專利名稱：可實(shí)現(xiàn)高消光比的雙電光開關(guān)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高消光比 雙電光開關(guān)裝置，屬于激光器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著激光技術(shù)的迅速發(fā)展及其應(yīng)用的需求，激光器的加工應(yīng)用大大增加。特別是隨著各種學(xué)科和工業(yè)對超短脈沖激光的需求，使得皮秒激光器的精細(xì)加工大大增加。對于現(xiàn)有電光開關(guān)，消光比低，僅有200 1，且對于高功率激光，還存在熱退偏現(xiàn)象，導(dǎo)致系統(tǒng)長時(shí)間運(yùn)行消光比不到100 1，完全不能滿足工業(yè)激光加工對系統(tǒng)漏光的嚴(yán)格要求，這些漏光導(dǎo)致對加工材料的不期望的損傷。針對這一技術(shù)難點(diǎn)，本發(fā)明專利采用雙電光裝置，理論上可實(shí)現(xiàn)40000 I的消光t匕，實(shí)際可達(dá)10000 I以上，滿足高功率激光打標(biāo)機(jī)的消光比要求。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明采取如下技術(shù)方案。如圖I,第一種高消光比雙電光開關(guān)裝置,包括二分之一波片、起偏器,第一電光開關(guān)晶體(簡稱電光晶體)，第一檢偏器，第一廢光收集器，第二電光開關(guān)晶體，第二檢偏器，第三檢偏器，第二廢光收集器及電光開關(guān)驅(qū)動控制電源，電光驅(qū)動控制電源同時(shí)控制一對電光開關(guān)的高壓信號，可實(shí)現(xiàn)同時(shí)周期性的賦予一對電光開關(guān)TTL信號,使雙電光開關(guān)裝置系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高電平完全消光，低電平光完全輸出的性能，即高壓關(guān)斷模式。在上述技術(shù)方案中，起偏器2，檢偏器4、7、8可以采用高消光比的偏振分光棱鏡、偏振片，或者其他偏振器件，用于光的選偏裝置；在上述技術(shù)方案中，電光晶體可以是LiNbO3、一對RTP、LiTaO3^ KD*P、單BBO晶體或雙BBO晶體，用與作為電光開關(guān)的晶體；在上述技術(shù)方案中，二分之一波片可以在其平面里360度旋轉(zhuǎn)，改變光的偏振態(tài)；在上述技術(shù)方案中，檢偏器與起偏器均采用布氏角放置，且其法線平行于光學(xué)平面(光學(xué)平臺)，可實(shí)現(xiàn)水平偏振光透射輸出，垂直偏振光反射輸出，此時(shí)，經(jīng)波片旋轉(zhuǎn)的光的偏振態(tài)為水平偏振；在上述技術(shù)方案中，也可采用如下方式，檢偏器與起偏器均采用布氏角放置，且其法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成布氏角放置；可實(shí)現(xiàn)垂直偏振光透射輸出，水平偏振光反射輸出，此時(shí)，經(jīng)波片旋轉(zhuǎn)的光的偏振態(tài)為垂直偏振；在上述技術(shù)方案中，廢光收集器用于收集廢光，且第一廢光收集器用于收集第一檢偏器的反射光，第二廢光收集器用于接收第三檢偏器的反射光。如圖3，高消光比雙電光開關(guān)裝置，包括二分之一波片、起偏器，第一電光晶體，第一檢偏器，第一廢光收集器，第二電光晶體，第二檢偏器，第三檢偏器，第二廢光收集器及電光開關(guān)驅(qū)動控制電源，電光驅(qū)動控制電源同時(shí)控制一對電光開關(guān)的高壓信號，可實(shí)現(xiàn)同時(shí)周期性的賦予一對電光開關(guān)TTL信號，使雙電光開關(guān)裝置系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高電平完全輸出光，低電平完全消光的性能，即低壓關(guān)斷模式工作。在上述技術(shù)方案中，起偏器2，檢偏器4、7、8可以采用高消光比的偏振分光棱鏡、偏振片，或者其他偏振器件，用于光的選偏裝置；在上述技術(shù)方案中，電光晶體可以是LiNbO3、一對RTP、LiTaO3^ KD*P、單BBO晶體或雙BBO晶體，用與作為電光開關(guān)的晶體；在上述技術(shù)方案中，二分之一波片可以在其平面里360度旋轉(zhuǎn)，改變光的偏振態(tài)；在上述技術(shù)方案中，檢偏器與起偏器均采用布氏角放置，且起偏器的法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成布氏角放置，檢偏器的法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成0°角放置，此時(shí)，經(jīng)波片旋轉(zhuǎn)的光的偏振態(tài)為垂直偏振；在上述技術(shù)方案中，廢光收集器用于收集廢光，且第一廢光收集器用于收集第一 檢偏器的反射光，第二廢光收集器用于接收第二檢偏器的透射光。如圖5,高消光比雙電光開關(guān)裝置,包括二分之一波片、起偏器,第一電光晶體，第一檢偏器，第一廢光收集器，第二電光晶體，第二檢偏器，第三檢偏器，第二廢光收集器及電光開關(guān)驅(qū)動控制電源，電光驅(qū)動控制電源同時(shí)控制一對電光開關(guān)的高壓信號，可實(shí)現(xiàn)同時(shí)周期性的賦予一對電光開關(guān)TTL信號，使雙電光開關(guān)裝置系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高電平完全輸出光，低電平完全消光的性能，即低壓關(guān)斷模式工作。在上述技術(shù)方案中，起偏器2，檢偏器4、7、8可以采用高消光比的偏振分光棱鏡、偏振片，或者其他偏振器件，用于光的選偏裝置；在上述技術(shù)方案中，電光晶體可以是LiNbO3、一對RTP、LiTaO3^ KD*P、單BBO晶體或雙BBO晶體，用與作為電光開關(guān)的晶體；在上述技術(shù)方案中，二分之一波片可以在其平面里360度旋轉(zhuǎn)，改變光的偏振態(tài)；在上述技術(shù)方案中，檢偏器與起偏器均采用布氏角放置，且其法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成布氏角放置，可實(shí)現(xiàn)水平偏振光反射輸出，垂直偏振光透射輸出，此時(shí)，經(jīng)波片旋轉(zhuǎn)的光的偏振態(tài)為垂直偏振；在上述技術(shù)方案中，也可采用如下方式，檢偏器與起偏器均采用布氏角放置，且其法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成0°角放置；可實(shí)現(xiàn)水平偏振光透射輸出，垂直偏振光反射輸出，此時(shí)，經(jīng)波片旋轉(zhuǎn)的光的偏振態(tài)為水平偏振；在上述技術(shù)方案中，廢光收集器用于收集廢光，且第一廢光收集器用于收集第一檢偏器的反射光，第二廢光收集器用于接收第二檢偏器的透射光。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于此高消光比雙電光開關(guān)理論上可實(shí)現(xiàn)40000 I的消光比，實(shí)際可達(dá)10000 I以上，大大高于現(xiàn)有技術(shù)200 I的電光開關(guān)的消光比，滿足高功率激光打標(biāo)機(jī)對消光比的要求。


圖I表示本發(fā)明實(shí)施例I的裝置示意圖；圖2表不本發(fā)明實(shí)施例I的聞壓關(guān)斷不意圖；圖3表示本發(fā)明實(shí)施例2的裝置示意圖；圖4表不本發(fā)明實(shí)施例2、3的低壓關(guān)斷不意圖； 圖5表示本發(fā)明實(shí)施例3的裝置示意圖6表示偏振片法線平行于光學(xué)平面的示意圖；圖7表示偏振片法線與光學(xué)平面成布氏角的示意圖；圖面說明I表不波片;2表不起偏器；3表不第一電光晶體；4表不第一檢偏器；5表不第二電光晶體；6表不電光驅(qū)動控制源；7表示第二檢偏器； 8表示第三檢偏器；9表不第一廢光收集器；10表不第二廢光收集器；
11表不輸入光；12表不輸出光；13表示光學(xué)平面； 14表示偏振器件的法線；15表不入射光方向；16表不布儒斯特角，即布氏角ΘΒ;17表不偏振器件。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述實(shí)施例I如圖I,第一種高消光比雙電光開關(guān)裝置,包括二分之一波片I、起偏器2,第一電光晶體3,第一檢偏器4,第一廢光收集器9,第二電光晶體5,第二檢偏器7,第三檢偏器8,第二廢光收集器10及電光開關(guān)驅(qū)動控制電源6,電光驅(qū)動控制電源同時(shí)控制一對電光開關(guān)的高壓信號，可實(shí)現(xiàn)同時(shí)周期性的賦予一對電光開關(guān)TTL信號，使雙電光開關(guān)裝置系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高電平完全消光，低電平光完全輸出的性能，即高壓關(guān)斷模式工作。實(shí)施過程原理一如圖6，當(dāng)檢偏器與起偏器均采用布氏角放置，且它們的法線平行于光學(xué)平面(光學(xué)平臺)，可實(shí)現(xiàn)水平偏振光透射輸出，垂直偏振光反射輸出。此時(shí)，當(dāng)通過電光驅(qū)動控制電源給兩個(gè)電光晶體加半波電壓時(shí)，任意一束偏振光11通過旋轉(zhuǎn)二分之一波片1，偏振旋轉(zhuǎn)為水平偏振光//，水平偏振光//通過起偏器2，大大提高偏振純度。高純度的水平偏振光//通過第一電光晶體3，此時(shí)加半波電壓的電光晶體具有旋光作用，將水平偏振光//旋轉(zhuǎn)為垂直偏振光丄，垂直偏振光丄經(jīng)第一檢偏器4反射，被第一廢光收集器9收集,實(shí)現(xiàn)完全消光作用，沒有光從第一檢偏器4透射輸出，此時(shí)消光比達(dá)100 I以上。但是，由于電光晶體本身消光比不高，及熱退偏現(xiàn)象的存在，導(dǎo)致不能將所有的水平偏振光//旋轉(zhuǎn)成垂直偏振，導(dǎo)致有部分光透過第一檢偏器4，這里稱作漏光，大大降低了電光開關(guān)系統(tǒng)的消光比。部分漏光偏振特性為水平偏振態(tài)，水平偏振光//通過加半波電壓的第二電光晶體5,被旋轉(zhuǎn)為垂直偏振光丄，經(jīng)第二、三檢偏器7和8反射輸出，并由第二廢光收集器10收集，沒有光從第二檢偏器7透射輸出，系統(tǒng)斬波開關(guān)理論消光比可達(dá)40000 1，由于受器件限制，實(shí)際可達(dá)10000 I以上。滿足工業(yè)精細(xì)加工對高消光比斬波的要求。如圖2，即在高壓過程中，無光輸出，即高壓關(guān)斷模式工作。當(dāng)未給兩個(gè)電光晶體加半波電壓時(shí)，任意一束偏振光11通過旋轉(zhuǎn)二分之一波片1，偏振旋轉(zhuǎn)為水平偏振光//，水平偏振光//通過起偏器2，大大提高偏振純度。高純度的水平偏振光//通過第一電光晶體3，此時(shí)未加半波電壓的電光晶體不具有旋光作用，水平偏振光//偏振態(tài)不改變，經(jīng)第一檢偏器4透射輸出。水平偏振光//經(jīng)過未加半波電壓的第二電光晶體5，偏振態(tài)不改變，經(jīng)第二檢偏器透射輸出。如圖2，即在低壓過程中，光輸出。系統(tǒng)低壓指的是電壓為0V。實(shí)施過程原理二如圖7，當(dāng)檢偏器與起偏器均采用布氏角放置，且它們的法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成布氏角時(shí)，可實(shí)現(xiàn)垂直偏振光透射輸出，水平偏振光反射輸出。此時(shí)，當(dāng)通過電光驅(qū)動控制電源給兩個(gè)電光晶體加半波電壓時(shí)，任意一束偏振光11通過旋轉(zhuǎn)二分之一波片I，偏振旋轉(zhuǎn)為垂直偏振光丄，垂直偏振光丄通過起偏器2,大大提高偏振純度。高純度的垂直偏振光丄通過第一電光晶體3，此時(shí)加半波電壓的電光晶體具有旋光作用，將垂直偏振光丄旋轉(zhuǎn)為水平偏振光//，水平偏振光//經(jīng)第一檢偏器4反射,被第一廢光收集器9收集,實(shí)現(xiàn)完全消光作用，沒有光從第一檢偏器4透射輸出，此時(shí)消光比 達(dá)100 I以上。但是，由于電光晶體本身消光比不高，及熱退偏現(xiàn)象的存在，導(dǎo)致不能將所有的垂直偏振光丄旋轉(zhuǎn)成水平偏振，導(dǎo)致有部分光透過第一檢偏器4。部分漏光偏振特性為垂直偏振態(tài)，垂直偏振光丄通過加半波電壓的第二電光晶體5,被旋轉(zhuǎn)為水平偏振光//,經(jīng)第二、三檢偏器7和8反射輸出，并由第二廢光收集器10收集，沒有光從第二檢偏器7透射輸出，此時(shí)消光比達(dá)10000 I以上。如圖2，即在高壓過程中，無光輸出，即高壓關(guān)斷模式工作。當(dāng)未給兩個(gè)電光晶體加半波電壓時(shí)，任意一束偏振光11通過旋轉(zhuǎn)二分之一波片1，偏振旋轉(zhuǎn)為垂直偏振光丄，垂直偏振光丄通過起偏器2，大大提高偏振純度。高純度的垂直偏振光丄通過第一電光晶體3,此時(shí)未加半波電壓的電光晶體不具有旋光作用，垂直偏振光丄偏振態(tài)不改變,經(jīng)第一檢偏器4透射輸出。垂直偏振光丄經(jīng)過未加半波電壓的第二電光晶體5，偏振態(tài)不改變，經(jīng)第二檢偏器7透射輸出。如圖2，即在低壓過程中，光輸出。系統(tǒng)低壓指的是電壓為0V。實(shí)施例2 如圖3，高消光比雙電光開關(guān)裝置，包括二分之一波片I、起偏器2，第一電光晶體3,第一檢偏器4,第一廢光收集器9,第二電光晶體5,第二檢偏器7,第三檢偏器8,第二廢光收集器10及電光開關(guān)驅(qū)動控制電源6，電光驅(qū)動控制電源同時(shí)控制一對電光開關(guān)的高壓信號，可實(shí)現(xiàn)同時(shí)周期性的賦予一對電光開關(guān)TTL信號，使雙電光開關(guān)裝置系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高電平完全輸出光，低電平完全消光的性能。如圖4，即低壓關(guān)斷工作模式。實(shí)施過程原理如圖6、7，當(dāng)檢偏器與起偏器均采用布氏角放置，且起偏器的法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成布氏角，檢偏器的法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成0°。此時(shí)，當(dāng)通過電光驅(qū)動控制電源給兩個(gè)電光晶體加半波電壓時(shí)，任意一束偏振光11通過旋轉(zhuǎn)二分之一波片I，偏振旋轉(zhuǎn)為垂直偏振光丄，垂直偏振光丄通過起偏器2,大大提高偏振純度。高純度的垂直偏振光丄通過第一電光晶體3，此時(shí)加半波電壓的電光晶體具有旋光作用，將垂直偏振光丄旋轉(zhuǎn)為水平偏振光//，水平偏振光//經(jīng)第一檢偏器4透射輸出，再經(jīng)加半波電壓的第二電光晶體5，被旋轉(zhuǎn)為垂直偏振光丄，經(jīng)第二、三檢偏器7和8反射輸出。如圖4，即在高壓過程中，有光輸出。當(dāng)未給兩個(gè)電光晶體加半波電壓時(shí)，任意一束偏振光11通過旋轉(zhuǎn)二分之一波片1，偏振旋轉(zhuǎn)為垂直偏振光丄，垂直偏振光丄經(jīng)起偏器2透射，經(jīng)過沒加電的電光晶體3，經(jīng)第一檢偏器4反射輸出給第一廢光收集器9,此時(shí)消光比達(dá)100 : I以上,如果存在退偏現(xiàn)象，部分漏光經(jīng)第一檢偏器4透射輸出，經(jīng)第二電光晶體5透射，再經(jīng)第二檢偏器7透射輸出進(jìn)入第二廢光收集器10，此時(shí)消光比達(dá)10000 I以上。即在低壓過程中，無光經(jīng)第二檢偏器7反射輸出，實(shí)現(xiàn)低壓關(guān)斷工作模式。系統(tǒng)低壓指的是電壓為0V。實(shí)施例3如圖5,高消光比雙電光開關(guān)裝置,包括二分之一波片I、起偏器2,第一電光晶體3,第一檢偏器4,第一廢光收集器9,第二電光晶體5,第二檢偏器7,第三檢偏器8,第二廢光收集器10及電光開關(guān)驅(qū)動控制電源6，電光驅(qū)動控制電源同時(shí)控制一對電光開關(guān)的高壓信號，可實(shí)現(xiàn)同時(shí)周期性的賦予一對電光開關(guān)TTL信號，使雙電光開關(guān)裝置系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高電平完全輸出光，低電平完全消光的性能，即低壓關(guān)斷工作模式。
實(shí)施過程原理一
如圖7，當(dāng)檢偏器與起偏器均采用布氏角放置，且它們的法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成布氏角時(shí)，可實(shí)現(xiàn)垂直偏振光透射輸出，水平偏振光反射輸出。此時(shí)，當(dāng)通過電光驅(qū)動控制電源給兩個(gè)電光晶體加半波電壓時(shí)，任意一束偏振光11通過旋轉(zhuǎn)二分之一波片I，偏振旋轉(zhuǎn)為垂直偏振光丄，垂直偏振光丄通過起偏器2,大大提高偏振純度。高純度的垂直偏振光丄通過第一電光晶體3，此時(shí)加半波電壓的電光晶體具有旋光作用，將垂直偏振光丄旋轉(zhuǎn)為水平偏振光//，水平偏振光//經(jīng)第一檢偏器4反射,再經(jīng)第二檢偏器7反射，通過加半波電壓的第二電光晶體，偏振旋轉(zhuǎn)為垂直偏振，垂直偏振經(jīng)第三檢偏器8透射輸出，實(shí)現(xiàn)高電平完全輸出光的性能。當(dāng)未給兩個(gè)電光晶體加半波電壓時(shí)，任意一束偏振光11通過旋轉(zhuǎn)二分之一波片1，偏振旋轉(zhuǎn)為垂直偏振光丄，垂直偏振光丄通過起偏器2，大大提高偏振純度。高純度的垂直偏振光丄通過未加電的第一電光晶體3,此時(shí)電光晶體不具有旋光作用，垂直偏振光丄偏振態(tài)不改變，經(jīng)第一檢偏器4透射輸出，由第一廢光收集器收集。此時(shí),消光比達(dá)100 : I以上。如果存在退偏現(xiàn)象，部分退偏光為水平偏振光經(jīng)第一、二檢偏器4，7反射，通過沒有旋光作用的電光晶體，再經(jīng)第三檢偏器8反射進(jìn)入第二廢光收集器10，實(shí)現(xiàn)低電平無光透過第三檢偏器8輸出，系統(tǒng)消光比達(dá)10000 I以上，如圖4，即低壓關(guān)斷工作模式。系統(tǒng)低壓指的是電壓為0V。實(shí)施過程原理二 如圖6，當(dāng)檢偏器與起偏器均采用布氏角放置，且它們的法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成0°角時(shí),可實(shí)現(xiàn)水平偏振光透射輸出，垂直偏振光反射輸出。此時(shí)，當(dāng)通過電光驅(qū)動控制電源給兩個(gè)電光晶體加半波電壓時(shí)，任意一束偏振光11通過旋轉(zhuǎn)二分之一波片1，偏振旋轉(zhuǎn)為水平偏振光//，水平偏振光//通過起偏器2，大大提高偏振純度。高純度的水平偏振光//通過第一電光晶體3，此時(shí)加半波電壓的電光晶體具有旋光作用，將水平偏振光//旋轉(zhuǎn)為垂直偏振光丄，垂直偏振光丄經(jīng)第一檢偏器4反射，再經(jīng)第二檢偏器7反射，通過加半波電壓的第二電光晶體5，偏振旋轉(zhuǎn)為水平偏振//，水平偏振光//經(jīng)第三檢偏器8透射輸出，實(shí)現(xiàn)高電平完全輸出光的性能。當(dāng)未給兩個(gè)電光晶體加半波電壓時(shí)，任意一束偏振光11通過旋轉(zhuǎn)二分之一波片1，偏振旋轉(zhuǎn)為水平偏振光//，水平偏振光//通過起偏器2，再通過未加電的第一電光晶體3,此時(shí)電光晶體不具有旋光作用,水平偏振光11偏振態(tài)不改變，經(jīng)第一檢偏器4透射輸出，由第一廢光收集器收集。此時(shí)，消光比達(dá)100 I以上。如果存在退偏現(xiàn)象，部分退偏光為垂直偏振光經(jīng)第一、二檢偏器4，7反射，通過沒有旋光作用的電光晶體，再經(jīng)第三檢偏器8反射進(jìn)入第二廢光收集器10，實(shí)現(xiàn)低電平無光透過第三檢偏器8輸出，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)消光比達(dá)10000 I以上。如圖4，即低壓關(guān)斷模式。系統(tǒng)低壓指的是電壓為0V。最后所應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制。盡管參照實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對本發(fā)明的技術(shù)方 案進(jìn)行修改或者等同替換，都不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種可實(shí)現(xiàn)高消光比的雙電光開關(guān)裝置，包括依次設(shè)置于光路上的下列元件 1/2波片，適于將輸入的偏振光的相位旋轉(zhuǎn)； 起偏器，適于對所接收的偏振光根據(jù)其偏振態(tài)進(jìn)行選擇性輸出，并提高偏振光的偏振純度； 第一、二檢偏器,適于對所接收的偏振光根據(jù)其偏振態(tài)進(jìn)行選擇性輸出，并將廢光分別隔離輸出； 電光開關(guān)，所述電光開關(guān)包括一對電光開關(guān)晶體(電光晶體)和一個(gè)電光驅(qū)動電源，所述電光晶體適于在被施加電壓時(shí)將輸入的偏振光的相位旋轉(zhuǎn)31 ; 其特征在于所述電光驅(qū)動電源同時(shí)控制兩個(gè)電光晶體的高壓TTL信號，并周期性地施加半波電壓，使得經(jīng)電光晶體輸出的偏振光的偏振態(tài)發(fā)生周期性的改變； 所述的第一電光晶體在無高壓信號時(shí)，光完全通過第一檢偏器；有高壓信號時(shí)，無光通過第一檢偏器，實(shí)現(xiàn)第一次消光作用； 所述的第二電光晶體在無高壓信號時(shí)，光完全通過第二檢偏器；可用于快速激光打標(biāo)；有高壓信號時(shí)，無光通過第二檢偏器，實(shí)現(xiàn)第二次消光作用，即實(shí)現(xiàn)高壓關(guān)斷模式工作； 第一、二廢光收集器，適于接收廢光； 第三檢偏器，適于對所接收的偏振光根據(jù)其偏振態(tài)進(jìn)行選擇性輸出，提高偏振純度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1，其特征在于，起偏器，檢偏器可以采用高消光比的偏振分光棱鏡、偏振片，或者其他偏振器件，用于光的選偏裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1、2，其特征在于，檢偏器與起偏器均采用布氏角放置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3，其特征在于，檢偏器與起偏器的法線與光學(xué)平面(光學(xué)平臺)成布氏角放置，可實(shí)現(xiàn)垂直偏振光透射輸出，水平偏振光反射輸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3，其特征在于，檢偏器與起偏器的法線也可以平行于光學(xué)平面(光學(xué)平臺)放置，可實(shí)現(xiàn)水平偏振光透射輸出，垂直偏振光反射輸出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1，其特征在于，電光晶體可以是LiNbO3、一對RTP、LiTa03、KD*P、單BBO晶體或雙BBO晶體，用與作為電光開關(guān)的晶體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1，其特征在于，二分之一波片可以在其平面里360度旋轉(zhuǎn)，提供所需的偏振態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求I，其特征在于，第一廢光收集器用于收集第一檢偏器的反射光，第二廢光收集器用于接收第三檢偏器的反射光。
9.根據(jù)權(quán)利要求1，其特征在于，電光驅(qū)動電源的高壓信號上升沿、下降沿速度可達(dá)納秒量級，滿足工業(yè)激光打標(biāo)機(jī)對光開關(guān)的速度要求。
10.一種可實(shí)現(xiàn)高消光比的雙電光開關(guān)裝置，包括依次設(shè)置于光路上的下列元件 1/2波片,適于將輸入的偏振光的相位旋轉(zhuǎn)； 起偏器，適于對所接收的偏振光根據(jù)其偏振態(tài)進(jìn)行選擇性輸出，并提高偏振光的偏振純度； 第一、二檢偏器,適于對所接收的偏振光根據(jù)其偏振態(tài)進(jìn)行選擇性輸出； 電光開關(guān)，所述電光開關(guān)包括一對電光晶體和一個(gè)電光驅(qū)動電源，所述電光晶體適于在被施加電壓時(shí)將輸入的偏振光的相位旋轉(zhuǎn)31 ; 其特征在于所述電光驅(qū)動電源同時(shí)控制兩個(gè)電光晶體的高壓TTL信號，并周期性地施加半波電壓，使得經(jīng)電光晶體輸出的偏振光的偏振態(tài)發(fā)生周期性的改變； 所述的第一電光晶體在有高壓信號時(shí)，光完全通過第一檢偏器，可用于快速激光打標(biāo)；無高壓信號時(shí)，無光通過第一檢偏器，實(shí)現(xiàn)第一次消光作用； 所述的第二電光晶體在有高壓信號時(shí)，光完全通過第二檢偏器；可用于快速激光打標(biāo)；無高壓信號時(shí)，無光通過第二檢偏器，實(shí)現(xiàn)第二次消光作用，即低壓關(guān)斷模式工作； 第一、二廢光收集器，適于接收廢光； 第三檢偏器，適于對所接收的偏振光根據(jù)其偏振態(tài)進(jìn)行選擇性輸出，提高偏振純度。
全文摘要
本發(fā)明公開了可實(shí)現(xiàn)高消光比的雙電光開關(guān)裝置高消光比雙電光開關(guān)裝置，包括二分之一波片、起偏器，第一電光開關(guān)晶體，第一檢偏器，第一廢光收集器，第二電光開關(guān)晶體，第二檢偏器，第三檢偏器，第二廢光收集器及電光開關(guān)驅(qū)動控制電源，此裝置可實(shí)現(xiàn)高壓關(guān)斷、低壓關(guān)斷兩種工作模式。本發(fā)明采用雙電光開關(guān)，可以大大提高開關(guān)的消光比，系統(tǒng)消光比提高上百倍。滿足工業(yè)精細(xì)加工領(lǐng)域?qū)Ω呦鹊碾姽鈹夭ㄩ_關(guān)的需求。
文檔編號G02F1/03GK102928999SQ20121044219
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月8日
發(fā)明者麻云鳳, 余錦, 張雪, 牛崗, 樊仲維, 趙天卓, 楊軍紅 申請人:中國科學(xué)院光電研究院, 北京國科世紀(jì)激光技術(shù)有限公司