專利名稱：利用化學增幅型光刻膠組合物進行小溝槽圖案化的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體集成電路制造，具體而言，涉及圖案化的方法及光刻膠材料。
背景技術：
半導體集成電路(IC)產業(yè)已經歷了快速發(fā)展。在IC材料和設計方面的技術進步已產生了數代1C，其中每一代都具有比前一代更小且更復雜的電路。在IC的發(fā)展進程中，功能密度(即每芯片面積上互連器件的數目)大幅增加了，而幾何尺寸(即利用制造工藝能夠產生的最小的元件(或線))降低了。這種按比例縮小的工藝通常通過增加生產效率和降低相關成本而提供效益。這種按比例縮小也增加了加工和制造IC的復雜度，因此，為了實現這些進步，需要在IC加工和制造方面的類似發(fā)展。例如，常規(guī)的光刻膠層或感光層包含不具有感光性的堿。因此，在曝光工藝之后，光刻膠層的曝光區(qū)域會表現出小于所需的酸分布對比度(acid distribution contrast)和喊分布對比度(base distributioncontrast)。這導致降低圖案對比度，形成不清晰的圖案輪廓和/或較差的分辨率，尤其是當圖案部件繼續(xù)減小尺寸時。用于形成小溝槽臨界尺寸(⑶)和小溝槽端-端間隔(end-to-end space)的老方法通常需要高成本的曝光工具，諸如EUV。圖案收縮經常與用于端-端CD的溝槽CD相互制衡，仍存在問題。因此，需要一種用于制造解決上述問題的集成電路器件的方法和光刻膠材料。

發(fā)明內容
本發(fā)明涉及一種用于在襯底上形成圖案的方法。該方法包括提供襯底；在襯底上方形成感光層；通過第一掩模使感光層暴露于第一曝光能量；通過第二掩模使感光層暴露于第二曝光能量；烘烤感光層；以及使經曝光的感光層顯影。該感光層包括轉變成溶于顯影液的聚合物、至少一種光生酸劑(PAG)、以及至少一種光生堿劑(PBG)。暴露于第二曝光能量的層的一部分與暴露于第一曝光能量的一部分重疊。在所述的方法中，所述第一曝光能量足以活化所述PAG，所述第二曝光能量足以活化所述PAG和PBG。在所述的方法中，所述PAG以第一濃度存在，以及所述PBG以第二濃度存在。在所述的方法中，所述第二濃度大于或等于所述第一濃度。所述的方法，進一步包括調節(jié)所述第一濃度、所述第二濃度、或這兩者以改善所述圖案中的對比度和/或臨界尺寸。在所述的方法中，所述第二濃度大于所述第一濃度，并且暴露于所述第二曝光能量的所述感光層的所述部分在使經曝光的所述感光層顯影之后仍保留。在所述的方法中，所述第二濃度約等于所述第一濃度，并且暴露于所述第二曝光能量的所述感光層的所述部分在使所述經曝光的感光層顯影之后被洗掉。在所述的方法中，所述第二曝光能量的強度高于所述第一曝光能量的強度。
所述的方法，進一步包括調節(jié)所述第一曝光能量、所述第二曝光能量、或這兩者的強度以改善所述圖案中的對比度和/或臨界尺寸。在所述的方法中，所述PAG包含锍鎗鹽、碘鎗鹽、磺?；氐淄轭惢衔?、N-磺?；趸啺奉惢衔?、苯偶姻磺酸酯類化合物、連苯三酚三磺酸酯類化合物、硝基芐基磺酸酯類化合物、砜類化合物、以及乙二肟衍生物中的一種或多種。在所述的方法中，所述PBG包含氨基甲酸酯、氨基甲?；u胺、肟、磺酰胺、或內酰胺中的一種或多種。在另一個實施例中，用于在襯底上形成圖案的方法包括提供襯底；在襯底上形成感光層；通過第一掩模使感光層暴露于第一曝光能量；通過第二掩模使感光層暴露于第二曝光能量；烘烤感光層；以及使經曝光的感光層顯影。該感光層包括轉變成溶于顯影液的聚合物、響應于第一曝光能量分解以形成酸的第一濃度的PAG、以及響應于第二曝光能量分解以形成堿的第二濃度的PBG。暴露于第二曝光能量的層的一部分與暴露于第一曝光能量的一部分重疊。在所述的方法中，所述第二曝光能量高于所述第一曝光能量，以活化所述PAG和所述PBG。所述的方法，進一步包括調節(jié)所述第一曝光能量、所述第二曝光能量、或這兩者的強度，以改善所述圖案中的對比度和/或臨界尺寸。所述的方法，進一步包括調節(jié)所述第一濃度、所述第二濃度、或這兩者，以改善所述圖案中的對比度和/或臨界尺寸。在所述的方法中，所述第二濃度大于所述第一濃度，并且暴露于所述第二曝光能量的所述感光層的所述部分在使經曝光的所述感光層顯影之后仍保留。在所述的方法中，所述第二濃度約等于所述第一濃度，并且暴露于所述第二曝光能量的所述感光層的所述部分在使經曝光的所述感光層顯影之后被洗掉。在又一個實施例中，用于在襯底上形成圖案的方法包括:提供襯底；在襯底上形成感光層，其中該感光層包含轉變成溶于顯影液的聚合物、響應于第一曝光能量分解以形成酸的第一濃度的PAG、以及響應于第二曝光能量分解以形成堿的第二濃度的PBG ;調節(jié)第一濃度、第二濃度或這兩者以改善圖案中的對比度和/或臨界尺寸；調節(jié)第一曝光能量、第二曝光能量、或這兩者的強度以改善圖案中的對比度和/或臨界尺寸；通過第一掩模使感光層暴露于第一曝光能量；通過第二掩模使感光層暴露于第二曝光能量；烘烤感光層；以及使經曝光的感光層顯影。暴露于第二曝光能量的層的一部分與暴露于第一曝光能量的一部分重疊。在所述的方法中，所述第二曝光能量足以活化所述PAG和所述PBG。在所述的方法中，所述第二濃度大于所述第一濃度，并且暴露于所述第二曝光能量的所述感光層的所述部分在使經曝光的所述感光層顯影之后仍保留；或者所述第二濃度約等于所述第一濃度，并且暴露于所述第二曝光能量的所述感光層的所述部分在使經曝光的所述感光層顯影之后被洗掉。


當結合附圖進行閱讀時，根據以下的詳細描述可以更好地理解本發(fā)明的各方面。需要注意的是，根據工業(yè)中的標準實踐，各部件均未按比例繪制。事實上，為了清楚地論述，各部件的尺寸可以被任意增加或減小。圖1是根據本發(fā)明的多個方面構建的用于在襯底上形成圖案的方法的流程圖。圖2示出了在實施例中根據本發(fā)明的多個方面構建的具有在光刻工藝各階段的感光層的半導體器件的截面圖。圖3示出了在實施例中根據本發(fā)明的多個方面構建的用于在襯底上形成圖案的方法。圖4示出了在實施例中根據本發(fā)明的多個方面構建的在襯底上形成圖案的方法中用于第一曝光的強度和位置。圖5示出了在實施例中根據本發(fā)明的多個方面構建的在襯底上形成圖案的方法中用于第二曝光的強度和位置。圖6示出了由圖4和圖5中的第一和第二曝光產生的累積曝光能量。圖7示出了初始單次曝光與圖6的兩次曝光之間的比較。圖8示出了在實施例中根據本發(fā)明的多個方面構建的在襯底上形成圖案的方法中的圖案設計。圖9示出了在實施例中根據本發(fā)明的多個方面構建的在襯底上形成圖案的方法中的圖案設計。
具體實施例應當了解為了實施各個實施例的不同部件，以下公開內容提供了許多不同的實施例或實例。在下面描述元件和布置的特定實例以簡化本發(fā)明。當然這些僅僅是實例并不打算限定。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括其中第一和第二部件以直接接觸形成的實施例，并且也可以包括其中可以形成介入第一和第二部件中的額外的部件，使得第一和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明在各個實例中可以重復使用參考標號和/或字母。這種重復僅僅是為了簡明和清楚的目的，其本身并不是表示所論述的各個實施例和/或結構之間的關系。方法100是用于制造半導體器件的光刻方法。術語光刻(lithography)、浸沒式光刻、光刻(photolithography)和光學光刻在本發(fā)明中可以互換使用。光刻是一種在微制造(諸如半導體制造)中用于選擇性地去除部分薄膜或襯底的工藝。該工藝利用光將圖案(例如幾何圖案)從光掩模轉印至襯底上的感光層(例如光刻膠(photoresist)，或簡稱為“光刻膠(resist)”)。光引起感光層的曝光區(qū)域發(fā)生化學變化，這會增加或減小曝光區(qū)域的溶解度。如果曝光區(qū)域的溶解度變得更大，則該感光層被稱為正性光刻膠。如果該曝光區(qū)域的溶解度變得更小，則該感光層被稱為負性光刻膠。可以在使襯底曝光之前或之后實施烘烤工藝，諸如曝光后烘烤工藝。顯影工藝利用顯影液選擇性地去除經曝光或未曝光的區(qū)域，在襯底上方產生曝光圖案。然后可以在襯底(或材料層)內進行一系列化學處理以刻蝕/蝕刻曝光圖案，而經圖案化的光刻膠保護下面的襯底(或材料層)的區(qū)域?？蛇x地，可以實施金屬沉積、離子注入、或其他工藝。最后，用適當的試劑去除(或剝離)剩余的光刻膠，則襯底已準備好重復用于電路制造下一階段的整個工藝。在復雜的集成電路(例如，現代CMOS)中，可以對襯底進行多次光刻循環(huán)。
參見圖1，方法100從框102開始，在框102中，提供襯底210。將半導體器件200及其制造方法一起描述。半導體器件200可以是半導體晶圓或其他適合的器件。在本實施例中，半導體器件200包括具有各種摻雜區(qū)、介電部件、和/或多層互連件的硅襯底210。襯底210可以可選地包括其他適合的半導體材料，包括Ge、SiGe、或GaAs。襯底可以可選地包括非半導體材料，諸如用于薄膜晶體管液晶顯示(TFT-LCD)器件的玻璃板。半導體器件200可以進一步包括一個或多個待圖案化的材料層。另外，在半導體襯底210上設置的其他適合的材料層包括有機底部抗反射涂層(BARC)、無機BARC、抗蝕刻有機層、和/或粘合增強有機層。根據本領域中已知的設計要求，襯底210包括各種摻雜區(qū)(例如，P-型阱或η-型阱)。摻雜區(qū)摻雜有P-型摻雜劑，諸如硼或BF2 ；η-型摻雜劑,諸如磷或砷；或它們的組合。摻雜區(qū)可以以P-阱結構、以N-阱結構、以雙阱結構、或利用凸起的結構直接形成在襯底210上。半導體襯底210可以進一步包括各種有源區(qū)，諸如配置用于N-型金屬氧化物半導體晶體管器件(被稱為NMOS器件)的區(qū)域和配置用于P-型金屬氧化物半導體晶體管器件(被稱為PMOS器件)的區(qū)域。可以理解，半導體器件200可以通過CMOS技術加工形成，因此有一些工藝在本文中不進行詳細描述。方法100進行至步驟104，其中形成含有聚合物、PAG、和PBG的感光層。圖2提供了在各個光刻圖案化步驟中的半導體器件200的截面圖。參見圖2，感光材料層(或感光層、光刻膠(photoresist或resist)層)220設置在襯底210上。例如,利用旋涂技術在襯底210上形成感光 層220。光刻膠層是正型或負型光刻膠材料并且可以具有多層結構。感光層220應用化學增幅型(CA)光刻膠材料。在一個實施例中，正性CA光刻膠材料包括聚合物材料，該聚合物材料在聚合物與酸發(fā)生反應后轉變成溶于顯影劑(諸如堿溶液)?？蛇x地，CA光刻膠材料可以是負性的并且包括聚合物材料，該聚合物材料在聚合物與酸發(fā)生反應后轉變成不溶于顯影劑(諸如堿溶液)。感光層220進一步包括填充在聚合物內的溶齊U?？梢酝ㄟ^軟烤工藝部分蒸發(fā)該溶劑。感光層220還包括分布在該感光層220中的光生酸劑(PAG)。當吸收光能量時，PAG發(fā)生分解并形成少量的酸222。該PAG可以具有任何合適的濃度，如本領域中已知的。在曝光后烘烤(PEB)以及用堿性溶液顯影之后，顯現出開口或溝槽224。通常，溝槽224邊緣處的對比度是模糊不清的并且由于曝光能量在該邊緣附近下降而導致溝槽的⑶存在誤差。在下文中給出了 PAG(即，在暴露于高能量曝光時能夠產生酸的化合物)的實例。應該理解，它們可以單獨使用或以兩種或更多種的混合物的形式使用。琉鐵鹽是琉鐵陽尚子與橫酸酷的鹽。不例性的琉鐵陽尚子包括二苯基琉鐵、(4-叔丁氧基苯基)~■苯基琉鐵、雙(4-叔丁氧基苯基)苯基琉鐵、二(4-叔丁氧基苯基)琉鐵、(3-叔丁氧基苯基)二苯基锍鐵、雙(3-叔丁氧基苯基)苯基锍鐵、三(3-叔丁氧基苯基)琉鐵、(3，4- _■叔丁氧基苯基)_■苯基琉鐵、雙(3，4- _■叔丁氧基苯基)苯基琉鐵、二(3，4- _■叔丁氧苯基)琉鐵、_■苯基(4_硫代苯氧基苯基)琉鐵、(4_叔丁氧基擬基甲氧基苯基)~■苯基琉鐵、二(4_叔丁氧基擬基甲氧基苯基)琉鐵、(4_叔丁氧基苯基)雙(4_ _■甲基氣基苯基)琉鐵、二(4- _■甲基氣基苯基)琉鐵、2-奈基_■苯基琉鐵、_■甲基_2-奈基琉鐵、4-輕基苯基_.甲基琉鐵、4_甲氧基苯基_.甲基琉鐵、二甲基琉鐵、_■苯基甲基琉鐵、甲基_2-氧代丙基苯基琉鐵、2-氧代環(huán)己基環(huán)己基甲基琉鐵、二奈基琉鐵、和二節(jié)基琉鐵。不例性的磺酸酯包括三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2，2，2-三氟乙烷磺酸酯、五氟苯磺酸酯、4-三氟甲基苯磺酸酯、4-氟苯磺酸酯、甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺酸酯、樟腦磺酸酯、辛烷磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、和甲烷磺酸酯。碘鎗鹽是碘鎗陽離子與磺酸酯的鹽。示例性的碘鎗陽離子是芳基碘鎗陽離子，包括二苯基碘鐵、雙(4-叔丁基苯基)碘鐵、4-叔丁氧基苯基苯基碘鐵、和4-甲氧基苯基苯基碘鎗。示例性的磺酸酯包括三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2，2，2-三氟乙烷磺酸酯、五氟苯磺酸酯、4-三氟甲基苯磺酸酯、4-氟苯磺酸酯、甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺酸酯、樟腦磺酸酯、辛烷磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、和甲烷磺酸酯。還包括基于前述實例的組合的碘鎗鹽。示例性的磺酰基重氮甲烷類化合物包括雙磺?；氐淄轭惢衔锖突酋；驶氐淄轭惢衔?，諸如雙(乙基磺?；?重氮甲烷、雙(1-甲基丙基磺?；?重氮甲烷、雙(2-甲基丙基磺?；?重氮甲烷、雙(1，1-二甲基乙基磺?；?重氮甲烷、雙(環(huán)己基磺?；?重氮甲烷、雙(全氟異丙基磺?；?重氮甲烷、雙(苯基磺?；?重氮甲烷、雙(4-甲基苯基磺?；?重氮甲烷、雙(2，4-二甲基苯基磺酰基)重氮甲烷、雙(2-萘基磺?；?重氮甲烷、4-甲基苯基磺酰基苯甲?；氐淄椤⑹宥』驶?4-甲基苯基磺?；氐淄?、2-萘基磺?；郊柞；氐淄?、4-甲基苯基磺?；?2-萘?；?重氮甲烷、甲基磺?；郊柞；氐淄?、和叔丁氧基羰基-4-甲基苯基磺?；氐淄椤-磺?；趸啺奉怭AG包括酰亞胺骨架與磺酸酯的組合。示例性的酰亞胺骨架是琥珀酰亞胺、萘二甲酰亞胺、酞酰亞胺、環(huán)己基甲酰亞胺、5-降冰片烯-2，3-二甲酰亞胺、和7-氧雜二環(huán)[2.2.1]-5_庚烯-2，3-二甲酰亞胺。示例性的磺酸酯包括三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2，2，2-三氟乙烷磺酸酯、五氟苯磺酸酯、4-三氟甲基苯磺酸酯、4-氟苯磺酸酯、甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺酸酯、樟腦磺酸酯、辛烷磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、和甲烷磺酸酯。苯偶姻磺酸酯類PAG包括苯偶姻甲苯磺酸酯、苯偶姻甲磺酸酯、和苯偶姻丁烷磺酸酯。連苯三酚三磺酸酯類PAG包括連苯三酚、氟甘氨酸、鄰苯二酚、間苯二酚、和對苯二酚，其中所有的羥基全都被三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2，2，2-三氟乙烷磺酸酯、五氟苯磺酸酯、4-三氟甲基苯磺酸酯、4-氟苯磺酸酯、甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺酸酯、樟腦磺酸酯、辛烷磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、和甲烷磺酸酯替代。硝基芐基磺酸酯類PAG包括2，4- 二硝基芐基磺酸酯、2_硝基芐基磺酸酯、和2，
6-二硝基芐基磺酸酯，其中示例性的磺酸酯包括三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2，2，2-三氟乙烷磺酸酯、五氟苯磺酸酯、4-三氟甲基苯磺酸酯、4-氟苯磺酸酯、甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺酸酯、樟腦磺酸酯、辛烷磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、和甲烷磺酸酯。也可以使用其中芐基一側的硝基基團被三氟甲基基團取代的類似的硝基芐基磺酸酯類化合物。砜類PAG包括雙(苯基磺酰基)甲烷、雙(4-甲基苯基磺?；?甲烷、雙(2-萘基磺酰基)甲烷、2，2-雙(苯基磺?；?丙烷、2，2-雙(4-甲基苯基磺?；?丙烷、2，2-雙(2-萘基磺酰基)丙烷、2-甲基-2-(對甲苯磺?；?苯丙酮、2-環(huán)己基羰基-2-(對甲苯磺?；?丙烷、和2，4_ 二甲基-2-(對甲苯磺?；?戊烷-3-酮。乙二肟衍生物形式的PAG包括雙-鄰_(對甲苯磺?；?-α - 二甲基乙二肟、雙-鄰_(對甲苯磺?；?-α_ 二苯基乙二肟、雙-鄰_(對甲苯磺酰基)-α_ 二環(huán)己基乙二肟、雙-鄰_(對甲苯磺?；?-2，3_戊二酮乙二肟、雙-鄰_(對甲苯磺?；?-2_甲基-3，4-戊二酮乙二肟、雙-鄰_(正丁烷磺?；?_ α - 二甲基乙二肟、雙-鄰_(正丁烷磺?；?-α - 二苯基乙二肟、雙-鄰-(正丁烷磺?；?_α - 二環(huán)己基乙二肟、雙-鄰_(正丁烷磺?；?-2，3-戊二酮乙二肟、雙-鄰_(正丁烷磺?；?-2_甲基-3，4-戊二酮乙二肟、雙-鄰_(甲烷磺?；?-α_ 二甲基乙二肟、雙-鄰_(三氟甲烷-磺?；?-α_ 二甲基乙二肟、雙-鄰-(1，1，1-三氟乙烷磺?；?-α - 二甲基乙二肟、雙-鄰-(叔丁烷磺?；?-α-二甲基乙二肟、雙-鄰-(全氟辛烷磺?；?-α-二甲基乙二肟、雙-鄰-(環(huán)己基磺酰基)-α - 二甲基乙二肟、雙-鄰-(苯磺?；?-α_ 二甲基乙二肟、雙-鄰-(對氟苯磺?；?-α - 二甲基乙二肟、雙-鄰-(對叔丁基苯磺?；?-α-二甲基乙二肟、雙-鄰-(二甲苯磺?；?-α - 二甲基乙二肟、和雙-鄰_(樟腦磺酰基)_α - 二甲基乙二肟。感光層220還包括分布在聚合物中的光生堿劑(PBG)(未示出)。當吸收光能量時，PBG發(fā)生分解并形成少量的堿。該PBG可以具有任何適合的濃度，如本領域中已知的。PBG能夠中和酸，尤其是由PAG的活化形成的酸。PBG加強(tighten)分辨率從而提供溝槽224的改善的圖案、增強的對比度、以及更小的CD。所獲得的圖案的分辨率通過例如調整或調解PBG相對于PAG的加載量或濃度而得到改善。例如，可以優(yōu)化PAG與PBG的比率使得感光層220中的PBG的濃度大于PAG的濃度，例如，PAG與PBG的比率可以為1: 1.2、1: 1.4、
1: 1.6,1: 2等?？蛇x地，PAG和PBG可以以相似的量存在。PBG的實例包括氨基甲酸酯、氨基甲?；p胺(carbamonyl hydroxyamine)、月虧、磺酰胺、內酰胺(或環(huán)酰胺)、其他適合的材料、和/或它們的組合中的至少一種。一種示例性的氨基甲酸酯由下式表示:
權利要求
1.一種用于在襯底上形成圖案的方法，所述方法包括: 提供襯底； 在所述襯底上方形成感光層，其中，所述感光層包含轉變成溶于顯影液的聚合物、至少一種光生酸劑(PAG)、以及至少一種光生堿劑(PBG)； 通過第一掩模使所述感光層暴露于第一曝光能量； 通過第二掩模使所述感光層暴露于第二曝光能量，其中，暴露于所述第二曝光能量的所述層的一部分與暴露于所述第一曝光能量的一部分重疊； 烘烤所述感光層；以及 使經曝光的所述感光層顯影。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一曝光能量足以活化所述PAG，所述第二曝光能量足以活化所述PAG和PBG。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述PAG以第一濃度存在，以及所述PBG以第二濃度存在，并且其中，所述第二濃度大于或等于所述第一濃度。
4.根據權利要求3所述的方法，進一步包括調節(jié)所述第一濃度、所述第二濃度、或這兩者以改善所述圖案中的對比度和/或臨界尺寸。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二濃度大于所述第一濃度，并且暴露于所述第二曝光能量的所述感光層的所述部分在使經曝光的所述感光層顯影之后仍保留；或者所述第二濃度約等于所述第一濃度，并且暴露于所述第二曝光能量的所述感光層的所述部分在使所述經曝光的感光層顯影之后被洗掉。
6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二曝光能量的強度高于所述第一曝光能量的強度。
7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括調節(jié)所述第一曝光能量、所述第二曝光能量、或這兩者的強度以改善所述圖案中的對比度和/或臨界尺寸。
8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述PAG包含锍鎗鹽、碘鎗鹽、磺酰基重氮甲烷類化合物、N-磺?；趸啺奉惢衔铩⒈脚家龌撬狨ヮ惢衔?、連苯三酚三磺酸酯類化合物、硝基芐基磺酸酯類化合物、砜類化合物、以及乙二肟衍生物中的一種或多種；以及其中，所述PBG包含氨基甲酸酯、氨基甲?；u胺、肟、磺酰胺、或內酰胺中的一種或多種。
9.一種用于在襯底上形成圖案的方法，包括: 提供襯底； 在襯底上形成感光層，所述感光層包含轉變成溶于顯影液的聚合物、響應于第一曝光能量分解以形成酸的第一濃度的光生酸劑(PAG)、以及響應于第二曝光能量分解以形成堿的第二濃度的光生堿劑(PBG)； 通過第一掩模使所述感光層暴露于所述第一曝光能量； 通過第二掩模使所述感光層暴露于所述第二曝光能量，其中暴露于所述第二曝光能量的所述層的一部分與暴露于所述第一曝光能量的一部分重疊； 烘烤所述感光層；以及 使經曝光的所述感光層顯影。
10.一種用于在襯底上形成圖案的方法，包括: 提供襯底；在襯底上形成感光層，所述感光層包含轉變成溶于顯影液的聚合物、響應于第一曝光能量分解以形成酸的第一濃度的光生酸劑(PAG)、以及響應于第二曝光能量分解以形成堿的第二濃度的光生堿劑(PBG)； 調節(jié)所述第一濃度、所述第二濃度或這兩者，以改善所述圖案中的對比度和/或臨界尺寸； 調節(jié)所述第一曝光能量、所述第二曝光能量、或這兩者的強度，以改善所述圖案中的對比度和/或臨界尺寸； 通過第一掩模使所述感光層暴露于所述第一曝光能量； 通過第二掩模使所述感光層暴露于所述第二曝光能量，其中暴露于所述第二曝光能量的所述層的一部分與暴露于所述第一曝光能量的一部分重疊； 烘烤所述感光層；以及 使所述經曝光的感光層顯 影。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種在襯底上形成圖案的方法。該方法包括提供襯底，在襯底上方形成感光層，通過第一掩模使感光層暴露于第一曝光能量，通過第二掩模使感光層暴露于第二曝光能量，烘烤感光層，以及使經曝光的感光層顯影。該感光層包括轉變成溶于顯影液的聚合物、至少一種光生酸劑(PAG)、以及至少一種光生堿劑(PBG)。暴露于第二曝光能量的層的一部分與暴露于第一曝光能量的一部分重疊。本發(fā)明提供了利用化學增幅型光刻膠組合物進行小溝槽圖案化的方法。
文檔編號G03F7/004GK103163730SQ201210102118
公開日2013年6月19日 申請日期2012年4月9日 優(yōu)先權日2011年12月16日
發(fā)明者張雅惠, 劉家助 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司