專利名稱：一種tft-lcd陣列基板及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其是一種TFT-IXD陣列基板及液晶顯示器。
背景技術(shù)：
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。 TFT-IXD陣列基板是液晶顯示器的重要部件之一，其剖面結(jié)構(gòu)如


圖1所示，主要包括基板1， 柵極2，柵絕緣層3，有源層4，源漏金屬層7，鈍化層8，ITO andium Tin Oxides，氧化銦錫) 層9 ；其中，所述源漏金屬層7包括源極71，漏極72。
/ \Wds [coos] TFT 的關(guān)態(tài)電流為
權(quán)利要求1.一種TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數(shù)據(jù)線，在柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層；其中，所述有源層在所述源漏金屬層的斷開位置為溝道區(qū)，其特征在于，所述源漏金屬層和所述有源層之間形成有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層直接接觸所述有源層，且覆蓋部分溝道區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，所述源漏金屬層包括源極和漏極；所述源漏金屬層和所述有源層之間形成有導(dǎo)電層包括 所述源極和所述有源層之間形成有所述導(dǎo)電層，或者， 所述漏極和所述有源層之間形成有所述導(dǎo)電層，或者，所述源極和所述有源層之間形成有第一導(dǎo)電層，所述漏極和所述有源層之間形成有第二導(dǎo)電層，其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層不相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層覆蓋部分溝道區(qū)為所述導(dǎo)電層的寬度為溝道區(qū)的寬度的一半。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括歐姆接觸層；所述歐姆接觸層位于所述源漏金屬層和所述導(dǎo)電層之間。
5.一種液晶顯示器，包括對(duì)盒后的彩膜基板和陣列基板；其中，所述陣列基板包括柵線和數(shù)據(jù)線，在柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括 柵極、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層；其中，所述有源層在所述源漏金屬層的斷開位置為溝道區(qū)，其特征在于，所述源漏金屬層和所述有源層之間形成有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層直接接觸所述有源層，且覆蓋部分溝道區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其特征在于，所述源漏金屬層包括源極和漏極；所述源漏金屬層和所述有源層之間形成有導(dǎo)電層包括 所述源極和所述有源層之間形成有所述導(dǎo)電層，或者， 所述漏極和所述有源層之間形成有所述導(dǎo)電層，或者，所述源極和所述有源層之間形成有第一導(dǎo)電層，所述漏極和所述有源層之間形成有第二導(dǎo)電層，其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層不相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其特征在于，所述導(dǎo)電層覆蓋部分溝道區(qū)為 所述導(dǎo)電層的寬度為溝道區(qū)的寬度的一半。
8.根據(jù)權(quán)利要求5 7任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的液晶顯示器，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括歐姆接觸層；所述歐姆接觸層位于所述源漏金屬層和所述導(dǎo)電層之間。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種TFT-LCD陣列基板及液晶顯示器，涉及液晶顯示領(lǐng)域，用以實(shí)現(xiàn)通過(guò)減小TFT-LCD陣列基板及液晶顯示器的溝道區(qū)寬度以減小TFT的關(guān)態(tài)電流，從而提高TFT特性的目的。所述TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數(shù)據(jù)線，在柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層；其中，所述有源層在源漏金屬層的斷開位置為溝道區(qū)，所述源漏金屬層和所述有源層之間形成有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層直接接觸所述有源層，且覆蓋部分溝道區(qū)。本實(shí)用新型提供的方案應(yīng)用于液晶顯示器的制造。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK202259311SQ20112041592
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月27日
發(fā)明者謝振宇 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司