專利名稱：電光裝置及投影型顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶裝置等的電光裝置、和具備該電光裝置的投影型顯示裝置。
背景技術(shù)：
各種的電光裝置中，液晶裝置，如圖9所示，具有設(shè)置多個像素電極1009a及開關(guān)元件(未圖示)的第I基板1010、和與第I基板1010相對配置的第2基板1020，在第I基板1010和第2基板1020之間設(shè)置作為電光物質(zhì)層的液晶層1050。另外，液晶裝置中，TN(Twisted Nematic :扭曲向列)模式和VA(Vertical Alignment :垂直取向)模式的液晶裝置中，在第2基板1020形成共用電極1021。在這樣的液晶裝置中，通過在共用電極1021和像素電極1009a之間控制液晶層1050的取向，調(diào)制從第2基板1020側(cè)入射的光，從第I基板1010作為顯示光出射。提出以下技術(shù)關(guān)于這樣的液晶裝置，在構(gòu)成第2基板1020的一部分的防塵玻璃 的一方的面上進行蝕刻而形成朝向像素電極1009a之間(像素間區(qū)域IOlOf)開口的斷面V字狀的溝槽1260之后，通過粘合劑1023粘貼透光性的蓋玻片1024，利用填充空氣的中空的溝槽1260的側(cè)面1261、1262作為反射面。根據(jù)這樣的技術(shù)，從第2基板1020側(cè)入射的光中，朝向像素電極1009a的光，如箭形符號Lll所示，原樣行進。另外，關(guān)于如箭形符號L12所示，關(guān)于朝向從像素電極1009a脫離的方向(朝向像素間區(qū)域IOlOf的方向)的光，如箭形符號L13所示，在溝槽1260的側(cè)面1261、1262反射，朝向像素電極1009a。因此，能向像素電極1009a效率很好地引導(dǎo)從第2基板1020側(cè)入射的光。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I特開2006-215427號公報通過專利文獻I中記載的技術(shù)為了提高光的利用效率，需要非常深地形成寬度尺寸狹窄的溝槽1260，但是在通過蝕刻形成溝槽1260的場合，25 μ m左右是界限。另外，如果通過蝕刻形成溝槽1260，則在溝槽1260的里面形成面狀的底部1264，向這樣的底部1264入射的光，由于不朝向像素電極1009a，所以無助于顯示。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問題，本發(fā)明的課題，提供一種電光裝置和具備該電光裝置的投影型顯示裝置，其改良了構(gòu)成反射部的溝槽的結(jié)構(gòu)，能效率更好地使入射的光朝向像素電極。為了解決上述課題，本發(fā)明涉及的電光裝置，其特征在于，包括第I基板，設(shè)置有多個像素電極及與上述多個像素電極的各個相對應(yīng)的開關(guān)元件；第2基板，與該第I基板相對配置；電光物質(zhì)層，設(shè)置于上述第I基板和上述第2基板之間；上述第I基板及上述第2基板中的一方的基板是透光性基板，其設(shè)置有第I溝槽，朝向上述多個像素電極中相鄰的像素電極之間開口 ；透光膜，在上述透光性基板的上述第I溝槽開口的基板面及上述第I溝槽側(cè)面，以與上述基板面重疊的部分的膜厚成為相比于與上述第I溝槽的側(cè)面重疊的部分的膜厚更厚的方式層疊，并且在與上述第I溝槽俯視重疊的區(qū)域形成比上述第I溝槽深且比該第I溝槽寬度窄的第2溝槽；密封層，以上述第2溝槽的內(nèi)部的折射率成為比上述透光膜的折射率小的方式堵塞上述第2溝槽。本發(fā)明中，第I基板及第2基板中的一方的基板是透光性基板，在這樣的透光性基板，形成朝向相鄰的像素電極之間開口的第I溝槽。另外，在透光性基板的第I溝槽開口的基板面及第I溝槽的側(cè)面形成透光膜，通過這樣的透光膜，在與第I溝槽俯視重疊的區(qū)域，形成比第I溝槽深且比第I溝槽寬度窄的第2溝槽。另外，第2溝槽內(nèi)的折射率比透光膜的折射率小。因此，能利用第2溝槽側(cè)面作為反射面，所以能使本應(yīng)朝向像素電極之間的光朝向像素電極。在這里，第2溝槽比通過蝕刻等形成的第I溝槽還深，反射面(側(cè)面)大。另外，第2溝槽的底部，比第I溝槽的底部窄，所以由于光入射在溝槽的底部引起的光的損失少。因此，能效率很好地使本應(yīng)朝向像素電極之間的光朝向像素電極，所以能提高有助于顯示的光量，能顯示明亮的圖像。 本發(fā)明中，優(yōu)選地，上述第I溝槽的側(cè)面及上述第2溝槽的側(cè)面成為向上述相鄰的像素電極之間傾斜的斜面。根據(jù)這樣的構(gòu)成，在溝槽的側(cè)面反射本應(yīng)朝向像素電極之間的光，能效率很好地使之朝向像素電極。本發(fā)明中，優(yōu)選地，上述透光膜的與上述第I溝槽的側(cè)面重疊的部分的膜厚，從上述第I溝槽的開口部側(cè)向該第I溝槽的底部變薄。根據(jù)這樣的構(gòu)成，能使第2溝槽的側(cè)面與相對于基板面的法線方向所成的角度，比第I溝槽的側(cè)面與相對于基板面的法線方向所成的角度還小。本發(fā)明中，優(yōu)選地，上述第2溝槽的側(cè)面具有在底部側(cè)面之間連接的斷面V字形狀。根據(jù)這樣的構(gòu)成，比形成的第I溝槽深，反射面(側(cè)面)大。另外，第2溝槽的底部能將光向第2溝槽的底部入射的量抑制到最小限度。本發(fā)明中，優(yōu)選地，上述透光膜是硅酸鹽玻璃。即，上述透光膜，優(yōu)選地，是使用四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)作為原料氣體的玻璃(硅氧化膜)。根據(jù)這樣的構(gòu)成，因為成膜時的覆蓋性高，所以在透光性基板的基板面及第I溝槽側(cè)面成膜時，適合形成比第I溝槽深且比第I溝槽寬度窄的第2溝槽。本發(fā)明中，優(yōu)選地，上述第2溝槽的內(nèi)部是中空。根據(jù)這樣的構(gòu)成，能將中空的第2溝槽的側(cè)面作為反射率高的反射面。本發(fā)明中，優(yōu)選地，上述第2溝槽的內(nèi)部是真空狀態(tài)。根據(jù)這樣的構(gòu)成，能容易地實現(xiàn)在真空氣氛中成膜而僅形成密封層。本發(fā)明中，上述第I溝槽及上述第2溝槽能采用設(shè)置于上述第2基板的構(gòu)成。根據(jù)這樣的構(gòu)成，能采用光從第2基板側(cè)入射的構(gòu)成，存在光難向開關(guān)元件入射這樣的優(yōu)點。這個場合，上述像素電極及上述第I基板能采用有透光性的構(gòu)成。根據(jù)這樣的構(gòu)成，能構(gòu)成透射型的電光裝置。優(yōu)選地，在投影型顯示裝置中使用本發(fā)明涉及的電光裝置，這個場合，投影型顯示裝置，包括光源部，出射從上述一方的基板向上述電光裝置入射的光；和投影光學(xué)系統(tǒng)，對通過上述電光裝置調(diào)制的光進行投影。在投影型顯示裝置的場合，特別地，要求入射光的利用效率高，所以在電光裝置中適用本發(fā)明的場合的效果顯著。


圖I是適用本發(fā)明的投影型顯示裝置的概略構(gòu)成圖。圖2是表示如圖I表示的投影型顯示裝置中液晶光閥(電光裝置/液晶裝置)中適用的液晶面板的基本構(gòu)成的說明圖。圖3是表示本發(fā)明的實施方式I涉及的電光裝置中使用的液晶面板的具體的構(gòu)成例的說明圖。圖4是本發(fā)明的實施方式I涉及的電光裝置的像素的說明圖。圖5是本發(fā)明的實施方式I涉及的電光裝置的第2基板中形成的反射部的說明 圖。圖6是表示本發(fā)明的實施方式I涉及的電光裝置的制造方法的說明圖。圖7是表示本發(fā)明的實施方式2涉及的電光裝置的第2基板中形成的反射部的說明圖。圖8是表示本發(fā)明的實施方式3涉及的電光裝置的第2基板中形成的反射部的說明圖。圖9是現(xiàn)有的電光裝置的第2基板中形成的反射部的說明圖。符號的說明9a · ·像素電極，10 · ·第I基板，IOf · ·像素間區(qū)域(像素電極之間)，20 · ·第2基板，20w · ·基板主體(透光性基板)，23 · ·粘合劑，24 · ·透光性的基板(密封層)，25 · ·透光膜，26 · ·反射部，27 · ·密封膜(密封層)，100 · ·電光裝置，260 · 第I溝槽，261、262 · 第I溝槽的側(cè)面，263 · 第I溝槽的開口部，264 · 第I溝槽的底部，265 · 第2溝槽，266、267 · 第2溝槽的側(cè)面，268 · 第2溝槽的開口部
具體實施例方式參照附圖，說明使用了適用本發(fā)明的電光裝置(液晶裝置)的投影型顯示裝置、電光裝置、和電光裝置的制造方法。再者，在以以下的說明進行參照的附圖中，為了使各層、各構(gòu)件成為在圖面上可以識別的程度的大小，每各層、各構(gòu)件地使比例尺不同。實施方式I(投影型顯示裝置的構(gòu)成)參照圖1，說明將本發(fā)明的實施方式I涉及的電光裝置用作光閥的投影型顯示裝置。圖I是適用本發(fā)明的投影型顯示裝置的概略構(gòu)成圖。在圖1，投影型顯示裝置110是向設(shè)置于觀察者側(cè)的屏幕111照射光，觀察用這個屏幕111反射的光的所謂投影型的投影型顯示裝置。投影型顯示裝置110具備包含光源112的光源部130，分色鏡113、114，液晶光閥115 117 (電光裝置100/液晶裝置)，投影光學(xué)系統(tǒng)118，交叉分色棱鏡119和中繼系統(tǒng)120。光源112通過供給含有紅色光、綠色光及藍色光的光的超高壓水銀燈構(gòu)成。分色鏡113構(gòu)成為，使來自光源112的紅色光透過并且反射綠色光及藍色光。另外，分色鏡114構(gòu)成為，使用分色鏡113反射的綠色光及藍色光中的藍色光透過并且反射綠色光。這樣，分色鏡113、114構(gòu)成將從光源112出射的光分離成紅色光和綠色光和藍色光的色分離光學(xué)系統(tǒng)。
在這里，在分色鏡113與光源112之間，從光源112按順序配置積分器121及偏振變換元件122。積分器121構(gòu)成為，均勻化從光源112照射的光的發(fā)光強度分布。另外，偏振變換元件122構(gòu)成為，將來自光源112的光變?yōu)槔鐂偏振光那樣具有特定的振動方向的偏振光。液晶光閥115是按照圖像信號調(diào)制透過分色鏡113并在反射鏡123反射的紅色光的透射型的電光裝置100。液晶光閥115具備λ /2相位差板115a、第I偏振板115b、液晶面板115c和第2偏振板115d。在這里，向液晶光閥115入射的紅色光，盡管透過分色鏡113但光的偏振不變，所以為s偏振光不變。λ /2相位差板115a是將向液晶光閥115入射的s偏振光變換成P偏振光的光學(xué)元件。另外，第I偏振板115b是遮斷s偏振光使P偏振光透過的偏振板。并且，液晶面板115c構(gòu)成為，通過按照圖像信號的調(diào)制將P偏振光變換為s偏振光(如果為中間調(diào)，則圓偏振光或橢圓偏振光)。并且，第2偏振板115d是遮斷P偏振光使s偏振光透過的偏振板。因此，液晶光閥115構(gòu)成為，按照圖像信號調(diào)制紅色光，向交叉分色棱鏡119出射調(diào)制的紅 色光。λ/2相位差板115a和第I偏振板115b,以與不變換偏振光的透光性的玻璃板115e相接的狀態(tài)來配置，能夠避免λ /2相位差板115a和第I偏振板115b因發(fā)熱而變形。液晶光閥116，是按照圖像信號調(diào)制以分色鏡113反射之后以分色鏡114反射的綠色光的透射型的電光裝置100。并且，液晶光閥116，與液晶光閥115同樣，具有第I偏振板116b、液晶面板116c、和第2偏振板116d。向液晶光閥116入射的綠色光，是以分色鏡113、114反射并入射的s偏振光。第I偏振板116b,是遮斷P偏振光使s偏振光透過的偏振板。此外，液晶面板116c構(gòu)成為，通過按照圖像信號的調(diào)制將s偏振光變換為P偏振光(如果為中間調(diào)，則圓偏振光或橢圓偏振光)。并且，第2偏振板116d，是遮斷s偏振光使P偏振光透過的偏振板。因此，液晶光閥116構(gòu)成為，按照圖像信號調(diào)制綠色光，向交叉分色棱鏡119出射調(diào)制的綠色光。液晶光閥117，是按照圖像信號調(diào)制以分色鏡113反射，透過分色鏡114之后經(jīng)過中繼系統(tǒng)120的藍色光的透射型的電光裝置100。并且，液晶光閥117，與液晶光閥115、116同樣，具有λ/2相位差板117a、第I偏振板117b、液晶面板117c、和第2偏振板117d。在這里，向液晶光閥117入射的藍色光，以分色鏡113反射并透過分色鏡114之后以中繼系統(tǒng)120的后述的2個反射鏡125a、125b反射,所以成為s偏振光。λ /2相位差板117a,是將向液晶光閥117入射的s偏振光變換為P偏振光的光學(xué)元件。此外，第I偏振板117b，是遮斷s偏振光使P偏振光透過的偏振板。并且，液晶面板117c構(gòu)成為，通過按照圖像信號的調(diào)制將P偏振光變換為s偏振光(如果為中間調(diào)，則圓偏振光或橢圓偏振光)。并且，第2偏振板117d,是遮斷P偏振光使s偏振光透過的偏振板。因此，液晶光閥117構(gòu)成為，按照圖像信號調(diào)制藍色光，向交叉分色棱鏡119出射調(diào)制的藍色光。再者，λ /2相位差板117a和第I偏振板117b，以接觸玻璃板117e的狀態(tài)來配置。中繼系統(tǒng)120，具有中繼透鏡124a、124b和反射鏡125a、125b。中繼透鏡124a、124b，被設(shè)置以防止由于藍色光的光路長引起的光損失。這里，中繼透鏡124a，配置在分色鏡114與反射鏡125a之間。此外，中繼透鏡124b，配置在反射鏡125a、125b之間。反射鏡125a配置為，將透過分色鏡114從中繼透鏡124a出射的藍色光向中繼透鏡124b反射。此夕卜，反射鏡125b配置為，將從中繼透鏡124b出射的藍色光向液晶光閥117反射。交叉分色棱鏡119，是將2個分色膜119a、119b以X字型正交配置的色合成光學(xué)系統(tǒng)。分色膜119a是反射藍色光而透過綠色光的膜，分色膜119b是反射紅色光而透過綠色光的膜。因此，交叉分色棱鏡119構(gòu)成為，合成以液晶光閥115 117分別調(diào)制的紅色光和綠色光和藍色光，向投影光學(xué)系統(tǒng)118出射。再者，從液晶光閥115、117向交叉分色棱鏡119入射的光是s偏振光,從液晶光閥116向交叉分色棱鏡119入射的光是P偏振光。這樣，向交叉分色棱鏡119入射的光成為不同的種類的偏振光，可在交叉分色棱鏡119合成從各液晶光閥115 117入射的光。在這里，一般地，分色膜119a、119b在s偏振光的反射晶體管特性優(yōu)異。因此，將以分色膜119a、119b反射的紅色光及藍色光設(shè)為s偏振光,將透過分色膜119a、119b的綠色光設(shè)為p偏振光。投影光學(xué)系統(tǒng)118，具有投影透鏡(圖示省略)，構(gòu)成為將以交叉分色棱鏡119合成的光向屏幕111投影。 在這樣構(gòu)成的投影型顯示裝置110中，要求從光源112出射的光的利用效率高，所以關(guān)于作為液晶光閥115 117的電光裝置100采用在以下說明的構(gòu)成。(電光裝置100的全部構(gòu)成)圖2是表示如圖I表示的投影型顯示裝置中液晶光閥(電光裝置100/液晶裝置)中使用的液晶面板的基本構(gòu)成的說明圖，圖2(a)、(b)是模式地表示液晶面板的基本的結(jié)構(gòu)的說明圖，和表示電光裝置100的電構(gòu)成的方塊圖。再者，圖I表示的液晶光閥115 117及液晶面板115c 117c，僅調(diào)制的光的波長區(qū)域不同，基本的構(gòu)成相同，所以將液晶光閥115 117作為電光裝置100，將液晶面板115c 117c作為液晶面板IOOp說明。如圖2(a)所示，電光裝置100具有TN(Twisted Nematic :扭曲向列)模式或VA(Vertical Alignment :垂直取向)模式的液晶面板100p。液晶面板IOOp是具有第I基板10、與這個第I基板10相對(對置)的第2基板20，調(diào)制從第2基板20側(cè)入射的光并從第I基板10側(cè)出射的透射型的液晶面板。第I基板10和第2基板20經(jīng)由密封材料(未圖示)貼合并對置，在密封材料的內(nèi)側(cè)區(qū)域保持液晶層50。詳情后述，但是，在第I基板10中與第2基板20相對的面?zhèn)刃纬蓫u狀的像素電極9a等，在第2基板20中與第I基板10相對的面?zhèn)?，在其基本整面上形成共用電極21。另外，在第2基板20上，構(gòu)成利用后述的第I溝槽260及第2溝槽265的反射部26。如圖2(b)所示，在本方式的電光裝置100中，液晶面板IOOp在其中央?yún)^(qū)域具備矩陣狀地排列多個像素IOOa的圖像顯示區(qū)域IOa(像素區(qū)域)。在液晶面板IOOp中，在第I基板10 (參照圖2等)，在圖像顯示區(qū)域IOa的內(nèi)側(cè)多條數(shù)據(jù)線6a及多條掃描線3a縱橫地延伸，在對應(yīng)于它們的交點的位置構(gòu)成像素100a。在多個像素IOOa的各自，形成包括場效應(yīng)型晶體管的像素晶體管30 (開關(guān)元件)及像素電極9a(參照圖2等)。在像素晶體管30的源極電連接數(shù)據(jù)線6a，在像素晶體管30的柵極電連接掃描線3a，在像素晶體管30的漏極，電連接像素電極9a。在第I基板10中，在比圖像顯示區(qū)域IOa靠外周側(cè)設(shè)置掃描線驅(qū)動電路104、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101。數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101電連接于各數(shù)據(jù)線6a，將從圖像處理電路供給的圖像信號依次供給于各數(shù)據(jù)線6a。掃描線驅(qū)動電路104電連接于各掃描線3a，將掃描信號依次供給于各掃描線3a。
在各像素IOOa中，像素電極9a與形成于第2基板20的共用電極21 (參照圖2等)隔著液晶層50而對置，并構(gòu)成液晶電容50a。并且，在各像素100a，為了防止以液晶電容50a保持的圖像信號的變動，與液晶電容50a并聯(lián)地附加存儲電容55。在本方式中，為了構(gòu)成存儲電容55，跨多個像素IOOa的第I電極層5a形成為電容電極層。在本方式中，第I電極層5a導(dǎo)通于施加共用電位Vcom的共用電位線5c。(電光裝置100的具體的構(gòu)成例)圖3是表示本發(fā)明的實施方式I涉及的電光裝置100中使用的液晶面板IOOp的具體的構(gòu)成例的說明圖，圖3(a)、(b)分別是與各構(gòu)成要素一起從第2基板側(cè)看液晶面板IOOp的俯視圖及其H-Hi斷面圖。再者，圖3(b)省略后述的反射部26的圖示。如圖3(a)、(b)所示，在液晶面板IOOp中，第I基板10與第2基板20隔著預(yù)定的間隙通過密封材料107而貼合，密封材料107沿著第2基板20的外緣地設(shè)置為框狀。密封材料107為包括光固化性樹脂和/或熱固化性樹脂等的粘接劑，摻合用于使兩基板間的距 離成為預(yù)定值的玻璃纖維或者玻璃珠等的間隙材料。在如此的構(gòu)成的液晶面板IOOp中，第I基板10及第2基板20均為四邊形，在液晶面板IOOp的基本中央，參照圖2進行了說明的圖像顯示區(qū)域IOa設(shè)置為四邊形的區(qū)域。對應(yīng)于如此的形狀，密封材料107也設(shè)置為基本四邊形，在密封材料107的內(nèi)周緣與圖像顯示區(qū)域IOa的外周緣之間，基本四邊形的周邊區(qū)域IOb設(shè)置為框緣狀。在第I基板10中，在圖像顯示區(qū)域IOa的外側(cè)，沿著第I基板10的一條邊形成數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101及多個端子102，沿著相鄰于該一條邊的另一條邊形成掃描線驅(qū)動電路104。還有，在端子102，連接柔性布線基板(未圖示)，在第I基板10，經(jīng)由柔性布線基板輸入各種電位和/或各種信號。雖然詳情后述，但是在第I基板10的一方的面IOs及另一方的面IOt之中的一方的面IOs側(cè)，在圖像顯示區(qū)域10a，矩陣狀地形成參照圖2進行了說明的像素晶體管30及電連接于像素晶體管30的像素電極9a，在如此的像素電極9a的上層側(cè)形成取向膜19。并且，在第I基板10的一方的面IOs側(cè)，在周邊區(qū)域10b，形成與像素電極9a同時形成的虛設(shè)像素電極9b(參照圖3(b))。關(guān)于虛設(shè)像素電極％，可采用與虛設(shè)的像素晶體管電連接的構(gòu)成、不設(shè)置虛設(shè)的像素晶體管而直接電連接于布線的構(gòu)成或者處于未施加電位的浮置狀態(tài)的構(gòu)成。如此的虛設(shè)像素電極9b當在第I基板10中使形成取向膜19的面通過研磨平坦化時，對圖像顯示區(qū)域IOa與周邊區(qū)域IOb的高度位置進行壓縮，有助于使形成取向膜19的面成為平坦面。并且，如果將虛設(shè)像素電極9b設(shè)定為預(yù)定的電位，則能夠防止在圖像顯示區(qū)域IOa的外周側(cè)端部的液晶分子的取向的紊亂。在第2基板20的一方的面20s和另一方的面20t中，與第I基板10對置的一方的面20s側(cè)形成共用電極21，在共用電極21的上層形成取向膜29。共用電極21在第2基板20的基本整面形成或者作為多個帶狀電極跨多個像素IOOa而形成。在本方式中，共用電極21形成于第2基板20的基本整面。另外，在第2基板20的一方的面20s側(cè)，沿著圖像顯示區(qū)域IOa的外周緣形成框緣狀的遮光層108，這樣的遮光層108，作為分隔而起作用。在這里，遮光層108的外周緣位于在與密封材料107的內(nèi)周緣之間隔開間隙的位置，遮光層108與密封材料107不相重疊。在如此地構(gòu)成的液晶面板IOOp中，在第I基板10，在比密封材料107靠外側(cè)與第2基板20的角部分重疊的區(qū)域，形成用于在第I基板10與第2基板20之間取得電導(dǎo)通的基板間導(dǎo)通用電極109。在如此的基板間導(dǎo)通用電極109，配置包括導(dǎo)電微粒的基板間導(dǎo)通材料109a，第2基板20的共用電極21經(jīng)由基板間導(dǎo)通材料109a及基板間導(dǎo)通用電極109電連接于第I基板10側(cè)。因此，共用電極21從第I基板10側(cè)被施加共用電位Vcom。密封材料107以基本相同的寬度尺寸沿著第2基板20的外周緣而設(shè)置。因此，密封材料107基本為四邊形。但是，密封材料107設(shè)置為，在與第2基板20的角部分重疊的區(qū)域中避開基板間導(dǎo)通用電極109而通過內(nèi)側(cè)，密封材料107的角部分基本為圓弧狀。在如此的構(gòu)成的電光裝置100中，若通過ITO (Indium Tin Oxide，氧化銦錫)和/或IZ0(Indium Zinc Oxide,氧化銦鋅)等的透光性的導(dǎo)電膜形成像素電極9a及共用電極21，則能夠構(gòu)成透射型的液晶裝置。相對于此，若通過ITO和/或IZO等的透光性導(dǎo)電膜形成共用電極21，并通過鋁等的反射性導(dǎo)電膜形成像素電極9a，則能夠構(gòu)成反射型的液晶裝置。在電光裝置100為反射型的情況下，從第2基板20側(cè)入射的光在以第I基板10側(cè)的基板進行反射并出射的期間被調(diào)制而對圖像進行顯示。在電光裝置100為透射型的情況下，從第I基板10及第2基板20之中的一方側(cè)的基板入射的光在透射另一方側(cè)的基板并出射 的期間被調(diào)制而對圖像進行顯示。電光裝置100能夠用作移動電子計算機、便攜電話機等的電子設(shè)備的彩色顯示裝置，該情況下，在第2基板20，形成濾色器(未圖示)和/或保護膜。并且，在電光裝置100中，相應(yīng)于使用的液晶層50的種類和/或常白模式/常黑模式的類別，相位差膜和/或偏振板等相對于液晶面板IOOp配置為預(yù)定的朝向。在本方式中，電光裝置100，在參照圖I說明的投影型顯示裝置(液晶投影機)中，用作RGB用的光閥。該情況下，在RGB用的各電光裝置100的各自，將經(jīng)由RGB色分解用的分色鏡分解的各顏色的光作為投影光分別入射，所以不用形成濾色器。以下，以電光裝置100是透射型的液晶裝置，從第2基板20入射的光透射第I基板10而出射的情況為中心進行說明。并且，在本方式中，以電光裝置100具備作為液晶層50采用介電各向異性為負的向列液晶化合物的VA模式的液晶面板IOOp的情況為中心進行說明。(像素的具體的構(gòu)成)圖4是本發(fā)明的實施方式I涉及的電光裝置100的像素的說明圖，圖4(a)、(b)分別是在第I基板10中相鄰的像素的俯視圖及在相當于圖4(a)的F— F'線的位置對電光裝置100進行了剖切時的斷面圖。還有，在圖4(a)中，用以下的線表示各區(qū)域。掃描線3a =粗的實線半導(dǎo)體層Ia =細而短的虛線數(shù)據(jù)線6a及漏電極6b = —點劃線第I電極層5a及中繼電極5b =細而長的虛線第2電極層7a = 二點劃線像素電極9a =粗而短的虛線如圖4(a)所示，在第I基板10，在多個像素IOOa的各自形成矩形狀的像素電極9a，沿著與通過相鄰的像素電極9a夾持的縱橫的像素間區(qū)域IOf重疊的區(qū)域形成數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a。更具體地，像素間區(qū)域IOf之中，掃描線3a沿著與沿掃描線3a延伸的第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域延伸，并且數(shù)據(jù)線6a沿著與沿數(shù)據(jù)線6a延伸的第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸。數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a分別直線性地延伸，在數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a相交叉的區(qū)域形成像素晶體管30。在第I基板10，與數(shù)據(jù)線6a重疊地，形成參照圖2(b)進行了說明的第I電極層5a(電容電極層)。如圖4(a)、(b)所示，第I基板10以石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主體10w、形成于基板主體IOw的液晶層50側(cè)的表面(一方的面IOs側(cè))的像素電極9a、像素開關(guān)用的像素晶體管30及取向膜19為主體而構(gòu)成。第2基板20以石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主體20w、形成于其液晶層50側(cè)的表面(與第I基板10對置的一方的面20s側(cè))的共用電極21及取向膜29為主體而構(gòu)成。在第I基板10中，在基板主體IOw的一方的面IOs側(cè)，形成包括導(dǎo)電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等的導(dǎo)電膜的掃描線3a。在本方式中，掃描線3a由鎢硅化物(WSi)等的遮光性導(dǎo)電膜構(gòu)成，也作為對于像素晶體管30的遮光膜而起作 用。在本方式中，掃描線3a由膜厚為200nm程度的鎢硅化物構(gòu)成。還有，在基板主體IOw與掃描線3a之間，有時也設(shè)置氧化硅膜等的絕緣膜。在基板主體IOw的一方的面IOs側(cè)，在掃描線3a的上層側(cè)，形成氧化硅膜等的絕緣膜12，在如此的絕緣膜12的表面，形成具備半導(dǎo)體層Ia的像素晶體管30。在本方式中，絕緣膜12例如具有通過采用四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)的減壓CVD (Chemical VaporDeposition :化學(xué)氣相沉積)法和/或采用四乙氧基娃燒與氧氣的等離子CVD法等形成的氧化娃膜和通過高溫CVD法形成的氧化娃膜(HT0(High Temperature Oxide :高溫氧化物)膜)的2層結(jié)構(gòu)。像素晶體管30具備半導(dǎo)體層Ia和柵電極3c，所述半導(dǎo)體層Ia在掃描線3a與數(shù)據(jù)線6a的交叉區(qū)域中使長邊方向朝向掃描線3a的延伸方向；所述柵電極3c延伸于與半導(dǎo)體層Ia的長度方向正交的方向而重疊于半導(dǎo)體層Ia的長度方向的中央部分。并且，像素晶體管30在半導(dǎo)體層Ia與柵電極3c之間具有透光性的柵絕緣層2。半導(dǎo)體層Ia具備相對于柵電極3c隔著柵絕緣層2對置的溝道區(qū)域lg，并且在溝道區(qū)域Ig的兩側(cè)具備源區(qū)域Ib及漏區(qū)域lc。在本方式中，像素晶體管30具有LDD結(jié)構(gòu)。從而，源區(qū)域Ib及漏區(qū)域Ic分別在溝道區(qū)域Ig的兩側(cè)具備低濃度區(qū)域lbl、Icl，在相對于低濃度區(qū)域IblUcl與溝道區(qū)域Ig相反側(cè)相鄰的區(qū)域具備高濃度區(qū)域Ib2、lc2。半導(dǎo)體層Ia通過多晶硅膜等構(gòu)成。柵絕緣層2包括由使半導(dǎo)體層Ia熱氧化而成的氧化硅膜構(gòu)成的第I柵絕緣層2a和由通過CVD法等形成的氧化硅膜等構(gòu)成的第2柵絕緣層2b的2層結(jié)構(gòu)。柵電極3c包括導(dǎo)電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等的導(dǎo)電膜，在半導(dǎo)體層Ia的兩側(cè)，經(jīng)由貫通第2柵絕緣層2b及絕緣膜12的接觸孔12a、12b導(dǎo)通于掃描線3a。在本方式中，柵電極3c具有膜厚為IOOnm程度的導(dǎo)電性的多晶硅膜和膜厚為IOOnm程度的硅化鎢膜的2層結(jié)構(gòu)。還有，在本方式中，當透射電光裝置100之后的光以其他構(gòu)件進行了反射時，以防止如此的反射光入射于半導(dǎo)體層Ia而在像素晶體管30產(chǎn)生起因于光電流的誤工作為目的，通過遮光膜形成掃描線3a。但是，也可以在柵絕緣層2的上層形成掃描線，并使其一部分成為柵電極3c。該情況下，如圖4所示的掃描線3a僅以遮光為目的而形成。在柵電極3c的上層側(cè)形成包括氧化硅膜等的透光性的層間絕緣膜41，在層間絕緣膜41的上層，通過相同導(dǎo)電膜形成數(shù)據(jù)線6a及漏電極6b。層間絕緣膜41例如包括通過采用硅烷氣體(SH4)與一氧化二氮(N2O)的等離子CVD法等形成的氧化硅膜等。數(shù)據(jù)線6a及漏電極6b包括導(dǎo)電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等的導(dǎo)電膜。在本方式中，數(shù)據(jù)線6a及漏電極6b具有將膜厚為20nm的鈦(Ti)膜、膜厚為50nm的氮化鈦(TiN)膜、膜厚為350nm的鋁(Al)膜和膜厚為150nm的TiN膜按該順序進行疊層而形成的4層結(jié)構(gòu)。數(shù)據(jù)線6a經(jīng)由貫通層間絕緣膜41及第2柵絕緣層2b的接觸孔41a導(dǎo)通于源區(qū)域Ib (數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域)。漏電極6b在與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域中形成為，一部分與半導(dǎo)體層Ia的漏區(qū)域Ic (像素電極側(cè)源漏區(qū)域)重疊，經(jīng)由貫通層間絕緣膜41及第2柵絕緣層2b的接觸孔41b導(dǎo)通于漏區(qū)域lc。在數(shù)據(jù)線6a及漏電極6b的上層側(cè)形成包括氧化硅膜等的透光性的層間絕緣膜42。層間絕緣膜42例如包括通過采用四乙氧基硅烷與氧氣的等離子CVD法等形成的氧化硅膜等。在層間絕緣膜42的上層側(cè)，第I電極層5a及中繼電極5b通過相同導(dǎo)電膜形成。 第I電極層5a及中繼電極5b包括導(dǎo)電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等的導(dǎo)電膜。在本方式中，第I電極層5a及中繼電極5b具有膜厚為200nm程度的Al膜和膜厚為IOOnm程度的TiN膜的2層結(jié)構(gòu)。第I電極層5a與數(shù)據(jù)線6a同樣，沿著與第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸。中繼電極5b在與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域中形成為，一部分與漏電極6b重疊，經(jīng)由貫通層間絕緣膜42的接觸孔42a導(dǎo)通于漏電極6b。在第I電極層5a及中繼電極5b的上層側(cè)形成氧化硅膜等的層間絕緣膜44作為蝕刻停止層，在如此的層間絕緣膜44，在與第I電極層5a重疊的區(qū)域形成開口部44b。在本方式中，層間絕緣膜44包括通過采用四乙氧基硅烷與氧氣的等離子CVD法等形成的氧化硅膜等。在此，開口部44b雖然在圖4(a)中將圖示進行省略，但是形成為具備以數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉區(qū)域為起點沿著與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域延伸的部分和以數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉區(qū)域為起點沿著與第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸的部分的L字形狀。在層間絕緣膜44的上層側(cè)形成透光性的電介質(zhì)層40，在如此的電介質(zhì)層40的上層側(cè)形成第2電極層7a。第2電極層7a包括導(dǎo)電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等的導(dǎo)電膜。在本方式中，第2電極層7a包括膜厚為IOOnm程度的TiN膜。作為電介質(zhì)層40，除了能夠采用氧化硅膜和/或氮化硅膜等的硅化合物以外，還能夠采用氧化鋁膜、氧化鈦膜、氧化鉭膜、氧化鈮膜、氧化鉿膜、氧化鑭膜和氧化鋯膜等的高介電系數(shù)的電介質(zhì)層。第2電極層7a形成為具備以數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉區(qū)域為起點沿著與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域延伸的部分和以數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉區(qū)域為起點沿著與第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸的部分的L字形狀。從而，第2電極層7a之中的沿著與第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸的部分在層間絕緣膜44的開口部44b中，隔著電介質(zhì)層40重疊于第I電極層5a。如此地，在本方式中，第I電極層5a、電介質(zhì)層40及第2電極層7a在與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域構(gòu)成存儲電容55。并且，在第2電極層7a中，沿著與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域延伸的部分與中繼電極5b部分性地重疊，經(jīng)由貫通電介質(zhì)層40及層間絕緣膜44的接觸孔44a導(dǎo)通于中繼電極5b。在第2電極層7a的上層側(cè)形成透光性的層間絕緣膜45，在層間絕緣膜45的上層偵牝形成包括膜厚為140nm程度的ITO膜等的透光性導(dǎo)電膜的像素電極9a。像素電極9a在數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉區(qū)域的附近與第2電極層7a部分性地重疊，經(jīng)由貫通層間絕緣膜45的接觸孔45a導(dǎo)通于第2電極層7a。在像素電極9a的表面形成取向膜19。取向膜19包括聚酰亞胺等的樹脂膜或者氧化硅膜等的斜向蒸鍍膜。在本方式中，取向膜19為包括SiOxU < 2)、SiO2、TiO2、MgO,A1203、ln203、Sb2O3> Ta2O5等的斜向蒸鍍膜的無機取向膜(垂直取向膜)。在第2基板20中，在石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主體20w的液晶層50側(cè)的表面(對置于第I基板10側(cè)的面)，形成包括ITO膜等的透光性導(dǎo)電膜的共用電極21，覆蓋如此的共用電極21地形成取向膜29。取向膜29與取向膜19同樣，包括聚酰亞胺等的樹脂膜、或者氧化硅膜等的斜向蒸鍍膜。在本方式中，取向膜29為包括SiOx(X < 2)、Si02、Ti02、Mg0、Al203、In203、Sb203、Ta2O5等的斜向蒸鍍膜的無機取向膜(垂直取向膜)。如此的取向膜19、29使液晶層50所使用的介電各向異性為負的向列液晶化合物垂直取向，液 晶面板IOOp作為常黑的VA模式工作。在此，在第2基板20的基板主體20w上，構(gòu)成具備參照圖5等在以下說明的第I溝槽260及第2溝槽265的反射部26，對這樣的反射部26在第I基板10側(cè)形成共用電極21和取向膜29。(第2基板20的詳細構(gòu)成)圖5是本發(fā)明的實施方式I涉及的電光裝置100的第2基板20中形成的反射部26的說明圖，圖5 (a)、(b)是第2基板20的斷面圖，和表示反射部26的平面構(gòu)成的說明圖。再者，圖5(a)中，省略第I基板10側(cè)的取向膜19等的圖示。如圖5(a)、(b)所示，在本方式的電光裝置100，將從第2基板20側(cè)入射的光通過液晶層50每像素地光調(diào)制之后，從第I基板10出射。因此，為了效率很好地利用入射光，需要效率很好地向像素電極9a引導(dǎo)入射光。因此，在本方式中，形成將從第2基板20側(cè)入射的光中，本應(yīng)朝向像素電極9a之間(像素間區(qū)域IOf)的光向像素電極9a反射的反射部26。在本方式中，反射部26，在第2基板20的基板主體20w (透光性基板)的一方的面20s側(cè)，以格子狀形成沿著與像素電極9a之間(像素間區(qū)域IOf)俯視重疊的區(qū)域延伸的第I溝槽260，第I溝槽260向像素間區(qū)域IOf開口。在本方式中，第I溝槽260的相對置的側(cè)面261、262成為向像素間區(qū)域IOf傾斜的斜面。在這里，第I溝槽260通過對基板主體20w的蝕刻而形成，具有基本等腰三角形形狀的斷面。另外，第I溝槽260的三角形形狀的頂點位于像素間區(qū)域IOf的寬度方向的中心，第I溝槽260的寬度尺寸(三角形形狀的底邊的長度)設(shè)定為與像素間區(qū)域IOf相比寬度更大。但是，在第I溝槽260的里面存在面的底部264，第I溝槽260的斷面是接近三角形狀的梯形形狀。另外，本方式中，在基板主體20w中，以與第I溝槽260開口的一方的面20s (基板面)及第I溝槽260的側(cè)面261、262重疊的方式形成透光膜25。這樣的透光膜25是例如使用四乙氧基硅烷作為原料氣體的硅酸鹽玻璃(硅氧化膜)，成膜時的覆蓋性高。因此，透光膜25中，在第I溝槽260的外部與一方的面20s重疊的部分的膜厚相比于與第I溝槽260的側(cè)面261、262重疊的部分的膜厚更厚。另外，透光膜25的與第I溝槽260的側(cè)面261、262重疊的部分的膜厚，從第I溝槽260的開口部263側(cè)向第I溝槽260的底部264變薄。
因此，在第2基板20上，在與第I溝槽260俯視重疊的區(qū)域形成比第I溝槽260深且比第I溝槽260寬度窄的第2溝槽265。在本方式，第I溝槽260的深度是25 μ m左右，第2溝槽265的深度是33 μ m左右。另外，第2溝槽265的相對置的側(cè)面266、267，與第I溝槽260的側(cè)面261、262同樣，也成為向像素間區(qū)域IOf傾斜的斜面，第2溝槽265的側(cè)面266,267具有在底部側(cè)面266、267之間連接的斷面V字形狀。這樣的第2溝槽265具有以側(cè)面266、267作為一邊的基本等腰三角形形狀的斷面，三角形形狀的頂點位于像素間區(qū)域IOf的寬度方向的中心。另外，第2溝槽265的寬度尺寸(三角形形狀的底邊的長度)設(shè)定為與像素間區(qū)域IOf的寬度尺寸基本相同尺寸，或?qū)挾壬源蟆Ｔ诒痉绞?，?溝槽265的開口部268通過形成于基板主體20w的一方的面20s側(cè)的密封膜27 (密封層)堵塞，在這樣的密封膜27的表面270側(cè)(與第2溝槽265位于的側(cè)相反側(cè)的面/第I基板10位于的側(cè))，層疊硅氧化膜等的透光性的絕緣膜28。在本方式，密封膜27，與絕緣膜28相同，也包括硅氧化膜等的透光性絕緣膜。但是，密封膜27在覆蓋性低的條件下形成。例如，密封膜27通過用硅烷氣體(SH4)和一氧化二氮(N2O)等的等離 子CVD法形成。因此，密封膜27以在第2溝槽265的開口部268側(cè)填埋第2溝槽265的一部分的方式堵塞開口部268，但是，并非形成直到第2溝槽265的里面深處。因此，第2溝槽265呈中空狀態(tài)，這樣的中空狀態(tài)通過密封膜27來維持。另外，密封膜27僅以在第2溝槽265的開口部268側(cè)部分填埋第2溝槽265的方式形成，不在基板主體20w的一方的面20s形成。另外，密封膜27的表面270構(gòu)成為與基板主體20w的一方的面20s連續(xù)的平面。因此，絕緣膜28的表面成為平坦面，在這樣的平坦面上形成共用電極21及取向膜29。在這樣構(gòu)成的電光裝置100，第2溝槽265呈中空狀態(tài)，在本方式，第2溝槽265的內(nèi)部呈真空狀態(tài)。因此，如果將第2溝槽265的內(nèi)部的介質(zhì)(真空)的折射率和透光膜25(硅氧化膜)的折射率相比，存在以下的關(guān)系第2溝槽265內(nèi)部的折射率〈透光膜25的折射率。因此，第2溝槽265的側(cè)面266、267作為反射面起作用。另外，在將透光膜25的折射率設(shè)為nn，將第2溝槽265內(nèi)部的折射率設(shè)為η12,將相對于側(cè)面266、267的法線的光的入射角度設(shè)為Θ ^的場合，如果ηη>η12,且，ηη、η12、Θ。滿足以下的式sin θ 0>n12/nn,則在側(cè)面266、267發(fā)生全反射。再者，本方式中，用作透光膜25的硅氧化膜的折射率和在基板主體20w中使用的石英基板、玻璃基板的折射率基本相同。因此，第I溝槽260的側(cè)面261、262作為反射面的功能極低。(反射部26的作用效果)在這樣構(gòu)成的電光裝置100中，從參照圖I說明的光源部130，入射各種入射角度的光，這樣的入射光中，朝向像素電極9a的光如箭形符號LI所示原樣行進。另外，如箭形符號L2所示，關(guān)于朝向從像素電極9a脫離的方向(朝向像素間區(qū)域IOf的方向)的光如箭形符號L3所示在第2溝槽265的側(cè)面266、267使之反射，使之朝向像素電極9a。在這里，第2溝槽265具有以側(cè)面266、267作為一邊的基本等腰三角形形狀的斷面，三角形形狀的頂點位于像素間區(qū)域IOf的寬度方向的中心。另外，第2溝槽265的寬度尺寸設(shè)定為與像素間區(qū)域IOf的寬度尺寸基本相同尺寸，或?qū)挾壬源?。因此，即使關(guān)于朝向從像素電極9a大大脫離的方向的光也向像素電極9a反射，能有效地利用。再者，關(guān)于側(cè)面266,267的傾斜度設(shè)定為，例如，與相對于基板主體20w的基板面的法線所成的角度為10°以下，進而為3°以下。根據(jù)這樣的構(gòu)成，在側(cè)面266、267反射光時，能一邊降低光線角度的增大一邊使入射光偏向，并且，能將入射光變換為，例如，能夠在孔徑焦距比(F number)為2. 5的投影光學(xué)系統(tǒng)(參照圖I)中充分地取入的光線角度的光。因此，能實現(xiàn)對比度的提聞及入射光的利用效率的提聞。(第2基板20的制造方法)參照圖6，說明電光裝置100的制造步驟中，制造反射部26的步驟。圖6是表示本發(fā)明的實施方式I涉及的電光裝置100的制造方法的說明圖。再者，圖6中，與圖5相反地將第2基板20的一方的面20s表示為向上。另外，關(guān)于在以下說明的步驟以外的步驟，例如，第I基板10的制造步驟、使第I基板10和第2基板20貼合的步驟等，能采用公知的方法，所以省略其說明。為了制造本方式的第2基板20，在溝槽形成步驟中，首先，如圖6(a)所示，在基板主體20w的一方的面20s,利用光刻技術(shù),形成厚度為5 10 μ m的掩模269。在本方式,掩模269是包括鈦和/或鈦化合物的金屬材料的硬掩模。對基板主體20w進行干蝕刻。在這樣的干蝕刻中，使用可以形成高密度等離子的ICP(ICP_RIE/Inductive Coupled Plasma(電感耦合等離子體)-RIE)干蝕刻裝置，基板主體20w和掩模269的蝕刻選擇比例如設(shè)定為4·以上1。其結(jié)果，如圖6(b)所示，形成相對于掩模269的厚度有4倍以上的深度的斷面V字形狀的第I溝槽260。在本方式，第I溝槽260的深度是25 μ m左右。在這樣的第I溝槽260，側(cè)面261、262成為斜面，在第I溝槽260的里面形成面狀的底部264。在這樣的步驟中，作為蝕刻氣體，采用在氟系氣體中混合氧和/或一氧化碳等的氣體。其次，在如圖6 (C)所示的透光膜形成步驟中，通過使用四乙氧基硅烷的減壓CVD法和/或使用四乙氧基硅烷和氧氣體的等離子CVD法等，以10 μ m左右的厚度形成包括硅酸鹽玻璃(硅氧化膜)的透光膜25。其結(jié)果，在基板主體20w中，以與第I溝槽260開口的一方的面20s (基板面)及第I溝槽260的側(cè)面261、262重疊的方式形成透光膜25。形成這樣的透光膜25時的成膜條件，是覆蓋性高。因此，透光膜25，在第I溝槽260的外部與一方的面20s重疊的部分的膜厚相比于與第I溝槽260的側(cè)面261、262重疊的部分的膜厚更厚。另外，透光膜25的與第I溝槽260的側(cè)面261、262重疊的部分的膜厚，從第I溝槽260的開口部263側(cè)向第I溝槽260的底部264變薄。因此，在第2基板20上，在與第I溝槽260俯視重疊的區(qū)域形成比第I溝槽260深且比第I溝槽260寬度窄的第2溝槽265，這樣的第2溝槽265的深度是33 μ m左右。另外，第2溝槽265的側(cè)面266、267成為斜面，在底部側(cè)面266、267之間連接形成斷面V字形狀。其次，在如圖6(d)所示的密封膜形成步驟中，使堵塞第2溝槽265的開口部268的密封膜27成膜，使第2溝槽265內(nèi)成為中空狀態(tài)。在本方式，通過用硅烷氣體(SH4)和一氧化二氮(N2O)的等離子CVD法等，形成包括硅氧化膜的密封膜27。這樣的成膜條件，是覆蓋性很低，密封膜27以從第2溝槽265的開口緣伸出的方式成膜。因此，密封膜27，在堵塞開口部268的時刻以部分地填埋第2溝槽265的開口部268側(cè)的方式形成，但是，并非形成直到第2溝槽265的里面深處。因此，第2溝槽265成為中空狀態(tài)。另外，在本方式，由于在真空氣氛中進行密封膜27的成膜，所以第2溝槽265的內(nèi)部成為真空狀態(tài)。其次，本方式中，研磨密封膜27，如參照圖5說明，在第2溝槽265的內(nèi)部保留密封膜27，另一方面，在第2溝槽265的外部，從基板主體20w的表面除去密封膜27。在這樣的研磨步驟中，本方式中，進行化學(xué)機械研磨。這個化學(xué)機械研磨中，通過研磨液中包括的化學(xué)成分的作用、以及研磨劑與第2基板20 (基板主體20w)的相對移動，能快速得到平滑的研磨面。更具體地，在研磨裝置中，一邊使貼合包括無紡布、發(fā)泡聚氨酯、多孔質(zhì)氟樹脂等的研磨布(墊)的平臺和保持第2基板20的支撐器相對旋轉(zhuǎn)，一邊進行研磨。此時，例如，向研磨布與第2基板20之間供給包括平均粒直徑為O. 01 20 μ m的氧化鈰微粒、作為分散劑的丙烯酸酯衍生物、和水的研磨劑。其結(jié)果，如圖5所示，密封膜27的表面270，構(gòu)成與基板主體20w的一方的面20s連續(xù)的平面。然后，進行包括硅氧化膜的絕緣膜28的形成，共用電極21的形成和取向膜29的形成等。(本方式的主要效果)
如以上說明，本方式的電光裝置100中，第I基板10及第2基板20中，在第2基板20的基板主體20w(透光性基板)，形成朝向相鄰的像素電極9a之間(像素間區(qū)域IOf)開口的第I溝槽260。另外，在基板主體20w的一方的面20s和第I溝槽260的側(cè)面261、262形成透光膜25，通過這樣的透光膜25，在與第I溝槽260俯視重疊的區(qū)域，形成比第I溝槽260深且比第I溝槽260寬度窄的第2溝槽265。因此，利用第2溝槽265的側(cè)面266、267作為反射面，能使本應(yīng)朝向像素間區(qū)域IOf的光朝向像素電極9a。另外，第2溝槽265的側(cè)面266、267，由于成為向像素間區(qū)域IOf傾斜的斜面，所以在第2溝槽265的側(cè)面266、267反射本應(yīng)朝向像素間區(qū)域IOf的光，能使之效率很好地朝向像素電極9a。另外，透光膜25是娃酸鹽玻璃。S卩，透光膜25是使用四乙氧基娃燒作為原料氣體的玻璃(硅氧化膜)，根據(jù)這樣的構(gòu)成，成膜時的覆蓋性高。因此，適合形成比第I溝槽260深且比第I溝槽260寬度窄的第2溝槽265，如果是這樣的結(jié)構(gòu)，則反射面(側(cè)面266、267)大。另外，第2溝槽265的底部，由于比第I溝槽260的底部264窄，所以由于光向第2溝槽265的底部入射而引起的光的損失少。特別是，本方式中，第2溝槽265的側(cè)面266、267成為斜面，在底部側(cè)面266、267之間連接而形成斷面V字形狀。因此，第2溝槽265的底部成為線狀的頂部，所以幾乎不發(fā)生由于光向第2溝槽265的底部入射而引起的光的損失。因此，通過本方式，能效率很好地將本應(yīng)朝向像素間區(qū)域IOf的光朝向像素電極9a，所以能提高有助于顯示的光量，能顯示明亮的圖像。另外，第2溝槽265的開口部268通過密封膜27堵塞，第2溝槽265變成中空。因此，中空的第2溝槽265的側(cè)面266、267成為起因于第2溝槽265內(nèi)的介質(zhì)(真空)與透光膜25的折射率的差的反射面，在這樣的反射面，遍及寬廣的角度范圍發(fā)生全反射。因此，能效率很好地將本應(yīng)朝向像素間區(qū)域IOf的光朝向像素電極9a。另外，在堵塞第2溝槽265的開口部268時，在本方式，利用密封膜27，所以僅使密封膜27成膜便能堵塞第2溝槽265的開口部268。因此，相比于粘貼蓋玻片堵塞開口部的情況，生產(chǎn)率高。另外，由于通過透光性的密封膜27堵塞第2溝槽265的開口部268，所以不妨礙朝向密封膜27行進的光朝向像素電極9a。
另外，密封膜27，由于是在覆蓋性低的條件下成膜的硅氧化膜，能防止形成密封膜27直到第2溝槽265的里面。因此，在第2溝槽265作為反射面起作用的側(cè)面266、267的面積能變寬。因為密封膜27在真空氣氛中成膜，所以使第2溝槽265的內(nèi)部成為真空狀態(tài)也容易。實施方式I的變形例I上述實施方式I中，在形成密封膜27時，通過采用覆蓋性低的成膜條件，在第2溝槽265的側(cè)面266、267中，密封膜27和透光膜25接觸的面積很窄，確保了位于第2溝槽265的中空部分的側(cè)面266、267(反射面)的面積寬廣。但是，作為密封膜27，如果采用與透光膜25相比折射率低的材料，則關(guān)于第2溝槽265的側(cè)面266、267中，密封膜27和透光膜25接觸的部分，也能用作發(fā)生全反射的角度范圍寬廣的反射面。作為這樣的密封膜27，能利用氟化鎂膜(MgF2/折射率=1. 37)，如果是氟化鎂膜，則相比于透光膜25 (硅氧化膜/折射率=1.45)折射率低。再者，作為密封膜27，也可用硼硅酸玻璃膜、磷硅酸玻璃膜、硼磷硅酸玻璃膜，這樣的密封膜27可通過調(diào)整硼、磷的含有量將折射率設(shè)定為低的值。 實施方式I的變形例2上述實施方式I中，利用了硅氧化膜作為密封膜27，但是也可以采用金屬和/或金屬化合物等的遮光性金屬材料。實施方式2圖7是本發(fā)明的實施方式2涉及的電光裝置100的第2基板20中形成的反射部26的說明圖。再者，本方式的基本的構(gòu)成，由于與實施方式I相同，所以對共同的部分附加相同的符號，省略其說明。實施方式I中，包含硅氧化膜的密封膜27，僅以在第2溝槽265的開口部268側(cè)部分地填埋第2溝槽265的方式形成，在基板主體20w的一方的面20s不形成。相對于此，本方式中，如圖7所示，包括硅氧化膜的密封膜27，以在第2溝槽265的開口部268側(cè)部分地填埋第2溝槽265的方式形成，并且，在第2溝槽265的外部在基板主體20w的一方的面20s也形成。另外，密封膜27的表面270成為連續(xù)的平面，在這樣的表面270形成共用電極21及取向膜29。因此，能省略如圖5所示的絕緣膜28的形成。這樣的構(gòu)成，如圖6(d)所示，能通過將形成密封膜27之后的研磨量設(shè)定為比實施方式I少來實現(xiàn)。實施方式3圖8是本發(fā)明的實施方式3涉及的電光裝置100的第2基板20中形成的反射部26的說明圖。再者，本方式的基本的構(gòu)成，由于與實施方式I相同，所以對共同的部分附加相同的符號，省略其說明。實施方式I中，在第2溝槽265的內(nèi)部呈中空時，以密封膜27堵塞第2溝槽265的開口部268。相對于此，本方式中，如圖8所示，在基板主體20w的一方的面20s，通過透光性的粘合劑23粘貼透光性的基板24 (蓋玻片/密封層)，通過這樣的透光性的基板24，第2溝槽265的內(nèi)部被設(shè)定為中空狀態(tài)。如果在真空氣氛中進行這樣的粘貼步驟，則能使第2溝槽265的內(nèi)部成為真空，如果在大氣中進行粘貼步驟，則能使第2溝槽265的內(nèi)部成為空氣層。其他的實施方式上述實施方式I 3中，在將第2溝槽265內(nèi)的折射率設(shè)為與透光膜25的折射率相比小的狀態(tài)時，通過密封層(密封膜27及透光性的基板24)堵塞第2溝槽265的開口部268并使第2溝槽265的內(nèi)部成為中空狀態(tài)，但是也可在第2溝槽265的內(nèi)部填充比透光膜25的折射率低的低折射率材料，將這樣的低折射率材料作為密封層。作為這樣的低折射率材料，能列舉氟化鎂等的無機材料、氟系樹脂等的有機材料。上述實施方式I 3中，光從第2基板20側(cè)入射，所以在第2基板20的基板主體20w形成了反射部26，但是，在光從第I基板10側(cè)入射的場合，在第I基板10的基板主體IOw形成反射部26也可以適用本發(fā)明。上述實施方式I 3中，是第I基板10及像素電極9a有透光性的場合，但是在由反射性金屬膜構(gòu)成像素電極9a的反射型的電光裝置100中也可以適用本發(fā)明。在圖1，例示了使用3個光閥的投影型顯示裝置110，但是，在電光裝置100內(nèi)嵌有 濾色器的場合和/或在各顏色的光依次向一個電光裝置100入射的投影型顯示裝置所用的電光裝置100中也可以適用本發(fā)明。另外，上述方式中，作為電光裝置，例示了投影型顯示裝置中使用的透射型的電光裝置100，但是，在將從背光源裝置出射的光作為入射光而顯示圖像的直視型的電光裝置100中也可以適用本發(fā)明。另外，上述方式中，作為電光裝置100，舉例說明了液晶裝置，但是，在電泳型顯示裝置中，在以實現(xiàn)顯示光量的增大為目的而形成反射部26的場合，也可以適用本發(fā)明。另夕卜，在如有機電致發(fā)光裝置，通過從自發(fā)光元件出射的調(diào)制光在圖像顯示面顯示圖像的電光裝置中以防止混色等為目的而形成反射部26的場合，也可以適用本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置,其特征在于,包括 第I基板，設(shè)置有多個像素電極及多個開關(guān)元件； 第2基板，與該第I基板相對配置； 電光物質(zhì)層，設(shè)置于上述第I基板和上述第2基板之間； 上述第I基板及上述第2基板中的一方的基板是透光性基板，其設(shè)置有第I溝槽，朝向上述多個像素電極中的一方以及與上述多個像素電極中的一方相鄰的上述多個像素電極中的另一方之間開口 ；透光膜，在上述透光性基板的上述第I溝槽開口的基板面，以與上述基板面重疊的部分的膜厚成為相比于與上述第I溝槽的側(cè)面重疊的部分的膜厚更厚的方式層疊，并且在與上述第I溝槽俯視重疊的區(qū)域形成比上述第I溝槽深且比該第I溝槽寬度窄的第2溝槽；密封層，以上述第2溝槽的內(nèi)部的折射率成為比上述透光膜的折射率小的方式堵塞上述第2溝槽，上述第2溝槽的側(cè)面是上述透光膜的側(cè)面。
2.如權(quán)利要求I所述的電光裝置，其特征在于，上述第I溝槽的側(cè)面及上述第2溝槽的側(cè)面成為向上述多個像素電極中的一方以及與上述多個像素電極中的一方相鄰的上述多個像素電極中的另一方之間傾斜的斜面。
3.如權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于，上述透光膜的與上述第I溝槽的側(cè)面重疊的部分的膜厚，從上述第I溝槽的開口部側(cè)向該第I溝槽的底部變薄，上述膜厚在上述底部更薄。
4.如權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于，上述第2溝槽的側(cè)面具有在底部側(cè)面之間連接的斷面V字形狀。
5.如權(quán)利要求I所述的電光裝置，其特征在于，上述透光膜是硅酸鹽玻璃。
6.如權(quán)利要求I所述的電光裝置，其特征在于，上述第2溝槽的內(nèi)部是中空。
7.如權(quán)利要求6所述的電光裝置，其特征在于，上述第2溝槽的內(nèi)部是真空狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求I所述的電光裝置，其特征在于，上述第I溝槽及上述第2溝槽設(shè)置于上述第2基板。
9.如權(quán)利要求8所述的電光裝置，其特征在于，上述多個像素電極及上述第I基板有透光性。
10.一種投影型顯示裝置，其特征在于 使用如權(quán)利要求I至9的任一項所述的電光裝置； 包括光源部，出射從上述一方的基板向上述電光裝置入射的光；和投影光學(xué)系統(tǒng)，對通過上述電光裝置調(diào)制的光進行投影。
全文摘要
提供一種電光裝置及投影型顯示裝置，改良了構(gòu)成反射部的溝槽的結(jié)構(gòu)，能效率更好地使入射的光朝向像素電極。在電光裝置100中，在第2基板20的基板主體20w(透光性基板)，形成朝向相鄰的像素電極9a之間(像素間區(qū)域10f)開口的第1溝槽260。另外，在基板主體20w的一方的面20s和第1溝槽260的側(cè)面261、262形成透光膜25，通過這樣的透光膜25，在與第1溝槽260俯視重疊的區(qū)域，形成比第1溝槽260深且比第1溝槽260寬度窄的第2溝槽265。因此，利用第2溝槽265側(cè)面266、267作為反射面，使本應(yīng)朝向像素間區(qū)域10f的光朝向像素電極9a。
文檔編號G02F1/133GK102890360SQ201210254330
公開日2013年1月23日 申請日期2012年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月22日
發(fā)明者伊藤智 申請人:精工愛普生株式會社