專利名稱：顯示裝置以及包含其的影像顯示系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置以及包含其的影像顯示系統(tǒng)，特別是關(guān)于一種具有可提升開口率的顯示裝置以及包含其的影像顯示系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(TFT)液晶顯示裝置的像素基板一般包含晶體管、儲(chǔ)存電容、像素電極、掃描線、資料線等元件。其中，儲(chǔ)存電容可維持驅(qū)動(dòng)液晶所需的電位，避免像素閃爍(flickering)、及對比不佳(low color contrast)等問題。請參照圖1，是為現(xiàn)有一下電極式薄膜晶體管液晶顯示裝置其像素基板50的剖面不意圖。該像素基板50包含一基板10 ;該基板10上形成有一柵極電極14以及一共通電極配線(common line) 12 ;一柵極絕緣層16形成于該柵極電極14以及該共通電極配線12之上；一通道層18形成于位于柵極電極14正上方的柵極絕緣層16之上；一對源極/漏極電極20形成于該通道層18兩側(cè)，以及一金屬橋接層22形成于該柵極絕緣層16之上；一保護(hù)層24順應(yīng)性形成于該源極/漏極電極20、該通道層18、以及該金屬橋接層22之上；一貫孔26貫穿該保護(hù)層24，并露出部分該金屬橋接層22的上面表；以及，一透明導(dǎo)電層28 (作為像素電極)形成于位于共通電極配線12正上方的保護(hù)層24之上，并填入該貫孔26中與該金屬橋接層22直接接觸。仍請參照圖1，該共通電極配線12、部分該透明導(dǎo)電層28、以及位于該共通電極配線12以及該透明導(dǎo)電層28之間的柵極絕緣層16與保護(hù)層24構(gòu)成一儲(chǔ)存電容(storage capacitor),其中該共通電極配線12作為該儲(chǔ)存電容的下電極,而該透明導(dǎo)電層28作為該儲(chǔ)存電容的上電極。一般來說法，為達(dá)到使用最少掩膜數(shù)目的工藝目的(該像素基板50是使用五道掩膜工藝)，該柵極電極14以及該共通電極配線12是對一第一金屬導(dǎo)電層使用同一道掩膜進(jìn)行圖形化后所定義出來。換言之，該共通電極配線12與該柵極電極14同樣由一不透明金屬導(dǎo)電層所成，如此一來儲(chǔ)存電容30所在區(qū)域無法使得背光源穿過，降低開口率以及影像亮度。此外，為當(dāng)提高影像解析度而縮小像素的整體尺寸時(shí)，像素的最大部分的面積應(yīng)該是用于配置像素電極，相對的，非顯示區(qū)域(例如儲(chǔ)存電容器所占的區(qū)域)使用的像素面積應(yīng)縮到最小，以維持像素的開口率。然而，為提高開口率而降低儲(chǔ)存電容器的尺寸，會(huì)使像素?zé)o法儲(chǔ)存必要的電容值，因此導(dǎo)致顯示器內(nèi)的像素閃爍、顏色對比不佳、及串音(cross-talk)的問題，進(jìn)而影響顯示器的性能表現(xiàn)。因此，如何能同時(shí)增加儲(chǔ)存電容器的容量且增加像素電極的面積(換言之，在不影響像素的開口率的情況下增加儲(chǔ)存電容器的容量)，是目前薄膜晶體管液晶顯示器工藝中一個(gè)非常重要的個(gè)課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種顯示裝置以及包含其的影像顯示系統(tǒng)，其具有提升開口率(aperture ratio)的顯示裝置。該顯示裝置是利用形成透明的儲(chǔ)存電容下電極，可在不增加整個(gè)工藝掩膜數(shù)量的前提下，提升像素區(qū)域的開口率。
該顯示裝置包含一薄膜晶體管，以及一儲(chǔ)存電容。其中該薄膜晶體管包含一通道。該儲(chǔ)存電容包含一透明金屬氧化電極，與該通道是由相同的材質(zhì)所構(gòu)成；及一像素電極，位于該透明金屬氧化電極上，且電性連接該薄膜晶體管。該影像顯示系統(tǒng)包含上述的顯示裝置及一輸入單元，該輸入單元與所述顯示裝置耦接，其中該輸入單元傳輸一信號至所述顯示裝置以產(chǎn)生影像。為使本發(fā)明的上述目的、特征能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下:


圖1是繪示現(xiàn)有像素基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2圖是為本發(fā)明一實(shí)施例所述的顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a_圖3i是為一系列剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明本發(fā)明圖2所述的顯示裝置的制造流程。圖4是為本發(fā)明另一實(shí)施例所述的顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5a_圖5c是為一系列剖面結(jié)構(gòu)不意圖,用以說明本發(fā)明另一實(shí)施例所述的顯不裝置的制造流程；圖6a_圖6d是為一系列剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明本發(fā)明其他實(shí)施例所述的顯示裝置的制造流程；圖7是繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的影像顯示系統(tǒng)方塊示意圖。附圖標(biāo)號:`10 基板；12 共通電極配線；14 柵極電極；16 柵極絕緣層；18 通道層；20 源極/漏極電極；22 金屬橋接層；24 保護(hù)層；26 貫孔；28 透明導(dǎo)電層；30 儲(chǔ)存電容；50 像素基板；100 顯示裝置；102 基板；104 第一金屬導(dǎo)電層；104A 第一接觸端；104B 柵極電極；105 膜薄晶體管；106 柵極絕緣層；108 透明金屬氧化層；108A 透明金屬氧化電極；108B 通道；110 第二金屬導(dǎo)電層；IlOA 第二接觸端；IlOB 源極電極/漏極電極；112 保護(hù)層；114 第一接觸窗；115 儲(chǔ)存電容；116 第二接觸窗；118 第三接觸窗；120 透明導(dǎo)電層；120A 透明連結(jié)層； 120B 像素電極；122 刻蝕停止層；150 顯示裝置；200 輸入單元；以及
300 影像顯示系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式以下將配合圖示，以說明根據(jù)本發(fā)明所提供的包含薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的顯示裝置。請參照圖2,是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的具有提升開口率(apertureratio)的顯示裝置100。該顯示裝置100包含一基板102,該基板102可為一透明或不透明基板，例如玻璃基板、陶瓷基板、或塑膠基板；一第一接觸端104A、以及一柵極電極104B配置于該基板102的上表面，其中該第一接觸端104A與該柵極電極104B是由相同的材質(zhì)所構(gòu)成，換言之該第一接觸端104A與該柵極電極104B是由同一道掩膜對一第一金屬導(dǎo)電層(未圖示，即Ml)進(jìn)行圖化后所形成。該第一金屬導(dǎo)電層的材質(zhì)為導(dǎo)電金屬，適合的材料可為鑰(Mo)、鎢(W)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或其合金。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于該第一接觸端104A并非用來作為后續(xù)所形成的儲(chǔ)存電容的下電極，而只是用來提供后續(xù)形成的儲(chǔ)存電容下電極一共通電位(Vcom)，因此該第一接觸端104A可形成于顯示裝置100的像素區(qū)域以外的非像素區(qū)域內(nèi)，不影響到開口率；一柵極絕緣層106配置于該基板102之上，并覆蓋該柵極104B、及該第一接觸端104A。該柵極絕緣層106可為介電材料，例如氧化硅或氮化硅；一透明金屬氧化電極108A配置于該顯示裝置100像素區(qū)域內(nèi)的柵極絕緣層106之上，而一通道108B，配置于該柵極電極104B正上方的該柵極絕緣層106之上，其中該透明金屬氧化電極108A與該通道108B是由相同的材質(zhì)所構(gòu)成，換言之該透明金屬氧化電極108A與該通道108B是由同一道掩膜對一透明金屬氧化層進(jìn)行圖化后所形成。值得注意的是，傳統(tǒng)顯示裝置位于像素區(qū)域內(nèi)的儲(chǔ)存電容下電極是在形成柵極的工藝中同時(shí)形成，是由一不透明金屬材質(zhì)所構(gòu)成，因此會(huì)降低像素區(qū)域的開口率。反觀本發(fā)明，是以該透明金屬氧化電極108A作為后續(xù)所形成的儲(chǔ)存電容的下電極，由于本發(fā)明所述的透明金屬氧化電極108A所使用的材質(zhì)是為透明且導(dǎo)電的金屬氧化物(例如:氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鋅鋁(ZAO)、氧化鋅鎵(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化鋅(ZnO)或其迭層)，不會(huì)遮蔽背光源所發(fā)出的光，即使擴(kuò)大儲(chǔ)存電容所占的面積，亦完全不會(huì)影響到開口率。本發(fā)明的另一個(gè)特點(diǎn)在于，該透明金屬氧化電極108A與該通道108B是由同一道掩膜對一透明金屬氧化層進(jìn)行圖化后所形成，即該透明金屬氧化電極108A(作為儲(chǔ)存電容的下電極)是在形成薄膜晶體管105的通道108B時(shí)同時(shí)形成，并不需要額外沉積透明導(dǎo)電層或是使用其他的微影刻蝕步驟來形成，可降低整體顯示裝置的工藝復(fù)雜性；一源極電極及一漏極電極110B，分別配置于該通道108B的兩端的該柵極絕緣層106上，并與該通道108B接觸，以及一第二接觸端110A，配置于該柵極絕緣層106之上，其中該源極/漏極電極IlOB與該第二接觸端IlOA是由相同的材質(zhì)所構(gòu)成，換言的該源極/漏極電極IlOB與該第二接觸端IlOA是由同一道掩膜對一第二金屬導(dǎo)電層(未圖示，即M2)進(jìn)行圖化后所形成。該第二金屬導(dǎo)電層的材質(zhì)是為導(dǎo)電金屬，適合的材料可為鑰(Mo)、鎢(W)、招(Al)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或其合金。該柵極電極104B、該通道108B、該源極/漏極電極110B、以及位于該柵極電極104B與該通道108B間的柵極絕緣層106，是構(gòu)成一薄膜晶體管105，而該第二接觸端IlOA是用來與后續(xù)所形成的像素電極電性連結(jié)；一保護(hù)層112，配置于該柵極絕緣層106之上，并覆蓋該透明金屬氧化電極108A、該第二接觸端110A、該源極/漏極電極110B、以及該通道108B。該保護(hù)層112可為介電材料，例如氧化硅或氮化硅；一第一接觸窗114貫穿該柵極絕緣層106、及該保護(hù)層112，露出部分該第一接觸端104A的表面、一第二接觸窗116貫穿該保護(hù)層112，露出部分該透明金屬氧化電極108A的表面、以及一第三接觸窗118貫穿該保護(hù)層112，露出部分該第二接觸端IlOA的表面，其中該第一接觸窗114、第二接觸窗116、以及第三接觸窗118是以同一道掩膜對該保護(hù)層112進(jìn)行微影刻蝕后所形成；一透明連結(jié)層120A，配置于該保護(hù)層112之上，并填入該第一接觸窗114及該第二接觸窗116，以電性連結(jié)該第一接觸端104A及該透明金屬氧化電極108A ;—像素電極120B，配置于該透明金屬氧化電極108A正上方的該保護(hù)層112之上，并填入該第三接觸窗118，與該第二接觸端IlOA電性連結(jié)，其中該透明連結(jié)層120A與該像素電極120B是由相同的材質(zhì)所構(gòu)成，換言之，該透明連結(jié)層120A與該像素電極120B是由同一道掩膜對一透明導(dǎo)電層(未圖示)進(jìn)行圖化后所形成。該透明導(dǎo)電層可例如為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鋅鋁(ZAO)、氧化鋅鎵(GZO)或其迭層。值得注意的是，該像素電極120B、該透明金屬氧化電極108A、及位于該透明金屬氧化電極108A與該像素電極120B間的保護(hù)層112構(gòu)成一儲(chǔ)存電容115，而該像素電極120B作為該儲(chǔ)存電容115的上電極，而該位于該透明金屬氧化電極108A與該像素電極120B間的保護(hù)層112作為電容介電層。由上可知，本發(fā)明所述的顯示裝置100工藝僅需要五道微影刻蝕步驟，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可在不增加工藝復(fù)雜性的前提下，改善顯示裝置100的開口率。此外，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，由于該透明金屬氧化電極108A為一透明導(dǎo)電層且直接位于該像素電極120B的正下方，因此該像素電極120B可進(jìn)一步被設(shè)計(jì)為一梳形結(jié)構(gòu)，以與該透明金屬氧化電極108A構(gòu)成一邊緣電場驅(qū)動(dòng)模式(fringe-field switching)的電極陣列結(jié)構(gòu)，以增加顯示系統(tǒng)的可視角度。再者，根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例，該第一接觸窗114與該第二接觸窗116可構(gòu)成一單一的貫孔，貫穿該柵極絕緣層106、及該保護(hù)層112，同時(shí)露出部分該透明金屬氧化電極108A的表面、及該第第一接觸端的表面，而該透明連結(jié)層120A是填入該貫孔中，以電性連結(jié)該第一接觸端104A及該透明金屬氧化電極108A。請參閱圖3a至圖3i，是顯示本發(fā)明圖2所示的顯示裝置100其制造流程。在此用以說明的例子是為下柵極式的膜薄晶體管，然而根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例，本發(fā)明所述具有提升開口率(aperture ratio)的顯示裝置亦可采用上柵極式的膜薄晶體管。首先，請參照圖3a，提供一基板102，并在其上形成一第一金屬導(dǎo)電層104(不透明導(dǎo)電層)。接著，請參照圖3b，以一第一道微影刻蝕步驟對該第一金屬導(dǎo)電層104進(jìn)行圖形化，得到第一接觸端104A、以及柵極電極104B，換言之該第一接觸端104A、以及柵極電極104B是以相同材料并在同一工藝步驟中所同時(shí)形成。接著，請參照圖3c，順應(yīng)性形成一柵極絕緣層106于該基板102之上，并覆蓋該柵極絕緣層106 ;在形成該柵極絕緣層106之后，再順應(yīng)性形成一透明金屬氧化層108于該柵極絕緣層106之上。接著，請參照圖3d，以一第二道微影刻蝕步驟對該透明金屬氧化層108層進(jìn)行圖形化，得到透明金屬氧化電極108A(位于像素區(qū)域內(nèi))與通道108B(位于柵極電極104B的上方)，換言之該透明金屬氧化電極108A與通道108B是以相同材料并在同一工藝步驟中所同時(shí)形成。值得注意的是，該第二道微影刻蝕可采用背通道刻蝕(Back-Channel-Etched)的方式(搭配該柵極電極104B作為刻蝕罩幕)來圖形化該透明金屬氧化層108 (或同時(shí)圖形化一形成于圖形化該透明金屬氧化層108之上的刻蝕停止層(未圖示))。接著，請參照圖3e，順應(yīng)性形成一第二金屬導(dǎo)電層110于該柵極絕緣層106之上并覆蓋該透明金屬氧化電極108A與通道108B。接著，請參照圖3f，以一第三道微影刻蝕步驟對該第二金屬導(dǎo)電層110進(jìn)行圖形化，形成一第二接觸端IlOA以及源極電極/漏極電極110B(配置于該通道108B的兩端的該柵極絕緣層106上，并與通道108B接觸)，換言之該第二接觸端IlOA與源極電極/漏極電極IlOB是以相同材料并在同一工藝步驟中所同時(shí)形成。接著，請參照圖3g，順應(yīng)性形成一保護(hù)層112于該柵極絕緣層106之上，并覆蓋該透明金屬氧化電極108A、該第二接觸端110A、該源極/漏極電極110B、以及該通道108B。接著，請參照圖3h，以一第四道微影刻蝕步驟對該保護(hù)層112進(jìn)行刻蝕,分別形成一第一接觸窗114、一第二接觸窗116、以及一第三接觸窗118,其中該第一接觸窗114貫穿該柵極絕緣層106、及該保護(hù)層112，露出部分該第一接觸端104A的表面；該第二接觸窗116貫穿該保護(hù)層112，露出部分該透明金屬氧化電極108A的表面；以及，該第三接觸窗118貫穿該保護(hù)層112，露出部分該第二接觸端IlOA的表面。接著，請參照圖3i，順應(yīng)性形成一透明導(dǎo)電層120于該保護(hù)層112之上，并填入該第一接觸窗114、該第二接觸窗116、以及該第三接觸窗118之內(nèi)。最后，以一第五道微影刻蝕步驟對該透明導(dǎo)電層120進(jìn)行圖形化，形成一透明連結(jié)層120A與像素電極120B(換言的該透明連結(jié)層120A與像素電極120B是以相同材料并在同一工藝步驟中所同時(shí)形成)，其中該透明連結(jié)層120A，配置于該保護(hù)層112之上，并填入該第一接觸窗114及該第二接觸窗116，使得該第一接觸端104A及該透明金屬氧化電極108A藉由該透明連結(jié)層120A達(dá)到電性連結(jié)；而該像素電極120B配置于該透明金屬氧化電極108A正上方的該保護(hù)層112之上，并填入該第三接觸窗118，與該第二接觸端IlOA電性連結(jié)，得到圖2所示的顯示裝置100。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，在完成圖3e所述形成該第二金屬導(dǎo)電層110于該柵極絕緣層106之上的步驟后，當(dāng)以一第三道微影刻蝕步驟對該第二金屬導(dǎo)電層110進(jìn)行圖形化時(shí)，除了形成該第二接觸端IlOA以及該源極電極/漏極電極IlOB之外，更進(jìn)一步形成一第三接觸端110C(即該第二接觸端110A、源極電極/漏極電極110B、及第三接觸端IlOC是以相同材料并在同一工藝步驟中所同時(shí)形成)，并使得第三接觸端IlOC與該透明金屬氧化電極108A直接接觸。請參照圖4，形成該第三接觸端IlOC的目的在于藉由第三接觸端IlOC來改善后續(xù)所形成的透明連結(jié)層120A與源極電極/漏極電極IlOB之間的導(dǎo)電性，如此一來可降低由第一接觸端104A的接觸阻值。此外，根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例，該第二道微影刻蝕亦可由基板的上表面(形成該第一金屬導(dǎo)電層104的表面)側(cè)來進(jìn)行曝光，形成該透明金屬氧化電極108A與通道108B。此時(shí)，請參照圖5a，為避免在后續(xù)移除部分形成在通道108B表面上的第二金屬導(dǎo)電層110的步驟中造成對通道108B的損害(會(huì)導(dǎo)致薄膜晶體管穩(wěn)定性下降)，可在形成該第二金屬導(dǎo)電層110前，形成一刻蝕停止層122于該通道108B之上(可利用一第六道微影刻蝕來形成該刻蝕停止層122)。之后，請參照圖5b，再對該第二金屬導(dǎo)電層108進(jìn)行微影刻蝕步驟，得到該第二接觸端IlOA與源極電極/漏極電極110B。接著，再進(jìn)行圖3g至圖3i所述的步驟，得到圖5c所示的顯示裝置100。再者，根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例，為避免對第二金屬導(dǎo)電層110進(jìn)行圖形化時(shí)造成對通道108B的損害，再形成該柵極絕緣層106之后，可以將形成該第二接觸端IlOA以及源極電極/漏極電極IlOB步驟提前，亦即在完成該第二金屬導(dǎo)電層110的圖形化后再形成通道108B。請參照圖6a，形成該第二金屬導(dǎo)電層110于該柵極絕緣層106之上，接著對該第二金屬導(dǎo)電層110進(jìn)行圖形化，形成第二接觸端IlOA以及源極電極/漏極電極110B，請參照圖6b。接著，形成該透明金屬氧化層108，并對該透明金屬氧化層108進(jìn)行圖形化，形成該明金屬氧化電極108A及通道108B，請參照圖6c，其中通道108B形成于源極電極/漏極電極IlOB之間，并與源極電極/漏極電極IlOB接觸。接著，在進(jìn)行圖3g至圖3i所述的步驟，得到圖6d所示的顯示裝置100。綜上所述，本發(fā)明所述的顯示裝置是使用透明氧化物來作為儲(chǔ)存電容的下電極，因此即使增加儲(chǔ)存電容所占的面積亦不會(huì)影響到像素的開口率。此外，本發(fā)明所述的透明儲(chǔ)存電容下電極是在形成該通道的步驟中同時(shí)形成，不需要多一道微影刻蝕步驟來形成該透明儲(chǔ)存電容下電極，因此并不會(huì)增加工藝復(fù)雜性。再者，本發(fā)明是使用一透明連結(jié)層來使該透明儲(chǔ)存電容下電極與共通電極配線(common line、即第一接觸端)達(dá)到電性連結(jié),而該透明連結(jié)層是在形成該像素電極的步驟中同時(shí)形成，因此不需要使用額外的微影刻蝕步驟來定義該透明連結(jié)層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的顯示裝置，可在不增加工藝復(fù)雜性的前提下(同樣為五道微影刻蝕步驟)，改善像素的開口率，且不需要更動(dòng)常規(guī)的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。圖7是繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的影像顯示系統(tǒng)300方塊示意圖，其可實(shí)施于一電子裝置，例如筆記型電腦、移動(dòng)電話、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、桌上型電腦、電視機(jī)、車用顯示器、或攜帶式數(shù)字影音光碟播放器。本發(fā)明所述的影像顯示系統(tǒng)300，包含顯示裝置100和輸入單元200。該輸入單元200耦接至顯示裝置100，用以提供輸入信號(例如，影像信號)至顯示裝置100以產(chǎn)生影像。顯示裝置100可是液晶顯示器、有機(jī)激發(fā)光顯不器等。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為基準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于，所述的顯示裝置包括: 一薄膜晶體管，包含: 一通道；及 一儲(chǔ)存電容，包含: 一透明金屬氧化電極，與所述通道由相同的材質(zhì)所構(gòu)成 '及 一像素電極，位于所述透明金屬氧化電極上，且電性連接所述薄膜晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述透明金屬氧化電極與所述通道配置于同一層上。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述透明金屬氧化電極與所述通道由同一道掩膜對一透明金屬氧化層進(jìn)行圖案化后所形成。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述透明金屬氧化層包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦錫鋅、氧化鋅鋁、氧化鋅鎵、或其迭層。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述影像顯示裝置更包含一第一接觸端，所述第一接觸端電性連接所述透明金屬氧化電極。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管更包含一柵極電極，所述柵極電極與所述第一接觸端由相同的材質(zhì)所構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述柵極電極與所述第一接觸端配置于同一層上。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述柵極電極與所述第一接觸端由同一道掩膜對一第一金屬導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化后所形成。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素電極為一梳形結(jié)構(gòu)，并與所述透明金屬氧化電極構(gòu)成一邊緣電場驅(qū)動(dòng)模式的電極陣列結(jié)構(gòu)。
10.一種影像顯示系統(tǒng)，其特征在于，所述的影像顯示系統(tǒng)包含: 權(quán)利要求1所述的顯示裝置；以及 一輸入單元，與所述顯示裝置耦接，其中所述輸入單元傳輸一信號至所述顯示裝置以廣生影像。
11.如權(quán)利要求10所述的影像顯示系統(tǒng)，其特征在于，所述影像顯示系統(tǒng)為移動(dòng)電話、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、車用顯示器、或攜帶式數(shù)字影音光碟播放器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置及包含其的影像顯示系統(tǒng)。該顯示裝置包含一薄膜晶體管，以及一儲(chǔ)存電容。其中該薄膜晶體管包含一通道。該儲(chǔ)存電容包含一透明金屬氧化電極，與該通道由相同的材質(zhì)所構(gòu)成；及一像素電極，位于該透明金屬氧化電極上，且電性連接該薄膜晶體管。
文檔編號G02F1/1368GK103186002SQ201110443879
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月27日
發(fā)明者勒米殊·卡卡德, 張靜潮 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司