專利名稱：電泳元件和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本技術(shù)涉及包括電泳顆粒和多孔層的電泳元件，以及包括該電泳元件的顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，由于以移動(dòng)電話或個(gè)人數(shù)字助理(PDA)為代表的移動(dòng)裝置的廣泛使用，對(duì)于具有低功耗和高品質(zhì)圖像質(zhì)量的顯示裝置的需求不斷増加。特別地，用于閱讀應(yīng)用以長(zhǎng)時(shí)間地閱讀字符信息的電子書終端最近由于電子書的分發(fā)型服務(wù)的啟動(dòng)而受到關(guān)注，這帶來(lái)了對(duì)于具有適應(yīng)于這樣的應(yīng)用的顯示品質(zhì)的顯示器的需求。膽留相(cholesteric)液晶顯示器、電泳顯示器、電致變色顯示器或者扭轉(zhuǎn)球顯示器已經(jīng)被提出用作為閱讀顯示器。特別地，所謂的反射型顯示器是優(yōu)先的。這是因?yàn)榉瓷湫惋@示器基干與頁(yè)面類似的外部光的反射(漫射)進(jìn)行光顯示，從而形成類似于頁(yè)面的顯示品質(zhì)。另外，顯示器不必要包括背光，從而降低了功耗。反射型顯示器的突出的代表包括基于電泳現(xiàn)象產(chǎn)生亮和暗(對(duì)比)的電泳顯示器。這是因?yàn)殡娪撅@示器的功耗較低并且響應(yīng)快。由此，對(duì)于電泳顯示器的顯示方法已經(jīng)進(jìn)行了各種研究。具體地，已經(jīng)提出了ー種方法，其中光反射特性不同且極性不同的兩種類型的帶電荷顆粒被分布在絕緣液中，并且各個(gè)帶電荷的顆粒依賴于基于這樣的極性差形成的電場(chǎng)而移動(dòng)(例如，見(jiàn)日本已審專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 50-015115和日本專利No. 4188091)。在該方法中，兩種類型的帶電荷顆粒的分布狀態(tài)依賴于電場(chǎng)而以不同方式改變，從而由于這樣的光反射特性的差異而形成對(duì)比度。另外，已經(jīng)提出了另ー種方法，其中帶電荷的顆粒被分布在絕緣液中，并且提供具有與帶電荷的顆粒的光反射特性不同的光反射特性的多孔層以依賴于電場(chǎng)而使帶電荷的顆粒移動(dòng)通過(guò)多孔層中的微孔(例如，見(jiàn)日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2005-107146,日本已審查專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 50-015120,日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2005-128143，以及日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2002-244163)。對(duì)于多孔層，使用具有通過(guò)激光鉆孔形成的微孔的聚合物膜、合成纖維針織織物、開(kāi)室多孔聚合物等。在本方法中，帶電荷的顆粒的分布狀態(tài)依賴于電場(chǎng)而改變，從而由于在帶電荷的顆粒和多孔層之間的光反射特性的差異而形成對(duì)ヒ匕。另ー種方法也已經(jīng)被提出，其中帶電荷的顆粒被包圍在微囊化封裝中，或者設(shè)置分隔結(jié)構(gòu)以限定其中帶電荷的顆?？纱嬖诘膮^(qū)域(例如，見(jiàn)日本專利No. 2551783和日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)(PCT申請(qǐng)翻譯文件)No. 2003-526817)。該方法抑制帶電荷的顆粒的附聚、沉淀、對(duì)流等。

發(fā)明內(nèi)容
雖然已經(jīng)提出了電泳顯示器的各種顯示方法，但各方法中的顯示品質(zhì)仍不能令人滿意，并且考慮到彩色顯示器或視頻顯示器的未來(lái)發(fā)展，對(duì)比度和響應(yīng)速度需要進(jìn)ー步提高。另外，重要的是需要使功耗保持較低以實(shí)現(xiàn)電泳顯示器的專有優(yōu)點(diǎn)中的大部分優(yōu)點(diǎn)。能夠期望提供一種以低的功耗實(shí)現(xiàn)了高對(duì)比度和快速響應(yīng)的電泳元件，并提供包括該電泳元件的顯示裝置。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的電泳元件包括電泳顆粒；多孔層，其由包含非遷移性顆粒的纖維狀結(jié)構(gòu)形成，非遷移性顆粒具有不同于電泳顆粒的光反射特性并且具有多個(gè)微孔；和分隔部，其部分鄰近于多孔層并且限定用于容納電泳顆粒的空間。多孔層的微孔每單元面積的面積比率在其中分隔部與多孔層鄰近的鄰近區(qū)域中與在其中分隔部不與多孔層鄰近的非鄰近區(qū)域中相比較小。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的顯示裝置包括位于ー對(duì)基板之間的上述電泳元件，所述基板中的一個(gè)或兩者對(duì)光是透明的。
注意到，“光反射特性”指所謂的光(外部光)的反射率。非遷移性顆粒的光反射特性不同于電泳顆粒的光反射特性。另外，多孔層和微孔的“面積”是指沿著多孔層的任一方向的截面的面積。為測(cè)量該面積，可使用各種類型的顯微鏡來(lái)觀察該截面。而且，“顯示表面”指顯示裝置的圖像顯示側(cè)上的表面。在電泳元件中，在其中分隔部不鄰近多孔層的側(cè)上的表面對(duì)應(yīng)于顯不表面。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的電泳元件，多孔層由包含非遷移性顆粒的纖維狀結(jié)構(gòu)形成，所述非遷移性顆粒具有不同于電泳顆粒的光反射特性。在這樣的情況中，雖然多孔層具有足夠數(shù)量的微孔且微孔具有足夠的大小以允許電泳顆粒的移動(dòng)，外部光即使在具有小的厚度的多孔層上也被顯著不規(guī)則地反射。這提高了多孔層的光反射率，從而增大了對(duì)比度。另外，這促進(jìn)了電泳顆粒通過(guò)微孔的移動(dòng)，從而使得移動(dòng)所用的時(shí)間和能量減小。另外，分隔部部分地鄰近多孔層并且所述多孔層的微孔每單元面積的面積比率在鄰近區(qū)域中與在非鄰近區(qū)域中相比較小。在本情況中，如果分隔部在顯示裝置的與顯示表面反向的側(cè)上鄰近多孔層，則分隔部限定其中電泳顆粒可存在的區(qū)域，并且由此電泳顆粒在鄰近區(qū)域中幾乎不移動(dòng)穿過(guò)多孔層，從而掏電泳顆粒的附聚、沉淀、對(duì)流等。另外，從顯示表面?zhèn)扔^察，分隔部被多孔層遮蔽。這些抑制了圖像品質(zhì)的下降，比如顯示的不均勻性，從而形成穩(wěn)定的圖像品質(zhì)。另外，抑制了由于分隔部的存在而引起的對(duì)比度的降低，促進(jìn)了對(duì)比度的提聞。結(jié)果，以低的功耗實(shí)現(xiàn)了高的對(duì)比度和快速響應(yīng)。另外，根據(jù)包括本技術(shù)的實(shí)施方式的電泳元件的顯示裝置，以低的功耗可顯示出高品質(zhì)的圖像。應(yīng)理解，前述的概括說(shuō)明和下面的詳細(xì)說(shuō)明是示例性的，并且g在提供對(duì)于如所要求的技術(shù)的進(jìn)一歩解釋。


附圖被包括以提供對(duì)于本公開(kāi)的進(jìn)一歩理解，并且被整合在本說(shuō)明書中并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。附示了實(shí)施方式并且與本說(shuō)明書一起用以解釋本技術(shù)的原理。圖I是圖示包括根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的電泳元件的顯示裝置的構(gòu)造的截面圖。圖2是圖示顯示裝置的主要部分的構(gòu)造的平面圖。圖3是圖示顯示裝置的另ー主要部分的構(gòu)造的平面圖。
圖4是用于解釋顯示裝置的操作的截面圖。圖5是用以解釋顯示裝置的制造方法的截面圖。圖6是用以解釋圖5中所示的步驟之后的步驟的截面圖。
具體實(shí)施例方式下文中，將參考附圖詳細(xì)說(shuō)明本技術(shù)的實(shí)施方式。本說(shuō)明基于下面的順序。I.包括電泳元件的 顯示裝置的構(gòu)造2.顯示裝置的制造方法[I.包括電泳元件的顯示裝置的構(gòu)造]首先，說(shuō)明包括根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的電泳元件的顯示裝置的構(gòu)造。圖I圖示了顯示裝置的截面構(gòu)造，圖2和圖3每個(gè)圖示了圖I中所示的顯示裝置的主要部分的平面構(gòu)造。圖I圖示了沿圖3中所示的I-I線的截面。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的電泳元件可應(yīng)用于各種用途比如顯示裝置，而無(wú)具體限制。雖然這里示例了其中電泳元件應(yīng)用于顯示裝置的情況，本顯示裝置的構(gòu)造僅被圖示作為示例并且能夠可選地修改或替代。[顯示裝置的一般構(gòu)造]本顯示裝置是電泳顯示器或者所謂的電子紙顯示器，所述電泳顯示器基于電泳現(xiàn)象來(lái)顯示圖像(例如，字符信息)。如圖I中所示，本顯示裝置例如包括驅(qū)動(dòng)基板10和對(duì)基板20，驅(qū)動(dòng)基板10和對(duì)基板20隔著電泳元件30和隔離件40相對(duì)地布置，并且具有在對(duì)基板20所在側(cè)上的顯示表面。“具有在對(duì)基板20所在側(cè)上的顯示表面”的含義是指圖像顯示在對(duì)基板20所在側(cè)上的。[驅(qū)動(dòng)基板]驅(qū)動(dòng)基板10例如包括以如下順序設(shè)置在支撐基部11的表面上的多個(gè)薄膜晶體管(TFTs) 12、保護(hù)層13、平面化絕緣層14和多個(gè)像素電極15。TFTsl2和像素電極15例如以矩陣或分段圖案與像素布置對(duì)應(yīng)地布置。支撐基部11由例如無(wú)機(jī)材料、金屬材料或者塑性材料形成。無(wú)機(jī)材料包括例如硅
(Si)、硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和鋁氧化物(AlOx)。硅氧化物包括例如玻璃或紡絲玻璃(SOG)。金屬材料包括例如鋁(Al)、鎳(Ni)和不銹鋼。塑性材料包括例如聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯ニ甲酸こ酯(PET)、聚こ烯萘酚樹(shù)脂(PEN)和聚醚醚酮(PEEK)。支撐基部11可以可選地為光透明的或者不透明的。這是因?yàn)橛捎趫D像顯示在對(duì)基板20所在側(cè)上，支撐基部11不必要必須為透明的。另外，支撐基部11可包括剛性基板，比如晶片(wafer)，或者可包括柔性薄玻璃或柔性膜。具體地，后者是優(yōu)先的，因?yàn)榭蓪?shí)現(xiàn)柔性(可折疊)顯示裝置。TFT 12是用于選擇像素的開(kāi)關(guān)元件。TFT 12可以是包括作為通道層的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體層的無(wú)機(jī)TFT，或者是包括作為通道層的有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)TFT。保護(hù)層13和平面化絕緣層14由比如聚酰亞胺的絕緣材料形成。如果保護(hù)層13的表面足夠平坦，則平面化絕緣層14可以省略。像素電極15由導(dǎo)電材料形成，比如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鋁合金和銦氧化物/錫氧化物(ITO)。像素電極15和TFT 12通過(guò)接觸孔(未示出)連接，所述接觸孔被設(shè)置為穿過(guò)保護(hù)層13和平面化絕緣層14。
圖I圖示了其中為下面所述的每個(gè)隔室36單獨(dú)布置TFTs 12的情況(ー個(gè)TFTs12對(duì)應(yīng)于一個(gè)隔室36設(shè)置)。但是，這并不是限制性的，并且隔室36的數(shù)目和TFTs 12的數(shù)目以及隔室36的形成區(qū)域和TFTs 12的區(qū)域可以可選地設(shè)定。例如，可以為三個(gè)隔室36布置兩個(gè)TFTs 12，或者相鄰兩個(gè)TFTs 12之間的邊界可以布置在隔室36的形成區(qū)域內(nèi)的位置處。[對(duì)基板]對(duì)基板20包括例如在支撐基部21的整個(gè)表面上設(shè)置的對(duì)電極22。但是，對(duì)電極22可如像素電極15那樣布置為矩陣或分段的圖案。
支撐基部21由與支撐基部11的材料類似的材料形成，不同之處在于其是光透明的。支撐基部21需要是光透明的，因?yàn)閳D像顯示在對(duì)基板20所在側(cè)上。對(duì)電極22由例如半透明導(dǎo)電材料(透明電極材料)形成，比如銦氧化物/錫氧化物(ITO)、銻氧化物/錫氧化物(ATO)、摻氟氧化錫(FTO)和摻鋁氧化鋅(AZO)。為在對(duì)基板20所在側(cè)上顯示圖像，通過(guò)對(duì)電極22觀察顯示裝置(電泳元件30)。結(jié)果，對(duì)電極22的光透明性達(dá)到其最大程度是優(yōu)選的，例如達(dá)到80%或更高。另外，對(duì)電極22的電阻抗優(yōu)選地最大程度地低，例如為100Q或更小。[電泳元件]電泳元件30包括分布在絕緣液31中的遷移顆粒32、具有多個(gè)微孔34的多孔層33、和部分地鄰近多孔層33的分隔部35。圖I示出了微孔34的僅一部分以簡(jiǎn)化所圖示的內(nèi)容。[絕緣液]絕緣液31填充例如由驅(qū)動(dòng)基板10、對(duì)基板20、和隔離件40包圍的空間。絕緣液31包括例如一種或多種非水溶剤，比如有機(jī)溶剤，具體地為石蠟或異鏈烷烴。絕緣液31的粘度和折射率優(yōu)選地盡可能低。這是因?yàn)檫@樣低的粘度或折射率提高了遷移顆粒32的移動(dòng)性(響應(yīng)速度)，并且由此降低了使遷移顆粒32移動(dòng)所用的能量(功耗)。另外，絕緣液31和多孔層33之間的折射率之差増大，從而増大了多孔層33的光反射率。絕緣液31根據(jù)需要可包含各種材料。所述材料包括例如著色劑、充電控制劑、阻凝劑、粘度改進(jìn)劑、表面活化劑和樹(shù)脂。[遷移顆粒]遷移顆粒32是ー個(gè)或多個(gè)電カ遷移的帶電荷顆粒(電泳顆粒)并且被允許依賴于電場(chǎng)穿過(guò)絕緣液31朝向像素電極15或?qū)﹄姌O22移動(dòng)。遷移顆粒32包括例如一種或多種有機(jī)色素、無(wú)機(jī)色素、染料、碳材料、金屬材料、金屬氧化物、玻璃材料和聚合物材料(樹(shù)脂)的顆粒(粉末)。替代地，遷移顆粒32可包括樹(shù)脂固體的粉碎顆?；虮荒一念w粒，所述樹(shù)脂固體包含ー種或多種上述材料的顆粒。需要注意，與碳材料、金屬材料、金屬氧化物、玻璃材料和聚合物材料對(duì)應(yīng)的材料不包含與有機(jī)色素、無(wú)機(jī)色素、染料對(duì)應(yīng)的材料。有機(jī)色素包括例如偶氮色素、金屬?gòu)?fù)合物偶氮色素、縮聚反應(yīng)偶氮色素、黃烷士林色素、苯并咪唑酮色素、酞菁色素、喹吖啶酮色素、蒽醌色素、ニ萘嵌苯色素、芘酮色素、蒽吡啶色素、皮蒽酮色素、ニ惡嗪色素、硫靛藍(lán)色素、異ニ氫吲哚酮色素、喹酞酮色素、陰丹士林色素。無(wú)機(jī)色素包括例如鋅白、銻白、碳黑、鐵黑、硼化鈦、氧化鐵紅、Mapico黃、鉛丹、鎘黃、硫化鋅、鋅鋇白、硫化鋇、硒化鎘、碳酸鈣、硫酸鋇、鉻酸鉛、硫酸鉛、碳酸鋇、鉛白和礬土。染料包括例如苯胺黑染料、偶氮染料、酞菁染料、喹酞酮染料、蒽醌染料和甲川染料。碳材料包括例如碳黑。金屬材料包括例如金、銀和銅。金屬氧化物包括例如氧化鈦、鋅氧化物、鉻氧化物、鈦酸鋇、鈦酸鉀、銅鉻氧化物、銅猛氧化物、銅鐵猛氧化物、銅鉻猛氧化物和銅鐵鉻氧化物。聚合物材料包括例如聚合物復(fù)合物，該聚合物復(fù)合物具有其中光吸收帶位于可視區(qū)域中的官能團(tuán)。只要材料具有位于可視區(qū)域中的光吸收帶，則可使用任意類型的聚合物材料，而沒(méi)有具體限制。
雖然絕緣液31中的遷移顆粒32的含量(濃度)不具體限定，其含量例如是
0.1界セ％至1(^セ％并且包含0. ^^%和者。這是因?yàn)檫w移顆粒32在這樣的含量范圍內(nèi)具有特定的屏蔽(掩蔽)特性和可移動(dòng)性。這里，如果該含量小于0. lwt%，則遷移顆粒32可能幾乎不屏蔽多孔層33。如果該含量大于IOwt %，則遷移顆粒32的分散能力降低，由此遷移顆粒32幾乎不遷移并且可能附聚。遷移顆粒32具有光學(xué)上的光反射特性(光反射率)。遷移顆粒32的光反射率并不具體限定，其優(yōu)選地被設(shè)定為使得允許遷移顆粒32屏蔽多孔層33。這是因?yàn)橛捎谶w移顆粒32和多孔層33之間的光反射率之間的差異而形成對(duì)比度。遷移顆粒32的形成材料例如依賴于遷移顆粒32的形成對(duì)比度的功能來(lái)具體選擇。具體地，用于遷移顆粒32實(shí)現(xiàn)亮顯示的材料包括例如金屬氧化物，比如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、鈦酸鋇和鈦酸鉀。用于由遷移顆粒32實(shí)現(xiàn)暗顯示的材料包括例如碳材料和金屬氧化物。碳材料包括例如碳黑。金屬氧化物包括例如銅鉻氧化物、銅錳氧化物、銅鐵錳氧化物、銅鉻錳氧化物和銅鐵鉻氧化物。具體地，碳材料是優(yōu)選的。這是因?yàn)樘疾牧咸峁┝烁呋瘜W(xué)穩(wěn)定性、高移動(dòng)性和高光吸收性。對(duì)于由遷移顆粒32實(shí)現(xiàn)的亮顯示，雖然只要可形成對(duì)比度，對(duì)遷移顆粒32的從外部觀察的顔色不作具體限定，但該顏色具體地優(yōu)選是發(fā)白的，并且更優(yōu)選地為白色。對(duì)于由遷移顆粒32實(shí)現(xiàn)的暗顯示，雖然只要可形成對(duì)比度，對(duì)遷移顆粒32的從外部觀察的顏色不作具體限定，但該顏色具體地優(yōu)選是發(fā)黑的，并且更優(yōu)選地為黑色。這是因?yàn)樵诿總€(gè)情況中提高了對(duì)比度。注意到，遷移顆粒32優(yōu)選地易于長(zhǎng)時(shí)間地在絕緣液31中分布并被充電，并且優(yōu)選地幾乎不被多孔層33吸收。因此，可接受的是使用分散劑(或者充電改性劑)以通過(guò)靜電排斥來(lái)分散遷移顆粒32，或者遷移顆粒32受到表面處理，或者使用上述兩種方法。分散劑包括例如由Lubrizol corp.制造的Solsperse系列產(chǎn)品、由BYK-Chemie制造的BYK系列產(chǎn)品或者Anti-Terra系列產(chǎn)品、以及由ICI AmericasInc制造的Span系列產(chǎn)品。表面處理包括例如松脂處理、表面活化劑處理、色素衍生物處理、偶聯(lián)劑處理、接枝聚合處理和微囊化處理。具體地，接枝聚合處理、微囊化處理或者它們的組合是優(yōu)選的。這是因?yàn)檫@樣的處理提供了長(zhǎng)時(shí)間的分散穩(wěn)定性。用于表面處理的材料包括例如在遷移顆粒32的表面上可吸收的官能團(tuán)和可聚合官能團(tuán)的材料。可吸收官能團(tuán)的類型依據(jù)遷移顆粒32的形成材料確定。例如，可吸收官能團(tuán)包括苯胺衍生物，比如用于諸如碳黑的碳材料的4-こ烯基苯胺；和有機(jī)硅烷微生物，比如用于氧化物的甲基丙烯酸-3_(三甲氧基甲硅烷基)丙酷?？删酆瞎倌軋F(tuán)包括例如こ烯基基團(tuán)、丙烯酸基團(tuán)、甲基基團(tuán)。替代地，用于表面處理的材料包括例如能夠與遷移顆粒32的具有可聚合官能團(tuán)的表面接枝的材料(接枝材料)。接枝材料優(yōu)選地具有可聚合官能團(tuán)和分散官能團(tuán)，所述分散官能團(tuán)允許分散在絕緣液31中并且可通過(guò)位阻保持一定的分散性?？删酆瞎倌軋F(tuán)的類型以與所述的吸附材料相同的方式確定。分散官能團(tuán)包括例如分枝的烷基基團(tuán)，在本情況中，絕緣液31是石蠟。聚合引發(fā)劑比如偶氮ニ異丁腈(AIBN)可用于接枝材料的聚合和接枝。作為參考，使遷移顆粒32分散在上述的絕緣液31中的方法在書《DispersionIechnique of Ultraline Particles ana Evaluation Thereof-burfaceTreatment/Fine Grinding, and Dispersion Stabilization in Air, Liquid,andPolymer(Science &Technology Co.，Ltd.)))中有詳細(xì)描述。
[多孔層]多孔層33是由纖維狀結(jié)構(gòu)331形成的三維結(jié)構(gòu)(象非針織織物的不規(guī)則網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu))，如圖2中所示，并且例如由隔離件40支撐。多孔層33具有多個(gè)間隙(微孔34)以用于遷移顆粒32在不包括纖維狀結(jié)構(gòu)331的區(qū)域中的移動(dòng)。纖維狀結(jié)構(gòu)331包含一個(gè)或多個(gè)非遷移性顆粒332，并且所述ー個(gè)或多個(gè)非遷移性顆粒非遷移性顆粒332被纖維狀結(jié)構(gòu)331保持。在包括三維結(jié)構(gòu)的多孔層33中，單個(gè)纖維狀結(jié)構(gòu)331可隨機(jī)纏繞，或者多個(gè)纖維狀結(jié)構(gòu)331可相互集聚和隨機(jī)疊加。在多個(gè)纖維狀結(jié)構(gòu)331的情況中，每個(gè)纖維狀結(jié)構(gòu)331優(yōu)選地保持一個(gè)或多個(gè)非遷移性顆粒332。圖2圖示了其中多孔層33由多個(gè)纖維狀結(jié)構(gòu)331形成的情況。多孔層33包括由纖維狀結(jié)構(gòu)331形成的三維結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)橥獠抗廒呌谟捎谒霾灰?guī)則三維結(jié)構(gòu)而被不規(guī)則地反射(多向散射)，這增大了多孔層33的光反射率。另外，多孔層33的厚度可被減小以實(shí)現(xiàn)這樣的高光反射率。結(jié)果，増大了對(duì)比度，并且減少了用于遷移顆粒32的移動(dòng)的能量。另外，微孔34的平均直徑及其數(shù)目増大，由此易于使遷移顆粒32移動(dòng)穿過(guò)微孔34。相應(yīng)地，減少了用于遷移顆粒32的移動(dòng)的時(shí)間和能量。纖維狀結(jié)構(gòu)331包含非遷移性顆粒332，這增強(qiáng)了對(duì)于外部光的不規(guī)則反射，從而進(jìn)ー步増大了多孔層33的光反射率。結(jié)果，進(jìn)ー步増大了對(duì)比度。纖維狀結(jié)構(gòu)331包括纖維狀材料，其纖維長(zhǎng)度比纖維直徑顯著地更長(zhǎng)。纖維狀結(jié)構(gòu)331包括例如一種或多種聚合物材料或者無(wú)機(jī)材料，但可包括其它的材料。聚合物材料包括例如尼龍、聚乳酸、聚酰胺、聚酰亞胺、聚對(duì)苯ニ甲酸こ酷、聚丙烯腈、聚氧化こ烯、聚こ烯咔唑、聚氯こ烯、聚氨基甲酸こ酷、聚苯こ烯、聚こ烯醇、聚砜、聚維酮、聚偏こ烯氟化物、聚六氟丙烯、醋酸纖維素こ酸鹽、膠原質(zhì)、明膠、聚氨基葡糖和它們的共聚物。無(wú)機(jī)材料包括例如氧化鈦。具體地，聚合物材料優(yōu)選地用于形成纖維狀結(jié)構(gòu)331。這是因?yàn)榫酆衔锊牧暇哂休^弱的活性(例如，較弱的光反應(yīng)性)或具有化學(xué)穩(wěn)定性，這抑制了不期望的纖維狀結(jié)構(gòu)331的分解反應(yīng)。注意到，如果纖維狀結(jié)構(gòu)331由高反應(yīng)性材料形成，則纖維狀結(jié)構(gòu)331的表面優(yōu)選地被覆蓋可選的保護(hù)層。纖維狀結(jié)構(gòu)331的形狀(外觀)并不具體地限定，只要如上所述地纖維狀材料包括長(zhǎng)度比直徑顯著地大的纖維。具體地，纖維狀結(jié)構(gòu)可以是線性的、卷曲的或者在某些點(diǎn)處彎折。另外，纖維狀結(jié)構(gòu)331可在ー個(gè)方向上不受限地延伸，并且可在延伸路徑上沿兩個(gè)或更多個(gè)方向分支。并未具體限定的、用于形成纖維狀結(jié)構(gòu)331的方法優(yōu)選地例如是相分離處理、倒相處理、靜電(電場(chǎng))紡絲處理、熔融紡絲處理、濕式紡絲處理、干式紡絲處理、凝膠紡絲處理、溶膠-凝膠處理、或者噴射涂覆處理。這是因?yàn)檫@樣的處理便于穩(wěn)定的其中纖維長(zhǎng)度比纖維直徑顯著地大的纖維狀材料的形成。未具體限定的、纖維狀結(jié)構(gòu)331的平均纖維直徑優(yōu)選地盡可能地小。這是因?yàn)檫@樣的平均纖維直徑增強(qiáng)了光的不規(guī)則反射，并且増大了微孔34的直徑。但是，所述平均纖維直徑優(yōu)選地被確定為使得纖維狀結(jié)構(gòu)331可保持非遷移性顆粒332。因此，纖維狀結(jié)構(gòu)331的平均纖維直徑優(yōu)選地是10 y m或更小。雖然未具體地限定平均纖維直徑的下限，下限例如是0. Iy m，但其可以是0. I 或更小。平均纖維直徑通過(guò)顯微鏡觀察來(lái)測(cè)量，例如使用掃描電子顯微鏡(SEM)。纖維狀結(jié)構(gòu)331的平均長(zhǎng)度可以可選地設(shè)定。未具體限定的、微孔34的平均直徑優(yōu)選地盡可能地大。這是因?yàn)檫@樣的平均直徑便于遷移顆粒32穿過(guò)微孔34的移動(dòng)。因此，微孔34的平均直徑優(yōu)選地是0. I y m至10 y m并包括0. I u m和10 u m兩者。并未具體限定的、多孔層33的厚度例如是5 ii m至100 ii m并包括5 y m和100 y m兩者。這是因?yàn)檫@樣的厚度提高了多孔層33的屏蔽特性，并且促進(jìn)了遷移顆粒32穿過(guò)微孔34的移動(dòng)。注意到，這里指定的多孔層33的厚度是指多孔層33在下面所述的非鄰近區(qū)域R2中的厚度。具體地，纖維狀結(jié)構(gòu)331優(yōu)選地包括納米纖維。這是因?yàn)榧{米纖維使三維結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，這增強(qiáng)了對(duì)于外部光的不規(guī)則反射，從而進(jìn)一步增大了多孔層33的光反射率，并且增大了多孔層33的微孔34每單元面積的面積比率，這促進(jìn)了遷移顆粒32穿過(guò)微孔34的移動(dòng)。相應(yīng)地，對(duì)比度進(jìn)ー步増大，并且進(jìn)一步減小了用于遷移顆粒32的移動(dòng)的能量。納米纖維是指纖維狀材料，該材料的纖維直徑是0. 001 y m至0. I y m，并包括0. 001 y m和
0.I U m兩者，并且纖維長(zhǎng)度是纖維直徑的100倍或更大。包括納米纖維的纖維狀結(jié)構(gòu)331優(yōu)選地通過(guò)靜電紡絲處理形成。這是因?yàn)樵撎幚泶龠M(jìn)了穩(wěn)定的具有這樣的小纖維直徑的纖維狀結(jié)構(gòu)331的形成。纖維狀結(jié)構(gòu)331優(yōu)選地具有與遷移顆粒32的光反射特性不同的光反射特性。具體地，未具體限定的、纖維狀結(jié)構(gòu)331的光反射率優(yōu)選地設(shè)定為使得允許多孔層33整體上屏蔽遷移顆粒32。這是因?yàn)橛捎谠谶w移顆粒32和多孔層33之間的光反射率的差異而形成對(duì)比度，如先前所述。因此，在絕緣液31中光學(xué)透明(透明和無(wú)色)的纖維狀結(jié)構(gòu)331并不是優(yōu)選的。但是，纖維狀結(jié)構(gòu)331可具有某一光反射率，在本情況中，纖維狀結(jié)構(gòu)331的光反射率幾乎不影響多孔層33整體上的光反射率，并且多孔層33整體上的光反射率大致由非遷移性顆粒332的光反射率確定。非遷移性顆粒332由纖維狀結(jié)構(gòu)331保持(固定)，使得非遷移性顆粒332并不電カ遷移。非遷移性顆粒332的形成材料例如類似于遷移顆粒32的形成材料，并且依據(jù)如下所述的非遷移性顆粒332的功能來(lái)選擇。非遷移性顆粒332可部分地從纖維狀結(jié)構(gòu)331暴露出或者埋入結(jié)構(gòu)331內(nèi)，只要它們被纖維狀結(jié)構(gòu)331保持。非遷移性顆粒332具有與遷移顆粒32的光反射特性不同的光反射特性。未具體 限定的、非遷移性顆粒332的光反射率優(yōu)選地設(shè)定為使得多孔層33整體上可屏蔽非遷移性顆粒332。這是因?yàn)橛捎谌缦惹八龅脑谶w移顆粒32和多孔層33之間的光反射率的差異而形成對(duì)比度。例如，非遷移性顆粒332的形成材料例如依據(jù)非遷移性顆粒332的用于形成對(duì)比度的功能來(lái)選擇。具體地，用于由非遷移性顆粒332實(shí)現(xiàn)亮顯示的材料類似于用于由遷移顆粒32實(shí)現(xiàn)亮顯示而選擇的材料。另ー方面，用于由非遷移性顆粒332實(shí)現(xiàn)暗顯示的材料類似于用于由遷移顆粒32實(shí)現(xiàn)暗顯示而選擇的材料。具體地，用于由非遷移性顆粒332實(shí)現(xiàn)亮顯示而選擇的材料優(yōu)選地是金屬氧化物。這是因?yàn)榻饘傺趸锾峁┝烁叩幕瘜W(xué)穩(wěn)定性、高的固定性和高的光反射率。非遷移性顆粒332的形成材料可以與遷移顆粒32的形成材料相同或不同，只要可形成對(duì)比度。非遷移性顆粒332實(shí) 現(xiàn)的亮顯示或暗顯示的視覺(jué)色彩類似于所述的遷移顆粒32的視覺(jué)色彩。具體地，分隔部35在與顯示表面反向的側(cè)上部分地鄰近多孔層33。分隔部35限定了用于容納遷移顆粒32的空間(下面所述的隔室36)。因此，多孔層33的存在區(qū)域被劃分為其中分隔部35鄰近多孔層33的區(qū)域(鄰近區(qū)域Rl)和其中分隔部35不鄰近多孔層33的區(qū)域(非鄰近區(qū)域R2)。多孔層33的在鄰近區(qū)域Rl中的微孔34每單元面積的面積比率(下文中稱為，微孔34的面積占用比)在在非鄰近區(qū)域R2中的面積比率小。這是因?yàn)槎嗫讓?3形成為使得例如微孔34的面積占用比大致均勻并且然后被局部按壓。多孔層33的厚度T在鄰近區(qū)域Rl中與在非鄰近區(qū)域R2中相比較小。微孔34的面積占用比基于多孔層33的面積和存在于多孔層33中的微孔34的面積表示如下面積占用比(％)=(微孔34的面積/多孔層33的面積)*100。該面積占用比允許例如通過(guò)用低溫切片機(jī)將多孔層33機(jī)加工成為斷面并且然后用金相顯微鏡、共焦顯微鏡或掃描電子顯微鏡觀察多孔層33的橫截面來(lái)檢測(cè)。雖然可目視檢查來(lái)從微孔34區(qū)分纖維狀結(jié)構(gòu)331 (包括非遷移性顆粒332)(以指定纖維狀結(jié)構(gòu)331與微孔34之間的邊界)，圖像處理軟件可用以依據(jù)對(duì)比度的差異來(lái)標(biāo)示圖像。該軟件可以類似地用于計(jì)算面積。雖然這里用面積占用比來(lái)指定微孔34在鄰近區(qū)域Rl和非鄰近區(qū)域R2之間的占用比的差，替代地可使用容積占用比。這是因?yàn)槲⒖?4的占用比的差也可用容積占用比來(lái)指定，如在面積占用比的情況中那樣。分隔部35在與顯示表面反向的側(cè)上鄰近多孔層33。這是因?yàn)檫@樣的構(gòu)造抑制了由于存在分隔部35引起的對(duì)比度的減小。詳細(xì)來(lái)講，在分隔部35由光透明性材料比如下面所述的樹(shù)脂形成的情況中，對(duì)比度趨于在每個(gè)隔室36中由于從相鄰隔室36中通過(guò)分隔部35的光(可見(jiàn)光)泄漏而減小。在本方面，當(dāng)從顯示表面?zhèn)扔^察時(shí)，幾乎不透射光的多孔層33(具有小的微孔34的面積占用比)存在于分隔部35的前側(cè)，從而抑制了由于從鄰近隔室36泄漏的光或其它光(例如，驅(qū)動(dòng)基板10產(chǎn)生的光)引起的對(duì)比度的減小。這抑制了由于存在分隔部35導(dǎo)致的對(duì)比度的減小。微孔34的面積占用比在鄰近區(qū)域Rl中與在非鄰近區(qū)域R2中相比較小。這是因?yàn)榕c其中微孔34的面積占用比在相鄰區(qū)域Rl中較大的情況相比，在本情況中，分隔部35被多孔層33顯著地屏蔽。另外，由于每個(gè)微孔34的大小和微孔34的數(shù)目隨著微孔34的面積占用比的減小而増大，遷移顆粒32幾乎不穿過(guò)鄰近區(qū)域Rl中的微孔34移動(dòng)到鄰近區(qū)域R1。多孔層33的厚度T在鄰近區(qū)域Rl中與在非鄰近區(qū)域R2中相比較小。這是因?yàn)槎嗫讓?3在鄰近區(qū)域Rl中被按壓，使得分隔部35被多孔層33充分屏蔽，并且遷移顆粒32幾乎不隨機(jī)移動(dòng)，如先前所述的。另外，與其中多孔層33的厚度T在鄰近區(qū)域Rl中與非鄰近區(qū)域R2中相比不小的情況相比，減小了電泳元件30的整體的厚度，即，多孔層33在鄰近區(qū)域Rl中未被按壓，從而減小了電泳元件30的厚度。多孔層33的示例性形成步驟如下。首先，纖維狀結(jié)構(gòu)331的形成材料(例如，聚合物材料)被分散或溶解在有機(jī)溶劑中以制備紡絲溶液。然后，非遷移性顆粒332被添加到紡絲溶液并通過(guò)攪拌被充分混合，從而分散非遷移性顆粒332。然后，紡絲溶液通過(guò)靜電紡絲處理被紡絲成為纖維。結(jié)果，非遷移性顆粒332被纖維狀結(jié)構(gòu)331保持，從而形成具有大致均一的微孔34的面積占用比的多孔層33。最終，多孔層33的部分被按壓使得在該被 按壓部分中的微孔34的面積占用比減小。作為按壓多孔層33的構(gòu)件，可使用最終與多孔層33鄰近的分隔部35，或可使用其它的構(gòu)件?？墒褂每砂磯憾嗫讓?3的任意構(gòu)件。相應(yīng)地，多孔層33具有微孔34的面積占用比被減小的區(qū)域和微孔34的面積占用比未減小的區(qū)域。分隔部35最終鄰近多孔層33，并且相應(yīng)地前者區(qū)域成為鄰近區(qū)域R1，而后者區(qū)域成為非鄰近區(qū)域R2。[使電泳元件顯示的優(yōu)選方法]在電泳元件30中，由于遷移顆粒32和多孔層33 (包括包含有非遷移性顆粒332的纖維狀結(jié)構(gòu)331)之間的光反射率的差異而形成對(duì)比度，這里，可由遷移顆粒32提供亮顯示，而由多孔層33提供暗顯示，反之亦然。這樣的功能差異依據(jù)遷移顆粒32的光反射率和多孔層33的光反射率之間的大小關(guān)系來(lái)確定。具體地，用于亮顯示的一個(gè)部件的光反射率被設(shè)定為高于用于暗顯示的另一部件的光反射率。具體地，暗顯示優(yōu)選地由遷移顆粒32提供，而由多孔層33提供亮顯示。因此，在其中多孔層33的光反射率大致由非遷移性顆粒332的光反射率確定的情況中，非遷移性顆粒332的光反射率優(yōu)選地高于遷移顆粒32的光反射率。這是因?yàn)樵谶@樣的情況中，用于亮顯示的光反射率由于的多孔層33導(dǎo)致的對(duì)于外部光的不規(guī)則反射而顯著増大，因此顯著増大了對(duì)比度。[分隔部]分隔部35是用于限定其中允許存在遷移顆粒32的區(qū)域的構(gòu)件。分隔部35朝向多孔層33延伸，并且在鄰近區(qū)域Rl中、在與顯示表面反向的側(cè)上部分地鄰近多孔層33。如圖I和圖3中所示，分隔部35限定了一個(gè)或多個(gè)空間(隔室36)以用于容納遷移顆粒32。雖然未具體限定隔室36的數(shù)目和布置圖案，該布置圖案優(yōu)選地例如是矩陣圖案(包括多個(gè)行和列的圖案)，以形成多個(gè)隔室36。雖然未具體限定每個(gè)隔室36的輪廓，該輪廓可以例如是如圖3中所示的矩形開(kāi)關(guān)，或者可以是另一種開(kāi)關(guān)，例如六邊形。分隔部35可設(shè)置在例如37的ー個(gè)表面上并且由支撐板37支撐。在這樣的情況中，分隔部35和支撐板37可設(shè)置在一個(gè)單元(分隔單元38)中。但是，分隔部35和支撐板37可以統(tǒng)ー或者分離。這里，例如提供分隔單元38以覆蓋像素電極15和在像素電極15周圍的平面化絕緣層14。
分隔部35的形成材料沒(méi)有具體限定，只要其不影響電泳元件30的操作特性，并且所述形成材料優(yōu)選地是具有良好的可成型性的樹(shù)脂。這是因?yàn)檫@樣的樹(shù)脂便于具有期望的大小和開(kāi)關(guān)的分隔部35的形成。所述樹(shù)脂包括例如熱塑性樹(shù)脂或者光固化樹(shù)脂(包括光刻抗蝕劑)，或者可包括其它的樹(shù)脂。以類似的方式選擇支撐板37的形成材料。在使用樹(shù)脂作為分隔部35的形成材料的情況中，分隔部35通過(guò)使用熱塑性樹(shù)脂的熱壓印處理或者使用光固化樹(shù)脂的光壓印處理而形成。具體地，在熱壓印處理中，型模例如被按壓到已加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度或更高溫度的樹(shù)脂(聚合物材料)中，然后樹(shù)脂被冷卻并且從樹(shù)脂釋放型摸。結(jié)果，型模的表面結(jié)構(gòu)被轉(zhuǎn)印到樹(shù)脂的表面，從而形成具有期望的表面結(jié)構(gòu)的分隔單元38。型?？梢岳缡峭ㄟ^(guò)光刻處理形成的光致抗蝕膜，或者通過(guò)咬入機(jī)加工等形成的金屬板。
分隔部35的寬度W可以在其延伸方向上是均一的或者不均一的。具體地，寬度W優(yōu)選地朝向多孔層33逐漸減小。這是因?yàn)楦羰?6的開(kāi)ロ區(qū)域在顯示表面?zhèn)壬媳患訉挘⑶疫w移顆粒32的不可移動(dòng)區(qū)域(鄰近區(qū)域Rl)相應(yīng)地變窄，這擴(kuò)展了圖像顯示區(qū)域。雖然分隔部35的側(cè)面的傾角(所謂的錐角)未具體限定，該角度例如是60°至90°并包括60°和90°兩者，并且優(yōu)選地是75°至85°并包括75°和85°兩者。分隔部35的節(jié)距或高度可以可選地設(shè)定而無(wú)具體限制。例如，分隔部35的節(jié)距是3011111至30011111并包括30iim和300 y m兩者，并且優(yōu)選地是10 y m至IOOiim并包括10 ii m和100 u m兩者。每個(gè)分隔部35的高度是60 y m至150 y m并包括60 y m和150 u m兩者，并且優(yōu)選地是30 u m至50 u m并包括30 u m和50 u m兩者。具體地，分隔部35的和多孔層33在鄰近區(qū)域Rl中的厚度T優(yōu)選地大致均一。這是國(guó)為這樣均一的高度和厚度使得在像素電極15和對(duì)電極22之間的距離(所謂的間隙)均勻，從而形成均勻的電場(chǎng)強(qiáng)度。這降低了響應(yīng)速度的不均勻性。[隔離件]隔離件40由例如諸如聚合物材料的絕緣材料形成。但是，隔離件40的構(gòu)造并不具體限定，并且隔離件可以由密封構(gòu)件構(gòu)成，在密封構(gòu)件中包含有混合的微細(xì)顆粒。具體地，隔離件40優(yōu)選地具有圖案比如網(wǎng)格圖案，使得不阻礙遷移顆粒32的移動(dòng)，并且遷移顆粒32被均一分布，但所述圖案未具體限定。具體地，隔離件40優(yōu)選地具有盡可能小的厚度，例如10 V- m至100 V- m并包括10 u m和100 u m,以降低功耗,但所述厚度并不具體限定。[顯示裝置的操作]該顯示裝置的操作如下。圖4是用于解釋顯示裝置的操作的圖，示出了與圖I對(duì)應(yīng)的截面構(gòu)造。這里，例如遷移顆粒32的光反射率比多孔層33 (包括纖維狀結(jié)構(gòu)331和非遷移性顆粒332)的光反射率低。由此，對(duì)其中由遷移顆粒32提高暗顯示而由多孔層33提供亮顯示的情況進(jìn)行描述。在起始狀態(tài)中，所有隔室36中的遷移顆粒32在絕緣液31中布置成接近像素電極15，如圖I所示。在本狀態(tài)中，當(dāng)從顯示表面所在側(cè)觀察顯示裝置時(shí)，在全部像素(亮顯示)中遷移顆粒32被多孔層33屏蔽，從而不形成對(duì)比度(無(wú)圖像顯示)。當(dāng)TFTs 12選擇了像素并且由此電場(chǎng)被施加在像素電極15與對(duì)電極22之間時(shí)，遷移顆粒32在隔室36中穿過(guò)多孔層33中的微孔34向?qū)﹄姌O22移動(dòng)，其中電場(chǎng)施加到隔室36，如圖4中所示。在本狀態(tài)中，當(dāng)從顯示表面所在側(cè)觀察顯示裝置時(shí)，共同存在有其中遷移顆粒32被多孔層33屏蔽的像素(亮顯示)和其中遷移顆粒32未被多孔層33屏蔽的像素(暗顯示)，從而由于顯示色彩的差異而形成對(duì)比度。這樣，對(duì)于每個(gè)隔室36開(kāi)關(guān)顏色色彩(亮顯示或暗顯示)，從而由于橫過(guò)全部像素的對(duì)比度而形成圖像顯示。[顯示裝置的制造方法接著，說(shuō)明顯示裝置的制造方法。圖5和圖6是用于解釋顯示裝置的制造方法的圖，每個(gè)圖示出了與圖I對(duì)應(yīng)的截面構(gòu)造。首先，如圖5中所示，TFTs 12、保護(hù)層13、平面化絕緣層14和像素電極15以此次序形成在支撐基部11的ー個(gè)表面上以產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)基板10，并且對(duì)電極22形成在支撐基部21的ー個(gè)表面上以產(chǎn)生對(duì)基板20。作為形成每個(gè)部件的方法，例如，如果需要，可選擇和使用已有的形成方法。接著，分隔單元38形成在驅(qū)動(dòng)基板10的像素電極15和在像素電極15周圍的平面化絕緣層14之上。為形成分隔單元38，例如，樹(shù)脂通過(guò)熱壓印處理被模制以一體地形成分隔部35和支撐板37。注意到，保護(hù)層可設(shè)置在平面化絕緣層14與像素電極15、以及平面化絕緣層14與分隔單元38之間。多孔層33被形成于對(duì)基板20的對(duì)電極22之上。為形成多孔層33，例如，纖維狀結(jié)構(gòu)331的形成材料分布在有機(jī)溶劑中以制備紡絲溶液，并且非遷移性顆粒332分布在紡絲溶液中以用于由靜電紡絲處理實(shí)現(xiàn)的后續(xù)紡絲過(guò)程。相應(yīng)地，非遷移性顆粒332被纖維狀結(jié)構(gòu)331保持，從而形成多孔層33。在結(jié)果生成的多孔層33中，微孔34的面積占用比在整個(gè)層33上大致均一。接著，如圖6中所示，驅(qū)動(dòng)基板10和對(duì)基板20以隔離件40處于兩者之間的方式被反向地布置，以在驅(qū)動(dòng)基板10和對(duì)基板20之間限定待被填充絕緣液31的空間(見(jiàn)圖I)。這里，多孔層33被分隔部35的端部局部地按壓，使得微孔34的面積占用比在這樣的被按壓的部分(鄰近區(qū)域Rl)中與在其它部分(非鄰近區(qū)域R2)中相比減小。相應(yīng)地，多孔層33的厚度T在鄰近區(qū)域Rl中與在非鄰近區(qū)域R2中相比減小。最后，由驅(qū)動(dòng)基板10、對(duì)基板20和隔尚件40包圍的空間被其中分布有遷移顆粒32的絕緣液31填充。這里，遷移顆粒32分布在由分隔部35限定的每個(gè)隔室36中。結(jié)果，顯示裝置被完成。雖然已經(jīng)參考圖6描述了其中用分隔部35按壓多孔層33的情況，但可用分隔部35之外的構(gòu)件以部分地按壓多孔層33，使得分隔部35然后被布置成鄰近多孔層33的這樣的被按壓部分。在這樣的情況中，多孔層33中的微孔34的面積占用比也在鄰近區(qū)域Rl中局部減小。但是，優(yōu)選地使用分隔部35來(lái)按壓多孔層33以確保分隔部35到多孔層33的一定附接并且簡(jiǎn)化電泳元件30的制造エ藝。[顯示裝置的操作和效果]根據(jù)本顯示裝置，多孔層33由纖維狀結(jié)構(gòu)331形成，所述纖維狀結(jié)構(gòu)331包含具有與遷移顆粒32的光反射特性不同的光反射特性的非遷移性顆粒332。在這樣的情況中，雖然多孔層33具有的微孔34具有足夠的大小和數(shù)量以允許遷移顆粒32的移動(dòng)，外部光即使在具有小的厚度的多孔層33上被顯著地不規(guī)則地反射。具體地，外部光另外不僅被纖維狀結(jié)構(gòu)331而且被非遷移性顆粒332顯著不規(guī)則地反射。這提高了多孔層33的光反射率，從而增大對(duì)比度。另外，這促進(jìn)了遷移顆粒32移動(dòng)穿過(guò)微孔34，減少了用于移動(dòng)的時(shí)間和能量。另外，在本顯示裝置中，分隔部35在與顯示表面反向的側(cè)上鄰近多孔層33，并且多孔層33中的微孔34的面積占用比在鄰近區(qū)域Rl中與在非鄰近區(qū)域R2相比較小。在這樣的情況中，分隔部35限定了其中允許存在遷移顆粒32的區(qū)域，由此遷移顆粒32在鄰近區(qū)域Rl中幾乎不移動(dòng)穿過(guò)多孔層33，從而抑制了遷移顆粒32的擴(kuò)散、對(duì)流和附聚。這抑制了圖像品質(zhì)的降低，比如顯示的不均勻性，從而形成穩(wěn)定的圖像顯示。而且，當(dāng)從顯示表面所在側(cè)觀察時(shí)，分隔部35被多孔層33屏蔽，這抑制了由于存在分隔部35導(dǎo)致的對(duì)比度的降低，從而提高了對(duì)比度。
結(jié)果，以低的功耗實(shí)現(xiàn)了高的對(duì)比度和快速響應(yīng)，由此以低的功耗可實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的圖像。具體地，如果多孔層33的厚度T在鄰近區(qū)域Rl中與在非鄰近區(qū)域R2中相比較小，則電泳元件30的總厚度減小，從而導(dǎo)致顯示裝置的厚度減小，即使設(shè)置有分隔部35也是如此。另外，如果每個(gè)分隔部35的寬度W朝向多孔層33逐漸減小，則隔室36的開(kāi)ロ面積被加寬，從而擴(kuò)展了圖像的顯示面積。另外，如果纖維狀結(jié)構(gòu)331通過(guò)靜電紡絲處理形成或者包括納米纖維，則增強(qiáng)了對(duì)于外部光的不規(guī)則反射的三維結(jié)構(gòu)易于由纖維狀結(jié)構(gòu)331形成，并且還増大了微孔34的大小和微孔34的數(shù)量，從而產(chǎn)生更高的效果。另外，如果非遷移性顆粒332的光反射率高于遷移顆粒32的光反射率使得由遷移顆粒32提高暗顯示而由多孔層33提高亮顯示，則多孔層33的光反射率由于對(duì)于外部光的不規(guī)則反射而顯著地増大，從而產(chǎn)生更高的效果。另外，分隔部35被用作對(duì)多孔層33進(jìn)行部分按壓的構(gòu)件，以在顯示裝置的制造エ藝中局部減少微孔34的面積占用比。使得可以確保分隔部35到多孔層33的一定的附接，并簡(jiǎn)化電泳元件30的制造エ藝。[示例]接著，將詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的示例。[實(shí)驗(yàn)]根據(jù)下面的步驟使用用于暗顯示的遷移顆粒和用于亮顯示的多孔層生產(chǎn)顯示裝置。[遷移顆粒的制備]10 克的碳黑(Mitsubishi Chemical Corporation 制造的#40)被添加到 Idm3(I)的水中，這樣的混合物通過(guò)電磁方式攪拌,然后Icm3的鹽酸(37wt%溶液)和0. 2g的4-乙烯基苯胺被添加到該混合物以制備溶液A。然后,0. 3gof亞硝酸鈉被溶解在IOcm3的水中，然后該溶液被加熱到40°C以制備溶液B。然后，溶液B被緩慢添加到溶液A，然后混合的溶液被攪拌10小吋。接著，通過(guò)溶液的反應(yīng)獲得的產(chǎn)品被離心處理以生成固體。然后，該固體在離心處理狀態(tài)下被用水清洗，接著用丙酮清洗，然后在真空烘干機(jī)中(以50°C的溫度)被烘干ー個(gè)晚上。然后，5g的所述固體、IOOcm3的甲苯、15cm3的異丁烯酸2_己基こ酯和0. 2g的AIBN被置于反應(yīng)燒瓶中進(jìn)行混合，其中氮吹洗裝置、電磁攪拌棒和回流柱被附接到反應(yīng)燒瓶。然后，反應(yīng)燒瓶用氮吹洗30分鐘，同時(shí)攪拌上述的混合物。接著，反應(yīng)燒瓶被置于油槽中，并被逐漸加熱到80°C同時(shí)持續(xù)攪拌所述混合物，然后保持該溫度10小吋。然后，通過(guò)離心處理獲得某一固體，并將四氫呋喃(THF)和醋酸こ酷添加到該固體，對(duì)這樣的混合物進(jìn)行三次離心處理。每三次離心處理后對(duì)生成物進(jìn)行清洗。然后，該固體被提取并在真空烘干器中(以50°C的溫度)被烘干ー個(gè)晚上。結(jié)果，生產(chǎn)出4. 7g作為暗遷移顆粒的被聚合物覆蓋的碳黑。 然后，含有N，N- ニ甲基丙烷-I，3 ニ胺，12羥基十八酸的總計(jì)0. 5 %的IsoparG (由Exxon Mobil Corp.制造)溶液和甲氧基磺酰氧基甲燒(由Lubrizol corp.生產(chǎn)的Solsperse 17000)，以及I. 5%的三油酸山梨坦(Span85)被制備作為絕緣液，然后0. Ig的遷移顆粒被添加到9. 9g的該絕緣液中，這樣的混合物在玻珠研磨機(jī)中被攪拌5分鐘。然后，該混合物在離心機(jī)中(以2000rpm的轉(zhuǎn)速)被離心處理5分鐘，然后移除玻珠。
[多孔層的制備]作為纖維狀結(jié)構(gòu)的形成材料的12g聚丙烯腈(Aldrich corporation生產(chǎn)的產(chǎn)品分子重量為150000)被溶解在88g of N,N/ - ニ甲基甲酰胺中以制備溶液C。然后，作為非遷移性顆粒的 30g 的氧化欽(Sakai Chemical Industry Co. , Ltd.生產(chǎn)的 TITONE R-45M)被添加到70g的溶液C中，然后該材料在玻珠研磨機(jī)中被混合以制備紡絲溶液。然后，該紡絲溶液被傾倒到灌注器內(nèi)，并且通過(guò)電動(dòng)紡絲機(jī)(MECC Co.，Ltd.制造的NAN0N)在具有像素電極(ITO)的玻璃基板上以預(yù)定圖案重復(fù)執(zhí)行紡絲八次。紡絲條件如下電場(chǎng)強(qiáng)度28kV，排出速度0. 5cm3/m,紡絲距離15cm,以及掃描速率20mm/s。然后,玻璃基板在真空干燥箱中(以75°C的溫度)被烘干12小吋，以形成包含非遷移性顆粒的纖維狀結(jié)構(gòu)。[分隔單元的制備]對(duì)作為分隔單元的基部的像素電極等的表面執(zhí)行硅烷聯(lián)結(jié)處理，以確保作為分隔単元的形成材料的紫外固化壓印樹(shù)脂(下文中稱為UV壓印樹(shù)脂)到基部的一定附接強(qiáng)度。這里,硅烷聯(lián)結(jié)劑(Shin-Etsu Chemical Co. , Ltd.生產(chǎn)的KBM-503)和醋酸こ酯以2 8的重量比混合，然后這樣的混合后的溶液被施加到基部的表面上并留存5分鐘。然后，混合后的溶液被從基部的表面移除，然后基部以120°C被加15分鐘。然后，對(duì)基部的表面略微冷卻，并用こ醇沖洗，然后用純凈水沖洗。然后，基部的表面被烘干以完成硅烷聯(lián)結(jié)處理。然后，0.Icm3(ml)的 UV 壓印樹(shù)脂(Toyo Gosei Co.，Ltd 生產(chǎn)的 PAK-Ol-CL)的溶液被滴下0. Icm3 (ml)到基部的受到硅烷聯(lián)結(jié)處理的表面上。然后，UV壓印樹(shù)脂已滴到其上的基板被紫外線照射以使UV壓印樹(shù)脂固化，同時(shí)將型模按壓到基部，然后移除型摸。相應(yīng)地，型模的表面結(jié)構(gòu)被轉(zhuǎn)印到固化的UV納米壓印樹(shù)脂。結(jié)果，形成具有如圖I和圖3所示的構(gòu)造的分隔單元，在所述分隔単元中，分隔部整合有支撐板。每個(gè)分隔部的尺寸如下最小寬度8 ii m,最大寬度25 ii m,高度50 ii m,錐角80°。[顯示裝置的裝配]從上面具有像素電極(ITO)的玻璃基板上移除多孔層的與玻璃基板的不具有像素電極的區(qū)域粘結(jié)的不需要的部分。然后，PET膜(厚度50i!m)作為隔離件被布置于在其整個(gè)表面上具有對(duì)電極(ITO)的玻璃基板上，然后具有像素電極和多孔層的玻璃基板被堆疊在PET膜上。最后，其中分布有遷移顆粒的絕緣液被注入到兩個(gè)玻璃基板之間的間隙中。
(比較示例)根據(jù)與所述示例中類似的步驟生產(chǎn)出顯示裝置，區(qū)別在于不包括分隔單元。對(duì)于根據(jù)所述示例和所述比較示例生產(chǎn)的每個(gè)顯示裝置，利用光譜密度計(jì)(X-Rite, Incorporated生產(chǎn)的ilBasic)測(cè)量顯示表面的亮度(L值)。結(jié)果,所述示例中的亮度為68，而比較示例中的亮度為70。該結(jié)果顯示在包括有分隔部的所述示例中，分隔部并不根本上影響多孔層的光反射率(亮顯示)，從而在所述示例中實(shí)現(xiàn)了如在未包括分隔部的比較示例中的大致相同的亮顯示特性。這樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)即使在包括分隔部的情況中，根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式也確保了多孔層的一定的光反射率，實(shí)現(xiàn)了高的對(duì)比度。雖然已經(jīng)通過(guò)上文中的實(shí)施 方式說(shuō)明了本技術(shù)，本技術(shù)并不局限于實(shí)施方式中所述的方面，并且可以進(jìn)行各種修改或替換。例如，根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的電泳元件可不僅應(yīng)用于顯示裝置，而且可應(yīng)用于其它的電子裝置。本公開(kāi)包含與2011年2月17日在日本專利局提交的日本優(yōu)選權(quán)專利申請(qǐng)JP2011-031861中公開(kāi)的主題內(nèi)容，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)參考包含于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，只要在所附權(quán)利要求書或者其等效文本的范圍內(nèi)，可依據(jù)設(shè)計(jì)需求和其它因素進(jìn)行各種修改、組合、子組合和替換。
權(quán)利要求
1.一種電泳元件,包括 電泳顆粒； 多孔層，其由包含非遷移性顆粒的纖維狀結(jié)構(gòu)形成，所述非遷移性顆粒具有不同于所述電泳顆粒的光反射特性并且具有多個(gè)微孔；和 分隔部，其部分地鄰近于所述多孔層并且限定用于容納所述電泳顆粒的空間， 其中所述多孔層的微孔每單元面積的面積比率在其中所述分隔部與所述多孔層鄰近的鄰近區(qū)域中與在其中所述分隔部不與所述多孔層鄰近的非鄰近區(qū)域中相比較小。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電泳元件，其中，所述多孔層的厚度在所述鄰近區(qū)域中與在所述非鄰近區(qū)域中相比較小。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電泳元件，其中，所述分隔部的寬度朝向所述多孔層逐漸減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電泳元件，其中，所述纖維狀結(jié)構(gòu)由聚合物材料或者無(wú)機(jī)材料形成，并且具有10 y m或更小的平均纖維直徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電泳元件，其中，所述纖維狀結(jié)構(gòu)由靜電紡絲加工形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電泳元件，其中，所述電泳顆粒和所述非遷移性顆粒由有機(jī)色素、無(wú)機(jī)色素、染料、碳材料、金屬材料、金屬氧化物、玻璃或聚合物材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電泳元件，其中，所述非遷移性顆粒具有比所述電泳顆粒高的光反射率。
8.一種顯示裝置，包括 電泳元件，其位于ー對(duì)基板之間，所述基板中的ー個(gè)或兩者對(duì)于光是透明的， 其中，所述電泳元件包括 電泳顆粒， 多孔層，其由包含非遷移性顆粒的纖維狀結(jié)構(gòu)形成，所述非遷移性顆粒具有不同于所述電泳顆粒的光反射特性并且具有多個(gè)微孔；和 分隔部，其在與顯示表面反向的側(cè)上部分地鄰近于所述多孔層并且限定用于容納所述電泳顆粒的空間， 其中所述多孔層的微孔每單元面積的面積比率在其中所述分隔部與所述多孔層鄰近的鄰近區(qū)域中與在其中所述分隔部不與所述多孔層鄰近的非鄰近區(qū)域中相比較小。
全文摘要
一種電泳元件，包括電泳顆粒；多孔層，其由包含非遷移性顆粒的纖維狀結(jié)構(gòu)形成，非遷移性顆粒具有不同于電泳顆粒的光反射特性并且具有多個(gè)微孔；和分隔部，其部分鄰近于多孔層并且限定用于容納電泳顆粒的空間。多孔層的微孔每單元面積的面積比率在其中分隔部與多孔層鄰近的鄰近區(qū)域中與在其中分隔部不與多孔層鄰近的非鄰近區(qū)域中相比較小。
文檔編號(hào)G02F1/167GK102645812SQ20121002991
公開(kāi)日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月17日
發(fā)明者加瀬川亮, 安井淳人, 小林健, 首藤綾, 高梨英彥 申請(qǐng)人:索尼公司