中的結(jié)構(gòu)的細(xì)線和特征的現(xiàn)有技術(shù)，但這些技術(shù)中的許多技術(shù)受很多明顯缺點(diǎn)的困擾。舉例來說，許多先前技術(shù)受不良分辨率的困擾。此外，確實(shí)提供高分辨率的技術(shù)通常需要復(fù)雜的裝置，如精密的激光設(shè)備。另一個問題在于，先前技術(shù)需要使用部分固化的干光聚合物膜，所述膜通常支撐在聚酯(例如邁拉(Mylar))膜上。這些干膜的厚度對經(jīng)光成像表面的分辨率和/或清晰度具有不利影響，因?yàn)橛纱嗽试S在光成像工藝期間發(fā)生不希望的底切(undercutting)(即光影)。還存在將部分固化的干膜粘附到襯底方面的問題和污染問題，所述污染問題會在光成像工藝中再次引起問題。部分固化的干膜在大量使用時還非常昂貴。所述系統(tǒng)描述于US4，888，270和US 4,954, 421中，所述專利以引用的方式并入本文中。
[0003]本發(fā)明的至少一個方面的目標(biāo)在于避免或減輕至少一個或多個上述問題。
[0004]本發(fā)明的至少一個方面的另一個目標(biāo)在于提供一種用于對表面進(jìn)行光成像的改良方法。
[0005]本發(fā)明的至少一個方面的又一個目標(biāo)在于提供一種用于制造具有高分辨率和小跡線寬度(即細(xì)線)或形狀的電路以便用于PCMI中的成本有效型方法。
[0006]本發(fā)明的至少一個方面的另一個目標(biāo)在于提供一種用于制造適用于PCB的高密度電路的成本有效型方法。
[0007]本發(fā)明的至少一個方面的另一個目標(biāo)在于提供一種用于在較大面積上以高分辨率和小跡線寬度對表面進(jìn)行光成像的改良方法。
[0008]本發(fā)明的至少一個方面的另一個目標(biāo)在于提供一種用于對傳導(dǎo)性材料的噴墨沉積物進(jìn)行成像的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]根據(jù)本發(fā)明的第一個方面，提供一種用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，所述方法包含:
[0010]提供具有覆蓋層的襯底；
[0011]在所述覆蓋層的至少一部分上沉積液態(tài)UV可固化光聚合物，以形成厚度小于約178 ym(0.007英寸)的UV可固化光聚合物膜；
[0012]將光工具定位到所述液態(tài)UV可固化光聚合物上；以及
[0013]向所述液態(tài)UV可固化光聚合物施加輻射以便在透過所述光工具曝光的區(qū)域中固化所述光聚合物層。
[0014]重要的是，本發(fā)明在成像之前沒有預(yù)先干燥。
[0015]本發(fā)明因此涉及一種對經(jīng)濕的液態(tài)可固化光聚合物覆蓋的襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述經(jīng)光成像襯底可以用于例如形成電路，如PCB和平板顯示器，或用于產(chǎn)生細(xì)微的細(xì)節(jié)，如PCMI中所用的幾何或非幾何形狀。本發(fā)明還可以涉及在電介質(zhì)上形成電介質(zhì)圖像。與許多現(xiàn)有技術(shù)形成對比，本發(fā)明因此涉及使用濕膜而非昂貴的干膜，如Riston(商標(biāo)，杜邦(DuPont))。干膜與使用濕膜相比顯然更昂貴。與目前使用的基于溶劑的濕膜相t匕，使用100%固體濕膜還克服了對預(yù)先干燥的需要，并且因此獲得了非?？煽氐墓に?。
[0016]在本發(fā)明中，在用例如UV輻射照射濕光聚合物膜之前不進(jìn)行干燥步驟(即預(yù)先干燥步驟)。這與在進(jìn)行照射前干燥濕膜的現(xiàn)有技術(shù)形成鮮明的對比。
[0017]在本發(fā)明中，優(yōu)選的是光聚合物可以基本上完全為固體，即可能存在的溶劑的量為零或極低。已經(jīng)意外地發(fā)現(xiàn)這可以改良成像和分辨率。然而，本發(fā)明還涵蓋存在少量溶齊U。在本發(fā)明中，因此可以存在少于約1%溶劑、少于約3%溶劑、少于約10%溶劑或少于約15%溶劑。
[0018]在具體實(shí)施例中，存在三層結(jié)構(gòu)，其用于本發(fā)明中。底層是襯底，中間層是UV可固化光聚合物，并且頂層是透明塑料或經(jīng)保護(hù)性化學(xué)物質(zhì)層涂布的塑料。
[0019]襯底覆蓋層可以由任何適當(dāng)?shù)牟牧匣驈?fù)合物制造或包含任何適當(dāng)?shù)牟牧匣驈?fù)合物，并且可以例如是金屬的或非金屬的。在具體實(shí)施例中，因此可以存在金屬覆蓋層，并且在替代性實(shí)施例中，可以存在非金屬覆蓋層。
[0020]覆蓋層可以至少部分地圍繞或完全圍繞襯底延伸。或者，襯底可以包含第一側(cè)面和第二側(cè)面，并且覆蓋層可以在襯底的第一側(cè)面和第二側(cè)面的一或兩者上延伸。因此，襯底可以經(jīng)層壓而在襯底的第一側(cè)面和第二側(cè)面的一或兩者上具有覆蓋層。覆蓋層可以呈膜或?qū)有问?，其連接和/或粘附到襯底上。
[0021]通常，金屬覆蓋層可以包含導(dǎo)電材料或由導(dǎo)電材料組成?？梢岳缡请娊橘|(zhì)材料的襯底可以完全或至少實(shí)質(zhì)上由金屬覆蓋層封裝。金屬覆蓋層可以包含導(dǎo)電材料或由導(dǎo)電材料組成，如任何適合的金屬材料。適合的金屬可以例如是銅、銀、金等。
[0022]或者，覆蓋層可以由以下各物制造或包含以下各物:導(dǎo)電聚合物(PED0TT)、石墨烯或?qū)щ娧趸?，如氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)。
[0023]在覆蓋層為非金屬的實(shí)施例中，覆蓋層可以包含電介質(zhì)材料或由電介質(zhì)材料組成。
[0024]具有覆蓋層的襯底可以實(shí)質(zhì)上是平坦的，并且尺寸可以在至多約ImX Im的范圍內(nèi)。本發(fā)明的優(yōu)勢在于，除實(shí)際執(zhí)行光成像工藝的裝置以外，對襯底實(shí)際上無尺寸限制。
[0025]液態(tài)光聚合物是呈濕的形式(即呈可流動形式)。液態(tài)光聚合物的物理性質(zhì)可以匹配所需的固化性質(zhì)。
[0026]通常，可以小于或等于約150 μ m、125 μ m、100 μ m、75 μ m、50 μ m、25 μ m、10 μ m、δμπκΙμπκΟ.5μπι或0.1ym的厚度來沉積液態(tài)光聚合物。或者，可以約177 μ m到約
0.1 μ m、約 125 μ m 至丨J約 0.1 μ m、約 100 μ m 至丨J約 0.1 μ m、約 75 μ m 至丨J約 0.1 μ m、約 50 μ m 至Ij約0.1 μ m、約25 μ m到約0.1 μ m或約10 μ m到約0.1 μ m范圍內(nèi)的厚度來沉積液態(tài)光聚合物。優(yōu)選地，液態(tài)光聚合物可以具有約5μηι的厚度。[0027]通過使用薄液態(tài)光聚合物膜允許在光成像工藝中使用低強(qiáng)度輻射(例如UV光)。
[0028]液態(tài)光聚合物可以施加到襯底的第一側(cè)面和第二側(cè)面的僅一者或兩者上，其中襯底的第一側(cè)面和第二側(cè)面兩者都包含覆蓋層。因此，本發(fā)明可以涉及單側(cè)或雙側(cè)曝光，呈例如前后對準(zhǔn)。
[0029]可以用實(shí)質(zhì)上均勻并且連續(xù)的方式，使用任何適合的技術(shù)來沉積液態(tài)光聚合物。舉例來說，可以使用噴霧、刷子、軋輥和/或浸潰涂布系統(tǒng)來沉積液態(tài)光聚合物層。
[0030]在施加液態(tài)光聚合物之前，可以使用接觸清潔工藝來清潔包含覆蓋層的襯底，以便從覆蓋層表面上去除碎屑和/或污染。
[0031 ] —旦液態(tài)光聚合物已被施加到具有覆蓋層的襯底上，就可以將光工具定位到襯底上。然后可以向所沉積的液態(tài)光聚合物施加壓力。通過施加壓力，可以展開和/或擠壓液態(tài)光聚合物，以便獲得具有實(shí)質(zhì)上均勻的厚度的實(shí)質(zhì)上均勻連續(xù)的光聚合物膜。在具體實(shí)施例中，可以使用基于軋輥的系統(tǒng)來施加輾壓力，并且因此可以用于展布液態(tài)光聚合物。通常，橡膠圓柱輥可以在光工具上滾軋，由此向液態(tài)光聚合物施加壓力?？梢詫?shí)質(zhì)上同時在襯底的兩個側(cè)面上進(jìn)行展開和/或擠壓。展開和/或擠壓的具體功能在于，此舉有助于確保實(shí)質(zhì)上無空氣并且因此實(shí)質(zhì)上無氧氣被截留在液態(tài)光聚合物下面。優(yōu)選的是無空氣并且無氧氣被截留在液態(tài)光聚合物下面。由此克服了對復(fù)雜光系統(tǒng)的需要，并且還對工藝速度提供了顯著的改良，因?yàn)樗亓舻难鯕鈺p慢光成像(即固化)工藝。
[0032]在光成像工藝中使用光工具。光工具可以是所需電路的負(fù)像或正像，并且可以允許光通過光工具的一些部分而不通過其它部分。光工具可以由軟質(zhì)塑料材料制造，并且可以連接到將光工具準(zhǔn)確地定位在襯底上在襯底的至少一個側(cè)面或兩個側(cè)面上的機(jī)構(gòu)。光工具可以處于緊張狀態(tài)并且纏繞在軋輥(如實(shí)心鋼輥)周圍。在具體實(shí)施例中，光工具還可以包含保護(hù)層，所述保護(hù)層可能有助于在已進(jìn)行成像之后從襯底上剝離光工具。保護(hù)層可以是任何適合的無粘性材料。保護(hù)性涂層的另一個優(yōu)勢在于，其能夠在光成像工藝期間沿光成像區(qū)域的整個長度提供針對化學(xué)侵蝕和濕度變化的保護(hù)。這就意味著不需要將濕度維持在恒定的水平，從而提供更加可控的工藝環(huán)境。
[0033]在其他實(shí)施例中，光工具可以是經(jīng)過成像的材料、透明塑料，或經(jīng)保護(hù)性化學(xué)物質(zhì)層或能夠充當(dāng)脫模涂層的任何其它專用材料涂布以防止塑料被化學(xué)物質(zhì)或水分侵蝕的塑料。
[0034]所用的輻射可以是使液態(tài)光聚合物固化的任何適合的輻射。在具體實(shí)施例中，可以使用UV輻射來使已曝光的液態(tài)(例如濕)光聚合物聚合和/或硬化和/或凝固。UV輻射可以具有約200到400nm的波長，并且可以具有與固化所用光聚合物相匹配的強(qiáng)度。尤其優(yōu)選的UV光源可以是UV LED,因?yàn)樗鼈儺a(chǎn)生極少量的熱，具有較長燈壽命，能立即啟動，實(shí)質(zhì)上無功率輸出減退，需要少量維護(hù)保養(yǎng)，并且可以產(chǎn)生高水平的光強(qiáng)度。因此在根據(jù)本發(fā)明的便宜的光成像工藝中，可以使用LED來印刷細(xì)線。替代性光源可以是用于對光聚合物直接進(jìn)行成像的激光光源或數(shù)字鏡器件(Digital Mirror Device, DMD)。
[0035]在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，輻射可以經(jīng)校準(zhǔn)以改良光成像工藝的品質(zhì)和/或分辨率和/或清晰度。
[0036]可以使用對準(zhǔn)系統(tǒng)在襯底的一個側(cè)面或兩個側(cè)面上準(zhǔn)確地定位至少一個或兩個光工具。在應(yīng)用至少一個或兩個光工具時，襯底可以實(shí)質(zhì)上垂直地定位。[0037]本發(fā)明的光成像裝置可以用于約每十秒處理約一片襯底。
[0038]在施加光成像工藝的輻射之后，可以使用標(biāo)準(zhǔn)洗除或顯影工藝來去除未曝露于輻射的液態(tài)光聚合物。
[0039]本發(fā)明的方法還可以自含于小型潔凈室內(nèi)，因此，由于不需要大型工業(yè)潔凈室，所以可顯著節(jié)約光成像工藝的成本。
[0040]使用如本發(fā)明中所述的方法可以獲得適用于電路的高清晰度細(xì)線。細(xì)線可以具有任何以下寬度:小于或等于約200 μ m;小于或等于約150 μ m;小于或等于約140 μ m;小于或等于約130 μ m ;小于或等于約120 μ m ;小于或等于約IlOym ;小于或等于約IOOym ;小于或等于約90 μ m ;小于或等于約80 μ m ;小于或等于約75 μ m ;小于或等于約70 μ m ;小于或等于約60 μ m ;小于或等于約50 μ m ;小于或等于約40 μ m ;小于或等于約30 μ m ;小于或等于約20 μ m ;小于或等于約10 μ m ;或者小于或等于約5 μ m?；蛘?，細(xì)線可以具有任何以下寬度:大于約200 μ m ;大于約150 μ m ;大于約100 μ m ;大于約75 μ m ;大于約50 μ m ;大于約20 μ m;或大于約10 μ m?；蛘?，細(xì)線可以具有任何以下寬度:約0.1到200 μ m;約I到150 μ m;約I到100 μ m;約20到100 μ m ;或約5到75 μ m。細(xì)線可以用于PCB和其它電組件中，如平面屏幕顯示器。
[0041]本發(fā)明方法可以具有以下附加優(yōu)勢:所有步驟，如沉積液態(tài)光聚合物和去除光工具，都可以通過根據(jù)本發(fā)明的裝置在單一遍次(pass)中進(jìn)行。舉例來說，在襯底的至少一個或兩個側(cè)面上沉積液態(tài)光聚合物、將光工具定位在襯底的至少一個或兩個側(cè)面上的液態(tài)聚合物上、向所沉積的液態(tài)光聚合物施加壓力以形成光聚合物膜，以及向液態(tài)光聚合物施加輻射以固化光聚合物層都可以通過本發(fā)明的光成像裝置在單一遍次中進(jìn)行。因此，這種一步式工藝增加了經(jīng)光成像襯底通過裝置的通過量，并且還提供易于控制和監(jiān)測的裝置。
[0042]本發(fā)明具有很多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢是利用通過與現(xiàn)有技術(shù)相比小得多的深度進(jìn)行光成像而獲得的。舉例來說，由光聚合物薄膜和任選的光工具保護(hù)層形成的可以通過其進(jìn)行光成像的深度可以是以下任一者:約0.1到50 μ m ;約I到50 μ m ;約I到25 μ m ;約I到10 μ m ;約I到8 μ m ;或約I到5 μ m。通常，由光聚合物薄膜和任選的光工具保護(hù)層形成的深度可以為約8 μ m。通過具有相對較小的通過其進(jìn)行光成像的深度可以減少線生長，并且因此允許形成極小線寬度。通過使用例如相對于垂線的照射角Θ (參看圖8a和圖Sb)，本發(fā)明中發(fā)生的線生長的量可以是以下任一者:小于約10 μ m ;小于約5 μ m ;小于約2 μ m ;小于約Iym ;小于約0.84 μ m ;小于約0.8 μ m ;小于約0.5 μ m ;或小于約0.25 μ m。
[0043]本發(fā)明還可以用于光化學(xué)加工業(yè)(PCMI)以及電子工業(yè)中。
[0044]光成像可以借助于能夠準(zhǔn)確地定位第一運(yùn)載元件和第二運(yùn)載元件的定位裝置，其中第一運(yùn)載元件上的定位球容納在第二元件上的環(huán)形元件中。由此允許非常準(zhǔn)確地定位光工具。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，提供一種用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，所述方法包含:
[0046]提供具有覆蓋層的襯底；
[0047]在所述覆蓋層的至少一部分上沉積液態(tài)光聚合物以形成光聚合物薄膜；
[0048]將光工具定位到所述液態(tài)光聚合物上；以及
[0049]向所述液態(tài)光聚合物施加輻射以便在透過所述光工具曝光的區(qū)域中固化所述光聚合物層。
[0050]在本發(fā)明中，在用例如UV輻射照射濕光聚合物膜之前也不進(jìn)行干燥步驟(即預(yù)先干燥步驟)。
[0051]根據(jù)本發(fā)明的第三個方面，提供根據(jù)第一個方面或第二個方面形成的經(jīng)光成像電路。
[0052]通常，經(jīng)光成像電路可以是可以用于制造例如PCB和平板顯示器的電路。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的第四個方面，提供根據(jù)第一個方面或第二個方面形成的在電介質(zhì)上的電介質(zhì)圖像。
[0054]根據(jù)本發(fā)明的第五個方面，提供用于對襯底進(jìn)行光成像的裝置，所述裝置包含:
[0055]至少一個光工具，其能夠被定位到具有覆蓋層的基板的至少一個側(cè)面上的液態(tài)光聚合物上；
[0056]軋輥，其能夠向具有所述覆蓋層的所述基板上的所述液態(tài)光聚合物施加壓力，以形成厚度小于約178 μ m (0.007英寸)的光聚合物膜；以及
[0057]輻射源，其能夠固化所述液態(tài)光聚合物。
[0058]所述覆蓋層可以由任何適當(dāng)材料或復(fù)合物制造或包含任何適當(dāng)材料或復(fù)合物，并且可以例如是金屬的或非金屬的。
[0059]在本發(fā)明中，在用例如UV輻射照射濕光聚合物膜之前也不進(jìn)行干燥步驟(即預(yù)先干燥步驟)。因此所述裝置不包含用于在將所述膜施加到所述輻射源之前預(yù)先干燥所述濕光聚合物膜的裝置。
[0060]細(xì)線可以具有任何以下寬度:小于或等于約200 μ m;小于或等于約150 μ m;小于或等于約140 μ m ;小于或等于約130 μ m ;小于或等于約120 μ m ;小于或等于約IlOym ;小于或等于約100 μ m ;小于或等于約90 μ m ;小于或等于約80 μ m ;小于或等于約75 μ m ;小于或等于約70 μ m ;小于或等于約60 μ m ;小于或等于約50 μ m ;小于或等于約40 μ m ;小于或等于約30 μ m ;小于或等于約20 μ m ;小于或等于約10 μ m ;或小于或等于約5 μ m。或者，細(xì)線可以具有任何以下寬度:大于約200 μ m ;大于約150 μ m;大于約IOOym ;大于約75 μ m ;大于約50 μ m ;大于約20 μ m ;或大于約10 μ m?；蛘?，細(xì)線可以具有任何以下寬度:約0.1到200 μ m ;約I到150 μ m ;約I到100 μ m ;約20到100 μ m ;或約5到75 μ m。細(xì)線可以用于PCB和其它電組件中，如平面屏幕顯示器。
[0061]通常，可以將壓力施加到至少一個或兩個光工具上，此后所述光工具將所述壓力施加到所述液態(tài)光聚合物上。
[0062]所述裝置還可以包含校準(zhǔn)構(gòu)件以校準(zhǔn)從所述輻射源發(fā)出的輻射。
[0063]在具體實(shí)施例中，所述輻射源可以包含LED和/或激光光源或DMD數(shù)字成像器件。優(yōu)選地,輻射源可能能夠發(fā)射UV輻射。
[0064]所述裝置還可以包含定位構(gòu)件以便將至少一個光工具定位在襯底上。
[0065]本發(fā)明的裝置還具有以下優(yōu)勢:具有小占據(jù)面積。由此使得所述裝置具有極大適應(yīng)性。舉例來說，所述裝置可以具有約6mX2m或甚至更小的占據(jù)面積。
[0066]本發(fā)明的裝置還可以具有低功率消耗，因?yàn)閷τ跐衲げ恍枰袒に?即無預(yù)先干燥步驟)。所述裝置因此可以在低功率下操作，如小于約IOkW或優(yōu)選小于約5kW。相較之下，現(xiàn)有技術(shù)在大于約IOOkW的區(qū)域內(nèi)操作。因此，本發(fā)明的設(shè)備可以提供約50倍或甚至約100倍的能量消耗改良。因此所述設(shè)備可以具有較低環(huán)境影響。
[0067]本發(fā)明的裝置還可以在大容量下操作，如每小時約100到500片，或通常為每小時約360片。
[0068]所述裝置還可以是完全自動化的，并且因此需要最少處理。所述裝置還易于維護(hù)。
[0069]根據(jù)本發(fā)明的第七個方面，提供用于對襯底進(jìn)行光成像的裝置，所述裝置包含:
[0070]至少一個光工具，其能夠被定位到具有覆蓋層的基板的至少一個側(cè)面上的液態(tài)光聚合物上；
[0071]軋輥，其能夠向具有所述覆蓋層的所述襯底上的所述液態(tài)光聚合物施加壓力以形成光聚合物薄膜；以及
[0072]輻射源，其能夠固化所述液態(tài)光聚合物。
[0073]所述裝置不包含用于在將所述膜施加到所述輻射源之前預(yù)先干燥所述濕光聚合物膜的裝置。
[0074]根據(jù)本發(fā)明的第八個方面，提供一種用于在襯底上制造跡線和/或電路的方法，所述方法包含:
[0075]提供襯底；
[0076]在所述襯底的至少一個側(cè)面上提供噴墨沉積物，所述噴墨沉積物包含導(dǎo)電粒子；
`[0077]在包含所述噴墨沉積物的所述襯底的至少一個側(cè)面上沉積液態(tài)光聚合物；
[0078]將光工具定位到所述襯底的至少一個側(cè)面上的所述液態(tài)光聚合物上；
[0079]向所沉積的液態(tài)光聚合物上施加壓力，以形成厚度小于約178 μ m(0.007英寸)的光聚合物膜；以及
[0080]向所述液態(tài)光聚合物施加輻射以便在透過所述光工具曝光的區(qū)域中固化所述光聚合物。
[0081]通常，所述噴墨沉積物可以包含導(dǎo)電粒子，如銀、金和/或銅，或用于起始銅或鎳的無電極電鍍的晶種材料，如鈀與錫的混合物。
[0082]在本發(fā)明中，在用例如UV輻射照射濕光聚合物膜之前也不進(jìn)行干燥步驟(即預(yù)先干燥步驟)。
[0083]所述噴墨沉積物可以具有約50 μ m到500 μ m、50 μ m到250 μ m、75 μ m到150 μ m或通常約ΙΟΟμπ?的寬度。因此，可以使用本發(fā)明中所述的光成像概念來改進(jìn)所述噴墨沉積物。舉例來說，所述噴墨沉積物可以形成在例如塑料片襯底上。所述噴墨沉積物可以在所述塑料片上形成近似所需的跡線。通常，然后可以使用本發(fā)明中所述的光成像概念在所述噴墨沉積物內(nèi)形成至少一個或多個跡線。
[0084]根據(jù)本發(fā)明的第九個方面，提供用于對襯底進(jìn)行光成像的裝置，所述裝置包含:
[0085]至少一個光工具，其能夠被定位到具有覆蓋層的基板的至少一個側(cè)面上的液態(tài)光聚合物上；
[0086]軋輥，其能夠向具有所述覆蓋層的所述襯底上的所述液態(tài)光聚合物施加壓力以形成光聚合物薄膜；以及
[0087]輻射源，其能夠固化所述液態(tài)光聚合物。
[0088]在本發(fā)明中，在用例如UV輻射照射濕光聚合物膜之前也不進(jìn)行干燥步驟(即預(yù)先干燥步驟)?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0089]現(xiàn)將參考附圖僅通過實(shí)例方式描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中:
[0090]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的三層結(jié)構(gòu)的剖面?zhèn)纫晥D；
[0091]圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的密封囊的視圖；
[0092]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的上面沉積有濕光聚合物層的襯底的剖面?zhèn)纫晥D；
[0093]圖4是圖3中所示的具有濕光聚合物層的襯底的剖面?zhèn)纫晥D，其中在根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光成像工藝中使用光工具；
[0094]圖5是光成像工藝中的一個處理步驟的視圖，其中在根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光成像工藝期間將光工具施加到襯底的兩個側(cè)面上；
[0095]圖6a和圖6b是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的替代光成像工藝的圖示；
[0096]圖7a是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的光成像工藝的剖視圖；
[0097]圖7b是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光成像工藝的剖視圖；
[0098]圖8a是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的光成像工藝的剖視圖，其顯示生長發(fā)生；
[0099]圖Sb是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光成像工藝的剖視圖，其顯示生長發(fā)生；
[0100]圖9a是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的光成像工藝的剖視圖，其顯示已固化的線寬度；
[0101]圖9b是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光成像工藝的剖視圖，其顯示已固化的線寬度。
【具體實(shí)施方式】
[0102]圖1是本發(fā)明的三層結(jié)構(gòu)10的剖面?zhèn)纫晥D，所述三層結(jié)構(gòu)能夠被成像，其中存在底層12 (其為襯底)、中間層14 (其為濕UV可固化光聚合物)和頂層16 (其為透明塑料或光工具，或優(yōu)選為已涂布保護(hù)層的光工具或塑料，所述保護(hù)層充當(dāng)脫模涂層并且還提供化學(xué)物質(zhì)和水分抗性)。
[0103]如圖2中所示，本發(fā)明允許形成密封囊20。密封囊20包含在液態(tài)UV光聚合物囊22周圍形成的密封邊緣24。
[0104]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的層壓結(jié)構(gòu)(一般指定為100)的剖面?zhèn)纫晥D。層壓結(jié)構(gòu)100在兩個側(cè)面上包含襯底110(如電介質(zhì)層)和金屬覆蓋層112。(雖然以下描述是針對金屬覆蓋層，但是應(yīng)注意，類似工藝可以用于非金屬覆蓋層)。在層壓結(jié)構(gòu)100的頂部存在液態(tài)光聚合物層114。因此光聚合物層114是濕的。液態(tài)光聚合物層114具有約5μπι的厚度。雖然圖3中未顯示，但光聚合物層114可以施加到層壓結(jié)構(gòu)100的兩個側(cè)面上。
[0105]首先使用任何適合的技術(shù)，以實(shí)質(zhì)上均勻并且連續(xù)或至少實(shí)質(zhì)上連續(xù)的方式將光聚合物層114沉積到層壓結(jié)構(gòu)100上。舉例來說，使用噴霧、刷子、軋輥和/或浸潰涂布系統(tǒng)來施加光聚合物層114。在本發(fā)明中，在用例如UV輻射照射濕光聚合物膜之前不進(jìn)行干燥步驟(即預(yù)先干燥步驟)。
[0106]—旦光聚合物層114已被施加到層壓結(jié)構(gòu)100上,就將光工具116施加到光聚合物層114上。光工具116為所需電路的負(fù)(或正)像，并且允許光通過光工具116的一些部分而不通過其它部分。光工具是由軟質(zhì)塑料材料或可能由玻璃或甚至可能由有機(jī)玻璃制造。
[0107]圖4表不光工具116被施加到層壓結(jié)構(gòu)100上。一旦光工具116已被施加到包含液態(tài)光聚合物114的層壓結(jié)構(gòu)100上，就使用壓縮系統(tǒng)來展開和/或擠壓光聚合物114，以便在光工具116與襯底覆蓋層112之間以約5μπι的實(shí)質(zhì)上均勻的厚度均勻地展布光聚合物114。壓縮系統(tǒng)還確保無空氣并且因此無氧氣被截留在光聚合物114下面。舉例來說，基于軋輥的系統(tǒng)施加壓力并且用于展布光聚合物114。因此，橡膠圓柱輥可以用于展布光聚合物114。此舉可在層壓結(jié)構(gòu)100的兩個側(cè)面上進(jìn)行。由此克服了對包括拋物面鏡的復(fù)雜光系統(tǒng)的需要，因?yàn)橄怂锌諝夂脱鯕狻?br> [0108]如圖4中所示，使用UV輻射來使已曝光的液態(tài)光聚合物114聚合和/或硬化和/或凝固。UV輻射具有約200到400nm的波長，并且具有與固化已曝光的液態(tài)光聚合物114相匹配的強(qiáng)度?？梢允褂萌魏芜m合的UV光源，但UV LED尤其適合，因?yàn)樗鼈儺a(chǎn)生極少量的熱，具有較長燈壽命，能立即啟動，實(shí)質(zhì)上無功率輸出減退，需要少量維護(hù)保養(yǎng)，并且可以產(chǎn)生高水平的光強(qiáng)度。因此，LED可以用于在便宜的光成像工藝中印刷細(xì)線、正方形、螺旋形、圓形或其他幾何和非幾何形狀。或者，使用激光光源或DMD數(shù)字成像單元。應(yīng)注意的顯著優(yōu)勢在于不需要部分固化的干光聚合物膜(例如Riston，商標(biāo)，杜邦)，因此其顯著減少成像工藝期間的任何線生長，從而得到顯著提高的分辨率。因此，通過克服所述需要而不存在經(jīng)過部分固化的干膜或經(jīng)過預(yù)先干燥的基于溶劑的濕抗蝕劑來增加本發(fā)明方法的分辨率。
[0109]圖5為根據(jù)本發(fā)明的光成像裝置的圖示，其顯示層壓結(jié)構(gòu)100被實(shí)質(zhì)上垂直向上引入所述裝置中，其中光工具116被施加到層壓結(jié)構(gòu)100的兩個側(cè)面上。光工具116處于緊張狀態(tài)并且在軋輥118、120周圍延伸。光工具116宜對光聚合物114具有表面吸引力，并且因此經(jīng)由弱互相作用力(如范德華力(van der Waals force)和/或靜電力)而“自粘”到光聚合物114。光工具116還可以包含保護(hù)性非粘性層，所述保護(hù)性非粘性層有助于一旦已進(jìn)行成像就從層壓結(jié)構(gòu)100上去除(即剝離)光工具116。
[0110]雖然未顯示，但使用對準(zhǔn)系統(tǒng)來準(zhǔn)確地使光工具116在層壓結(jié)構(gòu)的兩個側(cè)面上對直。
[0111]光成像裝置可用于每十秒處理約一片層壓結(jié)構(gòu)100。一旦已進(jìn)行光成像，就使用任何適合的機(jī)械構(gòu)件從層壓結(jié)構(gòu)100上去除光工具116。光成像工藝非常快，因?yàn)闆]有空氣和氧氣被截留在液態(tài)光聚合物114下。因此，由此提供小于約5秒或優(yōu)選小于I秒的針對光聚合物114的干燥時間。
[0112]在光成像工藝之后，使用例如堿水溶液通過洗滌程序去除未曝露于UV輻射的液態(tài)光聚合物114。然后可以使用標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)蝕刻工藝。舉例來說，可使用酸或堿來產(chǎn)生含有所需金屬(例如銅)電路被聚合的光聚合物覆蓋的電介質(zhì)襯底。然后可以去除聚合的光聚合物，產(chǎn)生具有所需的導(dǎo)電電路的襯底。
[0113]本發(fā)明中所述的裝置還可以完全容納在小型潔凈室中，因此在光成像工藝中提供顯著的成本節(jié)約。
[0114]使用本發(fā)明中所述的方法獲得適用于電路的高清晰度細(xì)線和PCMI中所用的形狀，如正方形、螺旋形、圓形或其它幾何和非幾何形狀。細(xì)線、正方形、螺旋形、圓形或其它幾何和非幾何形狀具有任何以下寬度:小于或等于約200 μ m ;小于或等于約150 μ m ;小于或等于約140 μ m ;小于或等于約130 μ m ;小于或等于約120 μ m ;小于或等于約IlOym ;小于或等于約100 μ m ;小于或等于約90 μ m ;小于或等于約80 μ m ;小于或等于約75 μ m ;小于或等于約70 μ m ;小于或等于約60 μ m ;小于或等于約50 μ m ;小于或等于約40 μ m ;小于或等于約30 μ m ;小于或等于約20 μ m ;小于或等于約10 μ m ;或者小于或等于約5 μ m。或者，細(xì)線具有任何以下寬度:大于約200 μ m ;大于約150 μ m ;大于約100 μ m ;大于約75 μ m ;大于約50 μ m;大于約20 μ m;或大于約10 μ m?；蛘?，細(xì)線具有任何以下寬度:約0.1到200μπι;約 I 至Ij 150 μ m ;約 I 至Ij 100 μ m ;約 20 至Ij 100 μ m ;或約 5 至Ij 75 μ m。
[0115]細(xì)線用于PCB和其它電組件中，如平面屏幕顯示器。
[0116]本發(fā)明可以用于光化學(xué)加工業(yè)(PCMI以及電子工業(yè)中。
[0117]還可以通過能夠準(zhǔn)確地定位第一運(yùn)載元件和第二運(yùn)載元件的定位裝置幫助光成像，其中第一運(yùn)載元件上的定位球容納在第二元件上的環(huán)形元件中。由此允許非常準(zhǔn)確地定位光工具。
[0118]圖6a和圖6b為根據(jù)本發(fā)明的替代光成像工藝的圖示。圖6a表示來自噴墨的墨水沉積物。噴墨沉積物一般指定為200。噴墨沉積物200包含導(dǎo)電粒子，如銀、金和/或銅，或用于起始銅或鎳的無電極電鍍的晶種材料，如鈀與錫的混合物。如圖6a中所示，由于墨水是以一系列小液滴來沉積，噴墨沉積物200不具有筆直的側(cè)面，而具有一系列波狀外邊緣202。噴墨沉積物200具有約100 μ m的寬度‘d’。使用所述噴墨沉積物200難以形成用于電路的細(xì)跡線。然而，可以使用本發(fā)明中所述的光成像概念來改進(jìn)噴墨沉積物200。舉例來說，可以在塑料片上形成噴墨沉積物200。使用噴墨沉積物200在塑料片上形成近似所需的導(dǎo)電跡線。然后使用上述工藝來改良所形成的跡線的品質(zhì)。將上述光聚合物施加在塑料片上。然后將光工具施加到塑料片上，依序施加壓力和輻射。如圖6b中所示，所應(yīng)用的光成像可用于在噴墨沉積物200內(nèi)產(chǎn)生改良的跡線210。舉例來說，如果噴墨沉積物200具有約ΙΟΟμπ?的寬度‘d’，那么可以在先前由噴墨沉積物形成的單一跡線內(nèi)形成多個單獨(dú)的高分辨率跡線。舉例來說，可以在IOOym墨水沉積物跡線內(nèi)形成4個跡線。
`[0119]圖7a和圖7b為現(xiàn)行現(xiàn)有技術(shù)工藝與本發(fā)明工藝的比較。圖7a涉及現(xiàn)有技術(shù)工藝，其一般指定為300。圖7a顯示存在銅面板310和處于銅面板310上的厚度為約35 μ m的干膜層312、厚度為約25 μ m的保護(hù)性邁拉層314，以及與光工具318 —起使用的厚度為約9μπι的乳液保護(hù)膜316。還顯示所形成的細(xì)線或跡線圖像320。圖7b涉及根據(jù)本發(fā)明的工藝，其一般指定為400。圖7b顯示存在銅面板410、厚度為約5 μ m的濕光聚合物層412以及與光工具416 —起使用的厚度為約3 μ m的超薄保護(hù)膜414。還顯示所形成的細(xì)線或跡線圖像418。圖7a和圖7清楚地顯示本發(fā)明的工藝提供小得多的深度，光成像必須通過所述深度進(jìn)行。如所示，現(xiàn)有技術(shù)工藝300通過約69 μ m的總厚度成像，而本發(fā)明300的工藝400通過約8μπι的總厚度成像。也不需要邁拉層。
[0120]圖8a和圖Sb說明本發(fā)明與線生長有關(guān)的另一個優(yōu)勢。在作為現(xiàn)有技術(shù)工藝300的圖8a中顯示存在約14.5μπι的大量線生長，而在本發(fā)明工藝400中，存在約0.84 μ m的較少線生長。本發(fā)明中的較少線生長是通過具有大大減小的進(jìn)行光成像所通過的深度并且由此使陰影面積與圖8a中較大深度上的陰影面積相比顯著減少來實(shí)現(xiàn)。應(yīng)注意，圖8a和圖8b都與形成20 μ m跡線的比較有關(guān)，其中Θ =6°。
[0121]圖9a和圖9b說明本發(fā)明與已固化的線寬度有關(guān)的又一個優(yōu)勢，其中分別使用光源350、450。圖9a和圖9b都與形成20μπι間距的比較有關(guān)，其中Θ = 6°。在現(xiàn)有技術(shù)工藝300中，所得的已固化線寬度為49 μ m(表示線生長為145% )，而在本發(fā)明工藝400中，所得的已固化線寬度為21.7 μ m(表示線生長僅為8% )。
[0122]雖然上文已描述了本發(fā)明的特定實(shí)施例，但應(yīng)了解，偏離所描述的實(shí)施例仍然可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)。舉例來說，可以使用任何適合類型的襯底。覆蓋層也可以是金屬的或非金屬的。此外，可以使用任何適合的液態(tài)光聚合物或其組合。也可以使用任何機(jī)械構(gòu)件來向所沉積的液態(tài)光聚合物施加壓力，以便形成下面不截留空氣和氧氣的材料薄膜。所用的輻射可以具有能夠使液態(tài)光聚合物固化的任何適當(dāng)波長。
【權(quán)利要求】
1.一種用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，所述方法包含: 提供具有覆蓋層的襯底； 在所述覆蓋層的至少一部分上沉積液態(tài)光聚合物，以形成厚度小于約178μπι(0.007英寸)的光聚合物膜； 將光工具定位到所述液態(tài)光聚合物上；以及 向所述液態(tài)光聚合物施加輻射以便在透過所述光工具曝光的區(qū)域中固化所述光聚合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中在固化所述液態(tài)光聚合物之前未進(jìn)行預(yù)先干燥。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述光聚合物包含少于約I %溶劑、少于約3%溶劑、少于約10%溶劑或少于約15%溶劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述光聚合物實(shí)質(zhì)上完全為固體，即所存在的溶劑的量為零。
5.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述覆蓋層是金屬的或非金屬的，或者在塑料上沉積能夠充當(dāng)起始劑以允許銅或鎳的無電極電鍍的晶種材料層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述覆蓋層在所述襯底的第一側(cè)面和第二側(cè)面上包含導(dǎo)電材料，如導(dǎo)電聚合物(PEDOTT)、石墨烯或?qū)щ娧趸铮缪趸熷a(ITO)。
7.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述襯底是電介質(zhì)材料。
8.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述覆蓋層是金屬的并且包含以下物質(zhì)中的任一者或組合:銅、銀和金。
9.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中具有所述覆蓋層的所述襯底是實(shí)質(zhì)上平坦的并且具有至多約ImXlm的尺寸。
10.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述液態(tài)光聚合物是以小于約150 μ m、125 μ m、100 μ m、75 μ m、50 μ m、25 μ m、10 μ m、5 μ m、1 μ m、0.5 μ m或0.1 μ m的厚度沉積。
11.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述液態(tài)光聚合物是以約177 μ m到約0.1μm約125 μ m到約0.1μπκ約100ym到約0.1 μ m、約75 μ m到約0.1 μ m、約50 μ m到約0.1 μ m、約25 μ m到約0.1 μ m或約10 μ m到約0.1 μ m范圍內(nèi)的厚度沉積。
12.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述液態(tài)光聚合物是同時施加到所述襯底的兩個側(cè)面上。
13.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述液態(tài)光聚合物是以實(shí)質(zhì)上均勻和/或連續(xù)的方式沉積。
14.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述液態(tài)光聚合物是使用噴墨沉積技術(shù)、噴霧、刷子、軋輥和/或浸潰涂布系統(tǒng)沉積。
15.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中一旦所述液態(tài)光聚合物被施加到具有所述覆蓋層的所述襯底上并且所述光工具被定位到所述襯底上，就向所沉積的液態(tài)光聚合物施加壓力。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中通過施加所述壓力來展開和/或擠壓所述液態(tài)光聚合物，以便獲得具有實(shí)質(zhì)上均勻的厚度的實(shí)質(zhì)上均勻連續(xù)的光聚合物膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16中任一權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述壓力是基于軋輥的施加輾壓力的系統(tǒng)。
18.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述光工具是所需電路的負(fù)像或正像。
19.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中將所述光工具連接到可將所述光工具準(zhǔn)確地定位在具有所述覆蓋層的所述襯底的至少一個側(cè)面或兩個側(cè)面上的機(jī)構(gòu)。
20.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述光工具不包含保護(hù)層。
21.根據(jù)權(quán)利要求1到19中任一權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述光工具包含保護(hù)層，所述保護(hù)層有助于在已進(jìn)行成像之后從具有所述覆蓋層的所述襯底上剝離所述光工具。
22.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所使用的所述輻射為UV輻射。
23.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中使用UVLED或激光作為所述輻射的來源。
24.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述輻射經(jīng)校準(zhǔn)或部分校準(zhǔn)以改良所述光成像工藝的品質(zhì)。
25.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中進(jìn)行一系列包括洗除工藝在內(nèi)的濕式工藝，以便制造電路。
26.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述方法是在自含式小型潔凈室中進(jìn)行。
27.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述光成像工藝制造PCMI中所用的細(xì)線和/或特征，例如小于約200 μ m、150 μ m、140 μ m、130 μ m、120 μ m、110 μ m、100 μ m、90 μ m、80 μ m、70 μ m、60 μ m、50 μ m、40 μ m、30 μ m、20 μ m、10 μ m 或5 μ m的線、正方形、螺旋形、圓形或其它幾何及非幾何形狀。
28.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中所述方法包含以下工藝: 在所述襯底的至少一個側(cè)面或兩個側(cè)面上沉積液態(tài)光聚合物； 將光工具定位在所述襯底的至少一個側(cè)面或兩個側(cè)面上的所述液態(tài)光聚合物上； 向所沉積的液態(tài)光聚合物施加壓力以形成光聚合物膜；以及 向所述液態(tài)光聚合物施加輻射以固化所述光聚合物； 其中所述工藝各自在單一遍次或一系列單獨(dú)遍次中進(jìn)行。
29.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的方法，其中在照射之前未對濕光聚合物膜進(jìn)行預(yù)先干燥步驟。
30.一種電組件，其是根據(jù)前述權(quán)利要求1到29中任一權(quán)利要求所述來制造。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的電組件，其中所述電組件為電路。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的電組件，其中所述電組件是包含在PCB或平面屏幕顯示器中。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的電組件，其中所述電組件是電介質(zhì)上的電介質(zhì)圖像。
34.用于光化學(xué)加工業(yè)PCMI的特征，包括細(xì)線、正方形、螺旋形、圓形或其它幾何和非幾何形狀，其是根據(jù)權(quán)利要求1到29中任一權(quán)利要求所述來制造。
35.一種用于對襯底進(jìn)行光成像的裝置，所述裝置包含: 至少一個光工具，其能夠被定位到具有覆蓋層的襯底的至少一個側(cè)面上的液態(tài)光聚合物上； 軋輥，其能夠向具有所述覆蓋層的所述襯底上的所述液態(tài)光聚合物施加壓力，以形成厚度小于約178 μ m (0.007英寸)的光聚合物膜；以及輻射源，其能夠固化所述液態(tài)光聚合物。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的裝置，其中所述覆蓋層是金屬的或非金屬的。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的裝置，其中所述裝置是用于形成PCMI中所用的細(xì)線和/或特征，例如小于約200 μ m、150 μ m、140 μ m、130 μ m、120 μ m、110 μ m、100 μ m、90 μ m、80 μ m、70 μ m、60 μ m、50 μ m、40 μ m、30 μ m、20 μ m、10 μ m 或 5ym 的線、正方形、螺旋形、圓形或其它幾何和非幾何形狀。
38.根據(jù)權(quán)利要求341到3中任一權(quán)利要求所述的用于對襯底進(jìn)行光成像的裝置，其中所述裝置包含定位構(gòu)件以便將所述至少一個或兩個光工具定位在所述襯底的至少一個側(cè)面或兩個側(cè)面上。
39.一種用于在襯底上制造跡線和/或電路的方法，所述方法包含: 提供襯底； 在所述襯底的至少一個側(cè)面上提供噴墨沉積物，所述噴墨沉積物包含導(dǎo)電粒子； 在包含所述噴墨沉積物的所述襯底的至少一個側(cè)面上沉積液態(tài)光聚合物； 將光工具定位到所述襯底的至少一個側(cè)面上的所述液態(tài)光聚合物上； 向所沉積的液態(tài)光聚合物施加壓力，以形成厚度小于約178 μ m(0.007英寸)的光聚合物膜；以及 向所述液態(tài)光聚合物施加輻射以便在透過所述光工具曝光的區(qū)域中固化所述光聚合物。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于在襯底上制造跡線和/或電路的方法，其中所述噴墨沉積物在所述襯底上形成近似所需的跡線和/或電路。
41.根據(jù)權(quán)利要求39和40中任一權(quán)利要求所述的用于在襯底上制造跡線和/或電路的方法，其中所述導(dǎo)電粒子包含以下物質(zhì)中的任一者或組合:銀；金；和/或銅，或用于起始銅或鎳的無電極電鍍的晶種材料，如鈀與錫的混合物。
42.根據(jù)權(quán)利要求39到41中任一權(quán)利要求所述的用于在襯底上制造跡線和/或電路的方法，其中所述噴墨沉積物具有約50 μ m到500 μ m的寬度。
43.根據(jù)權(quán)利要求39到42中任一權(quán)利要求所述的用于在襯底上制造跡線和/或電路的方法，其中所述襯底是由塑料片制造。
44.根據(jù)權(quán)利要求39到43中任一權(quán)利要求所述的用于在襯底上制造跡線和/或電路的方法，其中在已進(jìn)行所述光成像之后進(jìn)行蝕刻工藝以制造電路。
45.根據(jù)權(quán)利要求39到44中任一權(quán)利要求所述的用于在襯底上制造跡線和/或電路的方法，其中在所述噴墨沉積物內(nèi)形成至少一個或多個跡線。
46.根據(jù)權(quán) 利要求39到44中任一權(quán)利要求所述的用于在襯底上制造跡線和/或電路的方法，其中在照射之前未對濕光聚合物膜進(jìn)行預(yù)先干燥步驟。
【文檔編號】G03F7/16GK103838078SQ201210482577
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月23日
【發(fā)明者】喬納森·肯尼特, 約翰·坎寧安 申請人:彩虹科技系統(tǒng)有限公司