專利名稱：陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板及其工作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板及其工作方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，液晶顯示技術(shù)發(fā)展十分迅速，而單一視角模式的顯示器已經(jīng)不能滿足使用者的需求，液晶顯示器需要擁有自身在寬窄視角模式之間轉(zhuǎn)換的能力。當(dāng)用戶需要共享信息時(shí)，使用寬視角模式；當(dāng)用戶想要保護(hù)顯示信息時(shí)，則使用窄視角模式?；蛘咴?D顯示時(shí)采用寬視角模式，保證顯示效果，而在3D顯示時(shí)采用窄視角模式，減少竄擾幾率。目前，視角可控顯示器是一種可以隨時(shí)自動(dòng)實(shí)現(xiàn)寬窄視角模式轉(zhuǎn)換的新型液晶顯示器?，F(xiàn)有技術(shù) 中，大部分視角可控顯示器是利用添加視角控制器件來(lái)控制視角變化的。在實(shí)現(xiàn)上述寬窄視角可切換顯示器的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題利用添加視角控制器件來(lái)控制視角的變化的方法增加了顯示器的厚度，同時(shí)也增加了成本及能量消耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及制作方法、液晶顯示面板及其工作方法，能夠使液晶顯示面板實(shí)現(xiàn)不同的寬、窄視角顯示模式，同時(shí)有效減少液晶顯示面板的厚度、成本和能耗。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—種陣列基板,包括基板，所述基板上設(shè)置有柵線、垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述基板上設(shè)置有多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)所述像素區(qū)域包括主像素區(qū)域和次像素區(qū)域，所述主像素區(qū)域中設(shè)置有主像素電極，所述次像素區(qū)域中設(shè)置有次像素電極；每個(gè)所述像素區(qū)域中設(shè)置有主像素薄膜晶體管和次像素薄膜晶體管；為每個(gè)所述像素區(qū)域提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線包括主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線.所述主像素薄膜晶體管的漏極與所述主像素電極相連，源極與所述主像素?cái)?shù)據(jù)線相連，柵極與所述柵線相連；所述次像素薄膜晶體管的漏極與所述次像素電極相連，源極與所述次像素?cái)?shù)據(jù)線相連，柵極與所述柵線相連。一種液晶顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板和與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置有液晶。一種陣列基板的制作方法，包括提供一基板；在所述基板上沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成柵線、主像素薄膜晶體管的柵極和次像素薄膜晶體管的柵極；在形成有柵線、主像素薄膜晶體管的柵極和次像素薄膜晶體管的柵極的基板上，沉積絕緣薄膜；在形成有柵線、主像素薄膜晶體管的柵極、次像素薄膜晶體管的柵極和絕緣薄膜的基板上，沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線、所述主像素薄膜晶體管的源極、漏極和所述次像素薄膜晶體管的源極、漏極；在形成有絕緣薄膜、柵線、數(shù)據(jù)線、主像素薄膜晶體管的柵極、源極、漏極和次像素薄膜晶體管的柵極、源極、漏極的基板上，沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成主像素電極和次像素電極。一種液晶顯示面板的工作方法，包括進(jìn)行寬視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線分別提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域和次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域和次像素區(qū)域同時(shí)透光；進(jìn)行窄視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線分別提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域和次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域透光，而次像素區(qū)域不透光。本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板及其工作方法、陣列基板及其制作方法，在陣列基板上的每個(gè)像素區(qū)域設(shè)置有主像素區(qū)域和次像素區(qū)域，并通過(guò)主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，使主、次像素區(qū)域都透光時(shí)，為寬視角顯示模式，使主像素區(qū)域透光而次像素區(qū)域不透光時(shí)，為窄視角顯示模式。與現(xiàn)有技術(shù)中的添加視角控制器件相比，在陣列基板上設(shè)置主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)不同的顯示模式，減少了液晶顯示面板的厚度、成本和能耗。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖Ia為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的一個(gè)像素區(qū)域的平面圖；圖Ib為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的多個(gè)像素區(qū)域的平面圖；圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板在寬視角模式下的剖視圖；圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板在窄視角模式下的剖視圖；圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種液晶顯示面板在寬視角模式下的剖視圖；圖3b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種液晶顯示面板在窄視角模式下的剖視圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法流程圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶面板的工作方法流程圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完、整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板11，如圖la、圖lb、圖2a和圖2b所示，包括陣列基板11包括基板21，基板21上設(shè)置有柵線22、數(shù)據(jù)線23、多個(gè)像素區(qū)域24，數(shù)據(jù)線23垂直于柵線22，每個(gè)像素區(qū)域24包括兩部分，主像素區(qū)域241和次像素區(qū)域242，為每個(gè)像素區(qū)域24提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線23包括兩部分，主像素?cái)?shù)據(jù)線231和次像素?cái)?shù)據(jù)線232 ；需要說(shuō)明的是，陣列基板11是由多個(gè)圖Ia或圖Ib所示的像素區(qū)域構(gòu)成的。每個(gè)像素區(qū)域24設(shè)置有主像素薄膜晶體管32和次像素薄膜晶體管42，主像素薄膜晶體管32包括漏極321、源極322、柵極323，次像素薄膜晶體管42包括漏極421、源極 422、柵極 423 ；主像素區(qū)域241設(shè)置有主像素電極31，主像素薄膜晶體管32的漏極321與主像素電極31相連、源極322與主像素?cái)?shù)據(jù)線231相連、主像素薄膜晶體管32的柵極323與柵線22相連；次像素區(qū)域242設(shè)置有次像素電極41，次像素薄膜晶體管42的漏極421與次像素電極41相連，源極422與次像素?cái)?shù)據(jù)線232相連，次像素薄膜晶體管42的柵極423與柵線22相連。需要說(shuō)明的是，主、次像素電極由透明導(dǎo)電材料制成，如銦錫氧化物(Indium TinOxide,簡(jiǎn)稱 ITO)。具體的，在本發(fā)明實(shí)施例中，每個(gè)像素區(qū)域24的長(zhǎng)寬比為3:1，主像素區(qū)域和次像素區(qū)域的面積比為4:1到1:1。相應(yīng)的，彩膜基板12上設(shè)置與陣列基板21上的薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線、柵線對(duì)應(yīng)位置和大小的黑矩陣，與陣列基板21上主、次像素區(qū)域?qū)?yīng)位置和大小的彩膜。本發(fā)明實(shí)施例中，如圖la、lb、2a和2b所示，主像素電極31采用水平電場(chǎng)模式中的FFS (Fringe Field Swithing,邊緣場(chǎng)轉(zhuǎn)換)模式,呈條狀分布。主像素電極31下方設(shè)置有公共電極51，公共電極與主像素電極間設(shè)置有絕緣層34。主像素電極31和公共電極51之間形成的水平電場(chǎng)，控制主像素區(qū)域液晶的偏轉(zhuǎn)。次像素電極41采用斜向電場(chǎng)模式，呈條狀分布。相應(yīng)的，在彩膜基板12上可設(shè)置有與次像素電極41的對(duì)應(yīng)公共電極51，公共電極51與次像素電極41之間形成斜向電場(chǎng)，控制次像素區(qū)域的液晶的偏轉(zhuǎn)。當(dāng)然本發(fā)明實(shí)施例對(duì)彩膜基板12上的公共電極的具體設(shè)置不作限定。當(dāng)進(jìn)行寬視角顯示模式時(shí)，如圖2a所示，主像素?cái)?shù)據(jù)線為主像素區(qū)域提供數(shù)據(jù)信號(hào)，在公共電極51和主像素電極31之間產(chǎn)生強(qiáng)烈的水平方向的電場(chǎng)，控制主像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，使光透過(guò)。次像素?cái)?shù)據(jù)線232為次像素區(qū)域提供數(shù)據(jù)信號(hào)，在公共電極51和次像素電極41之間形成斜向電場(chǎng)，控制次像素區(qū)域的液晶的偏轉(zhuǎn)，也使光透過(guò)。主、次像素區(qū)域均透光，即為寬視角模式。需要說(shuō)明的是，寬視角顯示模式也可以在主像素區(qū)域241通電，次像素區(qū)域242斷電時(shí)實(shí)現(xiàn)。具體為，關(guān)閉通過(guò)次像素?cái)?shù)據(jù)線232提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，使次像素區(qū)域的液晶回到使光可以透過(guò)的初始位置，這樣，主像素區(qū)域透光，次像素區(qū)域透光，即為寬視角模式。
當(dāng)進(jìn)行窄視角顯示模式時(shí)，如圖2b所示，主像素?cái)?shù)據(jù)線為主像素區(qū)域提供數(shù)據(jù)信號(hào)，在公共電極51和主像素電極31之間產(chǎn)生強(qiáng)烈的水平方向的電場(chǎng)，控制主像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，使光透過(guò)。次像素?cái)?shù)據(jù)線為次像素區(qū)域提供數(shù)據(jù)信號(hào)，在公共電極51和次像素電極41之間形成斜向電場(chǎng)，控制次像素區(qū)域的液晶的偏轉(zhuǎn)，使光不能透過(guò)。主像素區(qū)域透光，次像素區(qū)域不透光，即為窄視角顯示模式。需要說(shuō)明的是，窄視角顯示模式也可以在主像素區(qū)域241通電，次像素區(qū)域242斷電時(shí)實(shí)現(xiàn)。具體為，關(guān)閉通過(guò)次像素?cái)?shù)據(jù)線232提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，使次像素區(qū)域的液晶回到使光無(wú)法透過(guò)的初始位置，這樣，主像素區(qū)域透光，次像素區(qū)域不透光，即為窄視角模式。需要說(shuō)明的是，次像素區(qū)域還可以采用垂直電場(chǎng)式像素電極，相應(yīng)的，彩膜基板12上可設(shè)置有與垂直電場(chǎng)式像素電極相對(duì)應(yīng)的公共電極，并在垂直電場(chǎng)式像素電極及對(duì)應(yīng)的公共電極上設(shè)置有突起物，使在次像素區(qū)域形成斜向電場(chǎng)。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)彩膜基板12上公共電極的具體設(shè)置不作限定。次像素區(qū)域還可以采用水平電場(chǎng)模式，如水平電場(chǎng)模式中的FFS模式、IPS (In Plane Swithing，共面轉(zhuǎn)換)模式或其他電場(chǎng)模式。本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。此外，主像素區(qū)域還可以采用水平電場(chǎng)模式中的IPS電場(chǎng)模式或其他電 行選擇和組合。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，在每個(gè)像素區(qū)域設(shè)置有主像素區(qū)域和次像素區(qū)域，并通過(guò)主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，使主、次像素區(qū)域都透光時(shí)，為寬視角顯示模式，使主像素區(qū)域透光而次像素區(qū)域不透光時(shí)，為窄視角顯示模式。與現(xiàn)有技術(shù)中的添加視角控制器件相比，在陣列基板上設(shè)置主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)不同的顯示模式，減少了液晶顯示面板的厚度、成本和能耗。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例中次像素區(qū)域液晶的初始位置可以通過(guò)液晶取向?qū)訉?shí)現(xiàn)。在本發(fā)明實(shí)施例中，在陣列基板11上靠近液晶13的表面設(shè)置有液晶取向?qū)?4，液晶取向?qū)?4包括與主像素區(qū)域241對(duì)應(yīng)的主像素區(qū)域液晶取向?qū)?41和與次像素區(qū)域242對(duì)應(yīng)的次像素區(qū)域液晶取向?qū)?42。通過(guò)液晶取向?qū)?4，可以使液晶13在沒(méi)有電場(chǎng)時(shí)按液晶取向?qū)拥娜∠蚍较蚺帕小＠?，在次像素區(qū)域設(shè)置液晶取向?qū)?，使液晶在沒(méi)有電場(chǎng)時(shí)，光無(wú)法透過(guò)，這樣可以在主像素通電，次像素區(qū)域斷電時(shí)實(shí)現(xiàn)窄視角模式。又如，在次像素區(qū)域242設(shè)置液晶取向?qū)樱挂壕г跊](méi)有電場(chǎng)時(shí)，光可以透過(guò)，這樣可以在主像素區(qū)域241通電，次像素區(qū)域242斷電時(shí)實(shí)現(xiàn)寬視角模式。在次像素區(qū)域斷電時(shí)，實(shí)現(xiàn)常用的寬視角模式或窄視角模式，進(jìn)一步減小了能耗。與上述液晶面板相對(duì)應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種液晶顯示面板，如圖la、lb、2a和2b所示，所述液晶顯示面板包括本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板11和與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板12，所述陣列基板11和彩膜基板12之間設(shè)置有液晶13。其中，所述陣列基板的具體說(shuō)明參見(jiàn)本發(fā)明提供的一種液晶顯示面板的實(shí)施例，在此不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板，在陣列基板上的每個(gè)像素區(qū)域設(shè)置有主像素區(qū)域和次像素區(qū)域，并通過(guò)主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，使主、次像素區(qū)域都透光時(shí)，為寬視角顯示模式，使主像素區(qū)域透光而次像素區(qū)域不透光時(shí)，為窄視角顯示模式。與現(xiàn)有技術(shù)中的添加視角控制器件相比，在陣列基板上設(shè)置主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)不同的顯示模式，減少了液晶顯示面板的厚度、成本和能耗。可選的，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所述次像素電極41為斜向電場(chǎng)式像素電極，呈條狀分布時(shí)，所述彩膜基板12上設(shè)置有與所述斜向電場(chǎng)式像素電極對(duì)應(yīng)的公共電極51?？蛇x的，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所述次像素電極41為垂直電場(chǎng)式像素電極，呈片狀分布；所述垂直電場(chǎng)式像素電極上設(shè)置有突起物時(shí)，所述彩膜基板12上設(shè)置有與所述垂直電場(chǎng)式像素電極對(duì)應(yīng)的公共電極51 ；所述公共電極上設(shè)置有突起物。
可選的，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述彩膜基板靠近液晶的表面上設(shè)置有液晶取向?qū)?，所述液晶取向?qū)影ㄅc所述主像素區(qū)域?qū)?yīng)的主像素區(qū)域液晶取向?qū)雍团c所述次像素區(qū)域?qū)?yīng)的次像素區(qū)域液晶取向?qū)?。?yōu)選的，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，液晶13米用具有克爾效應(yīng)的監(jiān)相液晶。其中，藍(lán)相液晶在斷電時(shí)是各向同性的球狀液晶，在通電時(shí)，是各向異性的，并根據(jù)電場(chǎng)方向變形。在本實(shí)施例中，主像素電極31采用水平電場(chǎng)模式中的IPS電場(chǎng)模式，如圖3a和3b所示，主像素電極31呈條狀分布，分為第一主像素電極311和第二主像素電極312，第一主像素電極311和第二主像素電極312相間排列，第一像主素電極311和第二主像素電極312之間形成水平電場(chǎng)，控制主像素區(qū)域藍(lán)相液晶的變形。次像素電極41采用斜向電場(chǎng)模式，次像素電極41呈條狀分布。在彩膜基板12上設(shè)置有與次像素電極41的對(duì)應(yīng)公共電極51，公共電極51與次像素電極41之間形成斜向電場(chǎng)，控制次像素區(qū)域的藍(lán)相液晶的變形。當(dāng)進(jìn)行寬視角顯示模式時(shí)，如圖3a所示，主像素?cái)?shù)據(jù)線為主像素區(qū)域提供數(shù)據(jù)信號(hào)，在第一主像素電極311和第二主像素電極312之間形成水平電場(chǎng)，控制主像素區(qū)域的藍(lán)星液晶變形，使光透過(guò)。次像素?cái)?shù)據(jù)線為次像素區(qū)域提供數(shù)據(jù)信號(hào)，在公共電極51與次像素電極41之間形成斜向電場(chǎng)，控制次像素區(qū)域242的藍(lán)相液晶的變形，也使光透過(guò)。主像素區(qū)域透光，次像素區(qū)域也透光，即為寬視角模式。當(dāng)進(jìn)行窄視角顯示模式時(shí)，如圖3b所示，主像素?cái)?shù)據(jù)線231為主像素區(qū)域提供數(shù)據(jù)信號(hào)，在第一主像素電極311和第二主像素電極312之間形成水平電場(chǎng)，控制主像素區(qū)域241的藍(lán)相液晶變形，使光透過(guò)。次像素?cái)?shù)據(jù)線232為次像素區(qū)域242提供數(shù)據(jù)信號(hào)，在公共電極51與次像素電極41之間形成斜向電場(chǎng)，控制次像素區(qū)域242的藍(lán)相液晶的變形，使光不能透過(guò)。主像素區(qū)域透光，次像素區(qū)域不透光，即為窄視角模式。需要說(shuō)明的是，窄視角顯示模式也可以在主像素區(qū)域241通電，次像素區(qū)域242斷電時(shí)實(shí)現(xiàn)。具體為，關(guān)閉通過(guò)次像素?cái)?shù)據(jù)線232提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，則次像素區(qū)域的藍(lán)相液晶為斷電時(shí)的球狀液晶，次像素區(qū)域不透光，這樣，主像素區(qū)域透光，次像素區(qū)域不透光，即為窄視角模式。藍(lán)相液晶響應(yīng)時(shí)間短，采用藍(lán)相液晶，可以大大提高液晶顯示面板的響應(yīng)速度，呈現(xiàn)更自然的移動(dòng)畫(huà)面，提高顯示質(zhì)量，應(yīng)用在3D顯示時(shí)，可以降低3D顯示時(shí)的竄擾，提供用戶體驗(yàn)。本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板，在陣列基板上的每個(gè)像素區(qū)域設(shè)置有主像素區(qū)域和次像素區(qū)域，并通過(guò)主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，使主、次像素區(qū)域都透光時(shí)，為寬視角顯示模式，使主像素區(qū)域透光而次像素區(qū)域不透光時(shí)，為窄視角顯示模式。與現(xiàn)有技術(shù)中的添加視角控制器件相比，在陣列基板上設(shè)置主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)不同的顯示模式，減少了液晶顯示面板的厚度、成本和能耗。與上述陣列基板相對(duì)應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述陣列基板的制作方法,如圖4所示,包括101、提供一基板。基板優(yōu)選為透明玻璃基板。102、在所述基板上沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成柵線、主像素薄膜晶體管的柵極和次像素薄膜晶體管的柵極。構(gòu)圖工藝具體步驟為首先在金屬薄膜上沉積光刻膠，用掩模板遮擋住需要保留的 部位，用紫外線照射曝光，再通過(guò)刻蝕將曝光的光刻膠及下面的金屬薄膜去除。最后剝離金屬薄膜上沉積的光刻膠即可。103、在形成有柵線、主像素薄膜晶體管的柵極和次像素薄膜晶體管的柵極的基板上，沉積絕緣薄膜。104、在形成有柵線、主像素薄膜晶體管的柵極、次像素薄膜晶體管的柵極和絕緣薄膜的基板上，沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線、所述主像素薄膜晶體管的源極、漏極和所述次像素薄膜晶體管的源極、漏極。105、在形成有絕緣薄膜、柵線、數(shù)據(jù)線、主像素薄膜晶體管的柵極、源極、漏極和次像素薄膜晶體管的柵極、源極、漏極的基板上，沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成主像素電極和次像素電極。其中，透明導(dǎo)電薄膜可以是銦錫氧化物。
本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，每個(gè)像素區(qū)域設(shè)置有主像素區(qū)域和次像素區(qū)域，并通過(guò)主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，使主、次像素區(qū)域都透光時(shí)，為寬視角顯示模式，使主像素區(qū)域透光而次像素區(qū)域不透光時(shí)，為窄視角顯示模式。與現(xiàn)有技術(shù)中的添加視角控制器件相比，在陣列基板上設(shè)置主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)不同的顯示模式，減少了液晶顯示面板的厚度、成本和能耗。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，主像素區(qū)域采用FFS模式的電場(chǎng)模式，步驟102具體為在所述基板上沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成柵線、主像素薄膜晶體管的柵極、次像素薄膜晶體管的柵極及公共電極。優(yōu)選的，在步驟105之后還包括在形成有絕緣薄膜、柵線、數(shù)據(jù)線、主像素薄膜晶體管的柵極、源極、漏極、次像素薄膜晶體管的柵極、源極、漏極、以及主像素電極和次像素電極的基板上，形成液晶取向?qū)印＞唧w的，當(dāng)主、次像素區(qū)域的液晶取向?qū)訛椴煌较虻娜∠驎r(shí)在陣列基板和彩膜基板的主像素區(qū)域涂上光取向材料，在250°C的溫度下固化20分鐘，形成800納米的液晶取向?qū)?。先用掩膜板將次像素區(qū)域遮擋，用254納米的線性紫外偏振光垂直照射主像素區(qū)域，使主像素區(qū)域的液晶取向?qū)幽軌蛉∠蛞壕АＨ缓笠苿?dòng)掩膜板，將次像素區(qū)域遮擋，仍用254納米的線性紫外偏振平行照射主像素區(qū)域，使次像素區(qū)域的液晶取向?qū)幽軌蛉∠蛞壕?。?dāng)主、次像素區(qū)域的液晶取向?qū)訛橄嗤较虻娜∠驎r(shí)在陣列基板和彩膜基板的像素區(qū)域涂上光取向材料，在250°C的溫度下固化20分鐘，形成800納米的液晶取向?qū)印Ｓ?54納米的線性紫外偏振光垂直照射像素區(qū)域，使像素區(qū)域的液晶取向?qū)幽軌蛉∠蛞壕?，且?duì)主、次像素區(qū)域的液晶取向?yàn)橄嗤较颉Ｍㄟ^(guò)液晶取向?qū)?4，可以使液晶13在沒(méi)有電場(chǎng)時(shí)按液晶取向?qū)拥娜∠蚍较蚺帕?。需要說(shuō)明的是，主、次像素區(qū)域的液晶取向?qū)拥娜∠蚍较蚩梢钥筛鶕?jù)需要進(jìn)行選擇和組合，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。 與上述液晶面板相對(duì)應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述液晶面板的工作方法,如圖5所示,包括·201、進(jìn)行寬視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線分別提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域和次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域和次像素區(qū)域同時(shí)透光。202、進(jìn)行窄視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線分別提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域和次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域透光，而次像素區(qū)域不透光。結(jié)合圖la、lb、圖2a和圖2b所示的液晶顯示面板，具體說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中液晶顯示面板的工作方法。如圖2所示，主像素?cái)?shù)據(jù)線231和次像素?cái)?shù)據(jù)線232通過(guò)主像素薄膜晶體管32和次像素薄膜晶體管42分別為主、次像素電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)，使主像素電極與公共電極間產(chǎn)生水平電場(chǎng)，次像素電極與公共電極間產(chǎn)生垂直電場(chǎng)，分別控制主、次像素區(qū)域液晶的偏轉(zhuǎn)。如圖Ia和Ib所示，主像素區(qū)域采用的是FFS模式的電場(chǎng)，主像素電極呈條狀分布，主像素電極與次像素電極間的距離很小，產(chǎn)生的電場(chǎng)很強(qiáng)，控制主像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)。當(dāng)主、次像素區(qū)域液晶的偏轉(zhuǎn)角度都使光透過(guò)時(shí)，如圖2a所示，為寬視角顯示模式；當(dāng)主像素區(qū)域液晶的偏轉(zhuǎn)角度可以使光透過(guò)，而次像素區(qū)域液晶的偏轉(zhuǎn)角度不可以使光透過(guò)時(shí)，如2b所示，為窄視角顯示模式。結(jié)合圖3a和圖3b所示的液晶面板，具體說(shuō)明本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中液晶顯示面板的工作方法。本實(shí)施例中，液晶13為藍(lán)相液晶。主像素?cái)?shù)據(jù)線231和次像素?cái)?shù)據(jù)線232通過(guò)主像素薄膜晶體管32和次像素薄膜晶體管42分別為主、次像素電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)，使主像素電極與公共電極間產(chǎn)生水平電場(chǎng)，次像素電極與公共電極間產(chǎn)生垂直電場(chǎng)，分別控制主、次像素區(qū)域藍(lán)相液晶的變形。如圖3a和3b所示，主像素區(qū)域采用的是IPS模式的電場(chǎng)，主像素電極31呈條狀分布，并分為第一主像素電極311和第二主像素電極312，第一主像素電極311和第二主像素電極312相間排列，第一像主素電極311和第二主像素電極312之間形成水平電場(chǎng)，控制主像素區(qū)域藍(lán)相液晶的變形。當(dāng)主、次像素區(qū)域藍(lán)相液晶的變形結(jié)果都使光透過(guò)時(shí)，如3a所示，為寬視角顯示模式；當(dāng)主像素區(qū)域藍(lán)相液晶的變形結(jié)果可以使光透過(guò)，而次像素區(qū)域藍(lán)相液晶的變形結(jié)果不可以使光透過(guò)時(shí)，如3b所示，為窄視角顯示模式。本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板的工作方法，通過(guò)主、次像素?cái)?shù)據(jù)線分別為主、次像素電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)，進(jìn)而產(chǎn)生電場(chǎng)分別控制主、次像素區(qū)域藍(lán)相液晶的變形，主、次像素區(qū)域都透光時(shí)，為寬視角顯示模式，主像素區(qū)域透光而次像素區(qū)域不透光時(shí)，為窄視角顯示模式。與現(xiàn)有技術(shù)中的添加視角控制器件相比，在陣列基板上設(shè)置主、次像素薄膜晶體管分別控制主、次像素區(qū)域的藍(lán)相液晶的變形，實(shí)現(xiàn)不同的顯示模式，減少了液晶顯示面板的厚度、成本和能耗。優(yōu)選的，步驟201具體包括進(jìn)行寬視角模式時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)變形，以使主像素區(qū)域透光，關(guān)閉通過(guò)所述次像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制次像素區(qū)域的液晶不偏轉(zhuǎn)或不變形，以使次像素區(qū)域透光。優(yōu)選的，步驟202具體包括進(jìn)行窄視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域透光，關(guān)閉通過(guò)所述次像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制次像素區(qū)域的液晶不偏轉(zhuǎn)或不變形，以使次像素區(qū)域不透光。需要說(shuō)明的是，對(duì)于普通液晶，主、次像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)控制其偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)，對(duì)于藍(lán)相液晶則控制其變形或不變形。關(guān)閉通過(guò)次像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制次像素區(qū)域液晶不偏轉(zhuǎn)或不變形，也就是使液晶的排列方向?yàn)闆](méi)有電場(chǎng)時(shí)的初始排列方式，即利用液晶的初始排列方式達(dá)到透光或不透光的目的。對(duì)于普通液晶，所需要的初始排列方向可以通過(guò)液晶取向?qū)拥娜∠蚬δ軐?shí)現(xiàn)。 通過(guò)關(guān)閉次像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制次像素區(qū)域液晶不偏轉(zhuǎn)或不變形，實(shí)現(xiàn)次像素區(qū)域的透光或不透光，在主、次像素區(qū)域都透光時(shí)，為寬視角模式，主像素區(qū)域透光，次像素區(qū)域不透光時(shí)，為窄視角模式。進(jìn)一步減小了能耗。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)置有柵線、垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述基板上設(shè)置有多個(gè)像素區(qū)域，其特征在于， 每個(gè)所述像素區(qū)域包括主像素區(qū)域和次像素區(qū)域，所述主像素區(qū)域中設(shè)置有主像素電極，所述次像素區(qū)域中設(shè)置有次像素電極； 每個(gè)所述像素區(qū)域中設(shè)置有主像素薄膜晶體管和次像素薄膜晶體管； 為每個(gè)所述像素區(qū)域提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線包括主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線；所述主像素薄膜晶體管的漏極與所述主像素電極相連，源極與所述主像素?cái)?shù)據(jù)線相連，柵極與所述柵線相連； 所述次像素薄膜晶體管的漏極與所述次像素電極相連，源極與所述次像素?cái)?shù)據(jù)線相連，柵極與所述柵線相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述主像素電極為水平電場(chǎng)式像素電極，呈條狀分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述次像素電極為斜向電場(chǎng)式像素電極，呈條狀分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述次像素電極為垂直電場(chǎng)式像素電極，呈片狀分布； 所述垂直電場(chǎng)式像素電極上設(shè)置有突起物。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述次像素電極為水平電場(chǎng)式像素電極，呈條狀分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板靠近液晶的表面上設(shè)置有液晶取向?qū)?，所述液晶取向?qū)影ㄅc所述主像素區(qū)域?qū)?yīng)的主像素區(qū)域液晶取向?qū)雍团c所述次像素區(qū)域?qū)?yīng)的次像素區(qū)域液晶取向?qū)印?br> 7.一種液晶顯示面板，包括權(quán)利要求I至6任一項(xiàng)所述的陣列基板和與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置有液晶。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于， 當(dāng)所述次像素電極為斜向電場(chǎng)式像素電極，呈條狀分布時(shí)， 所述彩膜基板上設(shè)置有與所述斜向電場(chǎng)式像素電極對(duì)應(yīng)的公共電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于， 當(dāng)所述次像素電極為垂直電場(chǎng)式像素電極，呈片狀分布；所述垂直電場(chǎng)式像素電極上設(shè)置有突起物時(shí)， 所述彩膜基板上設(shè)置有與所述垂直電場(chǎng)式像素電極對(duì)應(yīng)的公共電極； 所述公共電極上設(shè)置有突起物。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板靠近液晶的表面上設(shè)置有液晶取向?qū)樱鲆壕∠驅(qū)影ㄅc所述主像素區(qū)域?qū)?yīng)的主像素區(qū)域液晶取向?qū)雍团c所述次像素區(qū)域?qū)?yīng)的次像素區(qū)域液晶取向?qū)印?br> 11.根據(jù)權(quán)利要求7至10任一項(xiàng)所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶為藍(lán)相液晶。
12.—種權(quán)利要求I至6任一項(xiàng)所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括 提供一基板；在所述基板上沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成柵線、主像素薄膜晶體管的柵極和次像素薄膜晶體管的柵極； 在形成有柵線、主像素薄膜晶體管的柵極和次像素薄膜晶體管的柵極的基板上，沉積絕緣薄膜； 在形成有柵線、主像素薄膜晶體管的柵極、次像素薄膜晶體管的柵極和絕緣薄膜的基板上，沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線、所述主像素薄膜晶體管的源極、漏極和所述次像素薄膜晶體管的源極、漏極； 在形成有絕緣薄膜、柵線、數(shù)據(jù)線、主像素薄膜晶體管的柵極、源極、漏極和次像素薄膜晶體管的柵極、源極、漏極的基板上，沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成主像素電極和次像素電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，在形成主像素電極和次像素電極后，所述方法還包括 在形成有絕緣薄膜、柵線、數(shù)據(jù)線、主像素薄膜晶體管的柵極、源極、漏極、次像素薄膜晶體管的柵極、源極、漏極、以及主像素電極和次像素電極的基板上，形成液晶取向?qū)印?br> 14.一種權(quán)利要求7至11任一項(xiàng)所述的液晶顯示面板的工作方法，其特征在于，包括 進(jìn)行寬視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線分別提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域和次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域和次像素區(qū)域同時(shí)透光； 進(jìn)行窄視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線分別提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域和次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域透光，而次像素區(qū)域不透光。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的工作方法，其特征在于，所述進(jìn)行寬視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線分別提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域和次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域和次像素區(qū)域同時(shí)透光包括 進(jìn)行寬視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域透光； 關(guān)閉通過(guò)所述次像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制次像素區(qū)域的液晶不偏轉(zhuǎn)或變形，以使次像素區(qū)域透光。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的工作方法，其特征在于，所述進(jìn)行窄視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線分別提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域和次像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域透光，而次像素區(qū)域不透光包括 進(jìn)行窄視角模式顯示時(shí)，通過(guò)主像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制主像素區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)或變形，以使主像素區(qū)域透光； 關(guān)閉通過(guò)所述次像素?cái)?shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制次像素區(qū)域的液晶不偏轉(zhuǎn)或變形，以使次像素區(qū)域不透光。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板及其工作方法，涉及液晶顯示領(lǐng)域，能夠?qū)崿F(xiàn)不同的顯示模式，同時(shí)減少液晶顯示面板的厚度、成本和能耗。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，包括基板；所述基板上設(shè)置有柵線、垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線及多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)所述像素區(qū)域包括主像素區(qū)域和次像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域分別設(shè)置有主、次像素薄膜晶體管，所述主、次像素區(qū)域分別設(shè)置有主、次像素電極；為每個(gè)所述像素區(qū)域提供數(shù)據(jù)信號(hào)的所述數(shù)據(jù)線包括主像素?cái)?shù)據(jù)線和次像素?cái)?shù)據(jù)線；所述主像素薄膜晶體管的漏極與所述主像素電極相連，源極與所述主像素?cái)?shù)據(jù)線相連，柵極與所述柵線相連。本發(fā)明可用于液晶顯示領(lǐng)域。
文檔編號(hào)G02F1/133GK102707528SQ201210202679
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月15日
發(fā)明者張培林, 柳在健, 谷新 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司