專利名稱：硅基梯度折射率透鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅基梯度折射率透鏡。
背景技術(shù)：
梯度折射率透鏡作為重要的微光學(xué)元件，其尺寸為微米到毫米量級(jí)，是普通光學(xué)不可取代的特殊元件，它是由不同折射率的非均勻介質(zhì)材料制備成的微透鏡或透鏡陣列，其折射率分布剖面分為徑向、軸向和球向的非線性曲線。根據(jù)梯度折射率透鏡所具有的特殊性能，梯度折射率透鏡不僅可應(yīng)用于微光學(xué)成像器件，如傳真機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃描儀以及醫(yī)用和工業(yè)內(nèi)窺鏡等多種微小圖像傳感器，并且在光通信領(lǐng)域，作為光學(xué)有源和無(wú)源器件的核心組成部分，在光準(zhǔn)直器、互連器、隔離器、光濾波器、光開(kāi)關(guān)、以及光纖耦合器等方面具有廣泛的應(yīng)用。當(dāng)前，在光電信息領(lǐng)域使用的梯度折射率透鏡主要采用離子交換法或溶膠凝膠法，由于制備的梯度折射率透鏡僅適用于單一器件的封裝，并且封裝尺寸較大，難于用于娃基光電子集成技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是提供一種硅基梯度折射率透鏡，這種硅基梯度折射率透鏡可用于娃基光電子集成技術(shù)。本發(fā)明提供一種硅基梯度折射率透鏡，包括硅基基體，在硅基基體上形成梯度折射率透鏡。所說(shuō)的硅基梯度折射率透鏡具有納米尺寸多孔結(jié)構(gòu)。所述的梯度折射率透鏡基體材料為單晶硅。本發(fā)明采用硅基基體作為透鏡基體，且在硅基基體上形成梯度折射率透鏡，可用于娃基光電子集成技術(shù)。


圖1為本發(fā)明提出的硅基梯度折射率透鏡結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)方案進(jìn)一步說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1，本技術(shù)方案提供一種硅基梯度折射率透鏡10，其包括一預(yù)定形狀的透鏡基體11 ;以及所述透鏡基體由納米孔構(gòu)成12，使其折射率具有透鏡的梯度折射率分布。下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)各步驟進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。步驟(I)，提供一預(yù)定形狀的透鏡基體11。所述透鏡基體11的材料由單晶硅構(gòu)成，并且其晶格取向?yàn)?110)。步驟(2)，所述透鏡基體由納米孔構(gòu)成12。本實(shí)施例中，將步驟(I)透鏡基體10置于化學(xué)腐蝕裝置上，所采用的腐蝕液為氫氟酸和硫酸混合液。步驟(3)，按照步驟(I)和步驟(2)，通過(guò)改變電流強(qiáng)度和腐蝕時(shí)間，從而控制納米孔尺寸(以形成所述梯度折射率透鏡10。
權(quán)利要求
1.一種硅基梯度折射率透鏡，其特征是:包括硅基基體，在硅基基體上形成梯度折射率透鏡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述硅基梯度折射率透鏡，其特征是:所說(shuō)的硅基梯度折射率透鏡具有納米尺寸多孔結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述硅基梯度折射率透鏡，其特征是:所述硅基基體材料為單晶娃。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種硅基梯度折射率透鏡，包括硅基基體，在硅基基體上形成梯度折射率透鏡。本發(fā)明采用硅基基體作為透鏡基體，且在硅基基體上形成梯度折射率透鏡，可用于硅基光電子集成技術(shù)。
文檔編號(hào)G02B3/00GK103116195SQ20111036571
公開(kāi)日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日
發(fā)明者呂昊 申請(qǐng)人:孝感學(xué)院