專利名稱：一種半導體曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導體曝光方法。
背景技術(shù)：
光刻技術(shù)(Lithograph)是實現(xiàn)集成電路圖案的關(guān)鍵工藝技術(shù)。在光刻技術(shù)中，將感光材料(光刻膠)涂覆于基底的薄膜上，采用與光刻膠感光特性相應的波段的光，透過具有特定圖案的掩膜板照射至光刻膠表面，經(jīng)顯影后形成與掩膜板上的圖案相對應的光刻膠圖形。在集成電路的后續(xù)工藝中，以此光刻膠圖形作為阻擋層對其下的薄膜進行選擇性刻蝕，便可以將掩膜板上的圖案完整地轉(zhuǎn)移到基底的薄膜上。集成電路的圖案線寬越細，要求光刻膠的成像分辨率越高，而光刻膠的成像分辨率與曝光光源的波長成反比，因此，縮小曝光光源的波長成為實現(xiàn)細線寬圖案的主要途徑。目前，曝光光源的種類包括近紫外光(Near Ultra-Violet, NUV)、中紫外光(Mid Ultra-Violet, MUV)、深紫外光(Deep Ultra-Violet, DUV)、X-光(X-Ray)等多種，其中， MUV具有相對成熟的工藝技術(shù)，能滿足大部分大規(guī)模集成電路及超大規(guī)模集成電路的制作， 然而MUV的波長在350nm 450nm之間，一次曝光的曝光劑量產(chǎn)生的能量很大，長時間作業(yè)后，產(chǎn)生的熱量容易損壞曝光鏡頭。針對此弊端，通常將一次曝光的曝光劑量分成兩次進行曝光，以減少對鏡頭的損傷。由于光刻機的程式設置使得依照同一個晶圓曝光圖不能進行連續(xù)兩次的曝光，根據(jù)晶圓曝光圖進行一次曝光之后，被光刻晶圓離開光刻機曝光平臺，進入曝光后烘烤的準備，若要完成剩下劑量的第二次曝光，必須使晶圓重新進入光刻機曝光平臺后，掩膜板完成對準(自動完成)后，晶圓按照同一個晶圓曝光圖進行剩余劑量的第二次曝光。這樣不連續(xù)的兩次曝光，對應兩次不同的套刻對準，兩次套刻對準不可能完全一樣，因此產(chǎn)生套刻對準的差異，對晶圓的光刻精度產(chǎn)生不良影響；另外，晶圓曝光后在較短的時間內(nèi)需要進行烘烤，由于完成曝光的多個晶圓一起進行烘烤，因此不連續(xù)的兩次曝光延長了完成曝光的時間，使得同時能夠進行一起烘烤的晶圓數(shù)目減少，降低了工藝制程的生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供了一種半導體曝光方法，以解決不連續(xù)的多次曝光造成光刻精度不良以及工藝制程降低的問題。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是提供了一種半導體曝光方法，包括根據(jù)原始晶圓曝光圖對半導體曝光區(qū)域進行原始曝光；建立與晶圓曝光圖對應的位移移動模塊，使所述晶圓曝光圖移動至與所述原始晶圓曝光圖相交；根據(jù)移動后的所述晶圓曝光圖對所述半導體曝光區(qū)域進行曝光。進一步的，建立與所述晶圓曝光圖對應的所述位移移動模塊，使所述晶圓曝光圖移動至與所述原始晶圓曝光圖重疊。進一步的，所述晶圓曝光圖為一個。
進一步的，所述晶圓曝光圖為多個。進一步的，多個所述晶圓曝光圖的圖形相同。進一步的，所述晶圓曝光圖的圖形與所述原始晶圓曝光圖的圖形相同。本發(fā)明提供的半導體曝光方法，利用與原始晶圓曝光圖位置不同的晶圓曝光圖， 通過移動晶圓曝光圖使其與原始晶圓曝光圖相交，之后通過移動后的所述晶圓曝光圖對半導體曝光區(qū)域進行曝光，所進行的曝光與原始曝光連續(xù)，被曝光對象無需移出光刻機曝光平臺再進入進行曝光，避免了再次對準操作帶來的誤差并且節(jié)省了對準所需要的時間，保證了多次曝光時最高的對準精度；此外，通過分別設置原始晶圓曝光圖和晶圓曝光圖的調(diào)整參數(shù)，使得整個曝光圖形的質(zhì)量更好。


圖1是本發(fā)明實施例提供的半導體曝光方法的步驟流程圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的光刻機臺曝光程式的界面示意圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的一種半導體曝光方法作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種半導體曝光方法，利用與原始晶圓曝光圖位置不同的晶圓曝光圖，通過移動晶圓曝光圖使其與原始晶圓曝光圖相交，之后通過移動后的所述晶圓曝光圖對半導體曝光區(qū)域進行曝光，所進行的曝光與原始曝光連續(xù)，被曝光對象無需移出光刻機曝光平臺再進入進行曝光，避免了再次對準操作帶來的誤差并且節(jié)省了對準所需要的時間，保證了多次曝光時最高的對準精度；此外，通過分別設置原始晶圓曝光圖和晶圓曝光圖的調(diào)整參數(shù)，使得整個曝光圖形的質(zhì)量更好。圖1是本發(fā)明實施例提供的半導體曝光方法的步驟流程圖。參照圖1，提供了一種半導體曝光方法的方法，包括S11、根據(jù)原始晶圓曝光圖對半導體曝光區(qū)域進行原始曝光；S12、建立與晶圓曝光圖對應的位移移動模塊，使所述晶圓曝光圖移動至與所述原始晶圓曝光圖相交；S13、根據(jù)移動后的所述晶圓曝光圖對所述半導體曝光區(qū)域進行曝光。下面將結(jié)合圖2對本發(fā)明的半導體曝光方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。圖2為本發(fā)明實施例提供的光刻機臺曝光程式的界面示意圖。參見圖2并結(jié)合步驟S11，根據(jù)光刻機臺曝光程式界面20的原始晶圓曝光圖21對半導體曝光區(qū)域進行原始曝光，所使用的光劑量為整個曝光需要使用的光劑量的一部分，在本實施例中，原始曝光所使用的曝光劑量為總曝光劑量的一半。根據(jù)光刻機機臺曝光程式設置，在同一位置不能進行連續(xù)曝光，需要使被曝光對象在每次曝光之間先移出光刻機曝光平臺之后再進入進行曝光，根據(jù)步驟S12，建立與晶圓曝光圖22對應的位移移動模塊，使所述晶圓曝光圖22移動至與所述原始晶圓曝光圖21相交的位置，在本實施例中，所述晶圓曝光圖22移動方向如圖2中箭頭所指，移動至與所述原始晶圓曝光圖21重疊，即移動后的晶圓曝光圖22的位置為原始晶圓曝光圖21的位置，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應該理解，所述晶圓曝光圖22不僅僅局限于實施例中的一個，還可以是相同或者相互不同的多個晶圓曝光圖，對應一個晶圓曝光圖22，那么完成整個晶圓曝光工藝，需要進行兩次連續(xù)曝光，即一次根據(jù)原始晶圓曝光圖21進行的原始曝光以及根據(jù)一個晶圓曝光圖22進行的曝光；對應多個晶圓曝光圖，則依次移動多個晶圓曝光圖至其均與與原始晶圓曝光圖21相交，再依次進行曝光，需要進行多個晶圓曝光圖對應的曝光以及根據(jù)與原始晶圓曝光圖21進行的原始曝光。在本實施例中，所述晶圓曝光圖22的圖形與所述原始晶圓曝光圖21的圖形相同， 以使前后兩次曝光對晶圓所需要曝光的區(qū)域相同，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應該理解，所述晶圓曝光圖22的圖形與所述原始晶圓曝光圖21的圖形可以不同，以滿足晶圓各個不同區(qū)域的曝光要求。參照步驟S13，根據(jù)移動后的所述晶圓曝光圖22對所述半導體曝光區(qū)域進行曝光，在本實施例中，所使用的曝光劑量為曝光總劑量的一半，與原始曝光劑量相同，當然，在其他的實施例中，還可以通過多個晶圓曝光圖22通過多次完成整體曝光，所使用的曝光劑量也分多次進行工作。通過多次曝光完成的曝光圖形曝光的精度更高。通過對晶圓曝光圖22的移動使其對晶圓再次曝光前無需移動晶圓，保證了最高的對準精度，建立位移移動模塊改變光刻機機臺曝光程式，使機臺在完成曝光的過程中無需遵從未改變前的在同一位置曝光時，晶圓需要移出光刻機曝光平臺。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導體曝光方法，其特征在于，包括根據(jù)原始晶圓曝光圖對半導體曝光區(qū)域進行原始曝光；建立與晶圓曝光圖對應的位移移動模塊，使所述晶圓曝光圖移動至與所述原始晶圓曝光圖相交；根據(jù)移動后的所述晶圓曝光圖對所述半導體曝光區(qū)域進行曝光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體曝光方法，其特征在于，建立與所述晶圓曝光圖對應的所述位移移動模塊，使所述晶圓曝光圖移動至與所述原始晶圓曝光圖重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體曝光方法，其特征在于，所述晶圓曝光圖為一個。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體曝光方法，其特征在于，所述晶圓曝光圖為多個。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體曝光方法，其特征在于，多個所述晶圓曝光圖的圖形相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體曝光方法，其特征在于，所述晶圓曝光圖的圖形與所述原始晶圓曝光圖的圖形相同。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導體曝光方法，包括根據(jù)原始晶圓曝光圖對半導體曝光區(qū)域進行原始曝光；建立與晶圓曝光圖對應的位移移動模塊，使所述晶圓曝光圖移動至與所述原始晶圓曝光圖相交；根據(jù)移動后的所述晶圓曝光圖對所述半導體曝光區(qū)域進行曝光。本發(fā)明提供的半導體曝光方法，移動后的所述晶圓曝光圖對半導體曝光區(qū)域進行曝光，所進行的曝光與原始曝光連續(xù)，被曝光對象無需移出光刻機曝光平臺再進入進行曝光，避免了再次對準操作帶來的誤差并且節(jié)省了對準所需要的時間，保證了多次曝光時最高的對準精度；此外，通過分別設置原始晶圓曝光圖和晶圓曝光圖的調(diào)整參數(shù)，使得整個曝光圖形的質(zhì)量更好。
文檔編號G03F7/20GK102360166SQ201110298579
公開日2012年2月22日 申請日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者孫賢波, 李鋼 申請人:上海宏力半導體制造有限公司