專利名稱：一種tft陣列基板及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFTCThin Film Transistor，薄膜場效應(yīng)晶體管)陣列基板及液晶顯示器。
背景技術(shù)：
TFT液晶顯示面板，通過在像素電極和公共電極之間加載電壓，控制液晶的旋轉(zhuǎn)角度，實現(xiàn)畫面顯示。像素電極和公共電極之間的加載電壓通過控制TFT液晶顯示面板中的 TFT的開關(guān)來實現(xiàn)。為了形成TFT電路，TFT陣列基板的源極和數(shù)據(jù)線必須電連接，漏極和像素電極必須電連接。在現(xiàn)有技術(shù)中，漏極上形成有保護層，然后在保護層上再形成像素電極。通常漏極上方的保護層刻蝕有過孔，像素電極通過過孔與漏極電連接。在實現(xiàn)上述過孔的技術(shù)方案過程中，漏極在保證TFT電路的特性的情況下，還需要預(yù)留過孔的對應(yīng)尺寸，通常過孔的大小在10微米左右，那么漏極的尺寸需要設(shè)計成大于 10微米的金屬方塊，這樣會使得TFT陣列基板的開口率變小。

實用新型內(nèi)容本實用新型的實施例提供一種TFT陣列基板及液晶顯示器，可以減小漏極連接像素電極部分的尺寸，進而增大像素單元的開口率。為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案一種TFT陣列基板，包括基板；形成于所述基板上的柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、數(shù)據(jù)線、源極、 漏極，及形成于所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極上的保護層，和形成于所述保護層上的像素電極，其中，所述柵極、源極、漏極和半導(dǎo)體有源層構(gòu)成TFT，所述漏極包括漏極TFT區(qū)域和漏極與像素電極連接的漏極連接區(qū)域，所述保護層設(shè)有完全露出所述漏極連接區(qū)域的鏤空槽，所述像素電極通過所述鏤空槽與所述漏極連接區(qū)域連接。一種液晶顯示器，其特征在于，包括上述的TFT陣列基板。本實用新型提供的TFT陣列基板和液晶顯示器，在漏極與像素電極之間的保護層上形成完全露出漏極連接區(qū)域的鏤空槽，以便像素電極通過鏤空槽與漏極連接。這樣漏極的連接區(qū)域不需要再預(yù)留現(xiàn)有技術(shù)的過孔的尺寸，從而可以減小漏極連接區(qū)域的尺寸，進而提高像素單元的開口率。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；[0012]圖2為圖1沿A-A向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的又一 TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3沿A-A向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。下面通過附圖1、2所示，對本實用新型實施例提供的TFT陣列基板進行說明。本實用新型實施例以FFS(邊緣場開關(guān)技術(shù))型TFT陣列基板為例，包括基板10， 形成于所述基板上的柵線20、柵極13，形成于像素電極12下方或上方的公共電極17，圖1、 2中的FFS型TFT陣列基板的公共電極17形成于像素電極12下方，與上述柵線20、柵極13 位于同一層；形成于柵極13和公共電極17上的柵絕緣層18 ；形成于柵絕緣層18上的半導(dǎo)體有源層19 ；形成于半導(dǎo)體有源層19上的數(shù)據(jù)線14、源極15和漏極16 ；形成于數(shù)據(jù)線14、 源極15和漏極16上的保護層11 ；及形成于保護層11上的像素電極12。其中，柵極13、源極15、漏極16和半導(dǎo)體有源層19構(gòu)成TFT。漏極16包括漏極 TFT區(qū)域161和漏極16與像素電極12連接的漏極連接區(qū)域162，漏極TFT區(qū)域161在圖中為左邊虛線框中包含的漏極16的區(qū)域，漏極連接區(qū)域162在圖中為右邊虛線框中包含的漏極16的區(qū)域。在本實施例中，位于漏極16上方的保護層11設(shè)有完全露出漏極連接區(qū)域162的鏤空槽111。像素電極12通過該鏤空槽111與漏極連接區(qū)域162相連接。該具有鏤空槽111的保護層11可以是以下步驟形成在形成數(shù)據(jù)線14、源極15、 漏極16之后，在其上涂布保護層11，具體可以是氮化硅、氧化硅、或幾種化合物的組合。然后在保護層11上涂布光刻膠，通過構(gòu)圖工藝處理，刻蝕掉漏極16連接區(qū)域162上方的保護層11，從而在保護層11上形成了完全露出漏極連接區(qū)域162的鏤空槽111，在其余如數(shù)據(jù)線14、源極15、漏極16的TFT區(qū)域161及像素電極12上仍保留有保護層11，之后再在基板上形成像素電極12，該像素電極12通過鏤空槽111與漏極16的連接區(qū)域162連接。本實用新型實施例提供的TFT陣列基板，在漏極與像素電極之間的保護層上形成完全露出漏極連接區(qū)域的鏤空槽，以便像素電極通過鏤空槽與漏極連接。這樣漏極的連接區(qū)域不需要再預(yù)留現(xiàn)有技術(shù)的過孔的尺寸，從而可以減小漏極連接區(qū)域的尺寸，進而提高像素單元的開口率。進一步的，如圖3、4所示，本實用新型實施例的TFT陣列基板上，保護層11形成于漏極16上方，保護層11上形成有像素電極12。保護層11上的鏤空槽111在一個像素區(qū)域內(nèi)，從漏極連接區(qū)域162起平行于柵線20延伸至該像素區(qū)域的邊緣，使得漏極連接區(qū)域 162完成露出，像素電極12直接形成與上述鏤空槽111內(nèi)，與漏極相連接。當然，上述鏤空槽根據(jù)漏極連接區(qū)域的形狀，在一個像素區(qū)域內(nèi)也可以平行于數(shù)據(jù)線14延伸到像素區(qū)域的邊緣。這樣，設(shè)計形成該鏤空槽的掩模板時，無需考慮漏極連接區(qū)域的長度尺寸，直接從漏極TFT區(qū)域和連接區(qū)域的分割線開始，以漏極的寬度為刻蝕的寬度，設(shè)計刻蝕區(qū)域到像素區(qū)域另一端，從而使得該掩模板的通用性強。需要說明的是，本實施例是以FFS型TFT陣列基板為例進行的說明，但本實施例并不限于此，其他類型的TFT陣列基板，如IPS(橫向電場效應(yīng)顯示技術(shù))型、TN(Twisted Nematic，扭曲向列)型等，也可以適用。如，TN型陣列基板上包括柵線、柵極；依次形成于柵線、柵極上的柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層；在形成有半導(dǎo)體有源層的基板上形成的數(shù)據(jù)線、 源極、漏極；形成于數(shù)據(jù)線、源極、漏極上的保護層，及形成于保護層上的像素電極，其中柵極、源極、漏極和半導(dǎo)體有源層構(gòu)成TFT。漏極包括漏極TFT區(qū)域和漏極與像素電極連接的漏極連接區(qū)域，上述保護層設(shè)有完全露出所述漏極連接區(qū)域的鏤空槽，所述像素電極通過所述鏤空槽與所述漏極的連接區(qū)域連接，在此不再詳細描述。本實用新型實施例提供了的液晶顯示面板，包括TFT陣列基板和彩膜基板，TFT陣列基板采用上述實施例提供的TFT陣列基板，其結(jié)構(gòu)與上述實施例相同，在此不再贅述。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求1.一種TFT陣列基板，包括基板；形成于所述基板上的柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、數(shù)據(jù)線、源極、漏極， 及形成于所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極上的保護層，和形成于所述保護層上的像素電極，其中，所述柵極、源極、漏極和半導(dǎo)體有源層構(gòu)成TFT，所述漏極包括漏極TFT區(qū)域和漏極與像素電極連接的漏極連接區(qū)域，其特征在于，所述保護層設(shè)有完全露出所述漏極連接區(qū)域的鏤空槽，所述像素電極通過所述鏤空槽與所述漏極連接區(qū)域連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述鏤空槽在所述像素電極區(qū)域內(nèi)平行于所述柵線或所述數(shù)據(jù)線，并延長至所述像素電極區(qū)域的邊緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，還包括公共電極，所述公共電極位于所述像素電極上方或所述像素電極下方。
4.一種液晶顯示器，其特征在于，包括上述權(quán)利要求1至3任一所述的TFT陣列基板。
專利摘要本實用新型實施例公開了一種TFT陣列基板及液晶顯示器，涉及液晶面板的制造領(lǐng)域，可以減小漏極連接像素電極部分的尺寸，進而增大像素單元的開口率。該TFT陣列基板包括基板；形成于所述基板上的柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、數(shù)據(jù)線、源極、漏極，及形成于所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極上的保護層，和形成于所述保護層上的像素電極，其中，所述柵極、源極、漏極和半導(dǎo)體有源層構(gòu)成TFT，所述漏極包括漏極TFT區(qū)域和漏極與像素電極連接的漏極連接區(qū)域，所述保護層設(shè)有完全露出所述漏極連接區(qū)域的鏤空槽，所述像素電極通過所述鏤空槽與所述漏極連接區(qū)域連接。本實用新型用于液晶面板的制造。
文檔編號G02F1/1362GK202231012SQ201120371170
公開日2012年5月23日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者謝振宇 申請人:北京京東方光電科技有限公司