專利名稱：半導(dǎo)體器件、制造半導(dǎo)體器件的方法以及液晶顯示器的制作方法
半導(dǎo)體器件、制造半導(dǎo)體器件的方法以及液晶顯示器相關(guān)申請的交叉引用通過引用將2011年11月11日提交的日本專利申請N0.2011-247014公開的全部內(nèi)容(包括說明書、附圖以及摘要)并入本申請中。
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件、用于制造該半導(dǎo)體器件的技術(shù)以及液晶顯示器。更具體地，涉及有效地適用于連同光源一起布置在殼體中的半導(dǎo)體器件的技術(shù)。日本未審查專利申請N0.平06(1994)-112371 (專利文獻I)中描述了一種用于通過形成光屏蔽壓敏粘合帶覆蓋半導(dǎo)體芯片來使該半導(dǎo)體芯片避光的方法，其中該半導(dǎo)體芯片連同光源一起被布置在殼體中。

發(fā)明內(nèi)容
近年來，以液晶顯示器、等離子體顯示器和有機電致發(fā)光(EL)顯示器為代表的平板顯示器迅速地流行起來。在這些平板顯示器的每一個顯示器中，連同顯示器單元一起將其中形成了用于驅(qū)動該顯示器單元的集成電路的半導(dǎo)體芯片(驅(qū)動器IC)布置在殼體中。由此，存在如下?lián)鷳n，即，在這種平板顯示器中，從光源發(fā)射的光可能會發(fā)射到半導(dǎo)體芯片上。例如，在液晶顯示器中，光源(背光燈)被布置在襯底(玻璃襯底)的背面(下側(cè))上，其中，用于驅(qū)動液晶材料(液晶組合物)的半導(dǎo)體芯片安裝在該襯底之上，從光源發(fā)射的光朝向布置在光源的上側(cè)的液晶材料發(fā)射。在這種情況下，存在如下?lián)鷳n，即，光可能也會發(fā)射到半導(dǎo)體芯片上。在等離子體顯示器或有機EL顯示器中，顯示器單元自身(光源)發(fā)射光，因此，從顯示器單元泄漏的光可能會發(fā)射到被布置成與該顯示器單元相鄰的半導(dǎo)體芯片上。如果光發(fā)射到半導(dǎo)體芯片上，如上所述，則來自半導(dǎo)體芯片的輸出電壓下降，因此，要施加到顯示器單元的電壓也下降。結(jié)果，例如，出現(xiàn)如下麻煩，即，顯示的圖像變得不清楚(對比度下降)。因此，有效的是，通過利用光屏蔽壓敏粘合帶覆蓋半導(dǎo)體芯片來使該芯片避光，如在上述專利文獻I中所描述的那樣。但是，近年來，平板電腦的薄化得到了提升，由此，不僅半導(dǎo)體芯片的厚度，而且其上方布置有半導(dǎo)體芯片的襯底(蓋玻璃、玻璃襯底、等等)的厚度均處于變小的趨勢。因此，存在如下?lián)鷳n，即，如果使用了上述光屏蔽壓敏粘合帶，取決于襯底或半導(dǎo)體芯片的厚度，該粘合帶可能會從襯底(蓋玻璃)的表面突起。如果光屏蔽壓敏粘合帶突起，那么來自外部的沖擊(壓力)可能會經(jīng)由粘合帶和殼體被傳遞至半導(dǎo)體芯片，由此可能會引起芯片破裂。本發(fā)明的一個目的是提供一種技術(shù)，其中，平板顯示器的薄化可以得到提升。參照說明書以及附圖的描述，本發(fā)明的上述及其它目的以及新穎特征可以變得更加清楚?？梢匀缦潞喴馗攀霰旧暾埞_的發(fā)明中的典型發(fā)明。
根據(jù)典型實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法包括:將半導(dǎo)體晶片劃分成多個半導(dǎo)體芯片；在上述步驟之后，在每一個半導(dǎo)體芯片的芯片后表面和芯片側(cè)表面的每一個上形成光屏蔽膜。根據(jù)典型實施例的半導(dǎo)體器件包括安裝在襯底上的半導(dǎo)體芯片，該襯底布置在具有光源的殼體中，其中，光屏蔽膜形成在半導(dǎo)體芯片的芯片后表面和芯片側(cè)表面的每一個上。根據(jù)典型實施例的液晶顯示器包括安裝在襯底上的半導(dǎo)體芯片，該襯底布置在具有光源的殼體中，其中，光屏蔽膜形成在半導(dǎo)體芯片的芯片后表面和芯片側(cè)表面的每一個上。以下是對在本申請中公開的具有代表性的方面的實施例取得的效果的簡要描述。平板顯示器的薄化可以得到提升。


圖1是圖示了移動電話的外部結(jié)構(gòu)的視圖；圖2是沿著圖1中的A-A線截取的截面圖；圖3是圖示了 IXD驅(qū)動器的功能的功能塊視圖；圖4是圖示了形成IXD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片的頂表面的平面圖；圖5是沿著圖4中的A-A線截取的截面圖；圖6是沿著圖4中的B-B線截取的截面圖；圖7是圖示了其中整個芯片側(cè)表面傾斜的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖8是圖示了其中整個芯片側(cè)表面傾斜的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖9是圖示了其中整個芯片側(cè)表面傾斜的結(jié)構(gòu)的變型的截面圖；圖10是圖示了其中整個芯片側(cè)表面傾斜的結(jié)構(gòu)的變型的截面圖；圖11是圖示了其中芯片側(cè)表面沒有傾斜的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖12是圖示了其中芯片側(cè)表面沒有傾斜的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖13是闡述了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的流程的流程圖；圖14是所提供的半導(dǎo)體晶片的平面圖；圖15是沿著圖14的A-A線截取的截面圖；圖16是圖示了根據(jù)第一實施例的制造半導(dǎo)體器件的步驟的平面圖；圖17是沿著圖16的A-A線截取的截面圖；圖18是圖示了根據(jù)第一實施例的制造半導(dǎo)體器件的步驟的平面圖；圖19是沿著圖18的A-A線截取的截面圖；圖20是圖示了根據(jù)第一實施例的制造半導(dǎo)體器件的步驟的平面圖；圖21是沿著圖20的A-A線截取的截面圖；圖22是圖示了在圖21的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖23是圖示了在圖22的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖24是圖示了在圖23的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖25是圖示了在圖24的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖26是圖示了在圖25的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖27是圖示了在圖26的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖28是圖示了在圖27的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖29是圖示了根據(jù)第一實施例的安裝半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖30是圖示了在圖29的步驟之后的安裝半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖31是闡述了根據(jù)第二實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程的流程圖；圖32是圖示了根據(jù)第二實施例的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖33是圖示了在圖32的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖34是圖示了在圖33的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖35是根據(jù)變型2的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖36是圖示了在圖35的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖37是圖示了在圖36的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖38是根據(jù)變型3的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面圖；圖39是圖示了在圖38的步驟之后的制造半導(dǎo)體器件的步驟的截面具體實施例如果需要的話，出于方便的目的，可以將以下實施例之一分割成多個部分或多個實施例來進行描述；然而，除非另外指出，否則它們之間的關(guān)系如下，即，它們中的一個實施例是其它實施例的全部或部分的變型、細節(jié)、或補充說明，這不同于其中它們之間彼此沒有關(guān)系的情況。此外，當在以下實施例中提及到要素的數(shù)等(包括片的數(shù)量、數(shù)值、量、范圍等)時，該數(shù)并不局限于特定數(shù)，除非另外指出或者原則上將其明確地限定于特定數(shù)。此外，毫無疑問，在以下實施例中，除非另外指出或者原則上認為是明顯必須的，否則組成要素(包括要素步驟等)不是一定必須的。類似地，當在以下實施例中提及到組成元件的形狀或位置關(guān)系等時，包括與該形狀基本接近或類似的形狀，除非另外指出或者大體上以其它的方式考慮。這對于上述的數(shù)值和范圍也是成立的。此外，類似的部件原則上在用于闡述實施例的每一個視圖中用類似的附圖標記表示，并且省略重復(fù)的闡述。為了便于理解附圖，有時甚至在平面圖中繪出陰影線。(第一實施例)<本發(fā)明適用的對象>由于本發(fā)明的一個目的是使平板顯示器的厚度變小，因此本發(fā)明的技術(shù)理念可以應(yīng)用于配備有液晶顯示器、等離子體顯示器、有機EL顯示器等(這些均是平板顯示器的示例)的電子裝置。例如，平板顯示器被廣泛地用作個人計算機和文字處理器等的顯示器設(shè)備，并且還用作電視機和移動電話的顯示器設(shè)備。因此，在第一實施例中，具體地以配備有液晶顯示器的移動電話作為示例來描述本發(fā)明的技術(shù)理念，其中液晶顯示器是平板顯示器的典型示例。也就是，在第一實施例中，以配備有液晶顯示器的移動電話作為示例來描述本發(fā)明的技術(shù)理念；但是，本發(fā)明的技術(shù)理念并不局限于此，而是可以被廣泛地應(yīng)用于配備有平板顯示器的電子裝置。
〈移動電話的結(jié)構(gòu)〉圖1是圖示了移動電話MP的外部結(jié)構(gòu)的視圖。如圖1所示，根據(jù)第一實施例的移動電話MP具有矩形形狀，并且在其頂表面的中央?yún)^(qū)域布置了顯示器單元DU。例如，該顯示器單元是由液晶顯示器形成的。隨后，將描述如此形成的移動電話MP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖2是沿著圖1的A-A線截取的截面圖。如圖2所示，根據(jù)第一實施例的移動電話MP具有殼體CS，在該殼體CS的上表面上存在開口區(qū)域，在該殼體CS的底部布置了充當光源的背光燈BL。在該背光燈BL的上部布置了玻璃襯底(襯底)GSl，在該玻璃襯底GSl的上部布置了玻璃襯底GS2。此處，通過布置密封件SL在玻璃襯底GSl和玻璃襯底GS2之間確保了間隔，在該間隔中密封有液晶件LC。由此，形成了移動電話MP的顯示器單元。玻璃襯底GSl的尺寸大于玻璃襯底GS2的尺寸，使得半導(dǎo)體芯片CHP安裝在顯示器單元近旁(在第一實施例中，在玻璃襯底GSl之上并且鄰近顯示器單元)。具體地，在半導(dǎo)體芯片CHP的主表面上形成多個凸點電極BMP，并且該半導(dǎo)體芯片CHP安裝在玻璃襯底GSl上，使得半導(dǎo)體芯片CHP的其上形成有多個凸點電極BMP的主表面與玻璃襯底GSl的上表面相對。在這種情況下，凸點電極BMP與形成在玻璃襯底GSl上的布線經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜ACF彼此之間電耦合。進一步地，在半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面和后表面的每一個上形成光屏蔽膜SDF,在殼體CS和其上形成有光屏蔽膜SDF的半導(dǎo)體芯片CHP的后表面之間提供緩沖材料CN，使得來自移動電話外部的沖擊難以傳遞至半導(dǎo)體芯片CHP。另一方面，光屏蔽材料SDT附接至玻璃襯底GSl的下表面，該下表面與玻璃襯底GSl的安裝了半導(dǎo)體芯片CHP的上表面相反，從而，當在平面上觀看時，材料SDT與該半導(dǎo)體芯片CHP重疊。由此形成的移動電話MP包括如上所述的液晶顯示器。也就是,如圖2所示,液晶顯示器包括:具有彼此相反的上表面和下表面的玻璃襯底GSl ;布置在玻璃襯底GSl的上表面上的液晶件LC ;以及玻璃襯底GS2，該玻璃襯底GS2被布置成與玻璃襯底GSl結(jié)合以密封液晶件LC。液晶顯示器進一步包括:布置在玻璃襯底GSl的下部的背光燈(光源)BL;以及半導(dǎo)體芯片CHP，該半導(dǎo)體芯片CHP具有芯片頂表面、形成在芯片頂表面的凸點電極、與芯片頂表面相反的芯片后表面、以及位于芯片頂表面和芯片后表面之間的芯片側(cè)表面。此處，半導(dǎo)體芯片CHP布置在玻璃襯底GSl的上表面上，使得芯片頂表面(主表面，頂表面)與玻璃襯底GSl的上表面相對。充當密封件的各向異性導(dǎo)電膜形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片頂表面和玻璃襯底GSl的上表面之間，光屏蔽膜SDF既形成在半導(dǎo)體芯片CHP的與芯片頂表面相反的芯片后表面上又形成在位于芯片頂表面和芯片后表面之間的芯片CHP的芯片側(cè)表面(側(cè)表面)上。因此，液晶顯示器單元和半導(dǎo)體芯片CHP被安裝在根據(jù)第一實施例的移動電話中。液晶顯示器單元充當顯示圖像的顯示器單元，并且由多個液晶顯示器元件形成。形成半導(dǎo)體芯片CHP以驅(qū)動形成液晶顯示器單元的液晶顯示器元件。在半導(dǎo)體芯片CHP中形成了用于控制液晶顯示器單元以顯示圖像的集成電路。半導(dǎo)體芯片CHP具有用于控制形成液晶顯示器單元的液晶顯示器元件的開/關(guān)的功能，并且被稱為LCD驅(qū)動器。在移動電話MP的組成元件中，關(guān)于液晶顯示器的主要元件在圖2中得到了闡述；但是，在移動電話MP中安裝了許多其它電子部件，從而允許實現(xiàn)移動電話MP的通信功能和應(yīng)用功能。具體地，盡管沒有示出，但是在移動電話MP中安裝了多個半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體器件)以及多個無源元件，該多個半導(dǎo)體芯片不同于其中形成了 CPU和存儲器的LCD驅(qū)動器，并且該多個無源元件例如是電阻器、電容元件和電感器。按照如下方式形成移動電話MP:例如，由安裝在移動電話MP中的電子電路來控制作為LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP ；由半導(dǎo)體芯片CHP來進一步地控制液晶顯示器單元的驅(qū)動；由此,在液晶顯示器單元上顯示圖像。〈第一實施例中的特征的概述〉將參照圖2對第一實施例中的特征進行概述。在圖2中，第一實施例中的特征在于:光屏蔽膜SDF形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面和芯片后表面的每一個上,其中該半導(dǎo)體芯片CHP形成IXD驅(qū)動器。由此,根據(jù)第一實施例,可以防止例如背光燈BL發(fā)射的光在殼體中被反射之后從芯片側(cè)表面或芯片后表面發(fā)射至半導(dǎo)體芯片CHP。此外，可以通過附接至玻璃襯底GSl的下表面的光屏蔽材料SDT來防止來自半導(dǎo)體芯片CHP的主表面(芯片頂表面)側(cè)的光發(fā)射至半導(dǎo)體芯片CHP.
此處，例如，可以考慮到，為了防止光發(fā)射至形成IXD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP，附接光屏蔽帶以覆蓋半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面和芯片后表面的每一個。但是，近年來，以移動電話MP為代表的電子裝置的薄化得到了提升，并且隨著這種薄化的發(fā)展，存在對使要安裝在移動電話MP中的液晶顯示器薄化的需求。由于這種需求，例如，不僅半導(dǎo)體芯片CHP的厚度，而且(在圖2中示出的)玻璃襯底GSl和玻璃襯底GS2也處于薄化的趨勢。因此，可以考慮到，取決于玻璃襯底GS1、玻璃襯底GS2、以及半導(dǎo)體芯片CHP中的每一個的厚度，覆蓋半導(dǎo)體芯片CHP的光屏蔽帶可能會從玻璃襯底GS2的表面的高度突起。此處，所使用的光屏蔽帶從玻璃襯底GS2的表面的高度突起的一個原因在于:光屏蔽帶既具有光屏蔽層又具有襯底層，并且對于減小光屏蔽帶自身的厚度存在限制。另一個原因在于:光屏蔽帶是與半導(dǎo)體芯片CHP分開的部件(件)，因此需要粘合劑將該光屏蔽帶附接至半導(dǎo)體芯片CHP。從而，由于粘合劑的厚度，半導(dǎo)體芯片CHP的安裝高度變大。如果覆蓋半導(dǎo)體芯片CHP的光屏蔽帶從玻璃襯底GS2的表面的高度突起，如上所述，則妨礙了移動電話MP的薄化，并且來自移動電話MP外部的沖擊很可能會經(jīng)由突起的光屏蔽帶而被傳遞至半導(dǎo)體芯片CHP，從而增加了在半導(dǎo)體芯片CHP中引起破裂的擔(dān)憂。如果光屏蔽帶被用作與半導(dǎo)體芯片CHP分開的部件，如上所述，則存在如下?lián)鷳n，即，由于光屏蔽帶的突起，會妨礙移動電話MP的薄化并且會引起移動電話MP自身的可靠性的下降。此外，作為當使用光屏蔽帶(與形成LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP分開的部件)時出現(xiàn)的缺點，存在如下問題，即，增加了材料成本(生成成本)，因為單獨地需要附接光屏蔽帶以覆蓋半導(dǎo)體芯片CHP的步驟或者需要作為單獨的部件的光屏蔽帶。此外，近年來，在市場上出現(xiàn)了其中安裝有觸摸面板的移動電話MP。觸摸面板被附接至如圖2所示的玻璃襯底GS2的上表面。相應(yīng)地，如果作為單獨的部件的光屏蔽帶從玻璃襯底GS2的表面突起，則存在如下問題，即，當觸摸面板被布置在玻璃襯底GS2之上時，該突起成為了障礙。另一方面，在第一實施例中，作為與形成LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP分開的部件的光屏蔽帶沒有被用于屏蔽從半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面或芯片后表面入射的光，在半導(dǎo)體芯片CHP自身的芯片側(cè)表面和芯片后表面的每一個上形成光屏蔽膜SDF。換句話說，在第一實施例中，僅僅將光屏蔽層直接形成在半導(dǎo)體芯片CHP自身的芯片側(cè)表面和芯片后表面的每一個上(無需使用粘合劑)。因此，根據(jù)第一實施例沒有使用作為單獨的部件的光屏蔽帶，從而可以使半導(dǎo)體芯片CHP的安裝高度小于或等于玻璃襯底GS2的厚度。結(jié)果，可以提升液晶顯示器的薄化以及隨后的安裝有液晶顯示器的移動電話MP的薄化。也就是，根據(jù)第一實施例，光屏蔽膜SDF形成在半導(dǎo)體芯片CHP自身的芯片側(cè)表面和芯片后表面的每一個上，從而，相比于其中使用光屏蔽帶作為單獨的部件的情況，可以更好地提升移動電話MP的薄化，同時抑制了從半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面或芯片后表面入射的光。進一步地，由于抑制了光屏蔽帶從玻璃襯底GS2的突起，因此來自移動電話MP外部的沖擊難以傳遞至半導(dǎo)體芯片CHP。結(jié)果，可以抑制可能會在半導(dǎo)體芯片CHP中導(dǎo)致的破裂，并且因此可以改善移動電話MP的可靠性。此外，由于沒有使用作為單獨的部件的光屏蔽帶，因此可以降低對于光屏蔽帶的成本。此外，由于不需要單獨地提供附接光屏蔽帶的步驟并且阻止了光屏蔽帶從玻璃襯底GS2突起，因此可以解決當觸摸面板被布置在玻璃襯底GS2之上時出現(xiàn)的障礙。也就是，如圖2所示，在第一實施例中描述了具有其中觸摸面板沒有被布置在玻璃襯底GS2之上的結(jié)構(gòu)的移動電話MP ;但是，通過應(yīng)用根據(jù)第一實施例的技術(shù)理念可以解決當觸摸面板被布置在玻璃襯底GS2之上時出現(xiàn)的障礙。由此，有效的是將根據(jù)第一實施例的技術(shù)理念特別地應(yīng)用于具有位于玻璃襯底GS2之上的觸摸面板的移動電話MP。<使半導(dǎo)體芯片避光的必要性>在第一實施例中，如上所述，在形成IXD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面和芯片后表面的每一個上形成光屏蔽膜SDF。此處，將描述需要首先抑制光入射至半導(dǎo)體芯片CHP的原因。在進行描述之前，將對形成LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP中的電路塊進行概述。圖3是圖示了 LCD驅(qū)動器的功能的功能塊視圖。在圖3中，根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體芯片CHP具有I/O電路2、SRAM (靜態(tài)隨機存取器)3、字驅(qū)動器4、SRAM控制器5、IXD控制器6、以及模擬單元9。I/O電路2具有交換從半導(dǎo)體芯片CHP輸出的數(shù)據(jù)和輸入至半導(dǎo)體芯片CHP的數(shù)據(jù)的功能；并且SRAM3是存儲數(shù)據(jù)的存儲器電路的示例。SRAM3具有其中用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器元件按照陣列模式布置的結(jié)構(gòu)并且存儲要顯示在液晶顯示器上的圖像數(shù)據(jù)等。字驅(qū)動器4具有選擇按照陣列模式布置的SRAM3中的線的功能。SRAM控制器5具有用于控制數(shù)據(jù)從/到SRAM3的讀/寫的功能。也就是，SRAM控制器5由地址解碼器和讀/寫控制電路形成，其中該地址解碼器和讀/寫控制電路用于控制數(shù)據(jù)從/到SRAM3的讀/寫。IXD控制器6具有用于利用安裝在IXD驅(qū)動器(半導(dǎo)體芯片CHP)外部的微型計算機生成訪問信號和定時信號的功能，該定時信號用于操作對于SRAM 3的顯示必須的內(nèi)部電路和計數(shù)器等。LCD控制器6包括用于重置顯示器的重置電路7以及用于生成時鐘信號的時鐘電路8等。模擬單元9具有增大存儲在SRAM3中的圖像數(shù)據(jù)的電壓電平以將其轉(zhuǎn)換成適合于液晶顯示器單元(cell)的電壓的功能(電平移位功能)。即，模擬電路9被形成為包括用于增大電壓等使得生成要施加到液晶單元的各種電壓的升壓電路。IXD驅(qū)動器的主要功能是通過上述功能塊實現(xiàn)的，按照沿著具有矩形形狀的半導(dǎo)體芯片CHP的縱向方向排隊的方式來布置這些功能塊，例如，如圖3所示。每一個形成IXD驅(qū)動器的功能塊均由形成在半導(dǎo)體襯底IS之上的MISFET (金屬絕緣體半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和形成在MISFET之上的多層布線形成。在這種情況下，例如，SRAM控制器5和IXD控制器6中的每一個均由數(shù)字電路形成，并且模擬單元是由模擬電路形成的。雖然SRRM控制器5和LCD控制器6中的每一個均由數(shù)字電路形成，但形成該數(shù)字電路的MISFET是由低壓MISFET形成的，該低電壓MISFET的操作電壓的絕對值小。也就是，SRAM控制器5和IXD控制器6中的每一個均由邏輯電路形成，從而允許增大集成度。因此，MISFET越來越微型化，并且隨著該微型化，MISFET的操作電壓的絕對值變得低。由此，在SRAM控制器5和LCD控制器6中，使用LCD驅(qū)動器中操作電壓的絕對值最小的低壓MISFET。在LCD控制器6中使用的MISFET的操作電壓的絕對值大約是1.5V。另一方面，模擬單元9是由模擬電路形成的。IXD驅(qū)動器中形成模擬電路的MISFET是由高壓MISFET形成的，該高壓MISFET的操作電壓的絕對值相對大。這是因為模擬電路具有轉(zhuǎn)換圖像數(shù)據(jù)的電壓電平以將中高電壓(幾十伏)施加到液晶顯示器單元的功能。因此，在形成IXD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP中形成多個類型的MISFET，這些MISFET中的每一個的操作電壓的絕對值彼此不同。具體地，在SRAM控制器5和LCD控制器6中使用操作電壓的絕對值最小的低壓MISFET。另一方面，在模擬單元9中使用操作電壓的絕對值相對大的高壓MISFET。隨后，將描述LCD驅(qū)動器的簡單操作。首先將用于顯示圖像的串行數(shù)據(jù)從安裝在IXD驅(qū)動器(半導(dǎo)體芯片CHP)外部的微型計算機輸入。該串行數(shù)據(jù)經(jīng)由I/O電路2輸入至IXD控制器6。該IXD控制器6 (即，串行數(shù)據(jù)已經(jīng)被輸入至該IXD控制器6)基于時鐘電路8生成的時鐘信號將該串行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成并行數(shù)據(jù)。LCD控制器6將控制信號輸出至SRAM控制器5，以將該轉(zhuǎn)換的并行數(shù)據(jù)存儲到SRAM3中。當從LCD控制器6接收控制信號時，SRAM控制器5操作字驅(qū)動器4以使SRAM3存儲圖像數(shù)據(jù)，該圖像數(shù)據(jù)是并行數(shù)據(jù)。SRAM控制器5在預(yù)定定時處讀出存儲在SRAM3中的圖像數(shù)據(jù)，以將該圖像數(shù)據(jù)輸出至模擬電路9。模擬電路9轉(zhuǎn)換圖像數(shù)據(jù)(并行數(shù)據(jù))的電壓電平，以從LCD驅(qū)動器輸出該圖像數(shù)據(jù)。從LCD驅(qū)動器輸出的圖像數(shù)據(jù)(并行數(shù)據(jù))被施加到各個液晶顯示器單元，從而顯示圖像。因此，可以通過IXD驅(qū)動器在液晶顯示器上顯示圖像。如上所述，在模擬電路9中形成用于增大電壓電平的升壓電路，電壓電平被升壓電路增大的圖像數(shù)據(jù)(電壓數(shù)據(jù))被施加到各個液晶顯示器單元。此時，每個液晶顯示器單元中所包括的液晶的取向被圖像數(shù)據(jù)(電壓數(shù)據(jù))改變，因此，每個液晶顯示器單元的光透明度被改變并且圖像被顯示。此時，優(yōu)選的是，圖像數(shù)據(jù)(電壓數(shù)據(jù))的電壓與指定值相同，其中，該圖像數(shù)據(jù)(電壓數(shù)據(jù))的電壓已經(jīng)被升壓電路增大。如果圖像數(shù)據(jù)(電壓數(shù)據(jù))的電壓水平下降，液晶的取向的改變變得遲鈍。結(jié)果，每個液晶顯示器單元的開/關(guān)特性(對比度的銳度)變得呆滯，從而降低了顯示的圖像的對比度。因此，從抑制圖像的對比度的下降的角度出發(fā)，需要避免從升壓電路輸出的圖像數(shù)據(jù)(電壓數(shù)據(jù))的電壓電平的下降。此處，如果光入射至半導(dǎo)體芯片CHP，從形成于半導(dǎo)體芯片CHP中的升壓電路輸出的輸出電壓下降。以下將描述這種機制。例如，形成LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP由作為半導(dǎo)體材料的硅(Si)形成。因此，如果光的能量大于或等于硅的帶隙，那么位于硅的價帶中的電子吸收大于或等于帶隙的光能，從而使得位于價帶的電子被激勵至導(dǎo)帶。由于被激勵至導(dǎo)帶的電子可以自由地移動，該被激勵至導(dǎo)帶的電子使漏電流流動。由于硅尤其吸收具有大約0.6 y m至1.1 y m的波長的光，當具有上述波長范圍內(nèi)的波長的光被發(fā)射至半導(dǎo)體芯片CHP時，在半導(dǎo)體芯片CHP中流動的漏電流增加。如圖2所示，背光燈BL安裝在移動電話MP中，從背光燈BL發(fā)射的光包括具有上述波長范圍內(nèi)的波長的光，因此，當從背光燈BL發(fā)射的光入射至半導(dǎo)體芯片CHP時，在半導(dǎo)體芯片CHP中產(chǎn)生的漏電流增加。在半導(dǎo)體芯片CHP中形成升壓電路。當流入該升壓電路的漏電流增加時，升壓電路的負荷增大。由于升壓電路具有如下特性，即，當負荷增大時輸出電壓變小，因此半導(dǎo)體芯片CHP中產(chǎn)生的漏電流的增加意味著導(dǎo)致了來自升壓電路的輸出電壓的下降。從以上描述可以看出，如果具有大于或等于帶隙的能量的光入射到半導(dǎo)體芯片CHP，從價帶被激勵至導(dǎo)帶的電子導(dǎo)致漏電流的增加；并且，隨著漏電流的增加，升壓電路的負荷增大，從而引起來自升壓電路的輸出電壓的下降。如果通過這種機制使來自升壓電路的輸出電壓下降，那么施加至液晶顯示器單元的電壓變小，相應(yīng)地，液晶的取向變得遲鈍，從而導(dǎo)致顯示的圖像的對比度下降。因此，如果光入射至形成LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP上，不僅引起了隨著漏電流的增加而出現(xiàn)的功耗的增加，還引起了顯示的圖像的對比度的下降。由此，從抑制功耗的增加以及顯示的圖像的對比度的下降的角度出發(fā)，需要使半導(dǎo)體芯片CHP避光。<第一實施例中的特征的細節(jié)>因此，需要使半導(dǎo)體芯片CHP避光。在第一實施例中，用于使半導(dǎo)體芯片CHP避光的結(jié)構(gòu)得到了創(chuàng)新。如上所述，這是因為，如果通過使用作為與半導(dǎo)體芯片CHP分開的部件的光屏蔽帶來使半導(dǎo)體芯片CHP避光，則難以充分地實現(xiàn)移動電話的薄化、移動電話的生成生本的降低、以及移動電話的可靠性的改善。也就是，在第一實施例中，在使半導(dǎo)體芯片CHP避光的前提下，從實現(xiàn)移動電話的薄化、移動電話的生成生本的降低、以及移動電話的可靠性的改善的角度出發(fā)，用于使半導(dǎo)體芯片CHP避光的手段得到了創(chuàng)新。以下將詳細地描述其中做出了這種創(chuàng)新的根據(jù)第一實施例的技術(shù)理念。首先，將描述形成LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP的外部結(jié)構(gòu)。圖4是圖示了形成LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP的頂表面的平面圖。在圖4中，半導(dǎo)體芯片CHP具有半導(dǎo)體襯底1S，該半導(dǎo)體襯底IS被形成為細長的矩形，在該半導(dǎo)體芯片CHP的主表面上形成了用于驅(qū)動液晶顯示器的LCD驅(qū)動器。半導(dǎo)體芯片CHP呈矩形，該矩形具有一對短邊和一對長邊。沿著一對長邊中的一個邊(圖4中的下邊)布置凸點電極BMP1?？梢詫⑦@些凸點電極BMPl布置成直線。凸點電極BMPl中的每一個充當外部耦合端子，該外部耦合端子將耦合至由形成在半導(dǎo)體芯片CHP中的布線和半導(dǎo)體元件制成的LSI (大規(guī)模集成電路)。具體地，凸點電極BMPl是用于數(shù)字輸入信號或模擬輸入信號的凸點電極。隨后，沿著一對長邊中的另一個邊(圖4中的上邊)布置凸點電極BMP2。這些凸點電極BMP2也是按照直線布置，但是其密度大于凸點電極BMP1?；蛘?，可以沿著長邊將凸點電極BMP2布置成兩條直線，并且兩條直線中的每一條上的凸點電極BMP2可以按照彼此交錯排列的模式布置。從而，可以以更大的密度來布置凸點電極BMP2。這些凸點電極BMP2中的每一個也充當外部耦合端子，該外部耦合端子用于將形成在半導(dǎo)體襯底IS上的LSI耦合至外部。具體地，凸點電極BMP2是用于來自LSI的輸出信號的凸點電極。因此，凸點電極BMPl和凸點電極BMP2是沿著形成半導(dǎo)體芯片CHP的外周長的一對長邊形成的。在這種情況下，由于凸點電極BMP2的數(shù)目大于凸點電極BMPl的數(shù)目，因此凸點電極BMP2是沿著長邊以大于凸點電極BMPl的密度布置的，或者是按照彼此交錯排列的模式布置的，而凸點電極BMPl是沿著長邊被布置成直線。這是因為，凸點電極BMP2是用于從LCD驅(qū)動器輸出的輸出信號的凸點電極，而凸點電極BMPl是用于要輸入至LCD驅(qū)動器的輸入信號的凸點電極。也就是，要輸入至IXD驅(qū)動器的輸入信號是串行數(shù)據(jù)，因此，作為外部耦合端子的凸點電極BMPl的數(shù)目不是很大。另一當面，從LCD驅(qū)動器輸出的輸出信號是并行數(shù)據(jù)，因此，作為外部耦合端子的凸點電極BMP2的數(shù)目變大。也就是，由于設(shè)置了用于輸出信號的凸點電極BMP2以對應(yīng)于液晶顯示器元件，因此需要大量的凸點電極BMP2。相應(yīng)地，用于輸出信號的凸點電極BMP2的數(shù)目變得大于用于輸入信號的凸點電極BMPl的數(shù)目。因此，需要以大于用于輸入信號的凸點電極BMPl的密度來布置用于輸出信號的凸點電極BMP2，有時候可以通過以彼此交錯排列的方式布置凸點電極BMP2來增大凸點電極BMP2的數(shù)目，同時可以沿著長邊將用于輸入信號的凸點電極BMPl布置成直線。盡管在圖4中凸點電極BMPl和凸點電極BMP2是沿著形成半導(dǎo)體芯片CHP的一對長邊布置的，但是除了該一對長邊以外，凸點電極也可以進一步地沿著一對短邊布置。隨后，圖5是沿著圖4中的A-A線截取的截面圖。如圖5所示，光屏蔽膜SDF形成在半導(dǎo)體襯底IS的芯片側(cè)表面和芯片后表面的每一個上。凸點電極BMPl以預(yù)定的間隔布置在半導(dǎo)體襯底IS的芯片頂表面之上。例如，凸點電極BMPl是由金膜形成的。圖6是沿著圖4中的B-B線截取的截面圖。如圖6所示，可以得知，同樣在該截面方向中，光屏蔽膜SDF形成在半導(dǎo)體襯底IS的芯片側(cè)表面和芯片后表面的每一個上。凸點電極BMPl和凸點電極BMP2布置在半導(dǎo)體襯底IS的芯片頂表面之上。此處,第一實施例中的第一特征在于:光屏蔽膜SDF形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面和芯片后表面的每一個上，其中該半導(dǎo)體芯片CHP形成LCD驅(qū)動器。也就是，第一實施例中的特征在于:光屏蔽膜SDF形成為與半導(dǎo)體芯片CHP自身集成。因此，不需要使用作為與半導(dǎo)體芯片CHP分開的部件的光屏蔽帶，從而可以避免當使用作為單獨的部件的光屏蔽帶時出現(xiàn)的問題。光屏蔽膜SDF必須滿足如下條件。也就是，作為第一功能，光屏蔽膜必須具有屏蔽光的特性。具體地，光屏蔽膜SDF必須具有屏蔽能量大于或等于硅的帶隙的光的功能。作為第二功能，光屏蔽膜SDF必須具有如下功能，即，形成光屏蔽膜SDF的材料不容易擴散到硅中，因為該光屏蔽膜SDF被形成為與由硅(Si )制成的半導(dǎo)體芯片CHP直接接觸。例如，這是因為，如果光屏蔽膜SDF是由導(dǎo)電材料形成的并且該膜至硅的擴散系數(shù)高，以下可能性增大，即，擴散至硅中的導(dǎo)電材料可能會擴散至形成在半導(dǎo)體芯片CHP中的半導(dǎo)體元件(MISFET)中，從而會出現(xiàn)諸如絕緣電阻的下降、漏電流的增大等等的問題。根據(jù)第一實施例的光屏蔽膜SDF可以是絕緣膜或?qū)щ娔?，只要該膜具有上述第一功能和第二功能。具體地，均通過濺射工藝形成的鈦(Ti)膜、氧化鈦膜、以氮化鈦膜為代表的基于鈦的材料膜、以鎳膜為代表的基于鎳(Ni)的材料膜，以及通過CVD工藝形成的鎢膜，可以用作該光屏蔽膜SDF。盡管光屏蔽膜SDF的厚度根據(jù)材料有所變化，但是優(yōu)選地，該厚度在大約50nm至500nm的范圍內(nèi)。從確保光屏蔽特性的角度來確定該膜的厚度的最小值。另一方面，從抑制半導(dǎo)體芯片CHP中的翹曲(warp)的角度來確定該膜的厚度的最大值。例如，如果光屏蔽膜SDF的厚度太大，由于硅(半導(dǎo)體芯片CHP的主要材料)的線性膨脹系數(shù)與光屏蔽膜SDF的線性膨脹系數(shù)之間的差，在半導(dǎo)體芯片CHP中導(dǎo)致翹曲。如果在半導(dǎo)體芯片CHP中導(dǎo)致了翹曲，那么在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片頂表面上發(fā)生應(yīng)變，從而導(dǎo)致形成在芯片頂表面之上的凸點電極BMPl和凸點電極BMP2與形成在玻璃襯底之上的布線之間的耦合可靠性的下降。相應(yīng)地，需要防止半導(dǎo)體芯片CHP中的翹曲，并且，從實現(xiàn)該目的的角度來確定光屏蔽膜SDF的厚度的最大值?；蛘?，可以通過多層膜而不是單層膜來形成該光屏蔽膜 SDF。隨后,第一實施例中的第二特征在于:半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面具有關(guān)于芯片CHP的芯片后表面傾斜的傾斜表面。由此，光屏蔽膜SDF可以容易地形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面上。也就是，如果芯片側(cè)表面與芯片后表面垂直，則難以在芯片后表面上形成光屏蔽膜SDF ;但是，通過使芯片側(cè)表面關(guān)于芯片后表面傾斜，如圖5和6所示，則在芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜變得容易。在這種情況下，由于芯片側(cè)表面被形成為具有傾斜表面，因此芯片后表面的寬度小于芯片頂表面的寬度。在第一實施例中，整個芯片側(cè)表面沒有傾斜，但是芯片側(cè)表面是由第一側(cè)表面區(qū)域FSl和第二側(cè)表面區(qū)域SS2形成的，并且在第一側(cè)表面區(qū)域FSl上形成傾斜表面，其中將該第一側(cè)表面區(qū)域FSl形成為更靠近芯片后表面而不是芯片頂表面，將該第二側(cè)表面區(qū)域SS2形成為更靠近芯片頂表面而不是芯片后表面。下面將描述按照這種方式形成芯片側(cè)表面的原因。例如，圖7和圖8均圖示了當整個芯片側(cè)表面傾斜時的截面圖。在這種情況下，芯片側(cè)表面和芯片頂表面相交的角部分具有銳角形狀。如果存在具有這種銳角形狀的角部分，則容易發(fā)生碎裂(破裂和碎片)。其中發(fā)生了這種碎裂的半導(dǎo)體芯片CHP成為了殘次品。相應(yīng)地，在根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面中，形成了具有傾斜表面的第一側(cè)表面區(qū)域FSl以及沒有傾斜的第二側(cè)表面區(qū)域SS2，如圖5和圖6中所示，而沒有使整個芯片側(cè)表面傾斜。在這種情況下，通過將第一側(cè)表面區(qū)域FSl形成為更靠近芯片后表面而不是芯片頂表面并且將第二側(cè)表面區(qū)域SS2形成為更靠近芯片頂表面而不是芯片后表面，可以使芯片側(cè)表面和芯片頂表面相交的角部分具有垂直的形狀而非銳角形狀。因此，根據(jù)第一實施例，光屏蔽膜SDF可以容易地形成在芯片側(cè)表面上，同時防止了在半導(dǎo)體芯片CHP中發(fā)生碎裂。優(yōu)選的是，盡可能地使具有傾斜表面的第一側(cè)表面區(qū)域FSl的厚度大，尤其是從在芯片后表面上充分地形成光屏蔽膜SDF的角度出發(fā)。具體地，優(yōu)選的是，當假設(shè)第一側(cè)表面區(qū)域FSl的厚度是A并且半導(dǎo)體芯片CHP的厚度是B時，形成第一側(cè)表面區(qū)域FSl使得滿足B/22B/3，如圖5和圖6所示。在這種情況下，光屏蔽膜SDF可以充分地形成在芯片側(cè)表面上，同時防止了在半導(dǎo)體芯片CHP中發(fā)生碎裂。但是，根據(jù)第一實施例的技術(shù)理念并不局限于此。例如，當假設(shè)第一側(cè)表面區(qū)域FSl的厚度是A并且半導(dǎo)體芯片CHP的厚度是B時，形成第一側(cè)表面區(qū)域FSl使得滿足A<B/2，如圖9和圖10所示。同樣，在這種情況下，光屏蔽膜SDF可以充分地形成在芯片側(cè)表面上，同時防止了在半導(dǎo)體芯片CHP中發(fā)生碎裂。此外，也可以考慮到如下情況，即，即使沒有在芯片側(cè)表面上形成傾斜表面，光屏蔽膜SDF也可以充分地形成在芯片側(cè)表面上。具體地，當半導(dǎo)體芯片CHP之間的間隔足夠大并且半導(dǎo)體芯片CHP的厚度足夠小時，則可以認為，即使沒有在芯片側(cè)表面上形成傾斜表面，也可以在芯片側(cè)表面上形成具有足夠厚度的光屏蔽膜SDF。此處，如果使半導(dǎo)體芯片CHP之間的間隔過于大，則存在如下?lián)鷳n，即，固定至背磨帶(back grindingtape)的半導(dǎo)體芯片CHP可能會從該背磨帶脫落。因此,優(yōu)選地，該間隔例如在70 ii m至100 ii m的范圍之內(nèi)。但是，當考慮到容易地將光屏蔽膜SDF形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面上時，優(yōu)選的是形成第一側(cè)表面區(qū)域FSl使得滿足B/2≤A≤2B/3，如圖5和圖6所示。從上述內(nèi)容可以看出，根據(jù)第一實施例的技術(shù)理念的本質(zhì)在于，光屏蔽膜SDF形成在芯片側(cè)表面和芯片后表面的每一個上，從而與半導(dǎo)體芯片CHP自身集成(第一特征)。由于根據(jù)第一特征半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面和芯片側(cè)表面避光，因此不需要提供作為單獨的部件的光屏蔽帶，從而允許實現(xiàn)平板顯示器的薄化(第一實施例的一個目的)。此外，特別優(yōu)選的是，將芯片側(cè)表面形成為具有關(guān)于芯片后表面傾斜的傾斜表面(第二特征)，從而允許容易地確保芯片側(cè)表面上的光屏蔽特性。作為其中在芯片側(cè)表面上形成了傾斜表面的結(jié)構(gòu)的具體方面，最優(yōu)選的方面在圖5和圖6中示出，并且次優(yōu)選的方面在圖9和圖10中示出。但是，第二特征不是實現(xiàn)第一實施例的目的的必要結(jié)構(gòu)，而是優(yōu)選結(jié)構(gòu)，因此，可以認為，取決于形成光屏蔽膜SDF的條件(以半導(dǎo)體芯片CHP之間的間隔以及半導(dǎo)體芯片CHP的厚度為代表)，即使芯片側(cè)表面沒有關(guān)于芯片后表面傾斜(參見圖11和圖12)，也可以充分地確保芯片側(cè)表面上的光屏蔽特性。<根據(jù)第一實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法>按照如下方式形成根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件，并且將參照附圖描述制造該半導(dǎo)體器件的方法。圖13是闡述制造半導(dǎo)體器件的方法的流程的流程圖。如圖14和圖15所示，首先提供半導(dǎo)體晶片WF (圖13中的SlOl )。圖14是所提供的半導(dǎo)體晶片WF的平面圖，圖15是沿著圖14中的A-A線截取的截面圖。如圖14所示，當從平面觀看時,半導(dǎo)體晶片WF具有大致的圓盤形狀，并且，在該圓盤形狀的內(nèi)區(qū)域中形成了多個芯片形成區(qū)域CR。該多個芯片形成區(qū)域CR通過設(shè)置在相鄰的芯片形成區(qū)域CR之間的劃線區(qū)域被彼此隔開。例如，如圖15所示，劃線區(qū)域SR形成在兩個芯片形成區(qū)域CR之間；并且，均由例如金膜制成的凸點電極BMPl和凸點電極BMP2形成于每一個芯片形成區(qū)域CR的表面之上。具體地，在所提供的半導(dǎo)體晶片WF上進行所謂的預(yù)處理工藝；在每一個芯片形成區(qū)域CR中的半導(dǎo)體襯底之上形成多個半導(dǎo)體元件；經(jīng)由層間絕緣膜形成布線層，該層間絕緣膜被形成為覆蓋這些半導(dǎo)體元件。在每一個芯片形成區(qū)域CR中，布線層通常以多層圖案形成，并且形成鈍化膜以覆蓋最上層的布線。進一步地，在鈍化膜中形成開口以從該開口暴露作為最上層的布線的一部分的焊盤(pad)。在圖15中示出的凸點電極BMPl或凸點電極BMP2形成在該焊盤上。以下將簡要地描述預(yù)處理工藝。半導(dǎo)體器件形成在半導(dǎo)體晶片WF上?？梢岳弥T如膜形成技術(shù)、蝕刻技術(shù)、熱處理技術(shù)、離子注入技術(shù)、光刻技術(shù)等的制造技術(shù)來形成半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體器件的示例包括例如形成在硅襯底上的MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和雙極晶體管。此外，還形成電阻元件、電容元件、或以電感器為代表的無源元件作為半導(dǎo)體元件。隨后，在其上形成有半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體晶片上形成布線層。該布線層是通過圖案化形成在層間絕緣膜上的金屬膜而形成的。盡管該布線層通常并且多數(shù)具有多層布線結(jié)構(gòu)，不過其也可以是單布線層。形成布線層的布線是由其中使用了鋁膜的布線或其中使用了銅膜的布線(鑲嵌布線)形成的。此后，鈍化膜形成在最上層的布線層之上。該鈍化膜用于保護半導(dǎo)體元件和布線層免受機械應(yīng)力或雜質(zhì)的入侵，并且該鈍化膜是由例如氮化硅膜形成的。然后，通過光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)在鈍化膜中形成開口，并且通過從該開口暴露最上層的布線的一部分來形成焊盤。此后，通過利用例如電鍍技術(shù)(plating technique)在焊盤之上形成均由金膜制成的凸點電極BMPl和凸點電極BMP2。按照上述方式，可以獲得已經(jīng)經(jīng)受預(yù)處理工藝的半導(dǎo)體晶片WF。隨后，如圖16和17所示，將劃片帶DCT附接至半導(dǎo)體晶片WF的后表面上。沿著半導(dǎo)體晶片WF中的劃線區(qū)域SR執(zhí)行半切切割(half-cut dicing),同時劃片帶DCT保持附接至半導(dǎo)體晶片WF的后表面上。具體地，如圖16所示，通過從半導(dǎo)體晶片WF的主表面沿著劃線區(qū)域SR驅(qū)動轉(zhuǎn)動的刀片(切片機)DC在半導(dǎo)體晶片WF中制造切口。也就是，如圖17所示(圖13中的S102)，通過將轉(zhuǎn)動的刀片DC壓向劃線區(qū)域，將夾在兩個芯片形成區(qū)域CR之間的劃片區(qū)域SR切至半導(dǎo)體晶片WF的厚度的一半(半切切割)。隨后，如圖18和圖19所示，將背磨帶BGT附接至半導(dǎo)體晶片WF的頂表面(主表面)。例如，如圖19中所示，附接背磨帶BGT以覆蓋半導(dǎo)體晶片WF的頂表面(主表面)，其中凸點電極BMPl和凸點電極BMP2形成在該半導(dǎo)體晶片WF的頂表面之上。由此，包括凸點電極BMPl和凸點電極BMP2的半導(dǎo)體晶片WF的頂表面(主表面)被背磨帶BGT覆蓋，并且通過半切切割在劃線區(qū)域SR中形成的溝渠(ditch)DIT也被背磨帶BGT覆蓋(圖13中的S103)。隨后，重新布置半導(dǎo)體晶片WF使得通過反轉(zhuǎn)晶片WF使背磨帶向下定位，如圖20和圖21所示。由此，附接至半導(dǎo)體晶片WF的后表面的劃片帶DCT被布置在晶片WF的上表面上。在劃片帶DCT脫落之后，利用拋光裝置POL研磨(背面研磨)向上暴露的半導(dǎo)體晶片WF的后表面(圖13中的S104)。由此，半導(dǎo)體晶片WF的厚度變小，并且當背面研磨抵達形成在劃線區(qū)域SR中的溝渠時，半導(dǎo)體晶片WF通過劃線區(qū)域SR被完全切割，由此允許由該半導(dǎo)體晶片WF獲得多個半導(dǎo)體芯片。也就是，半導(dǎo)體晶片WF中的每一個芯片形成區(qū)域CR分離，并且可以獲得對應(yīng)于每一個芯片形成區(qū)域CR的半導(dǎo)體芯片CHP。隨后，對向上定向的半導(dǎo)體芯片CHP的后表面執(zhí)行等離子體蝕刻，同時半導(dǎo)體芯片CHP保持附接至背磨帶BGT，如圖22所示(圖13中的S105)。由此，半導(dǎo)體芯片CHP的側(cè)表面和后表面被蝕刻，并且，具體地，在芯片CHP的側(cè)表面上形成了傾斜表面。在這種情況下，通過調(diào)節(jié)蝕刻條件(例如，以蝕刻氣體濃度或蝕刻時間為代表)可以調(diào)節(jié)形成在半導(dǎo)體芯片CHP的側(cè)表面上的傾斜表面的形狀。具體地，在該蝕刻工藝中，芯片側(cè)表面是由具有傾斜表面的第一側(cè)表面區(qū)域FSl和沒有傾斜的第二側(cè)表面區(qū)域SS2形成的，如圖22所示，沒有使半導(dǎo)體芯片CHP的整個芯片側(cè)表面傾斜。在這種情況下，當假設(shè)第一側(cè)表面區(qū)域FSl的厚度是A并且半導(dǎo)體芯片CHP的厚度是B時，特別優(yōu)選的是，形成第一側(cè)表面區(qū)域FS使得滿足B/22B/3。或者，當如上假設(shè)時，也可以形成第一側(cè)表面區(qū)域FSl使得滿足A< B/2。此處，將第一側(cè)表面區(qū)域FSl形成為更靠近芯片后表面而不是芯片頂表面，并且將第二側(cè)表面區(qū)域SS2形成為更靠近芯片頂表面而不是芯片后表面。結(jié)果，芯片側(cè)表面和芯片頂表面相交的角部分具有垂直形狀而不是銳角形狀。因此，根據(jù)第一實施例，可以防止半導(dǎo)體芯片CHP中的碎裂。隨后，如圖23所示，通過拉伸背磨帶BGT使半導(dǎo)體芯片CHP之間的距離變大。也就是，該背磨帶BGT是由彈性材料形成的，使得通過拉伸該背磨帶BGT可以使半導(dǎo)體芯片CHP之間的芯片間距L變大。結(jié)果，可以使半導(dǎo)體芯片CHP中的高寬比變小，其中該高寬比由芯片間距L和芯片高度H (半導(dǎo)體芯片CHP的厚度)來指定。因此，光屏蔽膜可以容易地形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面上。隨后，如圖24所示，從半導(dǎo)體芯片CHP的后表面?zhèn)?上表面?zhèn)?將光屏蔽膜SDF形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面和芯片側(cè)表面上(圖13中的S106)。在這種情況下，由于在第一實施例中半導(dǎo)體芯片CHP之間的高寬比變小，光屏蔽膜SDF也可以容易地形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面上。結(jié)果，根據(jù)第一實施例，不僅可以在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面上，而且還可以在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF，該光屏蔽膜SDF具有類似于如下厚度的厚度即，通過該厚度可以充分地運用光屏蔽特性。因此，不僅可以有效地抑制光從芯片后表面進入半導(dǎo)體芯片CHP，還可以有效地抑制光從芯片側(cè)表面進入半導(dǎo)體芯片CHP。例如，如圖24所示的光屏蔽膜SDF可以由諸如鈦膜或氮化鈦膜的鈦材料或者諸如鎳膜的鎳材料形成，并且可以通過例如濺射工藝來形成。該濺射工藝是指以下工藝:利用其中當高速運行的原子和離子撞擊固態(tài)材料(靶)時形成該固態(tài)材料(靶)的原子和分子噴濺的現(xiàn)象；并且通過將噴射的原子和分子粘附到半導(dǎo)體襯底上形成膜。在該濺射工藝中，可以通過利用較重的原子來撞擊固態(tài)材料(靶)來提高形成膜的效率，因此，典型地，使用惰性氣體(Ar)作為用于撞擊的原子。具體地，在用于實現(xiàn)濺射工藝的濺射裝置中，由膜形成材料(例如，鈦)制成的靶以及與該靶相對并且附接至背磨帶BGT的半導(dǎo)體芯片CHP被布置在真空室中，該真空室的壓強被減小。此后，將氬氣氣體引入至該真空室中，使得通過對該引入的氬氣氣體進行等離子體激勵來產(chǎn)生氬離子(Ar+)。所產(chǎn)生的氬離子撞擊施加有負電壓的靶，從而允許作為膜形成材料的鈦從該靶中噴射出。結(jié)果，噴射出的鈦粘附至半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面和芯片側(cè)表面上。因此，可以在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面和芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF。該濺射工藝具有如下優(yōu)點，即，與真空沉積相比具有極好的階梯覆蓋，因為供應(yīng)鈦的源是靶表面，并且，鈦從各個方向流入到半導(dǎo)體芯片CHP上。也就是，可以說，通過濺射工藝可以容易地形成光屏蔽膜SDF，因為該工藝與真空沉積工藝相比具有極好的階梯覆蓋特性。但是，根據(jù)第一實施例的形成光屏蔽膜SDF的方法并不特別地局限于濺射工藝，例如，也可以使用真空沉積工藝。也就是，可以通過利用真空沉積工藝形成由鈦材料或鎳材料制成的光屏蔽膜SDF。真空沉積工藝是如下工藝，即，將要粘附至真空室(鐘罩形)中的材料加熱至溶解并且蒸發(fā)，該蒸發(fā)的材料粘附至半導(dǎo)體襯底。根據(jù)該真空沉積工藝，使用了真空室，因此，材料很容易被蒸發(fā)并且可以使由與剩余氣體(例如，空氣和蒸汽)的撞擊引起的影響變小。因此，真空沉積工藝的優(yōu)點在于，可以形成具有很少量雜質(zhì)的膜。也可以使用CVD (化學(xué)氣相沉積)工藝作為根據(jù)第一實施例的形成光屏蔽膜SDF的方法。該CVD工藝是如下工藝，S卩，通過使材料氣體(反應(yīng)氣體)以氣相經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)來在半導(dǎo)體襯底上形成膜。通過使用CVD工藝(例如，在該CVD工藝中，六氟化鎢(WF6)被用作材料氣體)，可以在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面和芯片側(cè)表面上形成由鎢膜制成的光屏蔽膜SDF。例如，可以利用如上所述的濺射工藝、真空沉積工藝、或CVD工藝將根據(jù)第一實施例的光屏蔽膜SDF形成在半導(dǎo)體芯片的芯片后表面和芯片側(cè)表面的每一個上。但是，即使采用上述工藝之一，當由如圖23所示的芯片間距L和芯片高度H (半導(dǎo)體芯片CHP的厚度)表示的高寬比(H/L)較大時，難以在芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF。因此，在第一實施例中，如圖23所示，首先通過拉伸彈性背磨帶BGT使芯片間距L變大，作為用于在芯片表面上充分地形成光屏蔽膜SDF的第一手段。從而，根據(jù)第一實施例，可以使由芯片間距L和芯片高度H (半導(dǎo)體芯片CHP的厚度)表示的高寬比(H/L)變小。這意味著，在芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF變得容易了。也就是，在第一實施例中，高寬比越大，在芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF越困難，因此，通過拉伸背磨帶BGT使芯片間距L變大來使高寬比變小。由此，通過第一實施例中的第一手段，可以獲得如下優(yōu)點，即，在芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF變得容易。結(jié)果，可以充分地確保芯片側(cè)表面上的光屏蔽特性。另外，在第一實施例中，如圖22所示，通過在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面和芯片側(cè)表面的每一個上進行等離子體蝕刻，在芯片側(cè)表面上提供傾斜，作為用于在芯片側(cè)表面上充分地形成光屏蔽膜SDF的第二手段。從而，在芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF變得容易。也就是，在以濺射工藝為代表的膜形成工藝中，一般情況下，在垂直表面(芯片側(cè)表面)上形成膜比在水平表面(芯片后表面)上形成膜更加困難。因此，在第一實施例中，通過提供傾斜表面并且其上難以形成膜的垂直表面被處理，可以使在芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF變得容易。在第一實施例中，使用等離子體蝕刻作為用于在芯片側(cè)表面上提供傾斜的手段。在這種情況下，通過調(diào)節(jié)蝕刻條件(例如，以蝕刻氣體濃度或蝕刻時間為代表)可以調(diào)節(jié)形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面上的傾斜表面的形狀。具體地，在該蝕刻工藝中，芯片側(cè)表面是由具有傾斜表面的第一側(cè)表面區(qū)域FSl和沒有傾斜的第二側(cè)表面區(qū)域SS2形成的，如圖22所示，沒有使半導(dǎo)體芯片CHP的整個芯片側(cè)表面傾斜。在這種情況下，從防止半導(dǎo)體芯片CHP的碎裂以及在芯片側(cè)表面上形成具有足夠膜厚度的光屏蔽膜SDF的角度出發(fā)，當假設(shè)第一側(cè)表面區(qū)域FSl的厚度是A并且半導(dǎo)體芯片CHP的厚度是B時，特別優(yōu)選的是，形成第一側(cè)表面區(qū)域FS使得滿足B/2彡A彡2B/3。或者，當如上假設(shè)時，也可以形成第一側(cè)表面區(qū)域FSl使得滿足A < B/2。在第一實施例中，作為使在芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF變得容易的創(chuàng)新點，存在第一手段和第二手段，其中第一手段是:通過拉伸背磨帶BGT使芯片間距L變大來使高寬比變小；并且，第二手段是:通過對半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面和芯片側(cè)表面的每一個進行等離子體蝕刻，在芯片側(cè)表面上提供傾斜。當然，從使在芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF變得容易的角度出發(fā)，優(yōu)選的是使用上述第一手段和第二手段的組合，但是并不局限于此。例如，可以僅使用第一手段和第二手段中的一個。也就是，可以省略用于拉伸背磨帶BGT的步驟和用于對半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面和芯片側(cè)表面進行等離子體蝕刻的步驟中的一個步驟。即使在這種 情況下，也可以獲得如下優(yōu)點，即，可以在芯片側(cè)表面上充分地形成光屏蔽膜SDF。此外，當半導(dǎo)體芯片CHP之間的芯片間距L足夠大并且半導(dǎo)體芯片CHP的厚度足夠小從而半導(dǎo)體芯片CHP之間的高寬比足夠小時，在如圖13中的背面研磨步驟之后，可以省略上述的第一手段和第二手段二者。即使在這種情況下，當半導(dǎo)體芯片CHP之間的高寬比較小時，可以充分地在芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜SDF。隨后，如圖25所示，將拾取帶PAT附接至其上形成有光屏蔽膜的半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面上。此后，重新布置半導(dǎo)體芯片CHP使得通過將附接有拾取帶PAT的半導(dǎo)體芯片CHP反轉(zhuǎn)使拾取帶向下定位，如圖26所示。由此，附接至半導(dǎo)體芯片CHP的頂表面的背磨帶BGT被布置在半導(dǎo)體芯片CHP的上表面上。然后，附接至半導(dǎo)體芯片CHP的芯片頂表面的背磨帶BGT脫落。結(jié)果，半導(dǎo)體芯片CHP被布置在拾取帶PAT上并且芯片CHP的芯片頂表面被暴露(圖13中的S107)。然后，如圖27所示，拉伸拾取帶PAT。從而，可以使半導(dǎo)體芯片CHP之間的芯片間距變大。此后，如圖28所示，利用例如具有反轉(zhuǎn)機制的筒夾將附接至拾取帶PAT的半導(dǎo)體芯片CHP拾取(圖13中的S108)?？梢园凑丈鲜龇绞将@得根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體芯片CHP。<根據(jù)第一實施例的安裝半導(dǎo)體器件的方法>隨后，將描述一種用于將根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體芯片CHP安裝在例如作為液晶顯示器的組成元件的玻璃襯底上的方法。玻璃襯底GS2安裝在玻璃襯底GSl之上，并且，在兩個玻璃襯底之間密封液晶件LC，如圖29所示。由此，形成了液晶顯示器中的顯示器單元。在玻璃襯底GSl之上靠近顯示器單元形成芯片安裝區(qū)域，其中，作為IXD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP要被安裝在該芯片安裝區(qū)域上。光屏蔽件SDT附接至玻璃襯底GSl的下表面，當從平面觀看時該玻璃襯底GSl的下表面與芯片安裝區(qū)域重疊。另一方面，在玻璃襯底GSl的上表面之上的芯片安裝區(qū)域中形成各向異性導(dǎo)電膜ACF。半導(dǎo)體芯片CHP安裝在如此形成的玻璃襯底GSl之上的芯片安裝區(qū)域上。具體地，圖30是圖示了將半導(dǎo)體芯片CHP安裝在玻璃襯底GSl之上的步驟的截面圖。如圖30所示，由筒夾CT拾取的半導(dǎo)體芯片CHP經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜ACF安裝在玻璃襯底GSl之上。也就是，凸點電極BMPl和凸點電極BMP2中的每一個經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜ACF與形成在玻璃襯底GSl中的端子(沒有被示出)耦合。該各向異性導(dǎo)電膜ACF是通過將微細金屬顆?；旌现翢峁虡淠z中并且將該混合物模制成膜形狀而獲得的膜。該金屬顆粒是由直徑為3iim至5iim的球體形成，其中，主要是從內(nèi)往外地形成鎳層和金鍍層，并且絕緣層與最外側(cè)的層重疊。當在這種狀態(tài)下將半導(dǎo)體芯片CHP安裝在玻璃襯底GSl之上時，各向異性導(dǎo)電膜ACF被夾在玻璃襯底GSl中的端子與半導(dǎo)體芯片CHP的凸點電極BMPl和凸點電極BMP2的每一個之間。此后，當通過利用加熱器等施加熱而對半導(dǎo)體芯片CHP施加壓力時，壓力只被施加到與凸點電極BMPl和凸點電極BMP2的每一個接觸的部分。從而，使分散在各向異性導(dǎo)電膜ACF中的金屬顆粒之間彼此接觸，然后彼此重疊并且相互擠壓。結(jié)果，經(jīng)由金屬顆粒在各向異性導(dǎo)電膜ACF中形成了導(dǎo)電路徑。位于各向異性導(dǎo)電膜ACF的沒有被施壓的部分中的金屬顆粒保持形成在其表面上的絕緣層，因此，保持了金屬顆粒與凸點電極BMPl和凸點電極BMP2的每一個之間的絕緣。由此，即使金屬顆粒和凸點電極BMPl或凸點電極BMP2之間的距離小也不會引起短路，從而提供了如下優(yōu)點，S卩，半導(dǎo)體芯片CHP可以安裝在玻璃襯底GSl之上。因此，半導(dǎo)體芯片CHP可以安裝在玻璃襯底GSl之上。<第一實施例的優(yōu)點>根據(jù)第一實施例，光屏蔽膜SDF形成在半導(dǎo)體芯片CHP自身的芯片后表面和芯片側(cè)表面的每一個上，因此，與其中使用作為單獨的部件的光屏蔽帶的情況相比，平板顯示器的薄化可以得到更多的提升，同時抑制了從半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面或芯片后表面入射的光。(2)此外，根據(jù)第一實施例，抑制了光屏蔽帶從玻璃襯底GS2突起，因此，來自平板顯示器外部的沖擊變得難以被傳遞至半導(dǎo)體芯片CHP。結(jié)果，可以抑制可能會發(fā)生在半導(dǎo)體芯片CHP中的破裂。由此，還可以改善平板顯示器的可靠性。(3)此外，根據(jù)第一實施例，沒有使用覆蓋芯片后表面和芯片側(cè)表面的每一個的作為單獨的部件的光屏蔽帶，因此，可以從平板顯示器的成本中減去光屏蔽帶的成本，(4)此外，根據(jù)第一實施例，無需單獨地提供用于附接覆蓋芯片后表面和芯片側(cè)表面的光屏蔽帶的步驟，而且防止了光屏蔽帶從玻璃襯底GS2突起，因此，在玻璃襯底GS2上布置觸摸面板變得容易。
(5)此外，根據(jù)第一實施例，在將光屏蔽膜SDF形成在芯片后表面和芯片側(cè)表面的步驟之前，如圖23所示，例如通過拉伸彈性的背磨帶BGT可以使芯片間距L變大。由此，可以使由芯片間距L和芯片高度H (半導(dǎo)體芯片CHP的厚度)指定的高寬比(H/L)變小。結(jié)果，光屏蔽膜SDF可以充分地形成在芯片側(cè)表面上，從而可以改善芯片側(cè)表面上的光屏蔽特性。(6)此外，根據(jù)第一實施例，在將光屏蔽膜SDF形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面和芯片后表面的步驟之前，如圖22所示，通過對該半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面和芯片后表面進行等離子體蝕刻，可以在芯片側(cè)表面上提供傾斜。因此，光屏蔽膜SDF可以充分地形成在芯片側(cè)表面上，從而可以改善芯片側(cè)表面上的光屏蔽特性。(第二實施例)在第一實施例中，假設(shè)通過利用半切切割工藝和背面研磨工藝的組合來將半導(dǎo)體晶片WF劃分成半導(dǎo)體芯片CHP是基本技術(shù)，并且描述了其中根據(jù)第一實施例的技術(shù)理念被應(yīng)用于上述基本技術(shù)的示例。在第二實施例中，假設(shè)通過全切切割工藝來將半導(dǎo)體晶片WF劃分成半導(dǎo)體芯片CHP是基本技術(shù)，并且下面將描述其中根據(jù)第一實施例的技術(shù)理念被應(yīng)用于這一基本技術(shù)的不例。圖31是圖示了根據(jù)第二實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程的流程圖。類似于第一實施例，首先提供已經(jīng)經(jīng)受了預(yù)處理工藝的半導(dǎo)體晶片(圖31的S201)。在第二實施例中，在該階段中，對半導(dǎo)體晶片的后表面進行背面研磨。由此，可以使半導(dǎo)體晶片的厚度變小。隨后，如圖32所示，將劃片帶DCT附接至半導(dǎo)體晶片WF的后表面。然后，在半導(dǎo)體晶片WF中沿劃線區(qū)域SR執(zhí)行全切切割，同時該劃片帶DCT保持附接至半導(dǎo)體晶片WF的后表面。具體地，如圖32所示，通過沿著劃線區(qū)域SR驅(qū)動轉(zhuǎn)動的刀片(切片機)DC來將半導(dǎo)體晶片WF完全切割。也就是，如圖32所示，通過將轉(zhuǎn)動的刀片DC插入至夾在兩個芯片形成區(qū)域CR之間的劃線區(qū)域SR中來切割(全切切割)半導(dǎo)體晶片WF，(在第二實施例中，通過從半導(dǎo)體晶片WF的主表面?zhèn)葘⒌镀珼C壓向半導(dǎo)體晶片WF的后表面?zhèn)?(圖31中的S202)。由此，半導(dǎo)體晶片WF被劃分成多個半導(dǎo)體芯片。隨后，將帶TP附接至半導(dǎo)體芯片的頂表面(主表面)上。例如，附接帶TP以覆蓋其上形成有凸點電極BMPl和凸點電極BMP2的半導(dǎo)體芯片CHP的頂表面(主表面)，如圖33所示。由此，包括凸點電極BMPl和凸點電極BMP2的半導(dǎo)體芯片CHP的頂表面(主表面)被帶TP覆蓋(圖31中的S203)。隨后，重新布置半導(dǎo)體芯片CHP使得通過將附接有半導(dǎo)體芯片CHP的帶TP反轉(zhuǎn)使帶TP向下定位。由此，附接至半導(dǎo)體芯片CHP的后表面的劃片帶DCT被布置在半導(dǎo)體芯片CHP的上表面上。在劃片帶DCT脫落之后，對向上定向的半導(dǎo)體芯片CHP的后表面進行等離子體蝕刻，同時帶TP保持附接至半導(dǎo)體芯片CHP，如圖34所示(圖31中的S204)。從而，半導(dǎo)體芯片CHP的側(cè)表面和后表面被蝕刻，并且，具體地，在半導(dǎo)體芯片CHP的側(cè)表面上形成了傾斜表面。在這種情況下，通過調(diào)節(jié)蝕刻條件(例如，以蝕刻氣體濃度或蝕刻時間為代表)可以調(diào)節(jié)形成在半導(dǎo)體芯片CHP的側(cè)表面上的傾斜表面的形狀。具體地，在該蝕刻工藝中，芯片側(cè)表面是由關(guān)于半導(dǎo)體芯片CHP的芯片后表面傾斜的第一側(cè)表面區(qū)域FSl和沒有傾斜的第二側(cè)表面區(qū)域SS2形成的，如圖22所示，沒有使半導(dǎo)體芯片CHP的整個芯片側(cè)表面傾斜。在這種情況下，當假設(shè)第一側(cè)表面區(qū)域FSl的厚度是A并且半導(dǎo)體芯片CHP的厚度是B時，特別優(yōu)選的是，形成第一側(cè)表面區(qū)域FS使得滿足B/2 < A < 2B/3。或者，當如上假設(shè)時，也可以形成第一側(cè)表面區(qū)域FSl使得滿MA < B/2。此處，將第一側(cè)表面區(qū)域FSl形成為更靠近芯片后表面而不是芯片頂表面，并且將第二側(cè)表面區(qū)域SS2形成為更靠近芯片頂表面而不是芯片后表面。結(jié)果，芯片側(cè)表面和芯片頂表面相交的角部分具有垂直形狀而不是銳角形狀。因此，根據(jù)第二實施例，同樣可以防止半導(dǎo)體芯片CHP中的碎裂。以下步驟類似于第一實施例中的步驟。例如，可以如下地對以下步驟進行概述，即:在通過拉伸帶使半導(dǎo)體芯片之間的芯片間距變大之后，從半導(dǎo)體芯片的后表面(上表面)側(cè)在半導(dǎo)體芯片的芯片后表面和芯片側(cè)表面的每一個上形成光屏蔽膜(圖31中的S205)。類似于第一實施例，例如，可以將通過濺射工藝或真空沉積工藝形成的鈦材料或鎳材料，或者通過CVD工藝形成的鎢膜用作光屏蔽膜。隨后，將拾取帶附接至其上形成有光屏蔽膜的半導(dǎo)體芯片的芯片后表面上。此后，重新布置半導(dǎo)體芯片使得通過將附接有拾取帶的半導(dǎo)體芯片反轉(zhuǎn)使拾取帶向下定位。由此，附接至半導(dǎo)體芯片的頂表面的帶被布置在半導(dǎo)體芯片的上表面上。然后，附接至半導(dǎo)體芯片的芯片頂表面的帶脫落。結(jié)果，半導(dǎo)體芯片被布置在拾取帶上并且芯片的芯片頂表面被暴露(圖31中的S206)。然后，拉伸拾取帶。從而，可以使半導(dǎo)體芯片之間的芯片間距變大。此后，利用例如具有反轉(zhuǎn)機制的筒夾將附接至拾取帶的半導(dǎo)體芯片拾取(圖31中的S207)?？梢园凑丈鲜龇绞将@得根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體芯片。按照與第一實施例中的方式類似的方式，將所獲得的半導(dǎo)體芯片安裝在形成顯示器設(shè)備的玻璃襯底上(C0G (玻璃上芯片))。在這種情況下，在第二實施例中，也可以獲得類似于第一實施例的優(yōu)點。(第一變型)例如，通過類似于第一實施例的工藝，S卩，半切切割工藝和背面研磨工藝的組合，將半導(dǎo)體晶片劃分成多個半導(dǎo)體芯片。此后，可以利用蝕刻液體(例如，氫氟酸)對半導(dǎo)體芯片的芯片后表面和芯片側(cè)表面進行濕法蝕刻，同時半導(dǎo)體芯片保持附接至背磨帶。同樣，在這種情況下，在半導(dǎo)體芯片的芯片側(cè)表面上形成了傾斜表面。類似地，通過類似于第二實施例的工藝(即，全切切割工藝)將半導(dǎo)體晶片劃分成多個半導(dǎo)體芯片。此后，也可以利用蝕刻液體(例如，氫氟酸)對半導(dǎo)體芯片的芯片后表面和芯片側(cè)表面進行濕法蝕刻，同時半導(dǎo)體芯片保持附接至帶。同樣，在這種情況下，在半導(dǎo)體芯片的芯片側(cè)表面上形成了傾斜表面。如上所述，也可以采用利用蝕刻液體的濕法蝕刻來替代第一實施例和第二實施例中使用的等離子體蝕刻。同樣，在這種情況下，也可以在半導(dǎo)體芯片的芯片側(cè)表面上提供了傾斜表面。在濕法蝕刻的情況下，通過調(diào)節(jié)蝕刻條件(例如，以蝕刻液體的組成成分或蝕刻時間為代表)可以調(diào)節(jié)形成在側(cè)表面上的傾斜表面的形狀。在第一變型中，也可以獲得類似于第一實施例的優(yōu)點。(第二變型)在第一實施例和第二實施例中，已經(jīng)描述了如下示例，即，在將半導(dǎo)體晶片劃分成多個半導(dǎo)體芯片之后，通過執(zhí)行蝕刻處理在半導(dǎo)體芯片的芯片側(cè)表面上形成傾斜表面。在第二變型中，將描述這樣的示例，即，在沒有將半導(dǎo)體晶片劃分成多個半導(dǎo)體芯片之前的狀態(tài)中，對半導(dǎo)體晶片進行蝕刻處理。同樣，在第二實施例中，首先提供已經(jīng)經(jīng)受預(yù)處理工藝的半導(dǎo)體晶片。然后，對半導(dǎo)體晶片的后表面進行背面研磨。從而，可以使半導(dǎo)體晶片的厚度變小。隨后，如圖35所示，將劃片帶DCT附接至半導(dǎo)體晶片WF的主表面(頂表面)。將半導(dǎo)體晶片WF布置在如下狀態(tài)中，即，其上形成有凸點電極BMPl和凸點電極BMP2的主表面(頂表面)側(cè)向下定向。由此，在向上定向的狀態(tài)下，半導(dǎo)體晶片WF的后表面被暴露。此后，在半導(dǎo)體晶片WF的向上定向的后表面上涂覆抗蝕劑膜FR，并且對該抗蝕劑膜FR進行曝光/顯影處理，從而允許對抗蝕劑膜FR執(zhí)行圖案化處理。對抗蝕劑膜FR執(zhí)行圖案化處理使得每個劃線區(qū)域SR的至少一部分被開口。但是，抗蝕劑膜FR的圖案化并不局限于此，也可以對抗蝕劑膜FR執(zhí)行圖案化處理使得每個劃線區(qū)域SR的全部被開口，或者，對抗蝕劑膜FR執(zhí)行圖案化處理使得每個劃線區(qū)域SR被暴露并且開口從與芯片形成區(qū)域CR的邊界進入芯片形成區(qū)域CR。也就是，可以對抗蝕劑膜FR執(zhí)行圖案化處理，使得每個芯片形成區(qū)域CR的大約90%被覆蓋，或者使得每個芯片形成區(qū)域CR被覆蓋并且每個劃線區(qū)域SR的至少一部分被開口。隨后，如圖36所示，使用圖案化的抗蝕劑膜FR作為掩模，進行蝕刻處理。由此，可以在半導(dǎo)體晶片WF的劃線區(qū)域SR中形成側(cè)表面傾斜的溝渠DITl。也就是，在第二變型中，通過利用例如等離子體蝕刻或化學(xué)干法蝕刻對半導(dǎo)體晶片WF進行蝕刻，使得被蝕刻的晶片WF的厚度大約是其原始厚度的2/3，從而在劃線區(qū)域SR中形成側(cè)表面傾斜的溝渠DITl。隨后，如圖37所示，沿著形成在半導(dǎo)體晶片WF中的劃線區(qū)域SR內(nèi)部的溝渠DITl的底部表面執(zhí)行全切切割。具體地，如圖37所示，通過從半導(dǎo)體晶片WF的后表面?zhèn)妊刂鴾锨﨑ITl驅(qū)動轉(zhuǎn)動的刀片(切片機)來完全切割半導(dǎo)體晶片WF。也就是，通過將轉(zhuǎn)動的刀片DC壓向夾在兩個芯片形成區(qū)域CR之間的劃線區(qū)域SR來切割(全切切割)半導(dǎo)體晶片WF。由此，半導(dǎo)體晶片WF被劃分成多個半導(dǎo)體芯片。結(jié)果，根據(jù)第二變型，如圖37所示，芯片側(cè)表面由具有傾斜表面的溝渠DITl (第一側(cè)表面區(qū)域)和沒有傾斜的側(cè)表面區(qū)域形成，其是通過切割產(chǎn)生的切割面，沒有使整個芯片側(cè)表面傾斜。在這種情況下，可以通過調(diào)節(jié)溝渠DITl的深度來調(diào)節(jié)芯片側(cè)表面的形狀。也就是，可以通過調(diào)節(jié)用于形成溝渠DITl的蝕刻處理的蝕刻條件來控制溝渠DITl的形狀。由此，可以調(diào)節(jié)溝渠DITl (第一側(cè)表面區(qū)域)和側(cè)表面區(qū)域(切割的切割面)的比例。從而，當假設(shè)溝渠DITl (第一側(cè)表面區(qū)域)的深度是A并且半導(dǎo)體芯片CHP的厚度是B時，可以在第二變型中將溝渠DITl形成為使得滿足B/2 < A < 2B/3或者滿足A < B/2。以下步驟類似于第一實施例和第二實施例中的步驟?？梢园凑杖缟纤龅姆绞叫纬筛鶕?jù)第二變型的半導(dǎo)體芯片。此外，可以將根據(jù)第二變型的獲得的半導(dǎo)體芯片安裝在玻璃襯底之上。在這種情況下，在第二變型中也可以獲得類似于第一實施例的優(yōu)點。(第三變型)在第三變型中，將描述如下示例，即，使用用于在兩個階段中執(zhí)行切割的分步切割工藝。同樣，在第三變型中，首先提供已經(jīng)經(jīng)受預(yù)處理工藝的半導(dǎo)體晶片。然后，對半導(dǎo)體晶片的后表面進行背面研磨。由此，使半導(dǎo)體晶片的厚度變小。隨后，如圖38所示，將劃片帶DCT附接至半導(dǎo)體晶片WF的主表面(頂表面)。將半導(dǎo)體晶片WF布置在如下狀態(tài)中，即，其上形成有凸點電極BMPl和凸點電極BMP2的主表面(頂表面)側(cè)向下定向。由此，在向上定向的狀態(tài)下，半導(dǎo)體晶片WF的后表面被暴露。隨后，從半導(dǎo)體晶片的后表面沿著劃線區(qū)域SR執(zhí)行半切切割，使得被蝕刻的晶片的厚度大約是其原始厚度的2/3。在這種情況下，所使用的刀片DCl的厚度變得相對大。在完成半切切割之后，使用例如厚度小于刀片DCl的厚度的刀片DC2來執(zhí)行切割以完全切割半導(dǎo)體晶片WF，如圖39所示。也就是，從半導(dǎo)體晶片的后表面沿著通過半切切割形成在劃線區(qū)域SR中的切口驅(qū)動轉(zhuǎn)動的刀片DC。由此，半導(dǎo)體晶片WF被完全切割并且被劃分成多個半導(dǎo)體芯片CHP。因此，根據(jù)第三變型，通過分別具有不同厚度的兩種類型的刀片來切割半導(dǎo)體晶片WF，從而在單獨分開的半導(dǎo)體芯片CHP的側(cè)表面上形成臺階。結(jié)果，使得在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜變得容易。或者，可以使用V形刀片作為刀片DCl，以用于半切切割。在這種情況下，在芯片側(cè)表面上形成了傾斜表面，從而，可以使在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片側(cè)表面上形成光屏蔽膜變得更加容易。隨后的步驟類似于第一實施例和第二實施例中的步驟。可以按照如上所述的方式形成根據(jù)第三變型的半導(dǎo)體芯片。此外，可以將根據(jù)第三變型的獲得的半導(dǎo)體芯片安裝在玻璃襯底之上。在這種情況下，在第三變型中也可以獲得類似于第一實施例的優(yōu)點。已經(jīng)基于優(yōu)選實施例對本發(fā)明人的發(fā)明進行了詳細地描述；但是，毫無疑問，本發(fā)明并不局限于這些實施例，可以在不脫離本發(fā)明的要點的范圍內(nèi)進行各種修改。本發(fā)明被廣泛地應(yīng)用于制造半導(dǎo)體器件的制造行業(yè)中。
權(quán)利要求
1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件要被安裝在襯底之上，所述襯底布置在具有光源的殼體中，其中，所述方法包括以下步驟: (a)提供具有主表面和與所述主表面相反的后表面的半導(dǎo)體晶片，所述主表面上設(shè)置有多個芯片形成區(qū)域，彼此相鄰的所述芯片形成區(qū)域之間設(shè)置有劃線區(qū)域； (b)在步驟(a)之后，去除所述劃線區(qū)域的一部分； (C)在步驟(b)之后，在所述半導(dǎo)體晶片的所述主表面附接至背磨帶的狀態(tài)下，通過對所述半導(dǎo)體晶片的所述后表面進行研磨，將所述半導(dǎo)體晶片劃分成多個半導(dǎo)體芯片，所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個均具有芯片主表面、與所述芯片主表面相反的芯片后表面、以及在所述芯片主表面和所述芯片后表面之間的芯片側(cè)表面；以及 (d)在步驟(c )之后，在所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面上均形成光屏蔽膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，包括: (e )在步驟(c )之后并且在步驟(d)之前，對所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面均進行蝕刻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，在步驟(e)中，在所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片主表面附接至所述背磨帶的狀態(tài)下，使所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面經(jīng)受等離子體蝕刻。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，在步驟(e)中 ，在所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片主表面附接至所述背磨帶的狀態(tài)下，對所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面進行濕法蝕刻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，在步驟(d)中，所述背磨帶被拉伸，并且在所述背磨帶被拉伸的狀態(tài)下，在所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面之上均形成所述光屏蔽膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，在步驟(d)中，通過使用濺射工藝、沉積工藝和CVD工藝中的任何一個，在所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面之上均形成所述光屏蔽膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，所述光屏蔽膜是由金屬膜或絕緣膜形成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，在步驟(b)中，所述半導(dǎo)體晶片的所述后表面粘附至切片帶，并且在所述半導(dǎo)體晶片的所述后表面粘附至所述切片帶的狀態(tài)下，在所述半導(dǎo)體晶片的所述主表面一側(cè)上驅(qū)動刀片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，包括: (f)在步驟(d)之后，將拾取帶粘附至所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面； (g)在步驟(f)之后，拉伸所述拾取帶；以及 (h)在步驟(g)之后，拾取所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個。
10.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件要被安裝在襯底之上，所述襯底布置在具有光源的殼體中，其中，所述方法包括以下步驟: (a)提供具有主表面和與所述主表面相反的后表面的半導(dǎo)體晶片，所述主表面上設(shè)置有多個芯片形成區(qū)域，彼此相鄰的所述芯片形成區(qū)域之間設(shè)置有劃線區(qū)域； (b)在步驟(a)之后，通過沿著所述半導(dǎo)體晶片中的所述劃線區(qū)域切割所述劃線區(qū)域，獲得多個半導(dǎo)體芯片； (C)在步驟(b)之后，在所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面中的每一個之上形成光屏蔽膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的制造半導(dǎo)體器件的方法，包括: (d)在步驟(b)之后并且在步驟(C)之前，對所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面均進行蝕刻。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，在步驟(d)中，在所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片主表面粘附至帶的狀態(tài)下，使所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面經(jīng)受等離子體蝕刻。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，在步驟(d)中，在所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片主表面粘附至帶的狀態(tài)下，對所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面進行濕法蝕刻。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，在步驟(c)中，粘附至所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片主表面的帶被拉伸，并且在所述帶被拉伸的狀態(tài)下，在所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面之上均形成所述光屏蔽膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，在步驟(c)中，通過使用濺射工藝、沉積工藝和CVD工藝中的任何一個，在所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面之上均形成所述光屏蔽膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的制造半導(dǎo)體器件的方法，包括: (e)在步驟(a)之后并且在步驟(b)之前，將抗蝕劑膜涂覆在所述半導(dǎo)體晶片的所述后表面上以形成所述抗蝕劑膜，其中通過對所述涂覆的抗蝕劑膜進行圖案化，至少使所述半導(dǎo)體晶片中的每一個所述劃線區(qū)域的一部分開口 ；以及 (f)在步驟(e)之后并且在步驟(b)之前，通過執(zhí)行蝕刻，去除所述半導(dǎo)體晶片中的暴露區(qū)域的一部分，其中，在所述蝕刻中，使用圖案化的所述抗蝕劑膜作為掩模。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中步驟(b)包括: (bl)通過使用具有第一厚度的第一刀片從所述半導(dǎo)體晶片的所述后表面?zhèn)仍谒霭雽?dǎo)體晶片中形成切口，其中，使所述切口抵達所述半導(dǎo)體晶片的厚度的一半；以及 (b2)在步驟(bl)之后，通過使用具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二刀片從所述半導(dǎo)體晶片的所述后表面一側(cè)切割所述半導(dǎo)體晶片。
18.一種半導(dǎo)體器件， 所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片要被安裝在襯底之上，所述襯底布置在具有光源的殼體中， 其中，所述半導(dǎo)體芯片包括:(a)芯片頂表面；(b)形成在所述芯片頂表面之上的多個凸點電極；(C)與所述芯片頂表面相反的芯片后表面；(d)位于所述芯片頂表面和所述芯片后表面之間的芯片側(cè)表面，以及 其中，在所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面之上均形成光屏蔽膜。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件， 其中，所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片側(cè)表面具有關(guān)于所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片后表面傾斜的傾斜表面，并且 其中，所述芯片后表面的寬度小于所述芯片頂表面的寬度。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件， 其中，所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片側(cè)表面由第一側(cè)表面區(qū)域和第二側(cè)表面區(qū)域二者形成，其中，所述第一側(cè)表面區(qū)域被形成為更靠近所述芯片后表面而不是所述芯片頂表面，所述第二側(cè)表面區(qū)域被形成為更靠近所述芯片頂表面而不是所述芯片后表面，并且 其中，在所述第一側(cè)表面區(qū)域之上形成傾斜表面。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件， 其中，當假設(shè)所述第一側(cè)表面區(qū)域的厚度是A并且所述半導(dǎo)體芯片的厚度是B時，滿足A < B/2。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件， 其中，當假設(shè)所述第一側(cè)表面區(qū)域的厚度是A并且所述半導(dǎo)體芯片的厚度是B時，滿足B/2 ≤ A ≤2B/3。
23.根據(jù)權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件， 其中，所述半導(dǎo)體芯片是用于驅(qū)動液晶顯示器中的液晶顯示器單元的LCD驅(qū)動器。
24.—種液晶顯不器,包括: (a)具有上表面和與所述上表面相反的下表面的第一襯底； (b)布置在所述第一襯底的所述上表面之上的液晶件； (c)布置成結(jié)合所述第一襯底密封所述液晶件的第二襯底； (d)布置在所述第一襯底的下部中的光源；以及 Ce)半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片具有:芯片頂表面；形成在所述芯片頂表面之上的多個凸點電極；與所述芯片頂表面相反的芯片后表面；以及，位于所述芯片頂表面和所述芯片后表面之間的芯片側(cè)表面，其中，所述芯片頂表面布置在所述第一襯底的所述上表面之上以與所述第一襯底的所述上表面相對， 其中，在所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片頂表面和所述第一襯底的所述上表面之間形成有密封件，并且 其中，在所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片后表面和所述芯片側(cè)表面之上均形成有光屏蔽膜。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的液晶顯示器， 其中，所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片側(cè)表面具有關(guān)于所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片后表面傾斜的傾斜表面，并且 其中，所述芯片后表面的寬度小于所述芯片頂表面的寬度。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的半導(dǎo)體器件， 其中，所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片側(cè)表面由第一側(cè)表面區(qū)域和第二側(cè)表面區(qū)域二者形成，其中，所述第一側(cè)表面區(qū)域被形成為更靠近所述芯片后表面而不是所述芯片頂表面，所述第二側(cè)表面區(qū)域被形成為更靠近所述芯片頂表面而不是所述芯片后表面，并且其中，在所述 第一側(cè)表面區(qū)域之上形成傾斜表面。
全文摘要
本公開涉及半導(dǎo)體器件、制造半導(dǎo)體器件的方法以及液晶顯示器。為了屏蔽從形成LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片的芯片側(cè)表面或芯片后表面入射的光，在所述半導(dǎo)體芯片自身的芯片側(cè)表面和芯片后表面之上形成光屏蔽膜，而不使用作為與所述半導(dǎo)體芯片分開的部件的光屏蔽帶。相應(yīng)地，沒有使用作為單獨的部件的光屏蔽帶，從而可以解決如下麻煩，即，光屏蔽帶從玻璃襯底的表面突起，其中，該玻璃襯底被制造成具有小的厚度。由此，可以提升液晶顯示器的薄化以及隨后的其中安裝有液晶顯示器的移動電話的薄化。
文檔編號G02F1/1362GK103107131SQ201210446109
公開日2013年5月15日 申請日期2012年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者市原誠一, 中村壽雄 申請人:瑞薩電子株式會社