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面板外圍連接結(jié)構(gòu)及顯示裝置的制作方法

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專(zhuān)利名稱(chēng):面板外圍連接結(jié)構(gòu)及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種面板外圍連接結(jié)構(gòu)及顯示裝置。
背景技術(shù)
現(xiàn)在的薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay, TFT-IXD)技術(shù)為了生產(chǎn)出高品質(zhì)的產(chǎn)品,需要引入高精細(xì)化操作及新技術(shù),各層 之間的工藝及設(shè)計(jì)也更加復(fù)雜,因此使得工藝上的設(shè)計(jì)余量不足,而且容易產(chǎn)生產(chǎn)品不良而影響到產(chǎn)品的品質(zhì)。例如現(xiàn)在的高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Advanced super Dimension Switch,ADS)模式的TFT-LCD面板的外圍連接結(jié)構(gòu)(如圖I中的虛線圈所示,所述外圍連接結(jié)構(gòu)主要位于面板四個(gè)外角部需要實(shí)現(xiàn)柵極層公共電極連接部和源漏極層公共電極連接部連接的位置),如圖2和圖3所示,所述外圍連接結(jié)構(gòu)包括基板101上的柵極層公共電極連接部102、柵極絕緣層103、源漏極層公共電極連接部104、絕緣層(鈍化層)105和電極層106,利用過(guò)孔107 (Via Hole)來(lái)使得電極層106與柵極層公共電極連接部102和源漏極層公共電極連接部104電連接,以將信號(hào)輸出到周邊回路上。但是,由于該種TFT-IXD的構(gòu)造比較復(fù)雜、并且其各層之間結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的TN (Twisted Nematic)TFT-IXD的結(jié)構(gòu)不同,因此上述連接部分的不良(如面板的大面積化導(dǎo)致均勻性低下及剖面異常,使得電極層缺失而斷線)發(fā)生的可能性相當(dāng)大。由于上述不良的存在,在對(duì)之后的完成品進(jìn)行檢測(cè)時(shí)會(huì)誘發(fā)影響畫(huà)面等級(jí)的畫(huà)面泛綠(Greenish)等現(xiàn)象發(fā)生,成為降低產(chǎn)品品質(zhì)的原因之一。當(dāng)然,通過(guò)改善工藝的方式可以努力解決該問(wèn)題,但由于面板的大型化及工藝的平衡特性等原因,僅通過(guò)工藝改善要完全的解決該問(wèn)題有相當(dāng)大的難度。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陣列基板及顯示裝置,以改善由于連接不良而導(dǎo)致的顯示裝置畫(huà)面泛綠現(xiàn)象。(二)技術(shù)方案為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種面板外圍連接結(jié)構(gòu),包括形成在基板上的兩層信號(hào)輸出層、位于每層信號(hào)輸出層上的絕緣層以及設(shè)于最上層絕緣層上的第二電極層,所述第二電極層通過(guò)導(dǎo)電過(guò)孔分別與所述兩層信號(hào)輸出層導(dǎo)電連接,所述面板外圍連接結(jié)構(gòu)還包括位于一層所述信號(hào)輸出層下方的第一電極層,所述第一電極層具有橫向突出于上方的信號(hào)輸出層層面以外的外緣,所述第二電極層通過(guò)外圍導(dǎo)電過(guò)孔與所述第一電極層的外緣導(dǎo)電連接。優(yōu)選地,所述兩層信號(hào)輸出層包括柵極層公共電極連接部和源漏極層公共電極連接部。優(yōu)選地,所述第一電極層位于所述柵極層公共電極連接部下方。優(yōu)選地,所述第一電極層位于所述源漏極層公共電極連接部下方。
優(yōu)選地,所述第一電極層和第二電極層為銦錫氧化物半導(dǎo)體膜層。另一方面,本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括上述的面板外圍連接結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地,所述兩層信號(hào)輸出層包括柵極層公共電極連接部和源漏極層公共電極連接部。(三)有益效果本發(fā)明可以有效防止因?yàn)殡姌O層缺失等導(dǎo)致的外圍接觸不良問(wèn)題,進(jìn)而降低顯示器發(fā)生泛綠等現(xiàn)象的可能性,提高顯示器畫(huà)面品質(zhì);本發(fā)明應(yīng)用于ADS和HADS模式的TFT-IXD上時(shí),無(wú)需追加工藝流程即可實(shí)現(xiàn)。


圖I為面板外圍連接結(jié)構(gòu)在整個(gè)面板上的位置示意圖;圖2為現(xiàn)有技術(shù)面板外圍連接結(jié)構(gòu)的平面示意圖;圖3為圖2中A-A處的剖視結(jié)構(gòu)的剖視圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例一面板外圍連接結(jié)構(gòu)的平面示意圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例一面板外圍連接結(jié)構(gòu)的剖視圖;圖6為本發(fā)明實(shí)施例二面板外圍連接結(jié)構(gòu)的剖視圖;其中101 :基板;102 :柵極層公共電極連接部;103 :柵極絕緣層;104 :源漏極層公共電極連接部;105 :絕緣層;106 :電極層;107 :過(guò)孔;201 :基板;202 :柵極層公共電極連接部;203 :絕緣層;204 :源漏極層公共電極連接部;205 :第二電極層;206 :導(dǎo)電過(guò)孔;207 :第一電極層;207a :第一電極層外緣;208 :夕卜圍導(dǎo)電過(guò)孔;301 :基板;302 :柵極層公共電極連接部;303 :絕緣層;304 :源漏極層公共電極連接部;305 :第二電極層;306 :導(dǎo)電過(guò)孔;307 :第一電極層;307a :第一電極層外緣;308 :夕卜圍導(dǎo)電過(guò)孔。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明如下。實(shí)施例一如圖4和圖5所示,本實(shí)施例記載了一種面板外圍連接結(jié)構(gòu),包括形成在基板201上的兩層信號(hào)輸出層、位于每層信號(hào)輸出層上的絕緣層203以及設(shè)于最上層絕緣層203上的第二電極層205,所述第二電極層205通過(guò)導(dǎo)電過(guò)孔206分別與所述兩層信號(hào)輸出層導(dǎo)電連接,用于進(jìn)行面板與外圍電路的信號(hào)傳輸,所述面板外圍連接結(jié)構(gòu)還包括位于一層所述信號(hào)輸出層下方的第一電極層207,所述第一電極層207具有橫向突出于上方的信號(hào)輸出層層面以外的外緣207a,所述第二電極層205通過(guò)外圍導(dǎo)電過(guò)孔208與所述第一電極層207的外緣207a導(dǎo)電連接。在本實(shí)施例中,所述兩層信號(hào)輸出層包括柵極層公共電極連接部202和源漏極層公共電極連接部204。在本實(shí)施例中,所述第一電極層207位于所述柵極層公共電極連接部202下方。
在本實(shí)施例中,所述第一電極層207和第二電極層205為銦錫氧化物半導(dǎo)體膜層。本實(shí)施例中,即使第二電極層205與柵極層公共電極連接部202直接連接的導(dǎo)電過(guò)孔206部分產(chǎn)生不良,第二電極層205也可以通過(guò)外圍導(dǎo)電過(guò)孔208和第一電極層207與所述柵極層公共電極連接部202電連接,因此,可以防止第二電極層205與柵極層公共電極連接部202接觸不良所導(dǎo)致的泛綠等畫(huà)面品質(zhì)不良。實(shí)施例二 本實(shí)施例的面板外圍連接結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)基本相同,也包括形成在基板301上的柵極層公共電極連接部302和源漏極層公共電極連接部304、位于所述柵極層公共電極連接部302和源漏極層公共電極連接部304上的絕緣層303、設(shè)于最上層絕緣層303上的第二電極層305以及第一電極層307,所述第二電極層305通過(guò)導(dǎo)電過(guò)孔306分別與所述柵極層公共電極連接部302和源漏極層公共電極連接部304導(dǎo)電連接,所述第一電極層307具有橫向突出于上方的信號(hào)輸出層層面以外的外緣307a,所述第二電極層305通過(guò)外 圍導(dǎo)電過(guò)孔308與所述第一電極層307的外緣307a導(dǎo)電連接。與實(shí)施例一不同之處在于,如圖6所不,本實(shí)施例中所述第一電極層307位于所述源漏極層公共電極連接部304下方。本實(shí)施例中,即使第二電極層305與源漏極層公共電極連接部304直接連接的導(dǎo)電過(guò)孔部分產(chǎn)生不良,第二電極層305也可以通過(guò)外圍導(dǎo)電過(guò)孔308和第一電極層307與所述源漏極層公共電極連接部304電連接,因此,可以防止接觸不良所導(dǎo)致的泛綠等畫(huà)面品質(zhì)不良。當(dāng)然,除了實(shí)施例一和實(shí)施例二所示的結(jié)構(gòu)外,其它通過(guò)將兩層信號(hào)傳輸層部分重疊并用第二電極層進(jìn)行連接的所有結(jié)構(gòu)都可以適用,只要有空間使用第一電極層進(jìn)行設(shè)計(jì)即可。實(shí)施例三本實(shí)施例記載了一種顯示裝置,包括顯示面板,所述顯示面板包括實(shí)施例一所述的面板外圍連接結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中,所述顯示面板為ADS模式的液晶面板,所述第一電極層為位于所述柵極層公共電極連接部下方的公共電極層。實(shí)施例四本實(shí)施例記載了一種顯示裝置,包括顯示面板,所述顯示面板包括實(shí)施例二所述的面板外圍連接結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中,所述顯示面板為HADS模式的液晶面板,所述第一電極層為位于所述源漏極層公共電極連接部下方的像素電極層。通過(guò)實(shí)施例三和實(shí)施例四可以看出,本發(fā)明特別適合應(yīng)用于ADS和HADS模式的TFT-IXD上,因?yàn)樵贏DS模式的TFT-IXD的外圍連接結(jié)構(gòu)中本來(lái)就在柵極層公共電極連接部下設(shè)置有電極層作為公共電極,在HADS模式的TFT-LCD的外圍連接結(jié)構(gòu)中本來(lái)源漏極層公共電極連接部下也設(shè)置有電極層作為像素電極,因此對(duì)于本發(fā)明來(lái)說(shuō),加工時(shí)不需要追加工藝流程就可以形成所述第一電極層。以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明,而并非對(duì)本發(fā)明的限制,有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇,本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù) 范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種面板外圍連接結(jié)構(gòu),包括形成在基板上的兩層信號(hào)輸出層、位于每層信號(hào)輸出層上的絕緣層以及設(shè)于最上層絕緣層上的第二電極層,所述第二電極層通過(guò)導(dǎo)電過(guò)孔分別與所述兩層信號(hào)輸出層導(dǎo)電連接,其特征在于,所述面板外圍連接結(jié)構(gòu)還包括位于一層所述信號(hào)輸出層下方的第一電極層,所述第一電極層具有橫向突出于上方的信號(hào)輸出層層面以外的外緣,所述第二電極層通過(guò)外圍導(dǎo)電過(guò)孔與所述第一電極層的外緣導(dǎo)電連接。
2.如權(quán)利要求I所述的面板外圍連接結(jié)構(gòu),其特征在于,所述兩層信號(hào)輸出層包括柵極層公共電極連接部和源漏極層公共電極連接部。
3.如權(quán)利要求2所述的面板外圍連接結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一電極層位于所述柵極層公共電極連接部下方。
4.如權(quán)利要求2所述的面板外圍連接結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一電極層位于所述源漏極層公共電極連接部下方。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的面板外圍連接結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一電極層和第二電極層為銦錫氧化物半導(dǎo)體膜層。
6.一種顯示裝置,包括顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括權(quán)利要求I至5任一所述的面板外圍連接結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種面板外圍連接結(jié)構(gòu),包括形成在基板上的兩層信號(hào)輸出層、位于每層信號(hào)輸出層上的絕緣層以及設(shè)于最上層絕緣層上的第二電極層,所述第二電極層通過(guò)導(dǎo)電過(guò)孔分別與所述兩層信號(hào)輸出層導(dǎo)電連接,所述面板外圍連接結(jié)構(gòu)還包括位于一層所述信號(hào)輸出層下方的第一電極層,所述第一電極層具有橫向突出于上方的信號(hào)輸出層層面以外的外緣,所述第二電極層通過(guò)外圍導(dǎo)電過(guò)孔與所述第一電極層的外緣導(dǎo)電連接。本發(fā)明還公開(kāi)了一種包括上述連接結(jié)構(gòu)的顯示裝置。本發(fā)明可以改善由于連接不良而導(dǎo)致的顯示裝置畫(huà)面泛綠現(xiàn)象。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK102830563SQ201210330910
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月7日
發(fā)明者金相秦, 黃炳相 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司
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