專利名稱：像素結構及顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種像素結構及具有此像素結構的顯示面板，且特別是有關于一種采用聚合物穩(wěn)定配向(Ploymer Stabilized Alignment, PSA)技術的像素結構及具有此像素結構的顯示面板。
背景技術：
在顯示器的發(fā)展上，隨著光電技術與半導體制造技術的進步，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場的主流。液晶顯示器包括了背光模塊以及液晶顯示面板，而傳統(tǒng)液晶顯示面板是由兩基板以及填于兩基板之間的一液晶層所構成。一般而言，在液晶顯示面板的制造過程中，都會在兩基板上形成配向膜，以使液晶分子具有特定的排列?，F(xiàn)有形成配向膜的方法是先涂布配向材料之后，再對配向材料進行配向工藝。而配向工藝可以分成接觸式配向工藝以及非接觸式配向工藝。雖然非接觸式配向工藝可解決接觸式磨擦配向產(chǎn)生的靜電問題及粒子 (particle)污染等問題，但是其往往會發(fā)生配向表面的錨定能不足的問題。而如果配向表面的錨定能不足，將往往導致液晶顯示面板的顯示品質(zhì)不佳。為解決上述問題，目前已提出一種聚合物穩(wěn)定配向(Ploymer Stabilized Alignment,PSA)的技術。此技術乃是在液晶材料中摻入適當濃度的單體化合物(monomer) 并且震蕩均勻。接著，將混合后的液晶材料置于加熱器上加溫到達等向性(Isotropy)狀態(tài)。然后，當液晶混合物降溫25°C室溫時，液晶混合物會回到向列型(nematic)狀態(tài)。此時將液晶混合物注入至液晶盒并施予電壓。當施加電壓使液晶分子排列穩(wěn)定時，則使用紫外光或加熱的方式讓單體化合物進行聚合反應以成聚合物層，由此達到穩(wěn)定配向的目的。一般來說，在PSA的液晶顯示面板中，會在像素結構的像素電極中形成配向狹縫， 以使液晶分子產(chǎn)生特定的配向方向。而像素電極中的配向狹縫越多雖可以越加精確控制液晶分子的配向，但配向狹縫所占面積越多也同時會增加顯示不均勻(mura)現(xiàn)象，這是主要因為配向狹縫的微影刻蝕程序造成狹縫寬度不一致所導致。更詳細來說，在配向狹縫的微影刻蝕程序中，在曝光裝置的光學鏡組之間的交界處往往會因為該處的曝光條件與非交界處的曝光條件不完全一致，因此導致該處的狹縫寬度與其他狹縫寬度不一致。因而造成顯示面板在這兩處的亮度不同，而導致顯示不均勻(mura)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結構以及具有此像素結構的顯示面板，其可以減少傳統(tǒng)使用 PSA技術的像素結構及顯示面板中因所形成的配向狹縫寬度不一致而導致顯示不均勻的問題。
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本發(fā)明提出一種像素結構，其包括掃描線以及數(shù)據(jù)線、有源元件(active device)、電容電極線、上電極圖案以及像素電極。掃描線及數(shù)據(jù)線位于基板上。有源元件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電連接。電容電極線位于基板上。上電極圖案位于電容電極線的上方， 其中上電極圖案中具有第一開口，其暴露出電容電極線。像素電極與有源元件電連接并覆蓋住電容電極線以及上電極圖案，其中像素電極包括中間部以及與所述中間部連接的多個分支部，且中間部中具有第二開口，其暴露出第一開口 ；其中，像素電極的中間部包括一水平延伸部，其對應設置在電容電極線的上方； 一垂直延伸部，其與水平延伸部垂直設置；一塊狀部，其位于水平延伸部與垂直延伸部的交叉處；所述塊狀部與所述水平延伸部及所述垂直延伸部之間具有一間隙；在所述塊狀部與所述水平延伸部之間所述間隙中以及所述塊狀部與所述垂直延伸部之間的所述間隙中更包括多個次分支部；或者，其中，所述像素電極的相鄰兩分支部之間具有一狹縫，且所述狹縫的長度不完全相同，包括自中間部延伸至像素結構邊緣的狹縫，及未延伸至像素結構邊緣的狹縫；所述未延伸至像素結構邊緣的狹縫兩側的分支部有局部相連在一起。本發(fā)明提出一種顯示面板，其包括第一基板、第二基板以及位于第一基板與第二基板之間的顯示介質(zhì)。第一基板上具有多個像素結構，且每一像素結構如上所述。第二基板位于第一基板的對向，其中第二基板上包括設置有電極層?；谏鲜觯捎诒景l(fā)明的像素結構中發(fā)上電極圖案中具有第一開口，且像素電極的中間部具有第二開口。當于進行PSA技術的熟化程序時(curing process)，于電容電極線所施加的高電壓可經(jīng)第一開口與第二開口而對第二開口上方的液晶分子產(chǎn)生配向作用， 進而使該處的液晶分子達到預定的預傾角。如此一來，便可以增加電極的面積并減少像素電極中的配向狹縫所占的面積，進而減少因配向狹縫的微影刻蝕程序造成其寬度不一致所導致的顯示不均勻(mura)問題。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的剖面示意圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素結構的上視示意圖；圖2B是圖2A的像素結構中的像素電極的示意圖；圖3是沿著圖2A的剖面線1-1’的剖面示意圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素結構的上視示意圖；圖4B是圖4A的像素結構中的像素電極的示意圖；圖5A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素結構的上視示意圖；圖5B是圖5A的像素結構中的像素電極的示意圖；圖6A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素結構的上視示意圖；圖6B是圖6A的像素結構中的像素電極的示意圖。附圖標號100 第一基板102 像素陣列層110:第二基板
112:電極層150 顯示介質(zhì)SL 掃描線DL 數(shù)據(jù)線T 有源元件G 柵極S 源極D 漏極CH 通道層P:像素電極C1、C2:接觸窗202:電容電極線204:上電極圖案2(Ma，204b 第一部分、第二部分205 遮蔽線206:第一開口208:中間部208a 水平延伸部208b 垂直延伸部208c 塊狀部210 分支部210，次分支部210a、210b、210c、210d 配向狹縫211、214:絕緣層212:第二開口S 空隙
具體實施例方式為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請先參照圖1，本實施例的顯示面板包括第一基板100、第二基板110以及位于第一基板100與第二基板110之間的顯示介質(zhì)150。第一基板100的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物或是金屬等等。第一基板100上包括設置有像素陣列層102，所述像素陣列層102是由多個像素結構所構成。而有關像素陣列層102中的像素結構將于后續(xù)段落作詳細說明。第二基板110的材質(zhì)可為玻璃、石英或有機聚合物等等。第二基板110上包括設置有一電極層112。在本實施例中，電極層112為透明導電層，其材質(zhì)包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物或者是銦鋅氧化物。電極層112是全面地覆蓋于第二基板110上。另外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，電極層112上并未設置有配向圖案(例如配向凸起或配向狹縫)。此外， 根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，第二基板110上可更包括設置有彩色濾光陣列(未繪示)，其包括紅、綠、藍色濾光圖案。另外，第二基板110上更可包括設置遮光圖案層(未繪示)，其又可稱為黑矩陣，其設置于彩色濾光陣列的圖案之間。顯示介質(zhì)150包括液晶分子。由于本實施例的顯示面板為使用PSA技術的顯示面板，因此在顯示介質(zhì)150中除了液晶分子之外，還包括單體化合物。換言之，在此顯示面板尚未進行單體化合物的熟化程序時，顯示介質(zhì)150中包含有液晶分子以及單體化合物。當此顯示面板于進行單體化合物的熟化程序時，單體化合物會進行聚合反應而于像素陣列層 102以及電極層112的表面形成聚合物薄膜。因此當此顯示面板于進行單體化合物的熟化程序之后，此時顯示介質(zhì)150主要為液晶分子。接下來，將針對第一基板100上的像素陣列層102作詳細說明。承上所述，像素陣列層102是由多個像素結構所構成，在本實施例中，每一像素結構的設計如圖2A所示，圖2B 為圖2A中的像素電極的示意圖，圖3圖為2A中沿著剖面線1-1’的剖面示意圖。請參照圖 2A、圖2B及圖3，在本實施例中，像素結構包括掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL、有源元件T、電容電極線202、上電極圖案204以及像素電極P。掃描線SL及數(shù)據(jù)線DL位于第一基板上100。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向不相同。此外，掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL是位于不同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL主要用來傳遞驅(qū)動此像素結構的驅(qū)動信號。有源元件T是與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL電連接。在此，有源元件T例如是一薄膜晶體管，其包括柵極G、通道層CH、源極S以及漏極D。柵極G與掃描線SL電連接，源極S 與數(shù)據(jù)線DL電連接，換言之，當有控制信號輸入掃描線SL時，掃描線SL與柵極G之間會電性導通；當有控制信號輸入數(shù)據(jù)線DL時，數(shù)據(jù)線DL會與源極S電性導通。通道層CH位于柵極的上方并且位于源極S與漏極D的下方。本實施例的有源元件T是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，但本發(fā)明不限于此。在其他的實施例中，有源元件T也可以是頂部柵極型薄膜晶體管。電容電極線202是位于第一基板100上。電容電極線202的延伸方向與掃描線SL 平行。在本實施例中，電容電極線202可以與掃描線SL同時形成，因此電容電極線202與掃描線SL屬于同一膜層。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，各像素結構中的電容電極線202是電連接至一共同電壓。上電極圖案204位于電容電極線202的上方，其中上電極圖案204中具有一第一開口 206，其暴露出位于上電極圖案204底下的電容電極線202。更詳細而言，上電極圖案 204與電容電極線202之間兩者重疊設置，且兩者之間夾有一絕緣層211用以使上電極圖案 204與電容電極線202兩者電性隔離，如圖3所示。而上電極圖案204中的第一開口 206則是暴露出位于電容電極線202上方的絕緣層211。在本實施例中，上電極圖案204是于形成數(shù)據(jù)線DL時同時形成，因此上電極圖案204與數(shù)據(jù)線DL是屬于同一膜層。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上電極圖案204包括一第一部分20 以及一第二部分 204b，且第一開口 206位于第二部分204b。另外，本實施例的第一部分20 以及第二部分204b彼此分離開來。在圖2A中所繪示的第一部分20 是位于第二部分204b的兩側。 然而，本發(fā)明不限于此，在其他的實施例中，也可以僅設計一個第一部分，或者是第一部分204a與第二部分204b是連接在一起。根據(jù)本發(fā)明的實施例，在此像素結構中，更包括一遮蔽線205。遮蔽線205與數(shù)據(jù)線DL平行設置，且位于像素結構的中間位置。在本實施例中，遮蔽線205是與數(shù)據(jù)線DL以及上電極圖案204同時形成，因此遮蔽線205可以直接與上電極圖案204的第二部分204b 連接在一起。然，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施例，遮蔽線205可以與掃描線SL同時形成。 由于遮蔽線205本身處于為浮置狀態(tài)，因此即使掃描線SL與遮蔽線205相接，也不會對掃描線SL的信號傳遞造成影響。此外，在另一實施例中，遮蔽線205也可以不與上電極圖案 204相連。值得一提的是，遮蔽線205主要的作用為使位于遮蔽線205上方的液晶分子的傾倒而產(chǎn)生的顯示現(xiàn)象不會被人眼看到。因此，設計遮蔽線205可以使液晶顯示面板具有較佳的顯示品質(zhì)，但本發(fā)明不限制一定要使用遮蔽線。換言之，在其他的實施例中，亦可以省略遮蔽線205的制作。像素電極P與有源元件T電連接。在本實施例中，像素電極P是與有源元件T的漏極D電連接。更詳細而言，在像素電極P與有源元件T的漏極D兩者重疊之處更包括設置有一接觸窗Cl，以使像素電極P與漏極D電連接。另外，像素電極P覆蓋住電容電極線 202以及上電極圖案204，像素電極P與上電極圖案204之間夾有一絕緣層214(如圖3所示)。另外，在像素電極P與上電極圖案204的第一部分20 之間形成有接觸窗C2，以使像素電極P與上電極圖案204的第一部分20 電連接。換言之，通過接觸窗C2可使像素電極P與上電極圖案204的第一部分20 共電位。另外，通過上電極圖案204的第一部分 2(Ma與電容電極線202之間的電性耦合關系便可以將像素電極P的電荷儲存于此處，如此便可構成像素結構的儲存電容器。此外，像素電極P包括一中間部208以及與中間部208連接的多個分支部210。特別是，像素電極P的中間部208中具有一第二開口 212，其暴露出第一開口 206。更詳細而言，如圖3所示，絕緣層214填入位于上電極圖案204中的第一開口 206內(nèi)，且第二開口 212 暴露出位于第一開口 206上方的絕緣層214。根據(jù)本發(fā)明的實施例，位于像素電極P的中間部208中的第二開口 212的寬度大于位于上電極圖案204的第二部分204b中的第一開口 206的寬度。此外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例，位于像素結構P的中間部208a中的第一開口 212的寬度大于圖1所示的位于第一基板100與第二基板110之間的顯示介質(zhì)150的厚度的兩倍。再者，像素電極P的分支部210是由中間部208往四個方向延伸，也就是分支部 210是由中間部208往四周延伸至像素結構的邊緣。在分支部210之間的空隙又稱為配向狹縫210a。另外，根據(jù)本實施例，像素電極P的中間部208包括水平延伸部208a、垂直延伸部 208b以及塊狀部208c。水平延伸部208a對應設置在電容電極線202的上方。垂直延伸部 208b與水平延伸部208a交彼此垂直設置，且對應設置于遮蔽線205的上方。塊狀部208c 位于水平延伸部208a與垂直延伸部208b的交叉處，因此水平延伸部208a與垂直延伸部 208b是由塊狀部208c往四個方向延伸。在本實施例中，塊狀部208c與水平延伸部208a及垂直延伸部208b是直接連接在一起。另外，塊狀部208c主要是位于像素結構的中心位置。承上所述，本實施例的像素電極P的中間部208中并未形成有狹縫，因此相較于傳6/7頁
統(tǒng)應用PSA技術的像素結構的像素電極中全面形成配向狹縫的設計，本實施例的像素電極 P的配向狹縫210a所占的面積較小。由于本實施例的像素電極P的配向狹縫210a所占的面積較小，因此可以減少配向狹縫的微影刻蝕程序造成其寬度不一致所導致的顯示不均勻 (mura)問題。另外，本實施例在像素電極P中形成第二開口 212，并且上電極圖案204中形成第一開口 206，如此可以使得位于第一開口 206與第二開口 212下方的電容電極線202暴露出來。因此，當本實施例的顯示面板于進行PSA的熟化程序而于電容電極線202施壓高電壓時，電容電極線202上的高電壓可以直接穿過第一開口 206與第二開口 212而直接對第二開口 212上方的液晶分子產(chǎn)生作用。換言之，由于液晶分子具有朝向高電壓傾倒的特定，因此位于像素電極P的中間部208上方的液晶分子將因為經(jīng)由第一開口 206與第二開口 212 的電壓影響而產(chǎn)生預期的配向效果。因此，即使在像素電極P的中間部208沒有設置配向狹縫，但利用第一開口 206與第二開口 212仍可以使中間部208上方的液晶分子達到預期的配向效果。換言之，本發(fā)明將像素電極P的中間部208設計為完整的電極圖案，以減少配向狹縫在像素電極中所占的面積，并且又在像素電極P的中間部208設計第二開口 212且在第二開口 122下方形成第一開口，以使電容電極線202的電壓能對像素電極P的中間部208 上方的液晶分子產(chǎn)生配向效果。因此，本發(fā)明可以使像素結構具有與傳統(tǒng)PSA像素結構相同的配向效果，并且同時可達到降低像素電極P的配向狹縫210a所占的面積的目的，以減少配向狹縫的微影刻蝕程序造成其寬度不一致所導致的顯示不均勻(mura)問題。上述圖2A與圖2B的實施例中，像素電極P的中間部208的塊狀部208c是呈現(xiàn)菱形形狀，但本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施例，塊狀部208c也可以是其他種形狀設計。圖4A為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的像素結構的上視示意圖，圖4B為圖4A中的像素電極的示意圖。圖4A及圖4B所示的實施例與上述圖2A與圖2B所示的實施例相似，因此相同的元件以相同的標號表示，且不再重復贅述。圖4A及圖4B所示的實施例與上述圖2A 與圖2B所示的實施例不同之處在于像素電極P的中間部208的塊狀部208c是呈現(xiàn)矩形形狀或者是方形形狀。將塊狀部208c設計成矩形形狀或是方形形狀可以進一步減少像素電極P中配向狹縫210a所占的面積。根據(jù)其他的實施例，塊狀部208c除了可以是上述的菱形、矩形或方形之外，其還可以是其他形狀，例如是圓形、三角形或是其他多邊形。圖5A為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的像素結構的上視示意圖，圖5B為圖5A中的像素電極的示意圖。圖5A及圖5B所示的實施例與上述圖2A與圖2B所示的實施例相似，因此相同的元件以相同的標號表示，且不再重復贅述。圖5A及圖5B所示的實施例與上述圖2A 與圖2B所示的實施例不同之處在于在像素電極P的中間部208中，其塊狀部208c與水平延伸部208a及垂直延伸部208b之間具有一間隙S。換言之，塊狀部208c與水平延伸部208a 及垂直延伸部208b之間并非完整的連接在一起。更詳細而言，塊狀部208c大致分成四個區(qū)塊，其各自位于水平延伸部208a及垂直延伸部208b的側邊處。另外，塊狀部208c與垂直延伸部208b之間的間隙S中更包括多個次分支部210’，且次分支部210’之間具有狹縫210b。類似地，在塊狀部208c與水平延伸部208a之間的間隙S中更包括多個次分支部210’，且次分支部210’之間具有狹縫210b。
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圖6A為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的像素結構的上視示意圖，圖6B為圖6A中的像素電極的示意圖。圖6A及圖6B所示的實施例與上述圖2A與圖2B所示的實施例相似，因此相同的元件以相同的標號表示，且不再重復贅述。圖6A及圖6B所示的實施例與上述圖2A 與圖2B所示的實施例不同之處在于像素電極P的相鄰兩分支部210之間的配向狹縫210a 的長度可以不完全相同。舉例來說，圖中所示的配向狹縫210c較長，而配向狹縫210d較短。 另外，配向狹縫210c與配向狹縫210d不同于配向狹縫210a的設計。配向狹縫210a是自中間部208往像素結構的邊緣延伸，但配向狹縫210c與配向狹縫210d并未延伸至像素結構的邊緣。因此，在配向狹縫210c與配向狹縫210d兩側的分支部210有局部是相連在一起。值得一提的是，配向狹縫210c與配向狹縫210d可以任意的設計于分支部210 之間，例如可相隔兩個或三個或以上的分支部210才設計一個配向狹縫210c或配向狹縫 210d。綜上所述，由于本發(fā)明的像素結構中的上電極圖案中具有第一開口，且像素電極的中間部具有第二開口。當于進行PSA技術的熟化程序時，于電容電極線所施加的高電壓可經(jīng)第一開口與第二開口而對第二開口上方的液晶分子產(chǎn)生配向作用，進而使該處的液晶分子達到預定的預傾角。如此一來，便可以減少像素電極中的配向狹縫所占的面積，進而減少配向狹縫的微影刻蝕程序造成其寬度不一致所導致的顯示不均勻(mura)問題。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當以權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種像素結構，其特征在于，所述的像素結構包括 一掃描線以及一數(shù)據(jù)線，位于一基板上；一有源元件，其與所述掃描線以及所述數(shù)據(jù)線電連接； 一電容電極線，位于所述基板上；一上電極圖案，位于所述電容電極線的上方，其中所述上電極圖案中具有一第一開口， 其暴露出所述電容電極線；以及一像素電極，其與所述有源元件電連接并覆蓋住所述電容電極線以及所述上電極圖案，其中所述像素電極包括一中間部以及與所述中間部連接的多個分支部，且所述中間部中具有一第二開口，其暴露出所述第一開口 ；其中，所述像素電極的所述中間部包括一水平延伸部，其對應設置在所述電容電極線的上方；一垂直延伸部，其與所述水平延伸部垂直設置；一塊狀部，其位于所述水平延伸部與所述垂直延伸部的交叉處；所述塊狀部與所述水平延伸部及所述垂直延伸部之間具有一間隙；在所述塊狀部與所述水平延伸部之間所述間隙中以及所述塊狀部與所述垂直延伸部之間的所述間隙中更包括多個次分支部。
2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述的像素結構更包括一第一絕緣層，位于所述電容電極線與所述上電極圖案之間，其中所述第一開口暴露出位于所述電容電極線上方的所述第一絕緣層；以及一第二絕緣層，位于所述像素電極與所述上電極圖案之間，其中所述第二絕緣層填入所述第一開口內(nèi)，且所述第二開口暴露出位于所述第一開口上方的所述第二絕緣層。
3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第二開口的寬度大于所述第一開口的寬度。
4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素電極的所述多個分支部自所述中間部往四個方向延伸。
5.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述的像素結構更包括一遮蔽線，位于所述垂直延伸部的下方。
6.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述遮蔽線與所述掃描線屬于同一膜層，或是與所述數(shù)據(jù)線屬于同一膜層。
7.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述上電極圖案包括一第一部分以及一第二部分，其中所述第一部分與所述像素電極電連接，且所述第一開口位于所述第二部分中。
8.如權利要求7所述的像素結構，其特征在于，所述第一部分以及所述第二部分彼此分離開來。
9.一種像素結構，其特征在于，所述的像素結構包括 一掃描線以及一數(shù)據(jù)線，位于一基板上；一有源元件，其與所述掃描線以及所述數(shù)據(jù)線電連接； 一電容電極線，位于所述基板上；一上電極圖案，位于所述電容電極線的上方，其中所述上電極圖案中具有一第一開口， 其暴露出所述電容電極線；以及一像素電極，其與所述有源元件電連接并覆蓋住所述電容電極線以及所述上電極圖案，其中所述像素電極包括一中間部以及與所述中間部連接的多個分支部，且所述中間部中具有一第二開口，其暴露出所述第一開口 ；其中，所述像素電極的相鄰兩分支部之間具有一狹縫，且所述狹縫的長度不完全相同， 包括自中間部延伸至像素結構邊緣的狹縫，及未延伸至像素結構邊緣的狹縫；所述未延伸至像素結構邊緣的狹縫兩側的分支部有局部相連在一起。
10.如權利要求9所述的像素結構，其特征在于，所述的像素結構更包括一第一絕緣層，位于所述電容電極線與所述上電極圖案之間，其中所述第一開口暴露出位于所述電容電極線上方的所述第一絕緣層；以及一第二絕緣層，位于所述像素電極與所述上電極圖案之間，其中所述第二絕緣層填入所述第一開口內(nèi)，且所述第二開口暴露出位于所述第一開口上方的所述第二絕緣層。
11.如權利要求9所述的像素結構，其特征在于，所述第二開口的寬度大于所述第一開口的寬度。
12.如權利要求9所述的像素結構，其特征在于，所述像素電極的所述多個分支部自所述中間部往四個方向延伸。
13.如權利要求9所述的像素結構，其特征在于，所述的像素結構更包括一遮蔽線，位于所述垂直延伸部的下方。
14.如權利要求13所述的像素結構，其特征在于，所述遮蔽線與所述掃描線屬于同一膜層，或是與所述數(shù)據(jù)線屬于同一膜層。
15.如權利要求9所述的像素結構，其特征在于，所述上電極圖案包括一第一部分以及一第二部分，其中所述第一部分與所述像素電極電連接，且所述第一開口位于所述第二部分中。
16.如權利要求15所述的像素結構，其特征在于，所述第一部分以及所述第二部分彼此分離開來。
17.—種顯示面板，其特征在于，所述的顯示面板包括一第一基板，所述第一基板上具有多個像素結構，且每一像素結構如權利要求1或9所述；一第二基板，位于所述第一基板的對向，其中所述第二基板上包括設置有一電極層；以及一顯示介質(zhì)，位于所述第一基板與所述第二基板之間。
18.如權利要求17所述的顯示面板，其特征在于，所述像素結構中的所述第一開口的寬度大于所述第一基板與所述第二基板之間的所述顯示介質(zhì)的厚度的兩倍。
19.如權利要求17所述的顯示面板，其特征在于，所述第二基板上的所述電極層未設置有配向圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素結構及顯示面板，該像素結構包括掃描線以及數(shù)據(jù)線、有源元件、電容電極線、上電極圖案以及像素電極。掃描線及數(shù)據(jù)線位于基板上。有源元件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電連接。電容電極線位于基板上。上電極圖案位于電容電極線的上方，其中上電極圖案中具有第一開口，其暴露出電容電極線。像素電極與有源元件電連接并覆蓋住電容電極線以及上電極圖案，其中像素電極包括中間部以及與所述中間部連接的多個分支部，且中間部中具有第二開口，其暴露出第一開口。本發(fā)明可以增加電極的面積并減少像素電極中的配向狹縫所占的面積，進而減少因配向狹縫的微影刻蝕程序造成其寬度不一致所導致的顯示不均勻問題。
文檔編號G02F1/1343GK102566161SQ20121000851
公開日2012年7月11日 申請日期2010年1月5日 優(yōu)先權日2010年1月5日
發(fā)明者卓庭毅, 曹正翰, 邱鐘毅 申請人:友達光電股份有限公司