專利名稱：一種光刻版的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型主要涉及到步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其優(yōu)點(diǎn)在于標(biāo)記位于窄劃片線中，不占用主管芯面積，提高芯片利用率。
背景技術(shù)：
光刻版的套準(zhǔn)標(biāo)記(1)，是光刻機(jī)能夠完成套準(zhǔn)的必要條件，故每種光刻版都存在套準(zhǔn)標(biāo)記(1)，套準(zhǔn)標(biāo)記(1)有一定尺寸大小的要求，需要占用芯片的面積。通常將套準(zhǔn)標(biāo)記(1)布局于寬的劃片線(3)中或占用主管芯(4)的面積，不能同時(shí)使用窄劃片線、不占主管芯布局設(shè)計(jì)，使芯片的利用率降低。圖2示出通常光刻版的套準(zhǔn)標(biāo)記布局于寬的劃片線中示意圖，寬的劃片線指線寬在100Um-200Um之間，寬的劃片線占用面積，使芯片的利用率降低；本實(shí)用新型的光刻版， 劃片線可以設(shè)計(jì)為50um-80um之間，提高芯片利用率。圖3示出通常光刻版的套準(zhǔn)標(biāo)記布局占用主管芯(4)面積的示意圖，占用面積= (光刻版BLOK面積*標(biāo)記占用數(shù)/光刻版BLOK管芯數(shù))，通常占用的面積在0. 5 % -8 %之間，使芯片的利用率降低；本實(shí)用新型的光刻版，不占用主管芯位置，提高芯片利用率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種光刻版。1、一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于A、光刻版套準(zhǔn)標(biāo)記(1)布局于光刻版BLOK區(qū)(0)頂部的劃片線(3)中，位于劃片線(3)的交叉點(diǎn)上，不占用主管芯(4)面積，提高芯片利用率；B、光刻版BLOK區(qū)(0)的頂部具有反處理保護(hù)的疊加區(qū)(5)，布陣列時(shí)不影響主管芯(4)圖形；C、光刻版BLOK區(qū)(0)具有反處理保護(hù)的標(biāo)記疊加區(qū)(2)，布陣列時(shí)與BLOK區(qū)(0) 頂部的套準(zhǔn)標(biāo)記(1)重疊，保證為下一次套刻保留完整的套準(zhǔn)標(biāo)記；D、光刻版BLOK區(qū)(0)具有的疊加區(qū)(5)，滿足步進(jìn)光刻機(jī)重疊布陣。2、如權(quán)利要求1所述的一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于所述的光刻版套準(zhǔn)標(biāo)記(1)布局于光刻版BLOK區(qū)(0)的頂部窄劃片線(3)交叉區(qū)。3、如權(quán)利要求1所述的一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于所述的光刻版 BLOK區(qū)(0)的頂部的疊加區(qū)(5)，為布陣列時(shí)與下一個(gè)光刻版BLOK區(qū)(0)底部重疊區(qū)。4、如權(quán)利要求1所述的一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于所述的光刻版 BLOK區(qū)(0)的標(biāo)記疊加區(qū)O)，為布陣列時(shí)與下一個(gè)光刻版BLOK區(qū)(0)頂部套準(zhǔn)標(biāo)記(1) 重疊區(qū)。5、如權(quán)利要求1所述的一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于所述的光刻版 BLOK區(qū)(0)布陣列時(shí)，滿足步進(jìn)光刻機(jī)重疊步進(jìn)疊加區(qū)(5)。6、如權(quán)利要求1所述的一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于每層光刻版BLOK區(qū)(0)都采用增加相同的疊加區(qū)(5)。
圖1為本實(shí)用新型一種光刻版BLOK區(qū)示意圖；圖2為套準(zhǔn)標(biāo)記布局于寬的劃片線中的光刻版示意圖；圖3為套準(zhǔn)標(biāo)記布局占用主管芯(4)面積的光刻版示意圖；圖4為本實(shí)用新型第二種光刻版BLOK區(qū)示意圖。圖5為本實(shí)用新型實(shí)施具體案例示意圖。圖6為采用圖5案例布局效果示意圖。
具體實(shí)施方式
圖1示出了本實(shí)用新型的一種光刻版BLOK區(qū)(0)，下面結(jié)合圖1詳細(xì)說明本實(shí)用新型的光刻版。一種光刻版包括光刻版BLOK區(qū)(0)中的套準(zhǔn)標(biāo)記(1)，為光刻機(jī)套準(zhǔn)提供識(shí)別信號(hào)的圖形，布局于窄的劃片線(3)交叉位置；標(biāo)記疊加區(qū)O)，位于光刻版BLOK區(qū)底部標(biāo)記疊加位置，尺寸比標(biāo)記長(zhǎng)，比標(biāo)記寬，但寬度能超過劃片線(3)寬度，采用反處理保護(hù)，即標(biāo)記疊加區(qū)(2)與套準(zhǔn)標(biāo)記(1)使用相反的透光性；疊加區(qū)(5)，為光刻版BLOK區(qū)(0)的頂部，布陣列時(shí)與下一個(gè)光刻版BLOK區(qū)(0)底部形成疊加的區(qū)域，疊加區(qū)(5)為不透光區(qū)。圖2示出一種套準(zhǔn)標(biāo)記布局于寬劃片線中的光刻版示意圖，通常寬的劃片線指線寬在100Um-200Um之間，寬的劃片線占用面積大，使芯片的利用率降低本；本實(shí)用新型的光刻版，劃片線可以設(shè)計(jì)為50um-80um之間，提高芯片利用率。圖3示出一種將套準(zhǔn)標(biāo)記布局占用主管芯的面積示意圖，占用面積=(光刻版BLOK面積*標(biāo)記占用數(shù)/光刻版BLOK管芯數(shù))，通常占用的面積在0. 5% -8%之間，使芯片的利用率降低；本實(shí)用新型的光刻版，標(biāo)記不占用主管芯位置，提高芯片利用率。圖4示出第二種光刻版BLOK(O)示意圖，疊加區(qū)( 增加，增加量為具有N* (主管芯寬+劃片線寬)，進(jìn)一步減少套刻標(biāo)記的干擾信號(hào)。圖5示出本實(shí)用新型實(shí)施具體案例示意圖，包括UT1000光刻機(jī)光刻版，采用本實(shí)用新型的光刻版，經(jīng)實(shí)際測(cè)算，提高芯片利用率，以管芯尺寸為2mm*2mm計(jì)，提升3. 08%芯片利用率。圖6示出本實(shí)用新型實(shí)施具體案例示意圖，包括UT1000光刻機(jī)采用本實(shí)用新型的光刻版，布陣后最終效果圖，布陣疊加量為疊加區(qū)大小。通過上述實(shí)施例闡述了本實(shí)用新型，同時(shí)也可以采用其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。本實(shí)用新型不局限于上述具體實(shí)施例，因此本實(shí)用新型由所附權(quán)利要求范圍限定。
權(quán)利要求1.一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于A、光刻版套準(zhǔn)標(biāo)記(1)布局于光刻版BLOK區(qū)(0)頂部的劃片線(3)中，位于劃片線(3)的交叉點(diǎn)上，不占用主管芯(4)面積，提高芯片利用率；B、光刻版BLOK區(qū)(0)的頂部具有反處理保護(hù)的疊加區(qū)(5)，布陣列時(shí)不影響主管芯(4)圖形；C、光刻版BLOK區(qū)(0)具有反處理保護(hù)的標(biāo)記疊加區(qū)0)，布陣列時(shí)與BLOK區(qū)(0)頂部的套準(zhǔn)標(biāo)記(1)重疊，保證為下一次套刻保留完整的套準(zhǔn)標(biāo)記；D、光刻版BLOK區(qū)(0)具有的疊加區(qū)(5)，滿足步進(jìn)光刻機(jī)重疊布陣。
2.如權(quán)利要求1所述的一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于所述的光刻版套準(zhǔn)標(biāo)記(1)布局于光刻版BLOK區(qū)(0)的頂部窄劃片線(3)交叉區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于所述的光刻版BLOK 區(qū)(0)的頂部的疊加區(qū)(5)，為布陣列時(shí)與下一個(gè)光刻版BLOK區(qū)(0)底部重疊區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于所述的光刻版BLOK 區(qū)(0)的標(biāo)記疊加區(qū)O)，為布陣列時(shí)與下一個(gè)光刻版BLOK區(qū)(0)頂部套準(zhǔn)標(biāo)記(1)重疊區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于所述的光刻版BLOK 區(qū)(0)布陣列時(shí)，滿足步進(jìn)光刻機(jī)重疊步進(jìn)疊加區(qū)(5)。
6.如權(quán)利要求1所述的一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，其特征在于每層光刻版BLOK區(qū) (0)都采用增加相同的疊加區(qū)(5)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻版，該光刻版結(jié)合步進(jìn)式光刻機(jī)的工作特點(diǎn)，采用將光刻版BLOK區(qū)(0)中步進(jìn)疊加區(qū)(5)及標(biāo)記疊加區(qū)(2)保護(hù)處理，將其套準(zhǔn)標(biāo)記(1)布局在窄的劃片線(3)內(nèi)，不占用主管芯(4)面積，較只能將標(biāo)記設(shè)計(jì)在寬的劃片線或者是占用主管芯位置的光刻版，可以提高芯片的利用率。
文檔編號(hào)G03F1/14GK201945799SQ20112000092
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月4日
發(fā)明者任宏志, 關(guān)世瑛, 冷國(guó)慶, 楊忠武, 王金秋, 趙暉 申請(qǐng)人:黑龍江八達(dá)通用微電子有限公司