專利名稱：平板式光刻板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種LED制程中的設備。
背景技術：
光刻掩模板一般用石英玻璃作為基體，采用石 英是由于其優(yōu)良的近紫外透過率。掩模板擋光部分用鉻(Cr)，所以有時也叫鉻板?，F(xiàn)有技術是在石英上鍍鉻，再將鉻刻制成相應的版圖得到的。這種光刻板在使用過程中，尤其是接觸式的使用過程中容易受到損壞，從而造成掩模圖形的失真。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的是實現(xiàn)通過將鉻填入到石英材料內來制作掩模圖形，減少光刻板在重復使用過程中的圖形失真。為了達到上述技術目的，本發(fā)明提供了一種平板式光刻板，它包括石英基板，所述的石英基板的上表面的預定位置蝕刻有凹槽，所述的凹槽內填充有鉻，所述的鉻與石英基板的上表面相平齊。優(yōu)選地，所述的凹槽底部制作有掩模圖形。優(yōu)選地，填充在所述的凹槽內的鉻的上表面或者下表面制作有掩模圖形。由于采用上述技術方案，可以在石英的一個表面制作出所需的圖形，然后再其上鍍鉻，再將表面多余的鉻通過CMP的方式去除，減少了光刻板在重復使用過程中的圖形失真。

附圖I為根據(jù)本發(fā)明的平板式光刻板的結構示意圖；附圖2為根據(jù)本發(fā)明的平板式光刻板的生產加工流程示意圖；附圖3為根據(jù)本發(fā)明的平板式光刻板的工作原理示意圖；附圖4為根據(jù)本發(fā)明的平板式光刻板的工作原理示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。附圖I為根據(jù)本發(fā)明的平板式光刻板的結構示意圖；附圖2為根據(jù)本發(fā)明的平板式光刻板的生產加工流程示意圖；附圖3為根據(jù)本發(fā)明的平板式光刻板的工作原理示意圖；附圖4為根據(jù)本發(fā)明的平板式光刻板的工作原理示意圖。如附圖I所示，本實施例中的平板式光刻板，它包括石英基板I，石英基板I的上表面的預定位置蝕刻有凹槽2，凹槽2內填充有鉻3，鉻3與石英基板I的上表面相平齊，凹槽2底部制作有掩模圖形。[0015]如附圖2所示，首先在石英基板I的上表面的預定位置通過化學蝕刻的方式開出凹槽2，并在凹槽2底部制作掩模圖形；之后在所述的凹槽2以及石英基板I的上表面鍍一層鉻3 ;最后再將表面多余的鉻通過CMP的方式去除。作為一種其它的選擇方式，也可以是填充在凹槽2內的鉻3的上表面或者下表面制作有掩模圖形。如附圖3與附圖4所示，當曝光機進行曝光時，印有掩模圖形的位置部分由于鉻3阻止光線的通過，其余部分則順利通過石英基板I達到光刻膠從而對光刻膠進行蝕刻。由于石英基板I與鉻3位于同一平面內，并且凹槽2底部制作有掩模圖形，在接觸的過程中避 免了受到損壞，保證了掩模圖形的長期有效。以上實施方式只為說明本發(fā)明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人了解本發(fā)明的內容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實質所做的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內。
權利要求1.ー種平板式光刻板,它包括石英基板(I),其特征在于所述的石英基板(I)的上表面的預定位置蝕刻有凹槽(2)，所述的凹槽(2)內填充有鉻(3)，所述的鉻(3)與所述的石英基板(I)的上表面相平齊。
2.根據(jù)權利要求I所述的平板式光刻板，其特征在于所述的凹槽(2)底部制作有掩模圖形。
3.根據(jù)權利要求I所述的平板式光刻板，其特征在于填充在所述的凹槽(2)內的鉻(3)的上表面或者下表面制作有掩模圖形。
專利摘要本實用新型涉及一種平板式光刻板，它包括石英基板，所述的石英基板的上表面的預定位置蝕刻有凹槽，所述的凹槽內填充有鉻，所述的鉻與所述的石英基板的上表面相平齊。由于采用上述技術方案，可以在石英的一個表面制作出所需的圖形，然后再其上鍍鉻，再將表面多余的鉻通過CMP的方式去除，減少了光刻板在重復使用過程中的圖形失真。
文檔編號G03F1/54GK202472237SQ20112057197
公開日2012年10月3日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權日2011年12月31日
發(fā)明者魏臻 申請人:聚燦光電科技(蘇州)有限公司