專利名稱：一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯示裝置。
技術(shù)背景
圖1所示為現(xiàn)有的液晶顯示器陣列基板的一個(gè)Layout示意圖，在制作液晶顯示器陣列基板的過程中，由于機(jī)臺(tái)和制程的偏差，容易在不同的曝光位置出現(xiàn)薄膜晶體管的漏極相對(duì)于柵極的偏移，因此會(huì)導(dǎo)致在基板不同位置的薄膜晶體管的柵極和漏極的重疊面積不一致，即產(chǎn)生了不同的寄生電容Cgd。如圖2所示，寄生電容Cgdl和Cgd2分別是圖1中薄膜晶體管11和薄膜晶體管22對(duì)應(yīng)的寄生電容，由于曝光機(jī)臺(tái)和制程的精度問題，會(huì)出現(xiàn) Cgdl Φ Cgd2的現(xiàn)象，使得不同的像素之間灰度顯示不均勻，進(jìn)而導(dǎo)致液晶顯示器出現(xiàn)亮度不均勻、閃光等顯示缺陷。發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述狀況，有必要提供一種顯示效果好的像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯示裝置。
一種像素結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)像素區(qū)域，所述每個(gè)像素區(qū)域設(shè)有一個(gè)像素電極，以及至少包括一對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管，所述每對(duì)第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置，兩者的漏極均與所述像素電極電性連接。所述第一薄膜晶體管的漏極跟閘極之間疊交，所述第二薄膜晶體管的漏極跟間極之間疊交，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的漏極圖形和間距是恒定的，所述相對(duì)稱地設(shè)置是指兩薄膜晶體管的漏極均在內(nèi)側(cè)，而其源極則均在外側(cè)；或兩薄膜晶體管的源極均在內(nèi)側(cè)，而其漏極則均在外側(cè)；這樣， 當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管的漏極跟間極之間疊交面積減少或增加時(shí)，第二薄膜晶體管的漏極跟閘極之間疊交的面積相應(yīng)增加或減少，以保證兩者疊交面積恒定。
優(yōu)選的，所述每對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管的漏極相互對(duì)置，形成所述第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置。此為兩薄膜晶體管的漏極均在內(nèi)側(cè)，而其源極則均在外側(cè)的情況。
優(yōu)選的，所述每對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管的源極相互對(duì)置，形成所述第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置。此為兩薄膜晶體管的源極均在內(nèi)側(cè)，而其漏極則均在外側(cè)的情況。
優(yōu)選的，所述每個(gè)像素區(qū)域設(shè)有一對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管。
優(yōu)選的，所述每第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管位于所述像素區(qū)域的同一側(cè)。
優(yōu)選的，所述每第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管在所述像素區(qū)域內(nèi)呈對(duì)角排布。
一種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，所述陣列基板包括上述的一種像素結(jié)構(gòu)；所述每條數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線跟所述像素結(jié)構(gòu)的第一薄膜晶體管的源極連接，所述第二數(shù)據(jù)線跟所述像素結(jié)構(gòu)的第二薄膜晶體管的源極連接，所述像素結(jié)構(gòu)的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極共用一條掃描線。
一種液晶顯示裝置，包括上述的一種陣列基板。
上述液晶顯示裝置的每個(gè)像素結(jié)構(gòu)均包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，由于該第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置，使得在實(shí)際制造過程中，每一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的總寄生電容不會(huì)因?yàn)槠毓鈾C(jī)臺(tái)和制程的精度問題而產(chǎn)生變化。如此，可使得液晶顯示裝置的每個(gè)像素結(jié)構(gòu)的總寄生電容相等，從而克服因數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的缺陷產(chǎn)生的顯示不良的問題，進(jìn)而達(dá)到較好的顯示效果。


圖1是現(xiàn)有的一種陣列基板的平面示意圖2是圖1所示的現(xiàn)有的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)中薄膜晶體管的漏極和閘極之間的寄生電容的平面示意圖3是本發(fā)明較佳實(shí)施的一種陣列基板的的平面示意圖4是圖3所示的薄像素結(jié)構(gòu)中薄膜晶體管的漏極和閘極之間的寄生電容的平面示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的一種液晶顯示裝置作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
請(qǐng)參見圖3，本發(fā)明的較佳實(shí)施例所示的一種液晶顯示裝置(TFT-IXD) 100，其可為一具有高分彭爭(zhēng)率(high resolution)禾口/或具有高顯示頻率(high display frequency) 的液晶顯示器。該液晶顯示裝置100包括一種陣列基板，所述陣列基板包括一種像素結(jié)構(gòu)， 以及若干數(shù)據(jù)線和若干掃描線及若干像素結(jié)構(gòu)10，每條數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線。
所述像素結(jié)構(gòu)包括多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域設(shè)有一個(gè)像素電極，以及至少包括一對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管，每對(duì)第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置，兩者的漏極均與所述像素電極電性連接，所述第一數(shù)據(jù)線跟所述像素結(jié)構(gòu)的第一薄膜晶體管的源極連接，所述第二數(shù)據(jù)線跟所述像素結(jié)構(gòu)的第二薄膜晶體管的源極連接， 所述像素結(jié)構(gòu)的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極共用一條掃描線。所述相對(duì)稱地設(shè)置是指兩薄膜晶體管的漏極均在內(nèi)側(cè)，而其源極則均在外側(cè)；或兩薄膜晶體管的源極均在內(nèi)側(cè)，而其漏極則均在外側(cè)；這樣，當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管的漏極跟間極之間疊交面積減少或增加時(shí)，第二薄膜晶體管的漏極跟間極之間疊交的面積相應(yīng)增加或減少，以保證兩者疊交面積恒定。
具體來(lái)說，每對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管的漏極相互對(duì)置，形成所述第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置。當(dāng)然，也可以采取每對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管的源極相互對(duì)置，形成所述第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置。
所述每第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管可以位于所述像素區(qū)域的同一側(cè)；也可以在所述像素區(qū)域內(nèi)呈對(duì)角排布。
第一薄膜晶體管的漏極跟閘極之間疊交，第二薄膜晶體管的漏極跟閘極之間疊交，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的漏極圖形和間距是恒定的，相對(duì)設(shè)置使得當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管的漏極跟間極之間疊交面積減少或增加時(shí)，第二薄膜晶體管的漏極跟間極之間疊交的面積相應(yīng)增加或減少，以保證兩者疊交面積恒定。
下面以每個(gè)像素區(qū)域設(shè)有一對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管為例進(jìn)行說明， 進(jìn)一步闡述本發(fā)明構(gòu)思。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線的數(shù)量為2根，分別標(biāo)記DAl和DA2，掃描線的數(shù)量為3根，分別標(biāo)記GA1、GA2和GA3。
該數(shù)據(jù)線DAl和DA2均包括兩條子數(shù)據(jù)線，即第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，其中數(shù)據(jù)線DAl包括第一數(shù)據(jù)線DAll及第二數(shù)據(jù)線DA12 ；數(shù)據(jù)線DA2包括第一數(shù)據(jù)線DA21及第二數(shù)據(jù)線DA22。該子數(shù)據(jù)線DAll及DA12在兩條數(shù)據(jù)線DAl和DA2的A-A區(qū)(A-A區(qū)指的是兩條數(shù)據(jù)線DAl和DA2之間的中心線)外連接在一起。同理，該子數(shù)據(jù)線DA21及DA22在兩條數(shù)據(jù)線DAl和DA2的A-A區(qū)外也連接在一起。如此，即使有其中一條子數(shù)據(jù)線斷路的話， 數(shù)據(jù)信號(hào)可以通過繞道的方式實(shí)現(xiàn)自動(dòng)修復(fù)，以便像素結(jié)構(gòu)10始終能獲取該數(shù)據(jù)線DAl傳送的電信號(hào)。
每一像素結(jié)構(gòu)10包括一個(gè)像素電極15、一個(gè)第一薄膜晶體管Ql及一個(gè)第二薄膜晶體管Q2。該第一薄膜晶體管Ql及第二薄膜晶體管Q2相對(duì)稱地設(shè)置于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)， 為兼顧液晶顯示器的面板的開口率，該第一薄膜晶體管Ql和第二薄膜晶體管Q2的尺寸均為通用的薄膜晶體管尺寸的一半。可以理解，該第一薄膜晶體管Ql和第二薄膜晶體管Q2 的具體尺寸也可以依據(jù)液晶顯示器的面板的尺寸而作相應(yīng)設(shè)計(jì)，例如，當(dāng)該像素結(jié)構(gòu)10應(yīng)用于大尺寸的液晶顯示器的面板時(shí)，可以相應(yīng)的增大第一薄膜晶體管Ql和第二薄膜晶體管Q2的尺寸。
下面具體說明該像素結(jié)構(gòu)10的具體結(jié)構(gòu)，該第一薄膜晶體管Ql包括源極Si、柵極Gl及漏極D1，該第二薄膜晶體管Q2包括源極S2、柵極G2及漏極D2。該第一薄膜晶體管Ql的源極Sl電性連接于數(shù)據(jù)線DAl的子數(shù)據(jù)線DAll，柵極Gl電性連接于掃描線GAl， 漏極Dl電性連接于像素電極15，該柵極Gl和漏極Dl之間形成寄生電容Cgdl。該第二薄膜晶體管Q2的源極S2電性連接于數(shù)據(jù)線DAl的子數(shù)據(jù)線DA12，柵極G2電性連接于掃描線 GA1，即與柵極Gl電性連接，漏極D2電性連接于像素電極15，該柵極G2和漏極D2之間形成寄生電容Cgd2。該寄生電容Cgdl、Cgd2之和為該像素結(jié)構(gòu)10的總寄生電容Cgd，即Cgd =Cgdl+Cgd2。
下面結(jié)合圖4說明該像素結(jié)構(gòu)10的設(shè)計(jì)原理，在理論設(shè)計(jì)階段，該寄生電容 Cgdl和寄生電容Cgd2相等。在實(shí)際制造液晶顯示器的光罩制程中，如果半導(dǎo)體電層 (Semiconductor Electrode layer, SE)層相對(duì)于柵極電層(Gate Electrode layer, GE) 向左偏移，會(huì)致使寄生電容Cgdl減小ΔΧ，然而，由于第一薄膜晶體管Ql與第二薄膜晶體管Q2相對(duì)稱地設(shè)置，故寄生電容Cgd2也相應(yīng)的增加Δ X，此時(shí)該像素結(jié)構(gòu)10的總寄生電容 Cgd仍然維持不變，即Cgd = Cgdl-AX+Cgd2+AX0同理，如果半導(dǎo)體電層(Semiconductor Electrode layer, SE)層相對(duì)于柵極電層(Gate Electrode layer, GE)向右偏移，會(huì)致使寄生電容Cgdl增大ΔΧ，而寄生電容Cgd2也相應(yīng)的減少Δ X，此時(shí)該像素結(jié)構(gòu)10的總寄生電容Cgd仍然維持不變，即Cgd = Cgdl+AX+Cgd2_AX。顯然，由于第一薄膜晶體管Ql與第二薄膜晶體管Q2相對(duì)稱地設(shè)置，即便在制造過程中，該像素結(jié)構(gòu)10的總寄生電容Cgd也不會(huì)曝光機(jī)臺(tái)和制程的精度問題而變化。
同時(shí)，由于本案的像素結(jié)構(gòu)10具有第一薄膜晶體管Ql和第二薄膜晶體管Q2，該第一薄膜晶體管Ql的源極Sl電性連接于數(shù)據(jù)線DAl的子數(shù)據(jù)線DA11，該第二薄膜晶體管Q2 的源極S2電性連接于數(shù)據(jù)線DAl的子數(shù)據(jù)線DA12，且子數(shù)據(jù)線DAl 1與子數(shù)據(jù)線DA12相互連接，并均屬于同一數(shù)據(jù)線DAl。故當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管Ql和第二薄膜晶體管Q2中的任意一個(gè)壞掉后，另一個(gè)仍然可以通過子數(shù)據(jù)線DAll或DA12傳送的信號(hào)維持工作，以便該像素結(jié)構(gòu)10繼續(xù)工作。
綜上所述，本發(fā)明的液晶顯示裝置100的每個(gè)像素結(jié)構(gòu)10均包括第一薄膜晶體管 Ql和第二薄膜晶體管Q2，由于該第一薄膜晶體管Ql和第二薄膜晶體管Q2相對(duì)稱地設(shè)置， 使得在實(shí)際制造過程中，每一個(gè)像素結(jié)構(gòu)10的總寄生電容Cgd不會(huì)因?yàn)槠毓鈾C(jī)臺(tái)和制程的精度問題而產(chǎn)生變化。如此，可以維持液晶顯示裝置100的每個(gè)像素結(jié)構(gòu)10的總寄生電容 Cgd相等，從而克服因數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的缺陷產(chǎn)生的顯示不良的問題，不會(huì)出現(xiàn)亮度不均勻、閃光等顯示缺陷，以此達(dá)到較佳的顯示效果。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)像素區(qū)域，所述每個(gè)像素區(qū)域設(shè)有一個(gè)像素電極；其特征在于，所述每個(gè)像素區(qū)域包括至少一對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管，所述每對(duì)第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置，兩者的漏極均與所述像素電極電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管的漏極相互對(duì)置，形成所述第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管的源極相互對(duì)置，形成所述第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1所述的一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每個(gè)像素區(qū)域僅設(shè)有一對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管。
5.如權(quán)利要求4所述的一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管位于所述像素區(qū)域的同一側(cè)。
6.如權(quán)利要求4所述的一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管在所述像素區(qū)域內(nèi)呈對(duì)角排布。
7.—種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，其特征在于，所述陣列基板包括如權(quán)利要求1 6任一所述的一種像素結(jié)構(gòu)；所述每條數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線跟所述像素結(jié)構(gòu)的第一薄膜晶體管的源極連接，所述第二數(shù)據(jù)線跟所述像素結(jié)構(gòu)的第二薄膜晶體管的源極連接，所述像素結(jié)構(gòu)的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極共用一條掃描線。
8.一種液晶顯示裝置，包括如權(quán)利要求7所述的一種陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯示裝置。一種像素結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)像素區(qū)域，所述每個(gè)像素區(qū)域設(shè)有一個(gè)像素電極，以及至少包括一對(duì)第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管，所述每對(duì)第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置，兩者的漏極均與所述像素電極電性連接。上述液晶顯示裝置的每個(gè)像素結(jié)構(gòu)均包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，由于該第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管相對(duì)稱地設(shè)置，使得在實(shí)際制造過程中，每一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的總寄生電容不會(huì)因?yàn)槠毓鈾C(jī)臺(tái)和制程的精度問題而產(chǎn)生變化。如此，可使得液晶顯示裝置的每個(gè)像素結(jié)構(gòu)的總寄生電容相等，從而克服因數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的缺陷產(chǎn)生的顯示不良的問題，進(jìn)而達(dá)到較好的顯示效果。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102520555SQ201110396139
公開日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2011年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月2日
發(fā)明者王金杰, 賈沛 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司