專利名稱：一種陣列基板、液晶顯示裝置及取向摩擦方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示裝置及取向摩擦方法。
背景技術(shù)：
目前的寬視角液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)CD)主要包括高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換型(ADvanced Super Dimension Switch, ADSDS,簡(jiǎn)稱ADS)和共平面切換型(In-Plane Switching，簡(jiǎn)稱為IPS)。其中，ADS型TFT-LCD通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫 電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。如圖I所示，以一種ADS型IXD為例簡(jiǎn)要介紹其主要生產(chǎn)過程在襯底基板上形成以陣列方式排列的像素單元，且每個(gè)像素單元中包括公共電極01 (可視為板狀電極)和像素電極02 (可視為狹縫電極)，其中，像素電極02上設(shè)有與數(shù)據(jù)線03平行的狹縫04 ;在形成像素單元結(jié)構(gòu)后，需要沉積PI (聚酰亞胺)材料形成取向膜，并需要對(duì)該取向膜進(jìn)行取向摩擦以完成陣列基板的制造。在圖I中，將數(shù)據(jù)線作為基準(zhǔn)線；將坐標(biāo)系中的縱坐標(biāo)Y的方向作為數(shù)據(jù)線方向；像素電極的狹縫方向與數(shù)據(jù)線方向相同；基板的前進(jìn)方向12與Y方向相反；取向膜的摩擦方向11與像素電極的狹縫方向形成一定夾角。在現(xiàn)有技術(shù)中，取向膜的摩擦方向11與基板的前進(jìn)方向12相對(duì)的方向(即Y方向)的夾角比較小，使得摩擦輥和陣列基板在相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在Y方向上，兩者的相對(duì)速度較大，會(huì)造成磨擦輥和基板之間相互損傷，從而影響了摩擦均勻性，進(jìn)而導(dǎo)致灰度不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板、液晶顯示裝置及取向摩擦方法，用以提高摩擦均勻性。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—方面，提供一種陣列基板，包括柵線、數(shù)據(jù)線、所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元，以及形成在所述陣列基板上的取向膜；其中，所述像素單元包括薄膜晶體管、第一電極和設(shè)有狹縫的第二電極；所述第二電極的狹縫方向與所述數(shù)據(jù)線方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度，所述取向膜的摩擦方向與所述第二電極的狹縫方向呈第二非零預(yù)設(shè)角度，并且所述取向膜的摩擦方向與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于所述第二非零預(yù)設(shè)角度。另一方面，提供一種液晶顯示裝置，包括對(duì)盒后的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板為上述的陣列基板，所述彩膜基板上取向膜的摩擦方向與所述陣列基板上取向膜的摩擦方向相反。又一方面，提供一種取向摩擦方法，所述方法包括
設(shè)置陣列基板的前進(jìn)速度以及摩擦輥的軸向和角速度；其中，所述陣列基板的前進(jìn)速度所在直線的方向與所述陣列基板上數(shù)據(jù)線的方向相反，所述摩擦輥的軸向與所述陣列基板上數(shù)據(jù)線的方向呈第三非零預(yù)設(shè)角度，所述陣列基板上第二電極的狹縫方向與所述數(shù)據(jù)線的方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度；所述陣列基板按照所設(shè)置的前進(jìn)速度行進(jìn)，并與所述摩擦輥相接觸，以摩擦所述陣列基板上的取向膜，使得所述取向膜的摩擦方向與所述第二電極的狹縫方向呈第二非零預(yù)設(shè)角度；所述取向膜的摩擦方向與所述摩擦輥的軸向垂直，并且所述取向膜的摩擦方向與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于所述第二非零預(yù)設(shè)角度。本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、液晶顯示裝置及取向摩擦方法，一方面，設(shè)置第二非零預(yù)設(shè)角度滿足高開口率和高透過率的需要，保證了液晶顯示器的正常顯示，另一方面，通過設(shè)置第二電極的狹縫方向與數(shù)據(jù)線方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度，并且取向膜的摩擦方向與數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于第二非零預(yù)設(shè)角度，在摩擦輥和陣列基板在相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)， 在數(shù)據(jù)線方向上兩者的相對(duì)速度減小，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，從而提高了摩擦均勻性。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的俯視圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視圖；圖3為圖2示出的陣列基板中的狹縫方向、摩擦方向、數(shù)據(jù)線方向關(guān)系示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供一種取向摩擦方法示意圖；圖6為圖5示出的取向摩擦方法中的狹縫方向、摩擦方向、摩擦輥的軸向、數(shù)據(jù)線方向關(guān)系不意圖。附圖標(biāo)記01-公共電極；02_像素電極；03_數(shù)據(jù)線；04_狹縫；05_柵線；06_薄膜晶體管；11-摩擦方向；12-基板的前進(jìn)方向；13-狹縫方向；14-摩擦輥的軸向。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一本發(fā)明所有實(shí)施例中將數(shù)據(jù)線作為基準(zhǔn)線，將坐標(biāo)系中的縱坐標(biāo)Y的方向作為數(shù)據(jù)線方向。
如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板100，包括柵線05、數(shù)據(jù)線03、所述柵線05和數(shù)據(jù)線03限定的像素單元，以及形成在所述陣列基板上的取向膜；其中，所述像素單元包括薄膜晶體管06、第一電極和設(shè)有狹縫04的第二電極；所述第二電極的狹縫方向13與所述數(shù)據(jù)線方向Y呈第一非零預(yù)設(shè)角度Θ 1，所述取向膜的摩擦方向11與所述第二電極的狹縫方向13呈第二非零預(yù)設(shè)角度Θ 2，并且所述取向膜的摩擦方向11與所述數(shù)據(jù)線方向Y所呈角度大于所述第二非零預(yù)設(shè)角度Θ 2。
在本發(fā)明所有實(shí)施例中，第一電極為陣列基板100的像素單元中形成的第一透明導(dǎo)電層，例如通常可以是第一層氧化銦錫ITO ;第二電極為陣列基板100的像素單元中形成的第二透明導(dǎo)電層，例如，通?？梢允堑诙应│?。在本發(fā)明的所有實(shí)施例中，通過陣列基板100上的第一電極和第二電極所產(chǎn)生的多維電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶，故通常第二電極為形成有圖案的電極，且所述圖案通常為長(zhǎng)條形的狹縫。另外，在第一電極和第二電極中，與像素單元中的薄膜晶體管06的漏極相連的電極為像素電極，另一個(gè)為公共電極。進(jìn)一步的，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一電極與所述陣列基板的公共電極線電性連接；所述第二電極與所述薄膜晶體管06的漏極電性連接；也就是說(shuō)，在本實(shí)施例中，如圖2所示，所述第二電極為像素電極02，第一電極為公共電極01。其中像素電極02上設(shè)有狹縫，公共電極01上不設(shè)狹縫。在進(jìn)行取向膜摩擦?xí)r具體的，如圖3(a)所示，當(dāng)摩擦方向11與Y方向形成的角度大于第二電極的狹縫方向13與Y方向形成的角度時(shí)，所述第二電極的狹縫方向13與所述數(shù)據(jù)線方向Y呈第一非零預(yù)設(shè)角度Θ 1，所述取向膜的摩擦方向11與所述第二電極的狹縫方向13呈第二非零預(yù)設(shè)角度Θ 2，可以得到，所述取向膜的摩擦方向11與所述數(shù)據(jù)線方向Y所呈角度的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值ΘI與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值Θ2之和，能夠在摩擦輥和陣列基板在相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在Y方向上，兩者的相對(duì)速度減小，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，從而提高了摩擦均勻性。優(yōu)選的，所述第一非零預(yù)設(shè)角度的范圍為20 30度，該角度從工藝上較容易實(shí)現(xiàn)，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，提高了摩擦的均勻性；優(yōu)選的，所述第二非零預(yù)設(shè)角度的范圍為5 9度，該角度滿足高開口率和高透過率的需要，保證了液晶顯示器的正常顯示。如圖3(b)所示，當(dāng)摩擦方向11與Y方向形成的角度小于第二電極的狹縫方向13與Y方向形成的角度時(shí)，所述第二電極的狹縫方向13與所述數(shù)據(jù)線方向Y呈第一非零預(yù)設(shè)角度Θ 1，所述取向膜的摩擦方向11與所述第二電極的狹縫方向13呈第二非零預(yù)設(shè)角度Θ 2，可以得到，所述取向膜的摩擦方向11與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值ΘI與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值Θ 2之差，在保證所述取向膜的摩擦方向11與所述數(shù)據(jù)線方向Y所呈角度大于所述第二非零預(yù)設(shè)角度Θ 2的情況下，同樣能夠在摩擦輥和陣列基板在相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在Y方向上，兩者的相對(duì)速度減小，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，從而提高了摩擦均勻性。優(yōu)選的，所述第一非零預(yù)設(shè)角度的范圍為20 30度，該角度從工藝上較容易實(shí)現(xiàn)，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，提高了摩擦的均勻性；優(yōu)選的，所述第二非零預(yù)設(shè)角度的范圍為5 9度，該角度滿足高開口率和高透過率的需要，保證了液晶顯示器的正常顯示。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，一方面，設(shè)置第二非零預(yù)設(shè)角度滿足高開口率和高透過率的需要，保證了液晶顯示器的正常顯示，另一方面，通過設(shè)置第二電極的狹縫方向與數(shù)據(jù)線方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度，并且取向膜的摩擦方向與數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于第二非零預(yù)設(shè)角度，在摩擦輥和陣列基板在相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在Y方向上，兩者的相對(duì)速度減小，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，從而提高了摩擦均勻性。實(shí)施例二如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板100，包括柵線05、數(shù)據(jù)線03、所述柵線05和數(shù)據(jù)線03限定的像素單元，以及形成在所述陣列基板上的取向膜；其中，所述像素單元包括薄膜晶體管、第一電極和設(shè)有狹縫04的第二電極；所述第二電極的狹縫方向與所述數(shù)據(jù)線方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度Θ 1，所述取向膜的摩擦方向11與所述第二電極的狹縫方向呈第二非零預(yù)設(shè)角度，并且所述取向膜的摩擦方向11與所述數(shù)據(jù)線方向Y所呈角度大于所述第二非零預(yù)設(shè)角度Θ2。 在本發(fā)明所有實(shí)施例中，第一電極為陣列基板100的像素單元中形成的第一透明導(dǎo)電層，例如通?？梢允堑谝粚友趸熷aITO ;第二電極為陣列基板100的像素單元中形成的第二透明導(dǎo)電層，例如，通?？梢允堑诙应│?。在本發(fā)明的所有實(shí)施例中，通過陣列基板100上的第一電極和第二電極所產(chǎn)生的多維電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶，故通常第二電極為形成有圖案的電極，且所述圖案通常為長(zhǎng)條形的狹縫。另外，在第一電極和第二電極中，與像素單元中的薄膜晶體管06的漏極相連的電極為像素電極，另一個(gè)為公共電極。進(jìn)一步的，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一電極和所述薄膜晶體管06的漏極電性連接；所述第二電極與所述陣列基板的公共電極線電性連接；也就是說(shuō)，在本實(shí)施例中，如圖4所示，所述第二電極為公共電極01，第一電極為像素電極02。其中，公共電極01上設(shè)有狹縫，像素電極02上不設(shè)狹縫。在進(jìn)行取向膜摩擦?xí)r，具體的，如圖3(a)所示，當(dāng)摩擦方向11與Y方向形成的角度大于第二電極的狹縫方向13與Y方向形成的角度時(shí)，所述第二電極的狹縫方向13與所述數(shù)據(jù)線方向Y呈第一非零預(yù)設(shè)角度Θ I，所述取向膜的摩擦方向11與所述第二電極的狹縫方向13呈第二非零預(yù)設(shè)角度Θ 2，可以得到，所述取向膜的摩擦方向11與所述數(shù)據(jù)線方向Y所呈角度的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值ΘI與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值Θ2之和，能夠在摩擦輥和陣列基板在相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在Y方向上，兩者的相對(duì)速度減小，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，從而提高了摩擦均勻性。優(yōu)選的，所述第一非零預(yù)設(shè)角度的范圍為20 30度，該角度從工藝上較容易實(shí)現(xiàn)，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，提高了摩擦的均勻性；優(yōu)選的，所述第二非零預(yù)設(shè)角度的范圍為5 9度，該角度滿足高開口率和高透過率的需要，保證了液晶顯示器的正常顯示。如圖3(b)所示，當(dāng)摩擦方向11與Y方向形成的角度小于第二電極的狹縫方向13與Y方向形成的角度時(shí)，所述第二電極的狹縫方向13與所述數(shù)據(jù)線方向Y呈第一非零預(yù)設(shè)角度Θ 1，所述取向膜的摩擦方向11與所述第二電極的狹縫方向13呈第二非零預(yù)設(shè)角度Θ 2，可以得到，所述取向膜的摩擦方向11與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值ΘI與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值Θ 2之差，在保證所述取向膜的摩擦方向11與所述數(shù)據(jù)線方向Y所呈角度大于所述第二非零預(yù)設(shè)角度Θ 2的情況下，同樣能夠在摩擦輥和陣列基板在相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在Y方向上，兩者的相對(duì)速度減小，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，從而提高了摩擦均勻性。優(yōu)選的，所述第一非零預(yù)設(shè)角度的范圍為20 30度，該角度從工藝上較容易實(shí)現(xiàn)，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，提高了摩擦的均勻性；優(yōu)選的，所述第二非零預(yù)設(shè)角度的范圍為5 9度，該角度滿足高開口率和高透過率的需要，保證了液晶顯示器的正常顯示。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，一方面，設(shè)置第二非零預(yù)設(shè)角度滿足高開口率和高透過率的需要，保證了液晶顯示器的正常顯示，另一方面，通過設(shè)置第二電極的狹縫方向與數(shù)據(jù)線方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度，并且取向膜的摩擦方向與數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于第二非零預(yù)設(shè)角度，在摩擦輥和陣列基板在相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在Y方向上，兩者的相對(duì)速度減小，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，從而提高了摩擦均勻性。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例提供一種取向摩擦方法，所述方法包括如圖5所示，設(shè)置陣列基板的前進(jìn)速度以及摩擦輥的軸向14和角速度；其中，所述陣列基板的前進(jìn)速度所在直線的方向12與所述陣列基板上數(shù)據(jù)線的方向Y相反，所述摩擦輥的軸向14與所述陣列基板上數(shù)據(jù)線的方向Y呈第三非零預(yù)設(shè)角度Θ 3，所述陣列基板上第二電極的狹縫方向13與所述數(shù)據(jù)線的方向Y呈第一非零預(yù)設(shè)角度Θ I ；所述陣列基板按照所設(shè)置的前進(jìn)速度行進(jìn)，并與所述摩擦輥相接觸，以摩擦所述陣列基板上的取向膜，使得所述取向膜的摩擦方向11與所述第二電極的狹縫方向13呈第二非零預(yù)設(shè)角度Θ 2 ;所述取向膜的摩擦方向11與所述摩擦輥的軸向14垂直，并且所述取向膜的摩擦方向11與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于所述第二非零預(yù)設(shè)角度。如圖6(a)所示，當(dāng)摩擦方向11與Y方向形成的角度大于第二電極的狹縫方向13與Y方向形成的角度時(shí)，因摩擦輥的軸向14與取向膜的摩擦方向11垂直，所述第三非零預(yù)設(shè)角度Θ3的余角Θ4的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值之和，因所述第三非零預(yù)設(shè)角度Θ 3的余角的值即為所述取向膜的摩擦方向與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度的值，可以得到，所述取向膜的摩擦方向與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值ΘI與所述第二非零預(yù)設(shè)角度Θ 2的值之和；如圖6(b)所示，當(dāng)摩擦方向11與Y方向形成的角度小于第二電極的狹縫方向13與Y方向形成的角度時(shí)，因摩擦輥的軸向14與取向膜的摩擦方向11垂直，所述第三非零預(yù)設(shè)角度Θ3的余角Θ4的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值之差，因所述第三非零預(yù)設(shè)角度的余角的值即為所述取向膜的摩擦方向與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度的值，可以得到所述取向膜的摩擦方向與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值ΘI與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值Θ2之差。本發(fā)明提供了一種取向摩擦方法，通過設(shè)置陣列基板的前進(jìn)速度以及摩擦輥的軸向，取向膜的摩擦方向與所述摩擦輥的軸向垂直，一方面，設(shè)置第二非零預(yù)設(shè)角度滿足高開口率和高透過率的需要，保證了液晶顯示器的正常顯示，另一方面，通過設(shè)置第二電極的狹縫方向與數(shù)據(jù)線方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度，并且取向膜的摩擦方向與數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于第二非零預(yù)設(shè)角度，在摩擦輥和陣列基板在相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在Y方向上兩者的相對(duì)速度減小，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，從而提高了摩擦均勻性。本發(fā)明實(shí)施例提供一種液晶顯示裝置，包括對(duì)盒后的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板為上述實(shí)施例所述的任一陣列基板，所述彩膜基板上取向膜的摩擦方向與所述陣列基板上取向膜的摩擦方向相反。所述陣列基板包括柵線、數(shù)據(jù)線、所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元，以及形成在所述陣列基板上的取向膜；其中，所述像素單元包括薄膜晶體管、第一電極和設(shè)有狹縫的第二電極；所述取向膜的摩擦方向與所述第二電極的狹縫方向呈第二非零預(yù)設(shè)角度，滿足高開口率和高透過率的需要，保證了液晶顯示器的正常顯示；所述第二電極的狹縫方向與所述數(shù)據(jù)線方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度，并且所述取向膜的摩擦方向與數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于第二非零預(yù)設(shè)角度，在摩擦輥和陣列基板在相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在數(shù)據(jù)線方向上兩者的相對(duì)速度減小，使得磨擦輥和基板之間相互損傷減小，從而提高了摩擦均勻性。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因 此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括柵線、數(shù)據(jù)線、所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素単元，以及形成在所述陣列基板上的取向膜；其中，所述像素単元包括薄膜晶體管、第一電極和設(shè)有狹縫的第二電極；其特征在于，所述第二電極的狹縫方向與所述數(shù)據(jù)線方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度，所述取向膜的摩擦方向與所述第二電極的狹縫方向呈第二非零預(yù)設(shè)角度，并且所述取向膜的摩擦方向與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于所述第二非零預(yù)設(shè)角度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極與所述陣列基板的公共電極線電性連接；所述第二電極與所述薄膜晶體管的漏極電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極和所述薄膜晶體管的漏極電性連接；所述第二電極與所述陣列基板的公共電極線電性連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述取向膜的摩擦方向與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值之和，或者所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值之差。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的陣列基板，其特征在于，所述第一非零預(yù)設(shè)角度的范圍為20 30度。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 4任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的陣列基板，其特征在于，所述第二非零預(yù)設(shè)角度的范圍為5 9度。
7.ー種液晶顯示裝置，其特征在于，包括對(duì)盒后的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板為權(quán)利要求I 6任一項(xiàng)所述的陣列基板，所述彩膜基板上取向膜的摩擦方向與所述陣列基板上取向膜的摩擦方向相反。
8.一種取向摩擦方法，其特征在于，所述方法包括 設(shè)置陣列基板的前進(jìn)速度以及摩擦輥的軸向和角速度；其中，所述陣列基板的前進(jìn)速度所在直線的方向與所述陣列基板上數(shù)據(jù)線的方向相反，所述摩擦輥的軸向與所述陣列基板上數(shù)據(jù)線的方向呈第三非零預(yù)設(shè)角度，所述陣列基板上第二電極的狹縫方向與所述數(shù)據(jù)線的方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度； 所述陣列基板按照所設(shè)置的前進(jìn)速度行迸，并與所述摩擦輥相接觸，以摩擦所述陣列基板上的取向膜，使得所述取向膜的摩擦方向與所述第ニ電極的狹縫方向呈第二非零預(yù)設(shè)角度；所述取向膜的摩擦方向與所述摩擦輥的軸向垂直，并且所述取向膜的摩擦方向與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于所述第二非零預(yù)設(shè)角度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在干， 所述第三非零預(yù)設(shè)角度的余角的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值之和；或者， 所述第三非零預(yù)設(shè)角度的余角的值為所述第一非零預(yù)設(shè)角度的值與所述第二非零預(yù)設(shè)角度的值之差。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、液晶顯示裝置及取向摩擦方法，涉及液晶顯示領(lǐng)域，用于提高摩擦均勻性。所述陣列基板包括柵線、數(shù)據(jù)線、所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元，以及形成在所述陣列基板上的取向膜；其中，所述像素單元包括薄膜晶體管、第一電極和設(shè)有狹縫的第二電極；所述第二電極的狹縫方向與所述數(shù)據(jù)線方向呈第一非零預(yù)設(shè)角度，所述取向膜的摩擦方向與所述第二電極的狹縫方向呈第二非零預(yù)設(shè)角度，并且所述取向膜的摩擦方向與所述數(shù)據(jù)線方向所呈角度大于所述第二非零預(yù)設(shè)角度。本發(fā)明實(shí)施例適用于液晶顯示器的生產(chǎn)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102629058SQ201110460678
公開日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者樸承翊, 楊玉清, 石天雷, 莫再隆 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司