專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，特別涉及ー種液晶顯示裝置。
背景技術：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)因具有低輻射性、厚度薄和耗電低等特點而被廣泛應用于平板顯示領域中。對于絕大多數桌面TFT-LCD都是采用TN (Twisted Nematic，扭轉向列)模式，然而，TN型液晶顯示器的第一電極和第二電極是分別形成在上下兩個基板上，其液晶分子是在與基板正交的平面內旋轉，由于液晶分子的光學各向異性，導致光從不同角度經過液晶分子后進入人眼的光程不同，因此其顯示效果不同，必然導致視角的問題。為了解決視角問題，對于TN型液晶顯示器，由于在個人和辦公環(huán)境對視角要求不高，因此一般采用加貼視角補償膜的方法。對于電視及手持PAD (Personal Digital Assistant，個人數字助理)產品來說視角要求較高，幾種新型的液晶顯示模式，例如MVA(Multi-domain Vertical Alignment,多疇垂直取向)模式、OCB (Optically CompensatedBend/Optically Compensated Birefringence,光學補償彎曲排列/光學補償雙折射)模式、FFS (Fringe Field Switching,邊緣電場開關)模式、IPS (In-Plane Switch，面內切換)模式等廣視角技術被應用到相關產品中。對于TN模式加視角補償膜的方式，其技術門檻低，因此應用廣泛，然而，由于補償膜是固定的，不能對任意灰階任意角度進行補償，因此TN模式固有的灰階反轉現象依舊存在。對于MVA模式，由于其采用負性液晶及凸起物或者是復雜電極排列，因此其響應時間及制程復雜性較差。此外，對于VA (Vertical Alignment,垂直取向)模式顯示器,具有嚴重的觸摸云紋(Mura)，不宣與觸控技術結合。對于OCB模式，雖然其具有固有的光學自補償效果，并具有較高的響應速度，但是其液晶分子的特殊排列會造成開機啟動問題，且為解決此問題所帶來的制程均一性問題是業(yè)界的一大難題。對于FFS模式及IPS模式，其技術門檻高，專利壟斷，使用費用較高。因此，有必要提供改進的技術方案以克服現有技術中存在的以上技術問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的主要技術問題是提供ー種液晶顯示裝置，其不同于現有的IPS和FFS模式的液晶顯示裝置，且具有較廣的視角范圍和較高的穿透率。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了ー種液晶顯示裝置，其包括第一基板、與所述第一基板相對設置的第二基板、夾設在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層。所述液晶層中的液晶分子為負性液晶分子。所述第一基板包括多條掃描線以及多條數據線，其中所述多條掃描線和所述多條數據線相互交叉以限定出多個像素區(qū)域。而每個像素區(qū)域分別包括像素電極以及多個彼此電性連接的第一公共電極，其中所述像素電極與所述第一公共電極分別位于不同層上。所述像素電極包括多個第一像素電極部分和多個第二像素電極部分。所述多個第一像素電極部分與所述多個第二像素電極部分電性連接在一起，其中，所述多個第一像素電極部分與所述多個第二像素電極部分分別位于同一層中，且所述多個第一像素電極部分與所述多個第二像素電極部分相互交叉以限定出多個子像素區(qū)域。此外，所述第二基板進ー步包括第二公共電極。本發(fā)明的液晶顯示裝置采用三電極架構，并搭配負性液晶分子，其不同于現有的IPS和FFS模式液晶顯示裝置，對打破IPS和FFS模式液晶顯示裝置的技術壟斷具有重要的意義。本發(fā)明的液晶顯示裝置在第二基板上進ー步設置第二公共電極，其對第一基板和第ニ基板進行薄化處理之后即可進行相應制程，其并不需要如現有的IPS和FFS模式液晶顯示裝置需要先對第一基板和第二基板進行薄化處理，再在第二基板的外表面另鍍ー層ITO層來防止靜電云紋(Mura)，因此本發(fā)明的液晶顯示裝置エ序簡單，省去了薄化處理后再在第二基板的外表面另鍍ー層ITO層的過程，從而省去了中間的搬運等過程，良率高，制程時間也比傳統(tǒng)的IPS和FFS模式的液晶顯示裝置短很多。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置的穿 透率較高，且功耗較低，且本發(fā)明可以隨意地調整各電極的結構和排布方式從而在ー個像素區(qū)域內實現多疇模式，其可以改善視角，改善色偏現象，從而達到更好的顯示效果。通過以下參考附圖的詳細說明，本發(fā)明的其它方面和特征變得明顯。但是應當知道，該附圖僅僅為解釋的目的設計，而不是作為本發(fā)明的范圍的限定，這是因為其應當參考附加的權利要求。還應當知道，除非另外指出，不必要依比例繪制附圖，它們僅僅カ圖概念地說明此處描述的結構和流程。


圖I是本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置的結構示意 圖2為圖I中的液晶顯示裝置的第一基板的平面示意 圖3為圖2中的部分子像素區(qū)域的局部放大 圖4a是沿圖2中A-A線的剖面示意 圖4b是沿圖2中B-B線的剖面示意 圖4c是沿圖2中C-C線的剖面示意 圖5是圖I中液晶顯示裝置的等電勢效果 圖6a是圖I中液晶顯示裝置在像素電極與第二公共電極之間的壓差為OV時的液晶分子指向矢示意 圖6b是圖I中液晶顯示裝置在像素電極與第二公共電極之間的壓差為5V時的液晶分子指向矢示意 圖7a是本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的穿透率效果 圖7b是另ー種液晶顯示裝置的穿透率效果 圖7c是本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置與另ー種液晶顯示裝置的穿透率-電壓的效果對比 圖8是本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的穿透率-時間的效果 圖9a是本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的視角范圍的示意圖；圖9b是另一種液晶顯不裝置的視角范圍的不意 圖10是本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置與另ー種液晶顯示裝置的色差-角度的效果對比 圖Ila是本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置在一個像素區(qū)域內實現兩個疇的效果示意
圖Ilb是本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置在一個像素區(qū)域內實現四個疇的效果示意
圖Ilc是本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置在一個像素區(qū)域內實現四個疇的穿透率的效果不意圖；以及 圖12是本發(fā)明實施方式的第一基板的制造流程的示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。需要說明的是，為了圖示的清楚起見，本發(fā)明的附圖僅顯示了與本發(fā)明的創(chuàng)作點相關的結構特征，而對于其他的結構特征則進行了省略。圖I為本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置的結構示意圖。如圖I所示，本發(fā)明的液晶顯示裝置100包括相對設置的第一基板110和第二基板120、以及夾設于第一基板110和第ニ基板120之間的液晶層130。具體地，圖2-3及圖4a_4c掲示了圖I所示的第一基板110的結構示意圖，其中為了圖示的簡潔和清楚起見，圖2僅掲示了第一基板110的其中一個像素區(qū)域P的平面結構。如圖2-3并結合參照圖4a-4c所示，本發(fā)明的液晶顯示裝置100的第一基板110包括透明基底111以及形成在透明基底111上的多條掃描線112、多條數據線113及形成在掃描線112和數據線113交叉位置處的薄膜晶體管114。薄膜晶體管114包括與掃描線112電性連接的柵極1141、半導體層1142、與數據線113電性連接的源極1143、以及與像素電極115電性連接的漏極1144。多條掃描線112和多條數據線113相互交叉以限定出多個像素區(qū)域P，即每相鄰兩條掃描線112和每相鄰兩條數據線113之間相互交叉從而限定出一個像素區(qū)域P。優(yōu)選地，掃描線112和數據線113彼此相互垂直。每個像素區(qū)域P分別包括像素電極115和多個彼此電性連接的第一公共電極116。其中，如圖2-3所示，像素電極115為網狀結構，其包括多個第一像素電極部分1151和多個第二像素電極部分1152。第一像素電極部分1151和第二像素電極部分1152位于同一層中，且彼此相互交叉以限定出多個子像素區(qū)域P1。多個第一像素電極部分1151呈彼此大致平行排列的條形，且其彼此電性連接在一起，而多個第二像素電極部分1152也呈彼此大致平行排列的條形，且其彼此電性連接在一起。此外，多個第一像素電極部分1151和多個第ニ像素電極部分1152也彼此電性連接在一起，從而組成了像素區(qū)域P中的像素電極115，并電性連接至薄膜晶體管114的漏極1144。優(yōu)選地，第一像素電極部分1151和第二像素電極部分1152相互垂直，第一像素電極部分1151大致沿平行于掃描線112的方向進行排列，而第二像素電極部分1152大致沿平行于數據線113的方向進行排列，從而能夠使得液晶顯示裝置100具有更加規(guī)整的像素結構。而像素區(qū)域P中的多個第一公共電極116也呈彼此大致平行排列的條形，且其彼此電性連接在一起，并電性連接至公共電極總線(未標示)。在本發(fā)明實施例中，每個像素區(qū)域P中，每兩個相鄰的第二像素電極部分1152之間可設置一個對應的第一公共電極116，其沿大致平行于第二像素電極部分1152的方向進行排列。每個第一公共電極116可居中地設置在每兩個相鄰的第二像素電極部分1152之間。優(yōu)選地，第一公共電極116可設置為垂直于像素電極115中的第一像素電極部分1151，平行于第二像素電極部分1152。當然，本領域技術人員可以理解的是，第一公共電極116與第一像素電極部分1151之間也可設置一定的夾角,例如,第一公共電極116與第一像素電極部分1151之間的夾角在50至150度之間的范圍內，從而可以使液晶分子具有更快的響應速度。
第一公共電極116與像素電極115分別位于不同層上并且其間夾設有絕緣層，以電性絕緣第一公共電極116與像素電極115。在本發(fā)明中，像素電極115的第一像素電極部分1151和第二像素電極部分1152以及第一公共電極116均為透明電極，其可以例如是由ITO (Indium Tin Oxide,氧化銦錫)等透明導電材料形成。優(yōu)選地，每個像素區(qū)域P分別包括至少兩個以上的子像素區(qū)域P1，圖2所示的子像素區(qū)域Pl的數目僅僅是為了方便說明而設，其不作為對本發(fā)明的限制，本發(fā)明的子像素區(qū)域Pl的數目可以根據實際液晶顯示裝置的尺寸和實際制程條件合理選擇。在本發(fā)明的一種實施方式中，第一像素電極部分1151和第二像素電極部分1152的寬度LI可設計在2至5微米(μ m)之間的范圍內，由于第一像素電極部分1151和第二像素電極部分1152的正上方會出現向錯線(disclination line),所以第一像素電極部分1151和第二像素電極部分1152的寬度LI越細越好，但是考慮到實際制程能力的限制，依據制程良率，優(yōu)選地將第一像素電極部分1151和第二像素電極部分1152的寬度LI設為2_5微米較好。優(yōu)選地，第一公共電極116的寬度L2也可設計在2至5微米(μ m)之間的范圍內。在本發(fā)明的一種實施方式中，在像素區(qū)域P中，每兩個相鄰第一像素電極部分1151之間的間隙寬度L3可設計在O至6微米(μ m)之間的范圍內，而每兩個相鄰第二像素電極部分1152之間的間隙寬度L4也可設計在O至6微米(μ m)之間的范圍內，這樣的尺寸設計是考慮實際電場分量的利用率，太大則達不到理想效果。而每兩個相鄰第一公共電極116之間的間隙寬度L5可設計在3至8微米(μ m)之間的范圍內，其主要是考慮到實際制程的能力，大于此范圍將會得不到較為理想的效果，小于此范圍則實際制作比較困難，因此，優(yōu)選地將每兩個相鄰第一公共電極116之間的間隙寬度L5設計在3至8微米(μ m)之間的范圍內。請返回參閱圖I，本發(fā)明的液晶顯示裝置100在第二基板120上進ー步設置第二公共電極121，其可以是面電極，均勻地設置在第二基板120上。第二公共電極121也是透明電極，其可以例如是由ITO (Indium Tin Oxide,氧化銦錫)等透明導電材料形成。也就是說，在本發(fā)明中，不但在第一基板110上既設置像素電極115又設置第一公共電極116，還進一歩在第二基板120上設置第二公共電極121，從而形成三電極架構。此夕卜，本發(fā)明的液晶顯示裝置100中的液晶層130中的液晶分子131采用負性的液晶分子。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置100還進一歩包括設置在第一基板110上的第一配向膜117和第一偏光片118,以及設置在第二基板120上的第二配向膜127和第二偏光片128。其中，如圖2所示，在本發(fā)明中，第一配向膜117的摩擦方向a與第二配向膜127的摩擦方向b相反,第一偏光片118的第一偏光片透過軸方向c與第二偏光片128的第二偏光片透過軸方向d相互垂直。在本發(fā)明的ー實施方式中，設置在第一基板110上的第一公共電極116與第二配向膜127的摩擦方向b具有夾角α，其在60至85度之間的范圍內，從而可使液晶層130中的液晶分子131初始就具有沿ー個方向扭轉的カ矩，具有較大的力矩和較快的響應時間，且可以使液晶分子131沿同一方向進行扭轉，増加了液晶顯示裝置的穿透率，并且由于摩擦配向可以使得液晶層130中的液晶分子131具有預傾角，其在O至4度之間的范圍內，使液晶分子在電場力作用下保持水平面內旋轉，具有高視角特征。
圖5掲示了本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的等電勢效果圖。如圖5所示，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置100不但在第一基板110上的像素電極115與第一公共電極116之間形成相應的第一電場，而且在第一基板110上的像素電極115與第二基板120上的第二公共電極121之間形成相應的第二電場，因此其電場等電勢不同于現有的IPS和FFS模式液晶顯示裝置，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置100的液晶分子131受兩個電場的雙重作用，可以使負性液晶分子保持很好的水平面內排列，不產生較大的傾角，從而提高穿透率。本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置不同于現有的IPS和FFS模式液晶顯示裝置，對打破IPS和FFS模式液晶顯示裝置的技術壟斷具有重要的意義。圖6a為本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置在像素電極與第二公共電極之間的壓差為OV時的液晶分子指向矢示意圖，圖6b為本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置在像素電極與第二公共電極之間的壓差為5V時的液晶分子指向矢示意圖。在本發(fā)明實施方式中，液晶顯示裝置中的液晶分子采用負性液晶分子。如圖6a所示，在壓差為OV時，液晶顯示裝置100中的液晶分子131統(tǒng)ー規(guī)整地進行排布；如圖6b所示，在壓差為5V時，液晶顯示裝置100中的液晶分子131在兩個電場的雙重作用下，平滑地進行扭轉。圖7c掲示了本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置與另ー種液晶顯示裝置的穿透率效果對比圖。其中本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置為如圖1-4所示的液晶顯示裝置，其包括三電極結構并搭配負性液晶分子；而另ー種液晶顯示裝置中，其并沒有在第二基板上進ー步設置第二公共電極，且其液晶層中的液晶分子為正性液晶分子，即兩電極結構并搭配正性液晶分子。圖7a為本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的穿透率效果圖，圖7b為上述另ー種液晶顯示裝置的穿透率的效果圖，而圖7c為本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置與上述另ー種液晶顯示裝置的穿透率-電壓的效果對比圖，其中圖7c中的曲線①為本發(fā)明實施方式液晶顯示裝置的穿透率與電壓的關系曲線，而曲線②為另ー種液晶顯示裝置的穿透率與電壓的關系曲線。如圖7a與7b所示，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置與另ー種液晶顯示裝置相比較，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置其穿透率更高，且其更加規(guī)整。此外，如圖7c所示，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置與另ー種液晶顯示裝置相比較，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置其穿透率更高，例如在6V的電壓下，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置其穿透率比另ー種液晶顯示裝置的穿透率提高了大致10%。
圖8掲示了本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的穿透率-時間的效果圖。如圖8所示，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置采用負性液晶分子，其在模擬實驗下，開啟的響應時間Ton大致為23. 9暈秒(ms),而關閉的響應時間Toff大致為13. 41暈秒(ms),而現有的液晶顯示裝置中若采用負性液晶分子，其開啟的響應時間Ton—般均在50毫秒(ms)以上。而在模擬實驗下，采用正性液晶分子的FFS模式液晶顯示裝置，其開啟的響應時間大致為18.5毫秒(ms)，而其關閉的響應時間大致為13. 24毫秒(ms)，即本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的開啟的響應時間Ton大于采用正性液晶分子的FFS模式液晶顯示裝置，而本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的關閉的響應時間Toff與采用正性液晶分子的FFS模式液晶顯示裝置大致相同。由此可見，本發(fā)明實施方式的采用負性液晶分子的液晶顯示裝置與采用正性液晶分子的液晶顯示裝置的響應時間大致相同，其差別不大，均可達到現有液晶顯示裝置相當的水平。圖9a和9b掲示了本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置與上述另ー種液晶顯示裝置的視角范圍的效果對比，其中在上述另ー種液晶顯示裝置中，其并沒有在第二基板上進ー步設置第二公共電極，且其液晶層中的液晶分子為正性液晶分子，即兩電極結構并搭配正性 液晶分子。圖9a為本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的視角范圍的示意圖，其采用負性液晶分子；而圖％為上述另ー種液晶顯示裝置的視角范圍的示意圖，其采用正性液晶分子。如圖9a和9b所示，本發(fā)明實施方式的采用負性液晶分子的液晶顯示裝置，其水平視角較高。此外，如圖9a所示，本發(fā)明實施方式的采用負性液晶分子的液晶顯示裝置在對比度為10時，其邊緣視角分別為52. 9度、50. O度、53. 2度和50. 4度；而如圖9b所示，另ー種采用正性液晶分子的液晶顯示裝置，在對比度為10時，其邊緣視角分別為49. 4度、49. 5度、54. I度和54. I度，因此本發(fā)明實施方式的采用負性液晶分子的液晶顯示裝置其水平視角范圍高于上述另ー種采用正性液晶分子的液晶顯示裝置，其視角范圍均達到與現有液晶顯示裝置相當的水平。圖10為本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置與另ー種液晶顯示裝置的色差-角度的效果對比圖，其中，另ー種液晶顯示裝置為現有的IPS模式液晶顯示裝置。其中圖10的曲線①和②均是在相同的模擬條件下生成的，而曲線①為本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的色差與角度的關系曲線，曲線②為另ー種液晶顯示裝置的色差與角度的關系曲線。如圖10所示，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置與現有的IPS模式液晶顯示裝置相比較，在角度變化過程中，其色差的變化較小，即本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置其色差效果比較好。在本發(fā)明具體實施例中，在任一個像素區(qū)域P內，第一像素電極部分1151、第二像素電極部分1152和第一公共電極116其除了可以沿直線排列方式以外，還可以在同一個像素區(qū)域P內呈彎折狀排列，當在液晶顯示裝置工作吋，則液晶分子131會在一個像素區(qū)域P內至少形成兩個不同的轉動區(qū)域，在一個像素區(qū)域P內形成至少兩個疇(domain),因此，可以明顯改善液晶顯示裝置的色偏(color shift)現象，由此可見，本發(fā)明的液晶顯示裝置100可以隨意地調整相應的像素電極和第一公共電極的方向和排布方式，以在ー個像素區(qū)域P內實現多疇(multi-domain)模式,從而改善視角，不受現有的IPS和FFS模式液晶顯示裝置的專利限制。本發(fā)明的液晶顯示裝置100中，第一像素電極部分1151大致沿平行于所述數據線和所述掃描線的其中之一排列，第二像素電極部分1152則大致沿平行于所述數據線和所述掃描線中的另ー個排列。
圖Ila為本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置在一個像素區(qū)域P內實現兩個疇的效果示意圖，而圖Iib為本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置在一個像素區(qū)域P內實現四個疇的效果示意圖，而圖Ilc為本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置在一個像素區(qū)域P內實現四個疇的穿透率的效果示意圖。如圖Ila-Ilc所示，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置可通過相應的像素電極和第一公共電極的方向和排布方式，從而將一個像素區(qū)域P分為左右兩個區(qū)域(如圖Ila所示)，以實現兩個疇；或者將ー個像素區(qū)域P分為上下左右四個區(qū)域(如圖Ilb-Ilc所示)，以實現四個疇，因此ー個像素區(qū)域P內的液晶分子可分別形成左右兩個不同的轉動區(qū)域或者形成上下左右四個不同的轉動區(qū)域，從而通過增加疇的數量，改善色偏現象，獲得更好的顯示效果。綜上所述，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置采用三電極架構，并搭配負性液晶分子，其不同于現有的IPS和FFS模式液晶顯示裝置，對打破IPS和FFS模式液晶顯示裝置的技術壟斷具有重要的意義。另，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置在第二基板上進ー步設置第二公共電極，其對第一基板和第二基板進行薄化處理之后即可進行相應制程，其并不需要如現有的IPS和FFS模式液晶顯示裝置需要先對第一基板和第二基板進行薄化處理，再 在第二基板的外表面另鍍ー層ITO層來防止靜電云紋(Mura)，因此本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置エ序簡単，省去了薄化處理后再在第二基板的外表面另鍍ー層ITO層的過程，從而省去了中間的搬運等過程，良率高，制程時間也比傳統(tǒng)的IPS和FFS模式的液晶顯示裝置短很多。此外，本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的穿透率較高，且功耗較低，且本發(fā)明可以隨意地調整相應的像素電極和第一公共電極的方向和排布方式，從而在一個像素區(qū)域內實現多疇模式，其可以改善視角，改善色偏現象，從而達到更好的顯示效果。另，本發(fā)明實施方式的第一基板110可以采用如下六道光罩制程來制造。圖12為本發(fā)明實施方式的第一基板Iio的制造流程。以下參照圖12并結合圖2及圖4a-4c對本發(fā)明實施方式的第一基板110的制造過程進行詳細的描述。如圖12并結合圖2及圖4a_4c所示，在步驟Sll中，形成第一金屬層，并采用第一道光罩對第一金屬層進行圖案化。具體地，在透明基底111上依次形成第一金屬層和第一光阻層，以第一道光罩圖案對第一光阻層進行曝光顯影，從而形成第一光阻層圖案，再以第一光阻層圖案為遮罩對第一金屬層進行刻蝕以實現圖案化，從而形成掃描線112、薄膜晶體管114的柵極1141和公共電極總線，隨后，移除第一光阻層。在步驟S12中，依次形成柵極絕緣層1191、非晶硅層和摻雜非晶硅層，并采用第二道光罩制程對摻雜非晶硅層和非晶硅層進行圖案化。具體地，在具有圖案化的第一金屬層的透明基底111上依次形成柵極絕緣層1191、非晶硅層、摻雜非晶硅層以及第ニ光阻層，以第二道光罩圖案對第二光阻層進行曝光顯影，從而形成第二光阻層圖案，再以第二光阻層圖案為遮罩對摻雜非晶硅層和非晶硅層進行刻蝕以實現圖案化，從而形成薄膜晶體管114的半導體層1142，隨后，移除第二光阻層。在步驟S13中，形成第一透明導電材料層，并采用第三道光罩制程對第一透明導電材料層進行圖案化。具體地，在形成第二道光罩圖案后的透明基底111上依次形成第一透明導電材料層和第三光阻層，以第三道光罩圖案對第三光阻層進行曝光顯影，從而形成第三光阻層圖案，再以第三光阻層圖案為遮罩對第一透明導電材料層進行刻蝕以實現圖案化，從而形成像素電極115
在步驟S14中，形成第二金屬層，并采用第四道光罩制程對第二金屬層進行圖案化。具體地，在形成第三道光罩圖案后的透明基底111上依次形成第二金屬層和第四光阻層，以第四道光罩圖案對第四光阻層進行曝光顯影，從而形成第四光阻層圖案，再以第四光阻層圖案為遮罩對第二金屬層進行刻蝕以實現圖案化，從而由經過圖案化的第二金屬層形成數據線113、薄膜晶體管114的源極1143和漏極1144，像素電極115與薄膜晶體管114的漏極1144直接電性接觸，隨后，移除第四光阻層。在步驟S15中，形成鈍化層1192，并采用第五道光罩制程對鈍化層1192進行圖案化。
具體地，在形成第四道光罩圖案后的透明基底111上依次形成鈍化層1192和第五光阻層，以第五道光罩圖案對第五光阻層進行曝光顯影，從而形成第五光阻層圖案，再以第五光阻層圖案為遮罩對鈍化層1192和鈍化層1192下方的柵極絕緣層1191進行刻蝕以實現圖案化，從而形成需要跨接電路部分的過孔(圖未示)，隨后，移除第五光阻層。在步驟S16中，形成第二透明導電材料層，并采用第六道光罩制程對第二透明導電材料層進行圖案化。具體地，在形成第五道光罩圖案后的透明基底111上依次形成第二透明導電材料層和第六光阻層，以第六道光罩圖案對第六光阻層進行曝光顯影，從而形成第六光阻層圖案，再以第六光阻層圖案為遮罩對第二透明導電材料層進行刻蝕以實現圖案化，從而形成多個彼此電性連接的第一公共電極116，其與步驟Sll中形成的公共電極總線電性連接，隨后，移除第六光阻層。經過以上步驟Sll- S16，形成了本發(fā)明第一實施方式的第一基板100。本文中應用了具體個例對本發(fā)明的液晶顯示裝置的原理及實施方式進行了闡述，以上實施方式的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領域的一般技術人員，依據本發(fā)明的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護范圍應以所附的權利要求為準。
權利要求
1.ー種液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括 第一基板； 第二基板，與所述第一基板相對設置； 液晶層，夾設在所述第一基板與所述第二基板之間，所述液晶層中的液晶分子為負性液晶分子； 其中，所述第一基板包括 多條掃描線；以及 多條數據線，其中所述多條掃描線和所述多條數據線相互交叉以限定出多個像素區(qū)域； 其中，每個像素區(qū)域分別包括 像素電極，其包括 多個第一像素電極部分； 多個第二像素電極部分，所述多個第一像素電極部分與所述多個第二像素電極部分電性連接在一起，其中，所述多個第一像素電極部分與所述多個第二像素電極部分分別位于同一層中，且所述多個第一像素電極部分與所述多個第二像素電極部分相互交叉以限定出多個子像素區(qū)域； 多個彼此電性連接的第一公共電極，其中所述像素電極與所述第一公共電極分別位于不同層上； 其中，所述第二基板包括第二公共電極。
2.如權利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極位于所述第一公共電極之下。
3.如權利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在干，所述像素電極中所述多個第一像素電極部分和所述多個第二像素電極部分以及所述多個第一公共電極分別為大致平行排列的條形，所述第一公共電極大致平行于所述第二像素電極部分。
4.如權利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在干，所述第一像素電極部分大致垂直于所述第二像素電極部分，所述第一像素電極部分大致沿平行于所述數據線和所述掃描線的其中之一排列，所述第二像素電極部分大致沿平行于所述數據線和所述掃描線中的另ー個排列。
5.如權利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一公共電極與所述像素電極的所述第一像素電極部分之間具有一定的夾角，且所述夾角在50至150度之間的范圍內。
6.如權利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，每個所述第一像素電極部分的寬度在2至5微米之間的范圍內，每個所述第二像素電極部分的寬度在2至5微米之間的范圍內，每個所述第一公共電極的寬度在2至5微米之間的范圍內。
7.如權利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，每兩個相鄰的所述第一像素電極部分之間的間隙寬度在O至6微米之間的范圍內，每兩個相鄰的所述第二像素電極部分之間的間隙寬度在O至6微米之間的范圍內，每兩個相鄰的所述第一公共電極之間的間隙寬度在3至8微米之間的范圍內。
8.如權利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置進ー步包括第一配向膜，設置在所述第一基板上，且其具有第一摩擦方向； 第二配向膜，設置在所述第二基板上，且其具有第二摩擦方向，其中所述第二摩擦方向與所述第一摩擦方向相反； 其中，所述第一公共電極的排列方向與所述第二摩擦方向之間具有一個夾角，且所述夾角在60至85度之間的范圍內。
9.如權利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置進ー步包括 第一偏光片，設置在所述第一基板上，且其具有第一偏光片透過軸方向； 第二偏光片，設置在所述第二基板上，且其具有第二偏光片透過軸方向，其中 所述第二偏光片透過軸方向與所述第一偏光片透過軸方向垂直。
10.如權利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶層中的液晶分子具有預傾角，其在O至4度之間的范圍內。
11.如權利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，每個所述像素區(qū)域分別包括至少兩個以上的子像素區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置，其包括第一基板、與第一基板相對設置的第二基板、夾設在第一基板與第二基板之間的液晶層。第一基板包括多條掃描線以及多條數據線，其中多條掃描線和多條數據線相互交叉以限定出多個像素區(qū)域。而每個像素區(qū)域分別包括像素電極以及多個彼此電性連接的第一公共電極，其中像素電極與第一公共電極分別位于不同層上。此外，第二基板進一步包括第二公共電極，其設置在第二基板上。其中，液晶層中的液晶分子為負性液晶分子。本發(fā)明的液晶顯示裝置不同于現有的IPS和FFS模式的液晶顯示裝置，且具有較廣的視角范圍和較高的穿透率。
文檔編號G02F1/1343GK102692770SQ20121018674
公開日2012年9月26日 申請日期2012年6月7日 優(yōu)先權日2012年6月7日
發(fā)明者廖家德, 李永謙, 邱郁雯, 鐘德鎮(zhèn) 申請人:昆山龍騰光電有限公司