專利名稱：圖案形成方法及圖案形成裝置、以及元件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于圖案形成方法及圖案形成裝置、以及元件制造方法，進(jìn)一步詳言之，有關(guān)于在物體形成圖案的圖案形成方法及圖案形成裝置、以及使用該圖案形成方法及圖案形成裝置的元件制造方法。
背景技術(shù)：
用以制造半導(dǎo)體元件、液晶顯示元件等微元件(電子元件)的光刻工藝，是使用將形成于光掩膜或標(biāo)線片(以下，統(tǒng)稱為“標(biāo)線片”)的圖案通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)，轉(zhuǎn)印至涂有光刻膠的基板、例如晶片或玻璃板等感光物體(以下，統(tǒng)稱為“晶片”)上的曝光裝置。半導(dǎo)體元件等，是于晶片上重迭復(fù)數(shù)層圖案而形成。因此，曝光裝置必須有將已形 成于晶片上的圖案、與形成于標(biāo)線片的圖案調(diào)整至最佳相對(duì)位置關(guān)系的操作(對(duì)準(zhǔn))。此對(duì)準(zhǔn)方式，主要使用EGA (Enhanced Global Alignment,增強(qiáng)型全晶片對(duì)準(zhǔn))方式。此EGA方式，是事先選擇晶片內(nèi)特定的復(fù)數(shù)個(gè)照射區(qū)域(也稱為取樣照射區(qū)域或?qū)?zhǔn)照射區(qū)域)，并依序測(cè)量設(shè)于這些取樣照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(取樣標(biāo)記)的位置信息。然后，使用此測(cè)量結(jié)果與照射區(qū)域的設(shè)計(jì)上排列信息，進(jìn)行最小平方法等的統(tǒng)計(jì)運(yùn)算，求取晶片上照射區(qū)域的排列坐標(biāo)。因此，使用EGA方式能以高處理量、較高精度求得各照射區(qū)域的排列坐標(biāo)(例如，參考專利文獻(xiàn)I)。上述對(duì)準(zhǔn)，由于是測(cè)量設(shè)于復(fù)數(shù)個(gè)取樣照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。因此，必須沿著復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記能依序位于標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)(對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng))的檢測(cè)區(qū)域(檢測(cè)視野)內(nèi)的路徑移動(dòng)晶片?，F(xiàn)有的晶片對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作(取樣標(biāo)記的測(cè)量動(dòng)作)是在晶片曝光開(kāi)始前先進(jìn)行，因此，當(dāng)取樣照射區(qū)域數(shù)量增加時(shí)，會(huì)有測(cè)量耗費(fèi)大量時(shí)間而引起曝光裝置整體的處理量降低的憂慮。因此，最近，開(kāi)發(fā)出所謂雙載臺(tái)方式的載臺(tái)裝置并逐漸采用于曝光裝置，其準(zhǔn)備兩個(gè)晶片載臺(tái)，在以一晶片載臺(tái)進(jìn)行曝光時(shí)另一晶片側(cè)載臺(tái)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的并行處理，來(lái)提升曝光工藝整體的處理量。然而，由于雙載臺(tái)非常昂貴，因此希望出現(xiàn)一種不使用雙載臺(tái)，能抑制對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作造成的處理量降低的技術(shù)。專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)昭61-44429號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是在上述情形下完成，其第I圖案形成方法，于物體上形成圖案，其特征在于，包含第I步驟，在移動(dòng)物體的期間，一邊移動(dòng)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的至少一部分、一邊檢測(cè)該物體上的標(biāo)記；以及第2步驟，使用該標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果于該物體形成圖案。據(jù)此，于移動(dòng)物體的期間，一邊移動(dòng)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的一部分、一邊檢測(cè)物體上的標(biāo)記。因此，能提升含第I步驟及第2步驟的全工藝的處理量。此時(shí)，標(biāo)記的檢測(cè)，可至少在該移動(dòng)體從將該物體保持于該移動(dòng)體的裝載位置、移動(dòng)至對(duì)該物體的圖案形成開(kāi)始位置為止的期間進(jìn)行，也可在至少在對(duì)物體的圖案形成開(kāi)始后(至少在圖案形成處理中(例如曝光處理中))進(jìn)行。本發(fā)明的第2圖案形成方法，于物體形成圖案，其包含第I步驟，在該物體移動(dòng)的期間，一邊使標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域移動(dòng)、一邊檢測(cè)該物體上的標(biāo)記；以及第2步驟，使用該標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果于該物體形成圖案。據(jù)此，由于是在物體移動(dòng)中，一邊使標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域移動(dòng)、一邊檢測(cè)物體上的標(biāo)記，因此能通過(guò)在物體移動(dòng)中進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)，而縮短標(biāo)記檢測(cè)所需時(shí)間，進(jìn)而謀求全工藝處理量的提升。本發(fā)明的第3圖案形成方法，是于物體上形成圖案，其特征在于以標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)該物體上的標(biāo)記，使用該檢測(cè)結(jié)果開(kāi)始對(duì)該物體的圖案形成；且該圖案形成開(kāi)始后也以該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)該物體上的標(biāo)記，于該圖案形成使用該檢測(cè)結(jié)果。據(jù)此，由于在使用物體上標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果開(kāi)始對(duì)該物體的圖案形成開(kāi)始后，與該 圖案形成并行進(jìn)行物體上標(biāo)記的檢測(cè)，于圖案形成使用其檢測(cè)結(jié)果，因此能在維持處理量的狀態(tài)下，增加所檢測(cè)的標(biāo)記數(shù)量。如此，即能在維持處理量的狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)高精度的圖案形成。本發(fā)明的第4圖案形成方法，于物體形成圖案，其特征在于使該物體移動(dòng)于第I方向，通過(guò)在與該第I方向正交的第2方向具有不同位置的檢測(cè)區(qū)域的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，來(lái)分別檢測(cè)該物體上于該第I方向不同位置的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記，且通過(guò)與該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)不同的檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)與該物體面形狀相關(guān)的信息；使用該二個(gè)檢測(cè)結(jié)果于該物體形成圖案。據(jù)此，由于是一邊使物體移動(dòng)于第I方向、一邊通過(guò)在與該第I方向正交的第2方向具有不同位置的檢測(cè)區(qū)域的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，來(lái)分別檢測(cè)物體上于第I方向不同位置的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記，因此能謀求標(biāo)記檢測(cè)所需時(shí)間的縮短。此外，由于是使用標(biāo)記檢測(cè)結(jié)果與關(guān)于物體面形狀的信息于物體形成圖案，因此能進(jìn)行高精度的圖案形成。本發(fā)明的第I圖案形成裝置，是用以在移動(dòng)體所保持的物體形成圖案，其具備標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，其至少一部分能移動(dòng)；以及控制裝置，于該移動(dòng)體的移動(dòng)中移動(dòng)該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的至少一部分，以通過(guò)該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)該物體上的標(biāo)記。據(jù)此，控制裝置于移動(dòng)體的移動(dòng)中，一邊移動(dòng)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的至少一部分、一邊以標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)物體上的標(biāo)記。因此，能提升圖案形成工藝整體的處理量。此時(shí)，該控制裝置，可控制標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)至少一部分的移動(dòng)，以使標(biāo)記的檢測(cè)，至少在移動(dòng)體從將物體保持于移動(dòng)體的裝載位置起，移動(dòng)至對(duì)物體的圖案形成開(kāi)始位置的期間進(jìn)行，也可控制標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)至少一部分的移動(dòng)，以使標(biāo)記的檢測(cè)，至少在對(duì)物體的圖案形成開(kāi)始后(至少在圖案形成處理中(例如曝光處理中))進(jìn)行。本發(fā)明的第2圖案形成裝置，用以在移動(dòng)體所保持的物體形成圖案，其具備標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，其至少一部分能移動(dòng)；以及控制裝置，于該移動(dòng)體的移動(dòng)中控制該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域的移動(dòng)，以通過(guò)該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)該物體上的標(biāo)記。據(jù)此，由于控制裝置在移動(dòng)體的移動(dòng)中移動(dòng)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域，以該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)物體上的標(biāo)記，因此能通過(guò)在物體移動(dòng)中進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)，而縮短標(biāo)記檢測(cè)所需時(shí)間，進(jìn)而謀求圖案形成工藝整體的處理量的提升。本發(fā)明的第3圖案形成裝置，用以在移動(dòng)體所保持的物體形成圖案，其具備標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，用以檢測(cè)該物體上的標(biāo)記；以及控制裝置，控制使用該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的該物體上標(biāo)記的檢測(cè)、及對(duì)該物體的圖案形成；該控制裝置，以標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)該物體上的標(biāo)記，使用該檢測(cè)結(jié)果開(kāi)始對(duì)該物體的圖案形成，且在該圖案形成開(kāi)始后也以該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)該物體上的標(biāo)記，于該圖案形成使用該檢測(cè)結(jié)果。據(jù)此，由于控制裝置是在使用物體上標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行對(duì)物體的圖案形成開(kāi)始后，也與圖案形成并行進(jìn)行物體上標(biāo)記的檢測(cè)，使用此檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行圖案形成，因此能在維持處理量的狀態(tài)下，增加所檢測(cè)的標(biāo)記數(shù)量。如此，即能在維持處理量的狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)高精度的圖案形成。本發(fā)明的第4圖案形成裝置，用以在移動(dòng)體所保持的物體形成圖案，其具備復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，具有在與第I方向正交的第2方向位置不同的檢測(cè)區(qū)域；檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)與該物體面形狀相關(guān)的信息；以及控制裝置，一邊于該第I方向移動(dòng)該移動(dòng)體、一邊分別使用該復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)該物體上于該第I方向位置不同的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記，且使用該檢測(cè)裝置檢測(cè)與該物體面形狀相關(guān)的信息，使用此二個(gè)檢測(cè)結(jié)果于該物體形成圖案。 據(jù)此，由于控制裝置系一邊于第I方向移動(dòng)物體、一邊分別使用復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)物體上于第I方向位置不同的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記，因此能謀求標(biāo)記檢測(cè)所需時(shí)間的縮短。此外，由于使用標(biāo)記檢測(cè)結(jié)果與關(guān)于物體面形狀的信息于物體形成圖案，因此能進(jìn)行高精度的圖案形成。又，使用本發(fā)明的第I 第4圖案形成方法、本發(fā)明的第I 第4圖案形成裝置于感應(yīng)物體上轉(zhuǎn)印圖案，能提升高積體度微元件的生產(chǎn)性。因此，本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，是一種元件制造方法，其包含使用本發(fā)明的第I 第4圖案形成方法、本發(fā)明的第I 第4圖案形成裝置于感應(yīng)物體上形成圖案的轉(zhuǎn)印步驟。
圖I是顯示第I實(shí)施方式的曝光裝置的概略圖。圖2是顯示圖I的載臺(tái)裝置的俯視圖。圖3是顯示對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)載臺(tái)裝置的構(gòu)成的圖。圖4是用以說(shuō)明對(duì)準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)的構(gòu)成的圖。圖5是放大顯示對(duì)準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)的一部分的圖。圖6是顯示第I實(shí)施方式的曝光裝置的控制的方塊圖。圖7(A)、(B)是用以說(shuō)明使用晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的并行處理動(dòng)作的圖(其I)。圖8(A)、(B)是用以說(shuō)明使用晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的并行處理動(dòng)作的圖(其2)。圖9(A)、(B)是用以說(shuō)明使用晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的并行處理動(dòng)作的圖(其3)。圖10(A)、(B)是用以說(shuō)明使用晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的并行處理動(dòng)作的圖(其4)。圖11是顯示晶片載臺(tái)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的移動(dòng)速度的圖。圖12(A)、(B)是用以說(shuō)明第2實(shí)施方式的使用晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的并行處理動(dòng)作的圖(其I)。圖13(A)、(B)是用以說(shuō)明第2實(shí)施方式的使用晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的并行處理動(dòng)作的圖(其2)。方式圖14(A)、(B)，系用以說(shuō)明第2實(shí)施方式的使用晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的并行處理動(dòng)作的圖(其3)。
具體實(shí)施例方式《第I實(shí)施方式》以下，根據(jù)圖I 圖11說(shuō)明本發(fā)明的第I實(shí)施方式。圖I中，概略顯示第I實(shí)施方式的曝光裝置100的構(gòu)成。此曝光裝置100，是步進(jìn)掃描(step & scan)方式的掃描型曝光裝置，也即所謂掃描機(jī)。曝光裝置100，包含將曝光用照明光(以下，稱照明光或曝光用光)IL照射于標(biāo)線片R上的照明區(qū)域IAR的照明系統(tǒng)ILS、保持標(biāo)線片R的標(biāo)線片載臺(tái)RST、包含將從標(biāo)線片R射出的照明光IL投射至晶片W上的投影光學(xué)系統(tǒng)的投影單元PU、包含裝載晶片的晶片載臺(tái)WST及用于為進(jìn)行曝光的測(cè)量的測(cè)量載臺(tái)MST的載臺(tái)裝置150、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2(關(guān) 于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2請(qǐng)參照?qǐng)D3)、作為在2維面(XY平面)內(nèi)移動(dòng)該對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的致動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)裝置(以下，稱“對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)裝置”)160、及統(tǒng)籌控制曝光裝置全體動(dòng)作的主控制裝置50(圖I未圖示，參照?qǐng)D6)等。以下說(shuō)明中，以和投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向(圖I中紙面內(nèi)的上下方向)為Z軸，在與Z軸垂直的平面內(nèi)、于掃描曝光時(shí)標(biāo)線片R與晶片W同步移動(dòng)的既定掃描方向(在圖I中為紙面內(nèi)的左右方向)為Y軸，與該掃描方向正交的非掃描方向(在圖I中為與紙面垂直的方向)為X軸。又，繞X軸、Y軸、Z軸旋轉(zhuǎn)(傾斜)的方向分別定為9 x、0 y、Qz方向。又，曝光裝置100，通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液體Lq以照明光IL使晶片W曝光的液浸曝光裝置。本實(shí)施方式，采用在與晶片W對(duì)向配置且射出照明光IL的光學(xué)構(gòu)件，即投影光學(xué)系統(tǒng)PL中配置于最接近像面的光學(xué)元件(以下，稱終端光學(xué)元件、或最下端光學(xué)元件)與晶片W之間、含照明光IL光路的液浸空間充滿液體Lq的局部液浸方式,具備一部分(例如，嘴(nozzle)單元)設(shè)于機(jī)體BD的液浸裝置132。液浸裝置132，包含通過(guò)嘴單元對(duì)液浸空間供應(yīng)液體Lq的液體供應(yīng)裝置138、以及通過(guò)嘴單元回收液浸空間的液體Lq的液體回收裝置139(圖I中都未圖示，參照?qǐng)D6)，以主控制裝置50加以控制。嘴單元可以是圍繞投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下端部、內(nèi)部具有液體流路的環(huán)狀構(gòu)件，但本實(shí)施方式中，是以液體供應(yīng)嘴131A、及液體回收嘴131B構(gòu)成。又，在晶片W上排列成矩陣狀的復(fù)數(shù)個(gè)照射區(qū)域分別形成有圖案，且于各照射區(qū)域、以和該圖案的既定位置關(guān)系形成有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。本實(shí)施方式中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是2維標(biāo)記，包含例如在X軸及Y軸方向上分別周期性排列的2個(gè)I維圖案，且在晶片W上形成有區(qū)分復(fù)數(shù)個(gè)照射區(qū)域的分隔線(劃線)。又，晶片W上的照射區(qū)域(含對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)的排列信息是作為照射地圖數(shù)據(jù)儲(chǔ)存于主控制裝置50的存儲(chǔ)器。由于本實(shí)施方式采用前述EGA方式，故晶片W上復(fù)數(shù)個(gè)照射區(qū)域中，待檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的照射區(qū)域的位置及數(shù)量等相關(guān)信息(對(duì)準(zhǔn)照射數(shù)據(jù))也已輸入至主控制裝置50。此外，晶片載臺(tái)WST上的晶片W，其正交的分隔線分別與X軸及Y軸方向大致一致，于其表面形成有感光層(光刻膠層)。本實(shí)施方式中，可使用具有疏液性的感光材料，或者也可于感光層上形成保護(hù)用的表涂層膜。照明系統(tǒng)ILS包含光源及照明光學(xué)系統(tǒng)。該光源是使用例如ArF準(zhǔn)分子激光光源(輸出波長(zhǎng)193nm)。又，照明光學(xué)系統(tǒng)，包含例如以既定位置關(guān)系配置的光束整形光學(xué)系統(tǒng)、能量粗調(diào)器、光學(xué)積分器(均衡器或均質(zhì)器)、照明系統(tǒng)孔徑光闌、分束器、中繼透鏡、標(biāo)線片遮簾、光路彎折用反射鏡及聚光透鏡等(都未圖示)。又，照明系統(tǒng)ILS的構(gòu)成、各光學(xué)構(gòu)件的功能等，已揭露于例如國(guó)際公開(kāi)第2002/103766號(hào)小冊(cè)子(及對(duì)應(yīng)美國(guó)公開(kāi)第2003/0098959 號(hào))。前述標(biāo)線片載臺(tái)RST上，以例如真空吸附等方式固定有在圖案面(圖I的下面)形成有電路圖案等的標(biāo)線片R。標(biāo)線片載臺(tái)RST，通過(guò)包含例如線性馬達(dá)等的標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)55，而至少能在XY平面內(nèi)微驅(qū)動(dòng)，且在掃描方向(Y軸方向)以指定掃描速度驅(qū)動(dòng)。標(biāo)線片載臺(tái)RST的位置信息(至少包含X軸方向、Y軸方向、0 z方向的位置信息)是由標(biāo)線片激光干涉儀(以下，稱標(biāo)線片干涉儀)53通過(guò)移動(dòng)鏡65 (實(shí)際上，設(shè)有具有與Y軸方向正交的反射面的Y透鏡、與具有與X軸方向正交的反射面的X透鏡)，以例如0. 5至Inm程度的分解能力隨時(shí)加以檢測(cè)。該標(biāo)線片干涉儀53的量測(cè)值傳送至主控制裝置50。主控制裝置50根據(jù)該標(biāo)線片干涉儀53的量測(cè)值，以標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)55控制標(biāo)線片載臺(tái)RST的位置(及速度)。又，移動(dòng)鏡65除平面鏡外，也可是包含角隅型反射鏡(倒反射器)者，或者，也可取代將移動(dòng)鏡固設(shè)于標(biāo)線片載臺(tái)RST，而使用例如將標(biāo)線片載臺(tái)RST的端面 (側(cè)面)施以鏡面加工所形成的反射面。前述投影單元W，是配置于圖I的標(biāo)線片載臺(tái)RST下方。該投影單元受設(shè)置于地面(或底板)上的機(jī)體(例如，包含以3個(gè)或4個(gè)分別設(shè)有防振單元的支柱來(lái)支撐基座構(gòu)件的保持機(jī)構(gòu))所支撐。投影單元PU插入于機(jī)體BD上所形成的開(kāi)口 BDa，通過(guò)凸緣FLG受機(jī)體BD支撐。投影單元包含鏡筒140、具有以既定位置關(guān)系保持于該鏡筒140內(nèi)的復(fù)數(shù)個(gè)光學(xué)元件的投影光學(xué)系統(tǒng)PL。投影光學(xué)系統(tǒng)PL，是使用由例如沿光軸AX排列的復(fù)數(shù)個(gè)透鏡(透鏡元件)所構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)。該投影光學(xué)系統(tǒng)PL例如是兩側(cè)遠(yuǎn)心、具有既定的投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍)。因此，當(dāng)照明系統(tǒng)ILS的照明光IL照明標(biāo)線片R上的照明區(qū)域IAR時(shí)，利用該通過(guò)標(biāo)線片R的照明光IL，通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL (投影單元PU)，將該照明區(qū)域IAR內(nèi)標(biāo)線片R的電路圖案縮小像(電路圖案一部分的縮小像)形成于表面涂布光刻膠的晶片Wl (或W2)上的該照明區(qū)域IAR的共軛區(qū)域(以下，也稱“曝光區(qū)域”或“投影區(qū)域”)IA。又，本實(shí)施方式雖是將投影單元裝載于機(jī)體BD，但也可如例如國(guó)際公開(kāi)第2006/038952號(hào)小冊(cè)子所揭示，將投影單元PU懸吊支撐于圖I中配置在機(jī)體BD上方(+Z側(cè))的主框架。本實(shí)施方式的曝光裝置100，至少在掃描曝光中，以液浸裝置132通過(guò)投影單元PU在包含照明光IL照射的曝光區(qū)域IA的晶片W上的一部分，局部的形成較曝光區(qū)域IA大且較晶片W小的液浸區(qū)域。于投影單元PU的下端部附近，設(shè)有構(gòu)成液浸裝置132的一部分的嘴單元，即設(shè)有液體供應(yīng)嘴131A、以及液體回收嘴131B。于前述液體供應(yīng)嘴131A，連接有其一端連接于液體供應(yīng)裝置138 (參照?qǐng)D6)的未圖示的供應(yīng)管的另一端。于前述液體回收嘴131B，連接有其一端連接于液體回收裝置139 (參照?qǐng)D6)的未圖示的回收管的另一端。主控制裝置50，通過(guò)液體供應(yīng)嘴131A將液體(例如純水)Lq供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL最下端的光學(xué)元件(透鏡等)與晶片W之間，并通過(guò)液體回收嘴131B回收液體Lq。此時(shí)，主控制裝置50控制體供應(yīng)裝置138及液體回收裝置139，以使液體供應(yīng)嘴131A所供應(yīng)的液體Lq的量、與通過(guò)液體回收嘴131B所回收的液體Lq的量相等。因此，于晶片W上保持一定量的液體Lq (參照?qǐng)DI)。此時(shí)，晶片W上所保持的液體Lq隨時(shí)更換。
又，在投影單元下方配置測(cè)量載臺(tái)MST的情形時(shí)，也能與上述同樣的，在測(cè)量臺(tái)MTB與投影單元之間充滿液體Lq，即形成液浸區(qū)域。此外，本實(shí)施方式，雖至少將液浸裝置132的嘴單元設(shè)于機(jī)體BD，但若如前所述，曝光裝置100的構(gòu)成是將投影單元懸吊支撐于主框架的情形時(shí)，也可將嘴單元設(shè)在例如與投影單元PU分開(kāi)獨(dú)立懸吊支撐于該主框架的框架。前述載臺(tái)裝置150，如圖I及載臺(tái)裝置150的俯視圖的圖2所示，包含配置于基臺(tái)112上的晶片載臺(tái)WST、以及例如日本特開(kāi)平11-135400號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)國(guó)際公開(kāi)第1999/23692號(hào)小冊(cè)子)、特開(kāi)2000-164504號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第6，897，963號(hào))等所揭示的具有測(cè)量用構(gòu)件(基準(zhǔn)標(biāo)記、傳感器等)的測(cè)量載臺(tái)MST，用以測(cè)量這些載臺(tái)WST (晶片W) ,MST的位置(位置信息)的干涉儀系統(tǒng)118 (參照?qǐng)D6)，用以驅(qū)動(dòng)載臺(tái)WST，MST的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124(參考圖6)。雖未圖示，但基臺(tái)112系通過(guò)例如4個(gè)防振單元配置于地面(或底板等)上。在晶片載臺(tái)WST及測(cè)量載臺(tái)MST的底面，于復(fù)數(shù)個(gè)位置設(shè)有未圖標(biāo)的非接觸軸承、例如空氣軸承(也稱為氣墊)。晶片載臺(tái)WST、測(cè)量載臺(tái)MST是這些空氣軸承、通過(guò)數(shù)U m程度的間隙支撐于基臺(tái)112的上面。又，各載臺(tái)WST，MST是通過(guò)載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124，在XY平 面內(nèi)彼此被獨(dú)立驅(qū)動(dòng)(含0 z旋轉(zhuǎn))。詳言之，晶片載臺(tái)WST1，如圖I所示，包含于底面設(shè)有上述空氣軸承的晶片載臺(tái)本體91，以及通過(guò)未圖示的Z傾斜機(jī)構(gòu)(包含例如音圈馬達(dá)等致動(dòng)器)搭載于該晶片載臺(tái)本體91上,能相對(duì)晶片載臺(tái)本體91微驅(qū)動(dòng)于Z軸方向、0 X方向及0 y方向的晶片臺(tái)WTB。于晶片臺(tái)WTB上，設(shè)有大致矩形、其中央部形成有內(nèi)徑略大于晶片W的圓形開(kāi)口的輔助板(疏液板)128。又，于圓形開(kāi)口內(nèi)部，設(shè)有以真空吸附等方式保持晶片W的晶片保持具(未圖示)。前述輔助板128具有經(jīng)疏液(對(duì)液體Lq)化處理的表面(疏液面)，其表面被設(shè)定為與晶片保持具所吸附保持的晶片W大致同一面高。此外，輔助板128以低熱膨脹率的材料、例如以璃或陶瓷(SH0TT (首德公司)制Zerodur (零膨脹陶瓷玻璃)、A1203或TiC等)形成，其表面以例如氟樹(shù)脂材料、四氟乙烯等(鐵氟龍(注冊(cè)商標(biāo)))等氟系樹(shù)脂材料、丙烯系樹(shù)脂材料或硅系樹(shù)脂材料等形成的疏液膜。前述測(cè)量載臺(tái)MST，包含上述空氣軸承設(shè)于其底面的測(cè)量載臺(tái)本體本體92，以及通過(guò)未圖示的Z傾斜機(jī)構(gòu)搭載于該測(cè)量載臺(tái)本體92上的測(cè)量臺(tái)MTB。于前述測(cè)量臺(tái)MTB (及測(cè)量載臺(tái)本體92)設(shè)有各種測(cè)量用構(gòu)件。此測(cè)量構(gòu)件，包含例如特開(kāi)平5-21314號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第5，243，195號(hào))等所揭示的形成有復(fù)數(shù)個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)記的基準(zhǔn)標(biāo)記構(gòu)件、以及通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL接受照明光IL的傳感器等。本實(shí)施方式中，作為此傳感器，采用例如特開(kāi)平11-16816號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)公開(kāi)2002/0061469號(hào))等所揭示的照度監(jiān)測(cè)器、例如特開(kāi)昭57-117238號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第4，465，368號(hào))等所揭示的照度不均傳感器、例如特開(kāi)2002-14005號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)公開(kāi)2002/0041377號(hào))等所揭示的空間像測(cè)量器、以及例如國(guó)際公開(kāi)第2003/065428號(hào)小冊(cè)子等所揭示的謝克-哈特曼(Shack-Hartman)方式的波面像差測(cè)量器的至少一者。本實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)于進(jìn)行通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液體Lq以照明光IL使晶片W曝光的液浸曝光，以照明光IL進(jìn)行的測(cè)量所使用的上述傳感器，可以是例如僅將光學(xué)系統(tǒng)等的一部分搭載于測(cè)量臺(tái)MTB(及測(cè)量載臺(tái)本體92)，也可將傳感器全體配置于測(cè)量臺(tái)MTB (及測(cè)量載臺(tái)本體92)。又，本實(shí)施方式中，測(cè)量臺(tái)MTB (可包含前述測(cè)量用構(gòu)件)表面以覆有疏液膜(疏水膜)。其次，說(shuō)明載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124。如圖2的俯視圖所示，于基臺(tái)112的+X側(cè)、-X側(cè)分別配置有往Y方向延伸的一對(duì)Y軸固定件86，87。這些Y軸固定件86，87由具有在其內(nèi)部沿例如Y軸方向以既定間隔配置的復(fù)數(shù)個(gè)線圈的電樞單元所構(gòu)成。這些Y軸固定件86，87分別卡合于沿X軸延伸的X軸固定件80的長(zhǎng)邊方向方向一端與另一端分別設(shè)有的Y軸可動(dòng)件82，83。又，Y軸固定件86，87也分別卡合于沿X軸延伸的X軸固定件81的長(zhǎng)邊方向方向一端與另一端分別設(shè)有的Y軸可動(dòng)件84，85。Y軸可動(dòng)件82 85分別由具有沿例如Y軸方向以既定間隔配置的復(fù)數(shù)個(gè)永久磁鐵的磁極單元所構(gòu)成。S卩，通過(guò)Y軸固定件86與Y軸可動(dòng)件82、Y軸固定件87與Y軸可動(dòng)件83、Y軸固定件86與Y軸可動(dòng)件84、Y軸固定件87與Y軸可動(dòng)件85，分別構(gòu)成于Y軸方向驅(qū)動(dòng)Y軸可動(dòng)件82 85的4個(gè)可動(dòng)磁鐵型Y軸線性馬達(dá)。以下，該4個(gè)Y軸線性馬達(dá)分別用與Y軸可動(dòng)件相同符號(hào)，適當(dāng)?shù)姆Q為Y軸線性馬達(dá)82 85。另外，Y軸線性馬達(dá)也可采用可動(dòng)線 圈型線性馬達(dá)。該4個(gè)Y軸線性馬達(dá)中，以2個(gè)Y軸線性馬達(dá)82，83將晶片載臺(tái)WSTl與X軸固定件80 —體驅(qū)動(dòng)于Y軸方向，以其余2個(gè)Y軸線性馬達(dá)84，85，將晶片載臺(tái)WST2與X軸固定件81—體驅(qū)動(dòng)于Y軸方向。又，晶片載臺(tái)WST1，WST2分別受2個(gè)Y軸線性馬達(dá)驅(qū)動(dòng)而在0 z方向微動(dòng)。前述各X軸固定件80，81，例如是由內(nèi)藏沿X軸方向以既定間隔配置的電樞線圈的電樞單元所構(gòu)成。X軸固定件81，插入于構(gòu)成晶片載臺(tái)WST的晶片載臺(tái)本體91 (參考圖I)所形成的未圖示開(kāi)口。在晶片載臺(tái)本體91的該開(kāi)口部?jī)?nèi)部，設(shè)有由例如磁極單元構(gòu)成的未圖標(biāo)X軸可動(dòng)件。即，由X軸固定件81與X軸可動(dòng)件構(gòu)成于X軸方向驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST的可動(dòng)磁鐵型X軸線性馬達(dá)。以下，使于與其固定件的X軸固定件81相同的符號(hào)，適當(dāng)?shù)膶⒋薠軸線性馬達(dá)稱為X軸線性馬達(dá)81。又，X軸固定件80插入于構(gòu)成測(cè)量載臺(tái)MST的測(cè)量載臺(tái)本體92(參考圖I)所形成的未圖示開(kāi)口。在測(cè)量載臺(tái)本體92的該開(kāi)口部?jī)?nèi)部,設(shè)有由例如磁極單元構(gòu)成的未圖標(biāo)X軸可動(dòng)件。即，由X軸固定件80與X軸可動(dòng)件構(gòu)成于X軸方向驅(qū)動(dòng)測(cè)量載臺(tái)MST的可動(dòng)磁鐵型X軸線性馬達(dá)。以下，使于與其固定件的X軸固定件80相同的符號(hào)，適當(dāng)?shù)膶⒋薠軸線性馬達(dá)稱為X軸線性馬達(dá)80。又，另外，X軸線性馬達(dá)80，81也可采用可動(dòng)線圈型線性馬達(dá)。本實(shí)施方式，由Y軸線性馬達(dá)82 85及X軸線性馬達(dá)80，81，以及晶片載臺(tái)WST、測(cè)量載臺(tái)MST所分別具有的Z傾斜機(jī)構(gòu)，來(lái)構(gòu)成如圖6所示的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124。構(gòu)成此載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124的上述各線性馬達(dá)，受圖6所示主控制裝置50所控制。又，本實(shí)施方式中，相對(duì)投影光學(xué)系統(tǒng)PL在測(cè)量載臺(tái)MST的相反側(cè)(+Y側(cè))，設(shè)定以未圖標(biāo)的搬送裝置(晶片裝載器)移送晶片W的裝載位置WEP。晶片載臺(tái)WST在移動(dòng)至此裝載位置WEP裝載晶片W后，即朝向液體LQ正下方(前述曝光區(qū)域)移動(dòng)。在晶片W的曝光處理結(jié)束后，晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至卸載位置(本實(shí)施方式與裝載位置為相同位置)，進(jìn)行曝光處理后晶片W的卸載、以及次一待處理晶片的裝載(晶片更換)。晶片載臺(tái)WST (晶片W)及測(cè)量載臺(tái)MST的位置信息，由圖6的干涉儀系統(tǒng)118通過(guò)晶片臺(tái)WTB及測(cè)量臺(tái)MTB的側(cè)面(經(jīng)鏡面加工的反射面)，以例如0. 5 Inm程度的分解能力隨時(shí)檢測(cè)。干涉儀系統(tǒng)118，包含圖2所示用來(lái)檢測(cè)晶片載臺(tái)WST的Y軸方向位置(含9 z方向的位置)的Y干涉儀16、用來(lái)檢測(cè)測(cè)量載臺(tái)MST的Y軸方向位置(含0z方向的位置)的Y干涉儀18、用來(lái)檢測(cè)各載臺(tái)的X軸方向位置的X干涉儀24，26、以及用來(lái)檢測(cè)晶片臺(tái)WTB的Z軸方向位置(含9X方向的位置及0y方向的位置)的Z干涉儀(未圖示)等。干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量值被傳送至主控制裝置50，主控制裝置50根據(jù)此干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量值通過(guò)載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124控制各載臺(tái)WST，MST(及各晶片臺(tái)WTB，MTB)的位置。又，也可取代對(duì)各臺(tái)側(cè)面施以鏡面加工，而于各臺(tái)設(shè)置移動(dòng)鏡。此外，以例如線性編碼器等與干涉儀系統(tǒng)118并用或取代之，來(lái)檢測(cè)各載臺(tái)位置也可。此外，于本實(shí)施方式的曝光裝置100設(shè)有離軸方式的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2，這些對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)在前述裝載位置WEP與晶片W的曝光開(kāi)始位置之間分別具有檢測(cè)區(qū)域，能在與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX垂直的既定面(XY平面)內(nèi)獨(dú)立的變化其檢測(cè)區(qū)域的位置。此對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2，為了在上述既定面內(nèi)移動(dòng)檢測(cè)區(qū)域，可通過(guò)對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)裝置160使至少一部分、例如除光源外的一部分(含接物光學(xué)系統(tǒng)及受光元件等)可動(dòng)。因此，通過(guò)在晶片載臺(tái)WST移動(dòng)中分別移動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的一部分，即能使其檢測(cè)區(qū)域與晶片載臺(tái)WST 上的標(biāo)記(晶片W的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記等)以既定位置關(guān)系移動(dòng)，據(jù)此而能在晶片載臺(tái)WST移動(dòng)中進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)。又，本實(shí)施方式中，由于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2為影像處理方式，因此為避免晶片載臺(tái)WST移動(dòng)中標(biāo)記脫離檢測(cè)區(qū)域而移動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的一部分。因此，最好是能以至少在進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)(拍攝)的既定時(shí)間中標(biāo)記與檢測(cè)區(qū)域的相對(duì)速度為零的方式來(lái)移動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的至少一部分。又，本實(shí)施方式中，至少在晶片載臺(tái)WST從前述裝載位置WEP移動(dòng)至晶片W的曝光開(kāi)始位置的期間，以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2分別進(jìn)行晶片W上復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)，并對(duì)晶片W上待曝光處理的M個(gè)照射區(qū)域的全部、或一部分(例如，第n個(gè)(為In M-I的整數(shù)))進(jìn)行掃描曝光，而使用所檢測(cè)的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記的位置信息。此處，本實(shí)施方式的晶片W曝光開(kāi)始位置，是將晶片W上最先待曝光處理的第I個(gè)照射區(qū)域設(shè)定于掃描開(kāi)始位置(加速)時(shí)的晶片W(晶片載臺(tái)WST)的位置。此外，本實(shí)施方式中，在晶片W的曝光開(kāi)始后也使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的至少一方進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)，并將所檢測(cè)的標(biāo)記信息，用于第2以后的照射區(qū)全部或其一部分的掃描曝光。又，本實(shí)施方式的曝光裝置100，也可于保持投影單元PU的機(jī)體BD裝備面形狀檢測(cè)裝置125(參照?qǐng)D6)。此面形狀檢測(cè)裝置125，包含例如將較晶片W的直徑長(zhǎng)的線狀光束斜入射至晶片載臺(tái)WST上的晶片W的照射系統(tǒng)，以及具有接收該照射系統(tǒng)所照射光束的反射光的檢測(cè)器、例如I維CCD傳感器或線狀傳感器等的受光系統(tǒng)。此處，從照射系統(tǒng)照射的線狀光束，實(shí)際上，是由復(fù)數(shù)個(gè)點(diǎn)狀(或狹縫狀)激光光如例在前述裝載位置WEP與曝光開(kāi)始位置之間、于X軸方向分開(kāi)排列所形成的光束，照射區(qū)域?qū)嶋H上是復(fù)數(shù)個(gè)點(diǎn)狀光束的照射區(qū)域的集合。因此，能與周知多點(diǎn)AF系的檢測(cè)原理相同的原理，以復(fù)數(shù)個(gè)點(diǎn)狀照射區(qū)域?yàn)闇y(cè)量點(diǎn)，來(lái)檢測(cè)晶片W在測(cè)量點(diǎn)的Z位置(與晶片W移動(dòng)的既定面(XY平面)垂直的Z軸方向相關(guān)的位置信息)。主控制裝置50，根據(jù)此測(cè)量結(jié)果能檢測(cè)與晶片W的曝光對(duì)象面面形狀相關(guān)的信息。因此，于曝光開(kāi)始前(例如，從前述裝載位置WEP移動(dòng)至曝光開(kāi)始位置之時(shí))相對(duì)此面形狀檢測(cè)裝置125的照射區(qū)域移動(dòng)晶片W，主控制裝置50根據(jù)干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量值(晶片的位置)與該檢測(cè)裝置125的檢測(cè)結(jié)果，算出晶片表面的Z位置信息的分布。之后，主控制裝置50于曝光動(dòng)作時(shí)，根據(jù)前述算出結(jié)果，控制晶片臺(tái)WTB于Z軸方向的位置、姿勢(shì)。本實(shí)施方式中，由于以面形狀檢測(cè)裝置125進(jìn)行的晶片Z位置信息的檢測(cè)動(dòng)作中至少一部分，與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作(后述)并行，因此能抑制因曝光開(kāi)始前的Z位置信息檢測(cè)所造成的處理量降低。此外，最好是能將面形狀檢測(cè)裝置125的照射區(qū)域，例如于Y軸方向在曝光區(qū)域IA (液體Lq的液浸區(qū)域)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測(cè)區(qū)域之間，配置成與X軸方向大致平行。此時(shí)，由于是在將晶片載臺(tái)WST從裝載位置WEP移動(dòng)至曝光開(kāi)始位置的期間進(jìn)行所有Z位置信息的檢測(cè)動(dòng)作，因此能提升曝光精度及處理量的雙方。又，若如前所述，曝光裝置100是將投影單元PU懸吊支撐于主框架的情形時(shí)，例如可將面形狀檢測(cè)裝置125的至少一部分設(shè)于與投影單元分開(kāi)獨(dú)立懸吊的量測(cè)框架。前述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)載臺(tái)裝置160，如圖I所示，包含設(shè)置成與前述機(jī)體BD振動(dòng)分離的框架FR，以非接觸方式設(shè)于該框架FR下面?zhèn)鹊钠脚_(tái)BSl，BS2(圖I中未顯示平臺(tái)BS2參照?qǐng)D3)，以及支撐對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2、以各平臺(tái)BS1，BS2的下面為移動(dòng)基準(zhǔn)面于X軸及Y軸 方向移動(dòng)的對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)ASTl，AST2(關(guān)于對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)AST2參照?qǐng)D3)。前述框架FR，雖未圖示，但在其四個(gè)角落，被從地面(或底板等)立設(shè)的復(fù)數(shù)根(例如4根)支撐柱所支撐。此框架FR，由YZ截面呈倒U字形的構(gòu)件所構(gòu)成，于其+Y側(cè)端部及-Y側(cè)端部固定有用以驅(qū)動(dòng)后述對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)AST1，AST2線性馬達(dá)的固定件。前述各平臺(tái)BS1，BS2,由下面(-Z側(cè)的面)被加工成極高平坦度的板狀構(gòu)件所構(gòu)成，通過(guò)復(fù)數(shù)個(gè)(例如3個(gè))防振機(jī)構(gòu)162懸吊支撐于框架FR。此防振機(jī)構(gòu)162，包含支撐裝置與音圈馬達(dá)，支撐裝置例如具有活塞與汽缸，可利用活塞與汽缸間所形成的氣體室內(nèi)的氣體壓力來(lái)支撐平臺(tái)BSl (或BS2)本身的重量，音圈馬達(dá)用以驅(qū)動(dòng)該支撐裝置的活塞。前述對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)AST1，如圖3所示，包含可移動(dòng)于Y軸方向的Y載臺(tái)42，與相對(duì)嘎Y載臺(tái)42能移動(dòng)于X軸方向的X載臺(tái)40。前述Y載臺(tái)42，具有俯視呈大致矩形的形狀，通過(guò)Y線性馬達(dá)YLMl (包含固定于框架FR的Y軸固定件46、與固定于Y載臺(tái)42的+X側(cè)端部的Y軸可動(dòng)件48)沿Y軸驅(qū)動(dòng)。前述X載臺(tái)40，由包含固定于Y載臺(tái)42下面(-Z側(cè)面)且以Y軸方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向的一對(duì)X軸固定件52A，52B與固定于X載臺(tái)40的+Y側(cè)端部及-Y側(cè)端部的一對(duì)X軸可動(dòng)件54A，54B的一對(duì)X線性馬達(dá)XLMl，XLM2，沿X軸驅(qū)動(dòng)。又，于一 X線性馬達(dá)XLM2內(nèi)，一并設(shè)有對(duì)X載臺(tái)40施以Y軸方向驅(qū)動(dòng)力的音圈馬達(dá)，可將X載臺(tái)40微驅(qū)動(dòng)于Y軸方向。又，通過(guò)改變X線性馬達(dá)XLMl，XLM2沿X軸的驅(qū)動(dòng)力，能使X載臺(tái)40旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)于Q z方向。前述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，包含含有物鏡等光學(xué)系統(tǒng)及攝影元件(例如(XD)等。構(gòu)成對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl的一部分的CCD周邊設(shè)有液體流動(dòng)的管線，通過(guò)該管線內(nèi)流動(dòng)的液體使CCD液冷。由此，由于能將包含物鏡等的光學(xué)系統(tǒng)配置于CXD近處，故可使對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl小型化。此處，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl的光源并非以對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)移動(dòng)，而是設(shè)于對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)的外部，以光纖等連接。又，不僅如此，也可使用將設(shè)于外部的光源所發(fā)出的光束傳送至對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl的光學(xué)系統(tǒng)、含反射鏡等的中繼光學(xué)系統(tǒng)。又，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl并不限于影像處理方式，除此之外，也可使用其它各種方式的傳感器。例如，也可使用檢測(cè)同調(diào)激光束的照射而從對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記產(chǎn)生的繞射光的傳感器。又，CCD的冷卻方式也不限于液冷，也可使用氣冷。如圖3所示，于Y載臺(tái)42與X載臺(tái)40的下面(_Z側(cè)面)配置有對(duì)準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69 (僅顯示于圖6)的各種光學(xué)構(gòu)件。本實(shí)施方式的干涉儀系統(tǒng)69采用雙通方式，以測(cè)量對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)載臺(tái)ASTl (也即對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1)的X軸及Y軸方向的位置信息、與0 x、0y及
0z方向的旋轉(zhuǎn)信息。以下，根據(jù)圖4說(shuō)明對(duì)準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69。此干涉儀系統(tǒng)69，包含圖4所示的感測(cè)頭部68，設(shè)于Y載臺(tái)42的第I、第2彎折鏡部72，73，設(shè)于X載臺(tái)40的二個(gè)光學(xué)單元74，75，以及X固定鏡70X、Y固定鏡70Y1。X固定鏡70X的+X側(cè)及-X側(cè)的側(cè)面分別被鏡面加工而形成反射面，Y固定鏡70Y1則是-Y側(cè)的側(cè)面被鏡面加工而形成反射面。感測(cè)頭部68、X固定鏡70X、及Y固定鏡70Y1是固定于支撐投影單元I3U的機(jī)體BD。又，X固定鏡70X懸吊支撐于支撐構(gòu)件77 (通過(guò)形成于框架FR的一部分的開(kāi)口連接于機(jī)體BD)。
前述感測(cè)頭部68，其內(nèi)部設(shè)有光源、光學(xué)系統(tǒng)、以及復(fù)數(shù)個(gè)檢光件(偏振器)及復(fù)數(shù)個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件，彎折鏡等。前述第I彎折鏡部72及第2彎折鏡部73分別包含棱鏡(或反射鏡)。棱鏡(或反射鏡)，具有相對(duì)XZ面及YZ面呈45度角的反射面。第I彎折鏡部72是反射從感測(cè)頭部68輸出的光束B(niǎo)Ml (實(shí)際上，光束B(niǎo)Ml由上下方向(Z方向)分離的二條光束構(gòu)成，但為了避免說(shuō)明過(guò)于繁雜，在以下的說(shuō)明中假設(shè)為一條)，使其入射至前述光學(xué)單元74。又，第2彎折鏡部73是反射另一光束B(niǎo)M2 (實(shí)際上，光束B(niǎo)M2系由上下方向(Z方向)分離的二條光束構(gòu)成)，使其入射至光學(xué)單兀75。前述光束B(niǎo)Ml入射的光學(xué)單元74，包含反射鏡74a、以及于該反射鏡74a+Y側(cè)相距既定間隔設(shè)置的光學(xué)構(gòu)件74b。光學(xué)構(gòu)件74b，如圖5中放大所示，由偏振分束器(PBS)49a、角隅型反射鏡(倒反射器)49b、4分的I波長(zhǎng)板(X /4板)49c，49d、以及參照鏡49e等所一體構(gòu)成。通過(guò)此光學(xué)構(gòu)件74b，被反射鏡74a反射的光束B(niǎo)Ml入射至偏振分束器49a。入射至此偏振分束器49a的光束B(niǎo)M1，即分離為由透射過(guò)分離面(由分束器內(nèi)部的多層膜等構(gòu)成)P偏振成分構(gòu)成的參照光束RBX、與由被分離面反射的S偏振成分構(gòu)成的測(cè)定光束MBX。被上述分離面反射的測(cè)定光束MBX，透射過(guò)X/4板49c轉(zhuǎn)換成圓偏振被固定鏡70X反射。被上述固定鏡70X反射的測(cè)定光束再度透射過(guò)\ /4板49c成為P偏振后，透射過(guò)上述分離面經(jīng)角隅型反射鏡49b折返。此折返的測(cè)定光束MBX透射過(guò)上述分離面及入/4板49c，成為圓偏振再度被固定鏡70X反射，此反射的測(cè)定光束透射過(guò)\ /4板49c成為S偏振經(jīng)上述分離面反射，經(jīng)反射鏡74a、第I彎折鏡部72而回到感測(cè)頭部68。另一方面，透射過(guò)上述分離面的參照光束(P偏振成分)透射過(guò)入/4板49(1成為圓偏振，經(jīng)反射鏡49e的反射面反射而再度透射過(guò)\ /4板49d，成為S偏振被上述分離面反射，經(jīng)角隅型反射鏡49b折返。此折返的參照光束被上述分離面再度反射而透射過(guò)X/4板49d，成為圓偏振被板射鏡49e反射，被反射的參照光束透射過(guò)\ /4板49d成為P偏振而透射過(guò)上述分離面，與前述測(cè)定光束的折返光(S偏振)合成為同軸，經(jīng)反射鏡74a、及第I彎折鏡部72反射而通過(guò)感測(cè)頭部68內(nèi)檢測(cè)單元的檢光件。據(jù)此，從該檢光件輸出測(cè)定光束MBX與參照光束RBX的干涉光，此干涉光被光電轉(zhuǎn)換元件接收，而將以固定鏡70X為基準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)ASTl的X軸方向位置信息傳送至主控制裝置50。如前所述，由于光束B(niǎo)Ml于Z軸方向分離的二條光束所構(gòu)成，因此主控制裝置50能從該二條光束分別得到的X軸方向位置信息，不僅是對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)ASTl (對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1)的X軸方向位置信息，也能檢測(cè)出0y方向的旋轉(zhuǎn)信息(rolling)。前述光學(xué)單元75，如圖5中放大所示，包含光學(xué)構(gòu)件75a，75b、與彎折鏡75c，75d。光學(xué)構(gòu)件75a,包含偏振分束器51a、設(shè)于該偏振分束器51a的+Y側(cè)端面的入/4板51c、以及半反射鏡51b及反射鏡51d。光學(xué)構(gòu)件75b,包含偏振分束器52a、設(shè)于該偏振分束器52a的入/4板52c、以及反射鏡52d。于光學(xué)構(gòu)件75a，被反射鏡73反射的光束B(niǎo)M2入射至半反射鏡51b，而分離為被該半反射鏡51b反射的第I光束B(niǎo)M2a、與持續(xù)行進(jìn)的第2光束B(niǎo)M2b。第I光束B(niǎo)M2a，分離為由透射過(guò)偏振分束器51a的分離面的P偏振成分構(gòu)成的測(cè) 定光束、與由被分離面反射的S偏振成分構(gòu)成的參照光束。透射過(guò)上述分離面的測(cè)定光束,透射過(guò)\ /4板51c成為圓偏振被固定鏡70n反射后，透射過(guò)X/4板51c成為S偏振后，被上述分離面及反射鏡51d反射。此反射的測(cè)定光束透射過(guò)X/4板51c成為圓偏振再度被固定鏡70n反射后,透射過(guò)X/4板51c而成為P偏振，經(jīng)反射鏡51d透射過(guò)上述分離面，再經(jīng)圖4的第2彎折鏡部73回到感測(cè)頭部68。另一方面，經(jīng)上述分離面反射的參照光束被偏振分束器51a反射后，經(jīng)第2彎折鏡部73回到感測(cè)頭部68。此參照光束與測(cè)定光束的折返光(P偏振)合成為同軸，通過(guò)感測(cè)頭部68內(nèi)檢測(cè)單元的檢光件。據(jù)此，從該檢光件輸出參照光束與測(cè)定光束的干涉光，此干涉光被光電轉(zhuǎn)換元件接收，而將以固定鏡70Y1為基準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)ASTl的Y軸方向位置信息傳送至主控制裝置50。另一方面，透射過(guò)半反射鏡51b的第2光束B(niǎo)M2b被反射鏡52b反射，而分離為由透射過(guò)偏振分束器52a分尚面的P偏振成分構(gòu)成的測(cè)定光束、與由被分尚面反射的S偏振成分構(gòu)成的參照光束。透射過(guò)上述偏振分束器52a的測(cè)定光束,透射過(guò)入/4板52c成為圓偏振被固定鏡70Y1反射后，透射過(guò)X/4板52c成為S偏振后，被上述分離面及反射鏡52d反射。此反射的測(cè)定光束透射過(guò)、/4板52c成為圓偏振再度被固定鏡70Y1反射后，透射過(guò)\ /4板52c而成為P偏振，經(jīng)反射鏡52d透射過(guò)上述分離面，再經(jīng)反射鏡75c，75d及圖4的第2彎折鏡部73回到感測(cè)頭部68。另一方面，經(jīng)上述偏振分束器52a反射的參照光束經(jīng)反射鏡75c，75d及第2彎折鏡部73回到感測(cè)頭部68。此參照光束與測(cè)定光束的折返光(P偏振)合成為同軸，通過(guò)感測(cè)頭部68內(nèi)檢測(cè)單元的檢光件。據(jù)此，從該檢光件輸出參照光束與測(cè)定光束的干涉光，此干涉光被光電轉(zhuǎn)換元件接收，而將以固定鏡70Y1為基準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)ASTl的Y軸方向位置信息傳送至主控制裝置50。如前所述，由于光束B(niǎo)M2a，BM2b分別由于Z軸方向分離的二條光束所構(gòu)成，因此主控制裝置50能從該四條光束分別得到的Y軸方向位置信息，不僅是對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)ASTl (對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1)的Y軸方向位置信息，也能檢測(cè)出0 z方向的旋轉(zhuǎn)信息(yawing)、以及0 x方向的旋轉(zhuǎn)信息(pitching)?；氐綀D3，用來(lái)移動(dòng)另一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2的對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)AST2也為左右對(duì)稱，與對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)ASTl為相同的構(gòu)成。
S卩，對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)AST2包含能移動(dòng)于Y軸方向的Y載臺(tái)142、與能相對(duì)該Y載臺(tái)142移動(dòng)于X軸方向的X載臺(tái)140。前述Y載臺(tái)142被Y線性馬達(dá)YLM2 (包含固定于框架FR的Y軸固定件146、與固定在Y載臺(tái)142的-X側(cè)端部的Y軸可動(dòng)148)驅(qū)動(dòng)于Y軸方向，前述X載臺(tái)140則被一對(duì)X線性馬達(dá)XLM3，XLM4(包含固定在Y載臺(tái)142下面(-Z側(cè)面)以X軸方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向的對(duì)X軸固定件152A，152B、與固定在X載臺(tái)140的-Y側(cè)及+Y側(cè)端面的一對(duì)X軸可動(dòng)件154A，154B)驅(qū)動(dòng)于X軸方向及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)于0z方向。又，于X線性馬達(dá)XLM4與前述X載臺(tái)40同樣的并設(shè)有音圈馬達(dá)，能于Y軸方向微驅(qū)動(dòng)X載臺(tái)140。前述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2，由于與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl完全相同構(gòu)成的影響處理方式的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，因此。此處省略其說(shuō)明。又，于Y載臺(tái)142與X載臺(tái)140的下面(-Z側(cè)面)，配置有構(gòu)成對(duì)準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)169 (僅顯不于圖6)的各種光學(xué)構(gòu)件。
前述對(duì)準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)169為左右對(duì)稱，具有于前述對(duì)準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69相同的構(gòu)成與功能，此處省略詳細(xì)說(shuō)明，但其包含感測(cè)頭部168、以及設(shè)于X載臺(tái)140、Y載臺(tái)142上的各種光學(xué)構(gòu)件。本實(shí)施方式的干涉儀系統(tǒng)169，能以設(shè)于機(jī)體BD的固定鏡70X(-側(cè)的反射面)及固定鏡70Y2 (-側(cè)的反射面)為基準(zhǔn)，檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)AST2 (對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2)的X軸及Y軸方向的位置信息、以及0x，0 y, 0 z方向的旋轉(zhuǎn)信息。又，本實(shí)施方式中，平臺(tái)BS1，BS2雖是分別通過(guò)防振機(jī)構(gòu)162支撐于框架FR，但也可例如在地面(或底板等)上通過(guò)防振機(jī)構(gòu)162設(shè)置框架FR，而僅將平臺(tái)BS1，BS2固定于框架FR。又，本實(shí)施方式中，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2及載臺(tái)裝置160是設(shè)于框架FR，但如前述曝光裝置100般將投影單元懸吊支撐于主框架情況時(shí)，可將對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2及載臺(tái)裝置160與投影單元—體懸吊，也可將對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2及載臺(tái)裝置160設(shè)于與投影單元PU分開(kāi)獨(dú)立懸吊的量測(cè)框架。再者，也可將對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)干涉儀系統(tǒng)69，169的至少一部分與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2 一起設(shè)于量測(cè)框架。此外，可將對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2與前述嘴單元設(shè)于同一測(cè)量框架，或者設(shè)于不同框架也可。圖6是顯示本實(shí)施方式的曝光裝置100的控制系統(tǒng)主要構(gòu)成的方塊圖。圖6的控制系統(tǒng)，包含由CPU (中央運(yùn)算處理裝置)、R0M(只讀存儲(chǔ)器)、RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等所構(gòu)成的所謂微電腦(或工作站)，以統(tǒng)籌控制裝置全體的主控制裝置50為中心。其次，根據(jù)圖7(A) 圖11，詳細(xì)說(shuō)明曝光裝置100使用晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST的并行處理動(dòng)作。又，各部分雖是由主控制裝置50加以控制，但為了避免說(shuō)明過(guò)于繁雜，除特別必要的部分以外省略其說(shuō)明。又，以下動(dòng)作中，以主控制裝置50控制液浸裝置132的液體供應(yīng)動(dòng)作及回收動(dòng)作，于投影光學(xué)系統(tǒng)PL最下端光學(xué)元件的下側(cè)，隨時(shí)形成有液體Lq的液浸區(qū)域。又，量測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置的對(duì)準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69的坐標(biāo)系、與量測(cè)晶片載臺(tái)WST的位置的干涉儀系統(tǒng)118的坐標(biāo)系間的關(guān)系，使用測(cè)量載臺(tái)MST上的基準(zhǔn)標(biāo)記等于事前測(cè)量。即，以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2進(jìn)行測(cè)量載臺(tái)MST的基準(zhǔn)標(biāo)記檢測(cè)時(shí)，根據(jù)從干涉儀系統(tǒng)69，169所得的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置、與從干涉儀系統(tǒng)118所得的測(cè)量載臺(tái)MST的位置，求出其關(guān)系(換言之，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2在干涉儀系統(tǒng)118的坐標(biāo)系上的檢測(cè)中心位置)。本實(shí)施方式中，根據(jù)上述關(guān)系、前述照射地圖數(shù)據(jù)(含對(duì)準(zhǔn)照射數(shù)據(jù))、及干涉儀系統(tǒng)69，169，118的測(cè)量值移動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2，，以進(jìn)行晶片上對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)。又，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的基線(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的標(biāo)線片圖案投影位置與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl, ALG2的檢測(cè)中心的位置關(guān)系、或距離)的測(cè)量也已進(jìn)行，主控制裝置50對(duì)該測(cè)量時(shí)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置賦予對(duì)應(yīng)關(guān)系，將其儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器。此基線測(cè)量，例如是使用特開(kāi)平7-176468號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第5，646413號(hào))等所揭示的未圖示的標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、以及測(cè)量載臺(tái)MST的基準(zhǔn)標(biāo)記等。圖7 (A)，顯示于前述裝載位置進(jìn)行晶片載臺(tái)WST上的晶片更換時(shí)，載臺(tái)裝置150的狀態(tài)。此時(shí)，晶片載臺(tái)WST的位置，由X干涉儀24與Y干涉儀16所量測(cè)。不過(guò)，于晶片載臺(tái)WST，則Y干涉儀16的二條光束中僅一條光束照射的狀態(tài)。又，在此晶片更換期間，測(cè)量載臺(tái)MST取代晶片載臺(tái)WST配置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方，適當(dāng)?shù)倪M(jìn)行空間像測(cè)量、波面像差測(cè)量等的各種測(cè)量。在此狀態(tài)下，當(dāng)晶片載臺(tái)WST上的晶片W以未圖示的晶片更換機(jī)構(gòu)進(jìn)行更換后，晶片載臺(tái)WST便向+X方向移動(dòng)。于此移動(dòng)期間，由于Y干涉儀16的二條光束照射于晶片載 臺(tái)WST，因此進(jìn)行干涉儀連接(Y干涉儀16的二個(gè)測(cè)量值的對(duì)應(yīng)關(guān)系)。之后，晶片載臺(tái)WST進(jìn)一步移動(dòng)于+X方向，在定位于圖7(B)所示位置時(shí)，進(jìn)行晶片W上所形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的第I次檢測(cè)動(dòng)作。此時(shí)，如顯示晶片載臺(tái)WST于Y軸方向速度的圖11所示，于第I次檢測(cè)動(dòng)作(以EGAl所示部分)時(shí)，晶片載臺(tái)WST停止(速度0)，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2也被定位于既定位置而靜止(速度0)。據(jù)此，晶片W上第I組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分別被設(shè)定在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測(cè)區(qū)域內(nèi)，根據(jù)以干涉儀16，24測(cè)量的晶片載臺(tái)WST的位置信息、以對(duì)準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69，169測(cè)量的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的位置信息、以及以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記偏離檢測(cè)中心的偏移量，分別檢測(cè)該第I組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息(坐標(biāo)值)。又，在上述第I次對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作前，也可進(jìn)行使用搜尋對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的搜尋對(duì)準(zhǔn)。接著，在上述第I次檢測(cè)動(dòng)作結(jié)束的階段，晶片載臺(tái)WST即開(kāi)始往-Y方向的加速。又，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2也以小于晶片載臺(tái)WST的加速度，同時(shí)開(kāi)始往-Y方向的加速，且對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl開(kāi)始往+X方向、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2往-X方向移動(dòng)。在晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的速度分別到達(dá)既定速度(約為600mm/s (參照?qǐng)D11))的階段即開(kāi)始等速移動(dòng)。又，在這些速移動(dòng)階段，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2往X軸方向的移動(dòng)已結(jié)束，且如圖8 (A)所示，晶片W上第2組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記已分別被定位在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測(cè)區(qū)域內(nèi)。上述移動(dòng)中，由于晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的加速度相異，因此晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2于Y軸方向的相對(duì)位置關(guān)系，與圖7(B)的情形相較，會(huì)變化既定距離(相當(dāng)于圖11的面積S的距離)。又，于Y軸方向開(kāi)始等速移后，在持續(xù)這些速移動(dòng)的狀態(tài)下進(jìn)行第2次的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作(圖11的EGA狀態(tài))。此時(shí)，由于晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的速度一致，因此相對(duì)速度為O。因此，能以晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2停止時(shí)相同的條件進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)。之后，在上述第2次檢測(cè)動(dòng)作結(jié)束的階段，開(kāi)始對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的減速，經(jīng)既定時(shí)間后，開(kāi)始晶片載臺(tái)WST的減速。并如圖8(B)所示，在晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST最接近(或接觸)的階段，使晶片載臺(tái)WST的速度為O。又，上述減速中，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl往+X方向移動(dòng)、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2往-X方向移動(dòng)，將對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGI，ALG2定位成晶片W上第3組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分別被設(shè)定在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的檢測(cè)區(qū)域內(nèi)。然后，在晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2停止的狀態(tài)下進(jìn)行第3次對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作(圖11的EGA3)。當(dāng)?shù)?次檢測(cè)動(dòng)作結(jié)束時(shí)，即和第I次檢測(cè)動(dòng)作與第2次檢測(cè)動(dòng)作之間同樣的，開(kāi)始晶片載臺(tái)WST及對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的加速。此時(shí)，晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST以接觸(或維持微小間隔)狀態(tài)被驅(qū)動(dòng)于-Y方向(即，測(cè)量載臺(tái)MST也與晶片載臺(tái)WST相同的加速度來(lái)加速)。又，與此同時(shí)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2也分別被微驅(qū)動(dòng)于+X、_X方向，將晶片W上第4組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分別設(shè)定在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測(cè)區(qū)域內(nèi)(圖9(A))。并在晶片載臺(tái)WST (及測(cè)量載臺(tái)MST)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2成為相同速度時(shí)，進(jìn)行第4次對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作(圖11的EGA4)。此時(shí)，由于晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的相對(duì)速度也為0，因此，能以晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2停止時(shí)相同的精度進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。之后，在上述第4次檢測(cè)動(dòng)作結(jié)束的階段，開(kāi)始對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的減速，之后， 開(kāi)始晶片載臺(tái)WST的減速。又，此減速中，由于X干涉儀24，26雙方的光束會(huì)照射于晶片載臺(tái)WST，因此在晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的速度成為0時(shí)進(jìn)行干涉儀連接(Y干涉儀24，26的測(cè)量值的對(duì)應(yīng)關(guān)系)。又，如圖9 (B)所示，于減速動(dòng)作中，液體Lq移至晶片載臺(tái)WST上，并將晶片W上第5組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分別設(shè)定在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測(cè)區(qū)域內(nèi)。然后，在晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的速度為0的階段，進(jìn)行第5次對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作(圖11的EGA5)。采用以上方式，以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2檢測(cè)晶片W上的10個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。之后，如圖10(A)所示，由于晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至對(duì)晶片W上第I個(gè)照射區(qū)域進(jìn)行曝光的曝光開(kāi)始位置，因此在該移動(dòng)結(jié)束時(shí)、或該移動(dòng)中，使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2檢測(cè)晶片W中央的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。以上述方式檢測(cè)合計(jì)11個(gè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記后，本實(shí)施方式，采用例如日本特開(kāi)昭61-44429號(hào)公報(bào)(及對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第4780617號(hào))所揭示的EGA (Enhanced GlobalAlignment)方式，由主控制裝置50使用該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記檢測(cè)結(jié)果(在以干涉儀系118所規(guī)定的正交坐標(biāo)系統(tǒng)XY上的坐標(biāo)值)與照射區(qū)域設(shè)計(jì)上的排列信息，進(jìn)行最小自乘法等統(tǒng)計(jì)演算，算出晶片Wl上應(yīng)進(jìn)行曝光處理的照射區(qū)域的全部或一部分(本實(shí)施方式中，為晶片W的-Y側(cè)一半(上半部)的照射區(qū)域)的排列坐標(biāo)。然后，根據(jù)此算出的排列坐標(biāo)移動(dòng)晶片載臺(tái)WST，即能據(jù)以進(jìn)行對(duì)晶片W的-Y側(cè)一半的曝光動(dòng)作。又，由于此曝光進(jìn)行與現(xiàn)有相同的步進(jìn)掃描方式的曝光，因此省略詳細(xì)的說(shuō)明。在此-Y側(cè)一半的照射區(qū)域的曝光動(dòng)作中，與前述同樣的一邊移動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2、一邊檢測(cè)在晶片W+Y側(cè)一半(下半部)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。此時(shí)，在進(jìn)行-Y側(cè)一半的照射區(qū)域的曝光中，例如檢測(cè)8個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。主控制裝置50，使用所檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息(坐標(biāo)值)，以EGA方式算出晶片W+Y側(cè)一半(下半部)的照射區(qū)域排列信息。之后，在結(jié)束-Y側(cè)一半的照射區(qū)域的曝光的階段，即結(jié)束+Y側(cè)一半的照射區(qū)域的以EGA方式進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)(照射區(qū)域排列信息的算出)，因在對(duì)-Y側(cè)一半的照射區(qū)域的曝光動(dòng)作全部結(jié)束后，即開(kāi)始對(duì)+Y側(cè)一半的照射區(qū)域的曝光動(dòng)作。以上述方式，在結(jié)束對(duì)晶片W全體的曝光結(jié)束的階段，晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至前述裝載位置WEP，且測(cè)量載臺(tái)MST追隨晶片載臺(tái)WST的移動(dòng)而承街液體Lq。然后，進(jìn)行晶片W的更換，在裝載次一待處理晶片的晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至圖7(B)中的位置前，使對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2回到圖7(B)的初始位置，進(jìn)行對(duì)次一晶片的處理。如以上的詳細(xì)說(shuō)明，根據(jù)本第I實(shí)施方式，在晶片載臺(tái)WST從裝載位置(圖7(A)所示位置)移動(dòng)至曝光開(kāi)始位置(圖10(A)所示位置)的期間，一邊移動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的一部分、一邊使用該對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2檢測(cè)晶片上的標(biāo)記。因此，不需如現(xiàn)有般，設(shè)置與晶片載臺(tái)WST從裝載位置移動(dòng)至曝光開(kāi)始位置的時(shí)間不同的標(biāo)記檢測(cè)時(shí)間。因此，能縮短晶片曝光處理所需時(shí)間，提升曝光工藝全體的處理量。此外，與現(xiàn)有相較，由于能測(cè)量(檢測(cè))更多的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此能進(jìn)行高精度的對(duì)準(zhǔn)、高精度的曝光。又，根據(jù)本發(fā)明的第I實(shí)施方式，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的至少一部分以追隨晶片載臺(tái)WST的狀態(tài)(前述檢測(cè)區(qū)域與標(biāo)記的相對(duì)速度大致為零的狀態(tài))，檢測(cè)晶片W上的標(biāo)記。因此，即使是在晶片載臺(tái)WST的移動(dòng)中，也能使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)以良好精度檢測(cè)標(biāo)記。如此，即能在不降低標(biāo)記檢測(cè)精度的情形下，縮短標(biāo)記檢測(cè)時(shí)間，進(jìn)而提升曝光工藝全體的處理量。 又，本第I實(shí)施方式中，由于是使用二個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2來(lái)檢測(cè)晶片W上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此與使用一個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的情形相較，能在既定時(shí)間內(nèi)檢測(cè)更多的標(biāo)記。又，本第I實(shí)施方式中，由于使對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2也移動(dòng)于X軸方向，因此即使使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于Y軸方向，也能檢測(cè)晶片W上的任意的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。因此，即使是在同時(shí)進(jìn)行晶片載臺(tái)的移動(dòng)與對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作的情形下，也無(wú)須限制晶片載臺(tái)的移動(dòng)。又，本第I實(shí)施方式中，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2以平臺(tái)BSl，BS2 (支撐于與機(jī)體BD振動(dòng)上分離的框架FR)的下面為基準(zhǔn)面進(jìn)行移動(dòng)。因此，能避免對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的移動(dòng)造成的振動(dòng)對(duì)曝光精度的影響。另一方面，由于構(gòu)成干涉儀系統(tǒng)(用來(lái)測(cè)量對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的位置)的顧客鏡70X，70YL70Y2固定于機(jī)體BD側(cè)，因此能將對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置以機(jī)體BD基準(zhǔn)加以檢測(cè)。又，上述第I實(shí)施方式，雖檢測(cè)共19個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，但本發(fā)明并不受此限，檢測(cè)20個(gè)以上或18個(gè)以下對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記也可。特別是在進(jìn)行晶片W-Y側(cè)一半的曝光期間，通過(guò)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的移動(dòng)，可檢測(cè)晶片W+Y側(cè)一半的大致所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此即使增加欲測(cè)量的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的數(shù)量，也不致對(duì)處理量產(chǎn)生影響等。又，上述第I實(shí)施方式中，作為對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)裝置160，雖采用圖3所示的構(gòu)成，但不限于此，也可采用具備移動(dòng)于Y軸方向的一個(gè)Y載臺(tái)、與沿該Y載臺(tái)移動(dòng)于X軸方向的二個(gè)X載臺(tái)的構(gòu)成。簡(jiǎn)言之，只要對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的至少一部分、即檢測(cè)區(qū)域能2維移動(dòng)的話，可采用其它各種構(gòu)成。又，上述第I實(shí)施方式中，雖使用在曝光動(dòng)作開(kāi)始前檢測(cè)的上述11個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來(lái)算出晶片W-Y側(cè)一半的照射區(qū)域位置，使用在曝光動(dòng)作開(kāi)始后檢測(cè)的上述8個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來(lái)算出晶片W+Y側(cè)一半的照射區(qū)域位置，但例如，也可使用在曝光動(dòng)作開(kāi)始前檢測(cè)的至少I(mǎi)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來(lái)算出晶片W+Y側(cè)一半的照射區(qū)域位置。再者，上述第I實(shí)施方式中，雖僅使用在曝光動(dòng)作開(kāi)始前檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來(lái)算出晶片W-Y側(cè)一半的照射區(qū)域位置，但例如，晶片W-Y側(cè)一半的照射區(qū)域中，第2個(gè)以后的照射區(qū)域，則可也使用在曝光動(dòng)作開(kāi)始后檢測(cè)的至少I(mǎi)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來(lái)算出其位置。此時(shí)，于第2個(gè)以后的不同照射區(qū)域，也可使該位置算出所使用的在曝光動(dòng)作開(kāi)始后檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位置信息的數(shù)量。例如，將曝光動(dòng)作開(kāi)始后檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位置信息，依序追加至曝光動(dòng)作開(kāi)始前所檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位置信息，來(lái)算出第2個(gè)照射區(qū)域的位置。又，也可不在曝光動(dòng)作開(kāi)始前算出晶片W-Y側(cè)一半的所有照射區(qū)域位置，也可至少在算出第I個(gè)照射區(qū)域位置時(shí)開(kāi)始曝光動(dòng)作。此外，在曝光動(dòng)作開(kāi)始前算出位置的照射區(qū)域的數(shù)量、與曝光動(dòng)作開(kāi)始后算出位置的照射區(qū)域的數(shù)量可以不同，例如，可使曝光動(dòng)作開(kāi)始前算出位置的照射區(qū)域的數(shù)量少于曝光動(dòng)作開(kāi)始后算出位置的照射區(qū)域的數(shù)量。此時(shí)，與上述第I實(shí)施方式相較，能減少曝光動(dòng)作開(kāi)始前檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的數(shù)量來(lái)提升處理量。再者，曝光動(dòng)作開(kāi)始前的照射區(qū)域檢測(cè)動(dòng)作中，可使晶片載臺(tái)WST不僅移動(dòng)于Y軸方向也移動(dòng)于X軸方向。又，本發(fā)明并不限于上述第I實(shí)施方式所說(shuō)明的順序，例如，也可采用以下說(shuō)明的第2實(shí)施方式般的順序。 《第2實(shí)施方式》其次，說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。本第2實(shí)施方式中，曝光裝置的構(gòu)成等與上述第I實(shí)施方式相同，僅晶片載臺(tái)WST上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)順序不同。以下，為避免重復(fù)說(shuō)明，與第I實(shí)施方式相同部分系賦予同一符號(hào)，省略其說(shuō)明。圖12 (A)中，與第I實(shí)施方式同樣的，顯示正在進(jìn)行第I組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)的狀態(tài)(與第I實(shí)施方式的圖7(B)對(duì)應(yīng))。在此圖12 (A)所示狀態(tài)(此處，晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2都為停止?fàn)顟B(tài))下結(jié)束第I組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記檢測(cè)(第I次檢測(cè)動(dòng)作)時(shí)，晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2即開(kāi)始往+Y方向的移動(dòng)。此時(shí)，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2也開(kāi)始于X軸方向的移動(dòng)。在使晶片W于Y軸方向移動(dòng)較第I實(shí)施方式更長(zhǎng)的距離后(且系等速移動(dòng)的狀態(tài))，如圖12⑶所示，進(jìn)行第2組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)(第2次檢測(cè)動(dòng)作)。由此圖12⑶可知，于Y軸方向該第2組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第I組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的間隔，較第I實(shí)施方式(圖8(A))更大。之后，當(dāng)?shù)?次檢測(cè)動(dòng)作結(jié)束時(shí)，晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2即與第I實(shí)施方式同樣的開(kāi)始減速，且對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2于X軸方向也開(kāi)始移動(dòng)。然后，如圖13(A)所示，在晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST接觸(或接近)的狀態(tài)下，晶片載臺(tái)WST停止。又，此狀態(tài)下，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2也停止，以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2進(jìn)行第3組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)(第3次檢測(cè)動(dòng)作)。之后，當(dāng)?shù)?次檢測(cè)動(dòng)作結(jié)束時(shí)，即與第I實(shí)施方式同樣的，開(kāi)始晶片載臺(tái)WST及對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2等的加速(移動(dòng))，在達(dá)既定速度且等速移動(dòng)的階段，如圖13⑶所示，進(jìn)行第4組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)(第4次檢測(cè)動(dòng)作)。在該第4次檢測(cè)動(dòng)作結(jié)束后，進(jìn)行晶片載臺(tái)WST及對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2等的減速，當(dāng)速度成為0時(shí)，如圖14(A)所示，進(jìn)行第5組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)(第5次檢測(cè)動(dòng)作)。然后，當(dāng)?shù)?次檢測(cè)動(dòng)作結(jié)束時(shí)，晶片載臺(tái)WST會(huì)移動(dòng)至圖14(B)所示的曝光開(kāi)始位置，因此，在此狀態(tài)下，使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2檢測(cè)位于晶片W的大致中心的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。以上，由于是在晶片載臺(tái)WST從晶片更換位置移動(dòng)至曝光開(kāi)始位置的期間，檢測(cè)出11個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置，因此，于主控制裝置50對(duì)該11個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計(jì)運(yùn)算，進(jìn)行EGA方式的對(duì)準(zhǔn)(也即，算出晶片上待曝光處理的所有照射區(qū)域的排列信息)。之后，根據(jù)上述對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的晶片W的曝光動(dòng)作。如以上的說(shuō)明，根據(jù)本第2實(shí)施方式，與第I實(shí)施方式同樣的，在晶片載臺(tái)WST從裝載位置移動(dòng)至曝光開(kāi)始位置的期間，一邊移動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的一部分、一邊使用該對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2檢測(cè)晶片上的標(biāo)記。因此，不需如現(xiàn)有般，設(shè)置與晶片載臺(tái)WST從裝載位置移動(dòng)至曝光開(kāi)始位置的時(shí)間不同的標(biāo)記檢測(cè)時(shí)間，因此，能提升曝光工藝全體的處理量。又，上述第2實(shí)施方式，雖說(shuō)明例如進(jìn)行11個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)的情形，但也可進(jìn)行10個(gè)以下、或12個(gè)以上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)。又，上述各實(shí)施方式中，雖是在第I次、第3次、第5次的檢測(cè)動(dòng)作時(shí)，以及以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2進(jìn)行的第11個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作時(shí)，使晶片載臺(tái)WST停止，但這些檢測(cè)動(dòng)作也 可在晶片載臺(tái)WST的移動(dòng)中進(jìn)行。此時(shí)，可以X軸及Y軸方向的速度會(huì)同時(shí)成為0的方式移動(dòng)晶片載臺(tái)WST，于此移動(dòng)中進(jìn)行上述11個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)。此外，以等速移動(dòng)晶片載臺(tái)WST時(shí)，可通過(guò)例如以減速一加速一等速的順序控制對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2，一邊變化晶片W與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)檢測(cè)區(qū)域于Y軸方向的相對(duì)位置、一邊進(jìn)行晶片上至少于Y軸方向位置不同的復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)。再者，上述實(shí)施方式，在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作中，雖于Y軸方向使對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測(cè)區(qū)域位置相同，但對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的檢測(cè)區(qū)域于Y軸方向的位置也可不同。又，上述各實(shí)施方式中，雖是針對(duì)晶片載臺(tái)WST沿Y軸方向移動(dòng)的情形作了說(shuō)明，但不限于此，也可使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于與X軸及Y軸交叉的方向。此時(shí)，只要使對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)也追隨晶片載臺(tái)WST的移動(dòng)，而移動(dòng)于與X軸及Y軸交叉的方向即可。同樣的，也可使晶片載臺(tái)WST僅移動(dòng)于X軸方向。此時(shí)，最好是能使復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域于Y軸方向的位置不同。又，上述各實(shí)施方式，在復(fù)數(shù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作中，雖是使各對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域不僅移動(dòng)于Y軸方向也移動(dòng)于X軸方向，但也可使各對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域僅移動(dòng)于Y軸方向。此時(shí)，以各對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)檢測(cè)晶片上于X軸方向位置相同、即僅檢測(cè)于Y軸方向位置相異的復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。此外，可通過(guò)使各對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域僅移動(dòng)于Y軸方向，例如使晶片載臺(tái)WST不僅于Y軸方向也移動(dòng)于X軸方向，或設(shè)置3個(gè)以上的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，即能與上述各實(shí)施方式同樣的，任意的設(shè)定晶片上待檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置及/或數(shù)量。又，上述各實(shí)施方式中，在晶片載臺(tái)WST移動(dòng)中進(jìn)行晶片W上標(biāo)記的檢測(cè)的情形時(shí)，使晶片載臺(tái)WST及對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2等速移動(dòng)，但標(biāo)記檢測(cè)時(shí)不一定須等速移動(dòng)。即，也可在晶片載臺(tái)WST及對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2加速中或減速中進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)。簡(jiǎn)言之，只要對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的檢測(cè)區(qū)域與標(biāo)記的相對(duì)速度大致為0即可。又，在I個(gè)標(biāo)記的檢測(cè)中只要該標(biāo)記不偏離對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域的話，檢測(cè)區(qū)域與標(biāo)記的相對(duì)速度也可不是O。此夕卜，上述各實(shí)施方式中，雖是在I個(gè)標(biāo)記的檢測(cè)中，移動(dòng)晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的測(cè)區(qū)域的雙方，但例如視不同的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)方式等,于該標(biāo)記的檢測(cè)中可至少不移動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域。再者，上述各實(shí)施方式，在I個(gè)標(biāo)記的檢測(cè)中，也可不移動(dòng)晶片載臺(tái)WST與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域的雙方，而為了分別檢測(cè)復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記使晶片載臺(tái)WST于y軸方向步進(jìn)。此時(shí)，為了通過(guò)I個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)檢測(cè)晶片上于X軸方向位置相異的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記，可在晶片載臺(tái)WST往Y軸方向的步進(jìn)時(shí)，將該對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域及/或晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于X軸方向。進(jìn)一步的，上述各實(shí)施方式中，雖是在使晶片載臺(tái)WST從裝載位置與X軸平行移動(dòng)后，沿Y軸移動(dòng)而移動(dòng)至晶片的曝光開(kāi)始位置，但晶片載臺(tái)WST從裝載位置至曝光開(kāi)始位置的移動(dòng)路徑并不限于此，例如可以從裝載位置至曝光開(kāi)始位置的移動(dòng)時(shí)間最短的路徑移動(dòng)晶片載臺(tái)WST，于此移動(dòng)中以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2檢測(cè)晶片上的標(biāo)記。又，上述第I實(shí)施方式中是在從裝載位置至曝光開(kāi)始位置的移動(dòng)中、以及晶片的曝光動(dòng)作中的雙方，而上述第2實(shí)施方式僅在從裝載位置至曝光開(kāi)始位置的移動(dòng)中，以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2檢測(cè)晶片上的標(biāo)記，但也可例如僅在晶片的曝光動(dòng)作中進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)。又，上述各實(shí)施方式中，可使用對(duì)準(zhǔn)系干涉儀系統(tǒng)69，169來(lái)測(cè)量對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的旋轉(zhuǎn)信息，于曝光時(shí)，使用此對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGl，ALG2的旋轉(zhuǎn)信息。此時(shí)，可根據(jù)例如對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置信息及旋轉(zhuǎn)信息、與晶片W的位置信息，來(lái)檢測(cè)標(biāo)記的位置信息。 又，上述各實(shí)施方式，雖是針對(duì)具備2個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的情形作了說(shuō)明，但也可具備I個(gè)或3個(gè)以上。又，上述各實(shí)施方式中，雖是通過(guò)以對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)AST1，AST2進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALGLALG2的移動(dòng)來(lái)移動(dòng)其檢測(cè)區(qū)域，但也可取代對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)AST1，AST2或與其組合，使用以光學(xué)方式移動(dòng)檢測(cè)區(qū)域的機(jī)構(gòu)。又，上述各實(shí)施方式中，雖是使用分別設(shè)置的框架FR，但也可例如相對(duì)對(duì)準(zhǔn)系載臺(tái)AST I, AST2使用平衡配重方式。又，上述各實(shí)施方式，雖是針對(duì)于具有載臺(tái)裝置(具備晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST)的曝光裝置采用本發(fā)明的情形作了說(shuō)明，但并不限于此，也可采用例如日本特開(kāi)平10-163099號(hào)公報(bào)及特開(kāi)平10-214783號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第6，590，634號(hào))、日本特表2000-505958號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第5，969，441號(hào))、美國(guó)專利第6，208, 407號(hào)等所揭示的曝光裝置，其具有雙載臺(tái)(具備2個(gè)晶片載臺(tái))式的載臺(tái)裝置。此時(shí)，由于能與對(duì)一晶片載臺(tái)上的晶片的曝光動(dòng)作并行，對(duì)另一晶片載臺(tái)上的晶片進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)，因此不限于僅使晶片載臺(tái)移動(dòng)于一方向來(lái)進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)的情形，例如，可一邊沿一軸方向反復(fù)移動(dòng)一班進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)，也可使晶片載臺(tái)一邊沿一軸方向及與此交叉的方向移動(dòng)、一邊進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)。此時(shí)，分別移動(dòng)晶片載臺(tái)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，能縮短從檢測(cè)對(duì)象標(biāo)記在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)視野(檢測(cè)區(qū)域)內(nèi)的狀態(tài)，到次一檢測(cè)對(duì)象標(biāo)記在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)進(jìn)入對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)視野的狀態(tài)為止的時(shí)間。據(jù)此，由于能增加既定時(shí)間內(nèi)可檢測(cè)標(biāo)記的數(shù)量，因此能謀求曝光精度的提升。又，上述各實(shí)施方式中為簡(jiǎn)化說(shuō)明，液浸裝置132的嘴單元分別各設(shè)有一個(gè)液體供應(yīng)嘴與液體回收嘴，但不限于此，也可采用例如國(guó)際公開(kāi)第1999/49504號(hào)小冊(cè)子所揭示的具有多數(shù)嘴部的構(gòu)成。再者，液浸裝置132，例如也可以是具有例如將最下端光學(xué)元件與和其相鄰接的光學(xué)元件之間以液體充滿的機(jī)構(gòu)。簡(jiǎn)言之，只要是能至少對(duì)構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最下端光學(xué)元件與晶片W間的空間供應(yīng)液體的話，其構(gòu)成無(wú)論為何種皆可。例如，可使用歐洲專利公開(kāi)第1420298號(hào)公報(bào)、國(guó)際公開(kāi)第2004/055803號(hào)小冊(cè)子、國(guó)際公開(kāi)第2005/029559小冊(cè)子(對(duì)應(yīng)美國(guó)公開(kāi)第2006/0231206號(hào))等所記載的液浸裝置。又，上述各實(shí)施方式中，作為液體雖使用純水(水)，但本發(fā)明當(dāng)然不限于此。作為此液體，可使用化學(xué)上安定、且照明光的透射率高、安全的液體，例如氟系惰性液體。此氟系惰性液體，例如可使用氟羅麗那(美國(guó)3M公司的商品名)。此氟系惰性液體的冷卻效果也佳。此外，作為液體，可使用對(duì)照明光IL的透射率高于純水(折射率約為I. 44)、例如I. 5以上的液體。作為此液體，例如有折射率約I. 50的異丙醇(Isopropanol)、折射率約I. 61的丙三醇(Glycerol)等具有C-H鍵、O-H鍵的既定液體，己烷、庚烷、癸烷等的既定液體(有機(jī)溶劑)、折射率約I. 60的十氫奈(Decalin Decahydronaphthalene)等。或者,也可以是這些既定液體中任意2種類以上液體的混合物，或于純水中添加(混合)上述液體也可。作為液體，也可以是于純水中添加(混合)肝、(^+、1(+、(1+、5042-、？042-等堿或酸者。進(jìn)一步的，也可以是于純水中添加(混合)Al氧化物等的微粒子者。這些液體能使ArF準(zhǔn)分子激光透射。又，作為液體，以光的吸收系數(shù)小、溫度依存性少、且對(duì)投影光學(xué)系統(tǒng)(前端的光學(xué)構(gòu)件)及/或晶片表面所涂的感光材(或保護(hù)膜(表層膜)或反射防止膜等)安定者較佳。此外，以F2激光為光源時(shí)，選擇潤(rùn)滑油(fomblin oil)即可。又，上述各實(shí)施方式中，可再利用回收的液體，此時(shí)，最好是能將從瑣回收的液體中除去雜質(zhì)的過(guò)濾器設(shè)置于液體回收裝置、或回收管等。再者，上述各實(shí)施方式中，曝光裝置具有前述液浸裝置132的全部，但液浸裝置132的一部分(例如液體供應(yīng)裝置及/或液體回收裝置等)不須由曝光裝置來(lái)具備，例如可代的以曝光裝置設(shè)置工廠等的設(shè)備。又，上述各實(shí)施方式中，雖是以具備投影光學(xué)系統(tǒng)的曝光裝置為例作了說(shuō)明，但本發(fā)明也能適用 于不具備投影光學(xué)系統(tǒng)的曝光裝置。即使是不具備投影光學(xué)系統(tǒng)的曝光裝置，照明光是經(jīng)由透鏡等的光學(xué)構(gòu)件照射于晶片，于該光學(xué)構(gòu)件與晶片間的空間形成液浸區(qū)域。又，上述各實(shí)施方式中，雖是說(shuō)明本發(fā)明適用于液浸曝光裝置的情形，但不限于此，除液浸曝光裝置外，也能適用于例如不通過(guò)液體進(jìn)行晶片的曝光的干式等曝光裝置。又，上述各實(shí)施方式中，雖是說(shuō)明具有載臺(tái)裝置(具備晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST)的曝光裝置采用本發(fā)明的情形，但不限于此，具有裝備單一晶片載臺(tái)的載臺(tái)裝置的曝光裝置也可采用本發(fā)明。此時(shí)，由于并無(wú)晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST在接近狀態(tài)下移動(dòng)的順序，因此在圖11的EGA2與EGA4之間晶片載臺(tái)WST不減速，而僅對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2進(jìn)行減速、加速，據(jù)此來(lái)調(diào)整晶片W與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的相對(duì)位置關(guān)系即可。又，上述各實(shí)施方式中，測(cè)量對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，ALG2的位置的傳感器，雖是使用干涉儀，但也可使用例如編碼器等、或其它傳感器。此外，上述實(shí)施方式中，雖是使用干涉儀系統(tǒng)來(lái)測(cè)量標(biāo)線片載臺(tái)及晶片載臺(tái)的位置信息，但不限于此，也可使用例如用以檢測(cè)晶片載臺(tái)上面所設(shè)刻度(繞射光柵)的編碼器系統(tǒng)。此時(shí)，以具備干涉儀系統(tǒng)與編碼器系統(tǒng)的混合系統(tǒng)，使用干涉儀系統(tǒng)的測(cè)量結(jié)果來(lái)進(jìn)行編碼器系統(tǒng)測(cè)量的校正(calibration)較佳。又，也可切換使用干涉儀系統(tǒng)與編碼器系統(tǒng)，或者也可使用該兩方來(lái)進(jìn)行晶片載臺(tái)的位置控制。又，上述各實(shí)施方式中，雖說(shuō)明在晶片載臺(tái)從晶片更換位置移動(dòng)至曝光開(kāi)始位置的期間，使用面形狀檢測(cè)裝置125來(lái)測(cè)量晶片W表面的高度方向位置的情形，但不限于此，也可與現(xiàn)有同樣的使用斜入射方式的焦點(diǎn)位置檢測(cè)裝置。又，上述實(shí)施方式的曝光裝置的投影光學(xué)系統(tǒng)并非僅限縮小系統(tǒng)，也可是等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)的任一者，而投影光學(xué)系統(tǒng)也非僅限于折射系統(tǒng)，也可是反射系統(tǒng)及折反射系統(tǒng)的任一者，其投影像為倒像及正像皆可。又，通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)照射照明光的曝光區(qū)域雖為在投影光學(xué)系統(tǒng)視野內(nèi)包含光軸的同軸區(qū)域，也可如國(guó)際公開(kāi)第2004/107011號(hào)小冊(cè)子(對(duì)應(yīng)美國(guó)公開(kāi)第2006/0121364號(hào))所揭示同樣的，其一部分設(shè)有具復(fù)數(shù)個(gè)反射面且至少形成一次中間像的光學(xué)系統(tǒng)(反射系或折反射系)，具有單一光軸的所謂的成行(inline)型折反射系統(tǒng)等，不具有光軸AX的離軸區(qū)域。
又，照明光IL不限于ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)，也可以是KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)248nm)等的紫外光、F2激光(波長(zhǎng)157nm)等的真空紫外光。也可如國(guó)際公開(kāi)第1999/46835號(hào)說(shuō)明書(shū)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利7，023，610號(hào))所揭示，使用將真空紫外光的DFB半導(dǎo)體激光或光纖激光縮射出的紅外區(qū)或可視區(qū)的單一波長(zhǎng)激光，以例如摻鉺(或鉺與鐿兩者)光纖放大器加以放大，并使用非線性光學(xué)結(jié)晶將其波長(zhǎng)變換為紫外區(qū)的高諧波。又，上述實(shí)施方式，照明光IL并不限定于波長(zhǎng)IOOnm以上的光，使用波長(zhǎng)未滿IOOnm的光也可。例如，近年來(lái)為了將70nm以下的圖案曝光，以SOR或電漿激光作為光源，使軟X射線區(qū)內(nèi)(例如5 15nm的波長(zhǎng)帶)的極紫外線(Extreme Ultraviolet)產(chǎn)生,并持續(xù)進(jìn)行使用在此曝光波長(zhǎng)(例如13. 5nm)下設(shè)計(jì)的全反射縮小光學(xué)系統(tǒng)、及反射型光掩膜的極紫外線曝光裝置的開(kāi)發(fā)。此裝置，由于可考慮使用圓弧照明，對(duì)光掩膜與晶片同時(shí)掃描曝光的構(gòu)成，因此此裝置也非常適合使用本發(fā)明。除此之外，使用電子束或離子束的帶電粒子線的曝光裝置也能適用本發(fā)明。又，上述實(shí)施方式，雖說(shuō)明了本發(fā)明適用于步進(jìn)掃描(step & scan)方式的等的掃 描型曝光裝置，但不限于此，本發(fā)明也可適用于步進(jìn)機(jī)等的靜止型曝光裝置。此外，本發(fā)明也能適于將照射區(qū)域與照射區(qū)域加以合成的步進(jìn)接合(step & stitch)方式的曝光裝置。又，上述各實(shí)施方式中，雖使用于透光性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)的光透射型光掩膜(標(biāo)線片)，但也可取代此標(biāo)線片，使用例如美國(guó)專利第6，778，257號(hào)說(shuō)明書(shū)所揭示，根據(jù)待曝光圖案的電子數(shù)據(jù)，形成透射圖案或反射圖案或者是發(fā)光圖案的電子光掩膜或可變成形光掩膜、例如非發(fā)光型影像顯示元件(也稱為空間光變調(diào)器)的一種的數(shù)字微鏡面裝置(Digital Micro-mirror Device)。使用此可變成形光掩膜時(shí)，也可考慮前述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果，在晶片上復(fù)數(shù)個(gè)照射區(qū)域中，在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記檢測(cè)時(shí)已曝光照射區(qū)域之后才進(jìn)行曝光的至少另I個(gè)照射區(qū)域曝光時(shí)，變化待根據(jù)電子數(shù)據(jù)形成的透射圖案或反射圖案，來(lái)進(jìn)行晶片與圖案像的相對(duì)位置控制。又，例如國(guó)際公開(kāi)2001/035168號(hào)小冊(cè)子所揭示，本發(fā)明也可適用于通過(guò)在晶片上形成干涉條紋圖形，在晶片上形成線與間隙圖案的曝光裝置(光刻系統(tǒng))。又，例如日本特表2004/519850號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第6，611，316號(hào))所揭示，本發(fā)明也可適用于將2個(gè)標(biāo)線片圖案通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)在晶片上合成，以I次掃描曝光在晶片上的I個(gè)照射區(qū)域大致同時(shí)雙重曝光的曝光裝置。又，引用上述實(shí)施方式所引用的曝光裝置等相關(guān)所有公報(bào)、國(guó)際公開(kāi)小冊(cè)子、美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書(shū)、以及美國(guó)專利說(shuō)明書(shū)的揭示，作為本說(shuō)明書(shū)記載的一部份。又，于物體上形成圖案的裝置，并非限定于前述曝光裝置(光刻系統(tǒng))，本發(fā)明也可適用于例如以噴墨方式于物體上形成圖案的裝置。又，上述實(shí)施方式中待形成圖案的物體(受能量束照射的曝光對(duì)象物體)不限于晶片，也可以是玻璃板、陶瓷基板、光掩膜遮、或其它薄膜構(gòu)件等其它物體也可。又該物體形狀不限為圓形，矩形或其它形狀也可。曝光裝置的用途也非限定于半導(dǎo)體制造，例如，也可適用于將液晶顯示元件圖案轉(zhuǎn)印形成于方型玻璃基板的液晶用曝光裝置、用來(lái)制造有機(jī)EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微機(jī)器及DNA芯片等的曝光裝置。又，除半導(dǎo)體元件等微元件外，為了制造用于光曝光裝置、極紫外線曝光裝置、X射線曝光裝置、及電子射線曝光裝置等的標(biāo)線片或光掩膜，將電路圖案轉(zhuǎn)印至玻璃基板或硅晶片等的曝光裝置也為本發(fā)明適用對(duì)象。另外，半導(dǎo)體元件是經(jīng)過(guò)元件功能性能設(shè)計(jì)步驟、根據(jù)設(shè)計(jì)步驟制作標(biāo)線片的步驟、由硅材料制作晶片的步驟、上述實(shí)施方式的曝光裝置以前述調(diào)整方法調(diào)整圖案轉(zhuǎn)印特性后將形成于光掩膜的圖案轉(zhuǎn)印至感光物體上的光刻步驟、元件組裝步驟(包含切割、接合、封裝)、檢查步驟等所制成。此時(shí)，在光刻步驟中，由于進(jìn)行上述各實(shí)施方式的曝光方法，于物體上形成圖案，因此可提升高積體度元件的生產(chǎn)性。又，上述實(shí)施方式的曝光裝置，是將本申請(qǐng)的申請(qǐng)專利范圍所列舉包含各構(gòu)成要件的子系統(tǒng)組裝為能保持既定機(jī)械、電子、光學(xué)精度。為了確保這些精度，在組裝前后，對(duì)各種光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行為了達(dá)成光學(xué)精度的調(diào)整、對(duì)各種機(jī)械系統(tǒng)進(jìn)行為了達(dá)成機(jī)械精度的調(diào)整、對(duì)各種電子系統(tǒng)進(jìn)行為了達(dá)成電子精度的調(diào)整。由各子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟，包含各子系統(tǒng)間機(jī)械性連接、電路配線連接、氣壓線路管線連接等。在各子系統(tǒng)組裝置曝光裝置前，當(dāng)然需先經(jīng)過(guò)各子系統(tǒng)個(gè)別組裝步驟。各子系統(tǒng)組裝步驟完成后，進(jìn)行綜合調(diào)整，確保曝光裝置整體的各種精度。另外，曝光裝置的制造以在溫度與潔凈度受到管理的無(wú)塵室 進(jìn)行較佳。如以上說(shuō)明，本發(fā)明的圖案形成方法及圖案形成裝置，適于在移動(dòng)體所保持的物體形成圖案。又，本發(fā)明的元件制造方法，適于微元件的制造。
權(quán)利要求
1.一種圖案形成方法，于物體上形成圖案，其特征在于，所述方法以標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)所述物體上的標(biāo)記，使用所述檢測(cè)結(jié)果開(kāi)始對(duì)所述物體的圖案形成； 且所述圖案形成開(kāi)始后也以所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)所述物體上的標(biāo)記，于所述圖案形成使用所述檢測(cè)結(jié)果。
2.如權(quán)利要求I所述的圖案形成方法，其特征在于，于所述物體上的復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)劃區(qū)域分別形成圖案，所述復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)劃區(qū)域中包含最初形成所述圖案的區(qū)劃區(qū)域的第I群區(qū)劃區(qū)域，使用所述圖案形成開(kāi)始前的所述標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果，與所述第I群區(qū)劃區(qū)域不同的第2群區(qū)劃區(qū)域，使用所述圖案形成開(kāi)始后的所述標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果。
3.如權(quán)利要求2所述的圖案形成方法，其特征在于，所述第2群區(qū)劃區(qū)域，也使用所述圖案形成開(kāi)始前的所述標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果。
4.如權(quán)利要求2或3所述的圖案形成方法，其特征在于，所述第2群區(qū)劃區(qū)域，是在所述第I群區(qū)劃區(qū)域后進(jìn)行所述圖案形成。
5.如權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其特征在于，在所述圖案形成開(kāi)始前，使所述物體移動(dòng)于第I方向，并檢測(cè)在所述物體上于所述第I方向上位置不同的復(fù)數(shù)個(gè)
6.如權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其特征在于，在所述圖案形成開(kāi)始前，使所述物體在待在所述物體上形成圖案的復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)劃區(qū)域所排列的第I方向移動(dòng)，并檢測(cè)在所述物體上于所述第I方向上位置不同的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記。
7.如權(quán)利要求5或6所述的圖案形成方法，其特征在于，所述方法通過(guò)具有在與所述第I方向正交的第2方向上位置不同的檢測(cè)區(qū)域的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，檢測(cè)所述物體上的標(biāo)記。
8.如權(quán)利要求7所述的圖案形成方法，其特征在于，所述方法改變所述復(fù)數(shù)個(gè)檢測(cè)區(qū)域在所述第2方向的間隔，并檢測(cè)在所述物體上于所述第2方向上位置不同的標(biāo)記。
9.如權(quán)利要求I至8中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其特征在于，所述標(biāo)記的檢測(cè)是于所 述物體的移動(dòng)中一邊移動(dòng)所述檢測(cè)區(qū)域一邊進(jìn)行。
10.如權(quán)利要求5至9中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其特征在于，所述方法通過(guò)與所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)不同的檢測(cè)系統(tǒng)，檢測(cè)在所述移動(dòng)中與所述物體的面形狀相關(guān)的信息，并在所述圖案形成中使用其檢測(cè)結(jié)果。
11.一種圖案形成方法，于物體形成圖案，其特征在于，所述方法使所述物體移動(dòng)于第I方向，通過(guò)在與所述第I方向正交的第2方向具有不同位置的檢測(cè)區(qū)域的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，來(lái)分別檢測(cè)所述物體上于所述第I方向不同位置的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記，且通過(guò)與所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)不同的檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)與所述物體面形狀相關(guān)的信息； 使用所述兩個(gè)檢測(cè)結(jié)果于所述物體形成圖案。
12.如權(quán)利要求11所述的圖案形成方法，其特征在于，所述復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記，包含在所述第2方向上位置不同的標(biāo)記，所述復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)是使其檢測(cè)區(qū)域移動(dòng)于所述第2方向。
13.如權(quán)利要求11或12所述的圖案形成方法，其特征在于，所述各標(biāo)記的檢測(cè)，是于所述物體的移動(dòng)中一邊移動(dòng)所述檢測(cè)區(qū)域一邊進(jìn)行。
14.如權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其特征在于，所述不同檢測(cè)系 的檢測(cè)區(qū)域，是在所述第I方向配置于進(jìn)行所述圖案形成的位置與所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域之間。
15.如權(quán)利要求10至14中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其特征在于，與所述面形狀相關(guān)的信息的檢測(cè)動(dòng)作的至少一部分是與所述標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作同時(shí)進(jìn)行。
16.如權(quán)利要求I至15中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其特征在于，所述方法使所述物體曝光以形成圖案。
17.如權(quán)利要求16所述的圖案形成方法，其特征在于，所述物體被進(jìn)行液浸曝光。
18.—種元件制造方法，包含使用權(quán)利要求I至17中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法將圖案形成于感應(yīng)物體上的步驟。
19.一種圖案形成裝置，用以在移動(dòng)體所保持的物體形成圖案，其特征在于，所述圖案形成裝置具備 標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，用以檢測(cè)所述物體上的標(biāo)記；以及 控制裝置，控制使用所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的所述物體上標(biāo)記的檢測(cè)、及對(duì)所述物體的圖案形成； 所述控制裝置，以標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)所述物體上的標(biāo)記，使用其檢測(cè)結(jié)果開(kāi)始對(duì)所述物體的圖案形成，且在所述圖案形成開(kāi)始后也以所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)所述物體上的標(biāo)記，于所述圖案形成使用其檢測(cè)結(jié)果。
20.如權(quán)利要求19所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述物體，具有用以形成圖案的復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)劃區(qū)域； 所述控制裝置，在對(duì)所述復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)劃區(qū)域中包含最初形成所述圖案的區(qū)劃區(qū)域的第I群區(qū)劃區(qū)域形成圖案時(shí)，使用所述圖案形成開(kāi)始前的所述標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果； 在對(duì)與所述第I群區(qū)劃區(qū)域不同的第2群區(qū)劃區(qū)域形成圖案時(shí)，使用所述圖案形成開(kāi)始后的所述標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果。
21.如權(quán)利要求20所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，在對(duì)所述第2群區(qū)劃區(qū)域形成圖案時(shí)，也使用所述圖案形成開(kāi)始前的所述標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果。
22.如權(quán)利要求20或21所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，在對(duì)所述第I群區(qū)劃區(qū)域形成圖案后進(jìn)行對(duì)所述第2群區(qū)劃區(qū)域的圖案形成。
23.如權(quán)利要求19至22中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，在所述圖案形成開(kāi)始前，使所述移動(dòng)體移動(dòng)于第I方向，并檢測(cè)在所述物體上于所述第I方向上位置不同的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記。
24.如權(quán)利要求19至23中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，在所述圖案形成開(kāi)始前，使所述移動(dòng)體在待在所述物體上形成圖案的復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)劃區(qū)域所排列的第I方向移動(dòng)，并檢測(cè)在所述物體上于所述第I方向上位置不同的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記。
25.如權(quán)利要求23或24所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置具備復(fù)數(shù)個(gè)所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)； 所述各標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域，在與所述第I方向正交的第2方向上不同。
26.如權(quán)利要求25所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，改變所述復(fù)數(shù)個(gè)檢測(cè)區(qū)域在所述第2方向的間隔，并檢測(cè)在所述物體上于所述第2方向上位置不同的標(biāo)記。
27.如權(quán)利要求19至26中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，于所述物體的移動(dòng)中一邊移動(dòng)所述檢測(cè)區(qū)域一邊進(jìn)行所述標(biāo)記的檢測(cè)。
28.如權(quán)利要求19至27中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備檢測(cè)裝置，以配置于將所述物體保持于所述移動(dòng)體的裝載位置與對(duì)所述物體的圖案形成開(kāi)始位置的間的復(fù)數(shù)個(gè)測(cè)量點(diǎn)，檢測(cè)所述物體在所述物體所移動(dòng)的既定面的垂直方向的位置信息。
29.如權(quán)利要求28所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，根據(jù)所述檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果算出與所述物體面形狀相關(guān)的信息。
30.一種圖案形成裝置，用以在移動(dòng)體所保持的物體形成圖案，其特征在于，所述圖案形成裝置具備 復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，具有在與第I方向正交的第2方向位置不同的檢測(cè)區(qū)域； 檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)與所述物體面形狀相關(guān)的信息；以及 控制裝置，一邊于所述第I方向移動(dòng)所述移動(dòng)體、一邊分別使用所述復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)所述物體上于所述第I方向位置不同的復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記，且使用所述檢測(cè)裝置檢測(cè)與所述物體面形狀相關(guān)的信息，使用所述兩個(gè)檢測(cè)結(jié)果于所述物體形成圖案。
31.如權(quán)利要求30所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記，包含在所述第.2方向上位置不同的標(biāo)記； 所述控制裝置，在檢測(cè)所述標(biāo)記時(shí)，使所述復(fù)數(shù)個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)各自的檢測(cè)區(qū)域移動(dòng)于所述第2方向。
32.如權(quán)利要求30或31所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，在檢測(cè)所述標(biāo)記時(shí)，在所述移動(dòng)體的移動(dòng)中移動(dòng)所述檢測(cè)區(qū)域。
33.如權(quán)利要求30至32中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述檢測(cè)裝置的檢測(cè)區(qū)域，在所述第I方向配置于進(jìn)行所述圖案形成的位置與所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域之間。
34.如權(quán)利要求27至33中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述控制裝置，使所述檢測(cè)裝置的檢測(cè)動(dòng)作的至少一部分與所述標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作同時(shí)進(jìn)行。
35.如權(quán)利要求19至34中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備測(cè)量用移動(dòng)體，其能與所述移動(dòng)體獨(dú)立移動(dòng)，在更換所述移動(dòng)體上的物體的期間進(jìn)行形成所述圖案所需的測(cè)量。
36.如權(quán)利要求19至35中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備另一移動(dòng)體，其能與所述移動(dòng)體獨(dú)立移動(dòng)，在對(duì)所述移動(dòng)體所保持的物體形成圖案的期間，保持以所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行標(biāo)記的檢測(cè)的物體。
37.如權(quán)利要求19至36中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備對(duì)所述物體照射照明光的光學(xué)系統(tǒng)，以所述照明光使所述物體曝光以形成圖案。
38.如權(quán)利要求37所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，與支撐所述光學(xué)系統(tǒng)的機(jī)體在振動(dòng)上分離。
39.如權(quán)利要求37所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述光學(xué)系統(tǒng)，包含對(duì)所述物體上投影圖案的投影光學(xué)系統(tǒng)，至少以所述機(jī)體支撐所述投影光學(xué)系統(tǒng)。
40.如權(quán)利要求38或39所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備以所述機(jī)體為基準(zhǔn)檢測(cè)所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的位置信息的傳感器。
41.如權(quán)利要求40所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述傳感器包含干涉儀； 所述干涉儀中至少分歧成參照光束與測(cè)量光束的分歧光學(xué)系統(tǒng)是與所述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的至少一部分一起移動(dòng)，供所述測(cè)量光束射入的反射面系設(shè)于所述機(jī)體。
42.如權(quán)利要求37至41中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置，其特征在于，所述圖案形成裝置進(jìn)一步具備將液體供應(yīng)至所述光學(xué)系統(tǒng)與所述物體之間的液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)，通過(guò)所述光學(xué)系統(tǒng)及所述液體以所述照明光使所述物體曝光。
43.一種元件制造方法，其特征在于，所述方法包含使用權(quán)利要求19至42中任一項(xiàng)所述的圖案形成裝置將圖案形成于感應(yīng)物體上的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種圖案形成方法及圖案形成裝置、以及元件制造方法，本發(fā)明是在晶片載臺(tái)(WST)從將晶片(W)搬入晶片載臺(tái)(WST)的裝載位置、移動(dòng)至對(duì)晶片(W)開(kāi)始曝光的曝光開(kāi)始位置的期間，一邊使對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(ALG1,ALG2)的至少一部分移動(dòng)、一邊使用該對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(ALG1,ALG2)檢測(cè)晶片(W)上的標(biāo)記。如此，即能提升曝光工藝整體的處理量。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102681368SQ201210039778
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2006年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日
發(fā)明者柴崎佑一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康