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輪廓投影儀之投影屏刻畫線的制作方法

文檔序號:2794290閱讀:345來源:國知局
專利名稱:輪廓投影儀之投影屏刻畫線的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及光學測量設備領域技術,尤其是指一種輪廓投影儀之投影屏刻畫線的制作方法。
背景技術
隨著科學技術的不斷進步以及工業(yè)化生產的飛速發(fā)展,人們能制造出更精密、更細小了產品,對這些精密細小的物品進行檢測,要求也越來越高,一般采用專業(yè)的輪廓投影儀進行測量?,F有之輪廓投影儀為坐標投影儀,其通常系于測量儀的投影屏上設置有坐標線,利用坐標線作為參照對產品進行測量。測量儀之投影屏上的坐標線由多個刻畫線組成,這些刻畫線通常系直接于投影屏上雕刻,然后描黑形成。上述現有之投影屏刻畫線的制作方法雖然可提供使用者將刻畫線牢固設置于投影屏上的功效,并為人們測量產品提供了參照,具有進步性,然而,上述刻畫線的制作方法存在著以下缺陷由于上述刻畫線直接于投影屏上雕刻而成,一方面,使得投影屏玻璃容易損壞,另一方面,由于刻畫線較細,使用直接雕刻玻璃的方法會使得刻畫線的寬窄不容易控制,影響產品測量的精準度。

發(fā)明內容
有鑒于此,本發(fā)明針對現有技術存在之缺失,其主要目的是提供一種輪廓投影儀之投影屏刻畫線的制作方法,其能有效解決在制作現有輪廓投影儀之投影屏刻畫線時容易損壞玻璃且刻畫線寬窄不容易控制的問題。為實現上述目的,本發(fā)明采用如下之技術方案
一種輪廓投影儀之投影屏刻畫線的制作方法,包括的步驟有 (O于投影屏之毛玻璃面上鍍上一層不透光膜;
(2)于該不透光膜上涂覆一層顯影膠,并對顯影膠進行烘干處理;
(3)于顯影膠上蓋上坐標線模板,并使用紫外線對露出坐標線模板的顯影膠進行曝光處理,曝光處理后,在顯影膠上形成有曝光區(qū)和非曝光區(qū);
(4)取下坐標線模板,并對位于曝光區(qū)或非曝光區(qū)中的顯影膠進行清洗蝕刻,使得在不透光膜上形成有顯影膠刻畫層;
(5)對位于相鄰兩顯影膠刻畫層之間的不透光膜進行清洗蝕刻而形成有膜刻畫層,前述顯影膠刻畫層疊于該膜刻畫層的表面上;
(6)將顯影膠刻畫層清洗掉而形成刻畫線。作為一種優(yōu)選方案,所述不透光膜為鉻膜。作為一種優(yōu)選方案,所述坐標線模板上設置有透光區(qū),該透光區(qū)的大小與刻畫線的大小相當,在步驟(4)中,對位于非曝光區(qū)域的顯影膠進行清洗蝕刻。作為一種優(yōu)選方案,所述坐標線模板上設置有透光區(qū),該透光區(qū)的大小與相鄰兩刻畫線之間的區(qū)域大小相當,在步驟(4)中對位于曝光區(qū)域的顯影膠進行清洗蝕刻。本發(fā)明與現有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果,具體而言,由上述技術方案可知
一、通過利用膜刻畫層設置于毛玻璃面上形成投影屏刻畫線,取代了傳統(tǒng)之直接于投影屏上雕刻的方式,不會對投影 屏玻璃造成損壞,并且配合利用坐標線模板和紫外線對顯影膠進行曝光處理,然后對曝光區(qū)或非曝光區(qū)進行蝕刻,使得每個刻畫線的寬窄更加容易得到控制,利于保證刻畫線的一致性,提升對產品測量的精準度。二、通過配合利用坐標線模板和紫外線對顯影膠進行曝光處理,然后對曝光區(qū)或非曝光區(qū)進行蝕刻,可以使得刻畫線更加細微化,從而使得投影屏上之坐標線的描準性能更好。三、通過使用鉻膜作為不透光膜,利用鉻膜具有較好的耐磨性、抗氧化性和耐腐蝕性,使得刻畫線同樣具備較好的耐磨性、抗氧化性和耐腐蝕性,利于延長刻畫線的使用壽命O為更清楚地闡述本發(fā)明的結構特征和功效,下面結合附圖與具體實施例來對本發(fā)明進行詳細說明。


圖I是本發(fā)明之較佳實施例的正面示意 圖2是本發(fā)明之較佳實施例制作過程中的第一狀態(tài)示意 圖3是本發(fā)明之較佳實施例制作過程中的第二狀態(tài)示意 圖4是本發(fā)明之較佳實施例制作過程中的第三狀態(tài)示意 圖5是本發(fā)明之較佳實施例制作過程中的第四狀態(tài)示意 圖6是本發(fā)明之較佳實施例制作過程中的第五狀態(tài)示意 圖7是本發(fā)明之較佳實施例制作過程中的第六狀態(tài)示意圖。附圖標識說明
10、投影屏20、刻畫線
30、不透光膜31、膜刻畫層
40、顯影膠41、顯影膠刻畫層
50、坐標線模板51、透光區(qū)。
具體實施例方式請參照圖I至圖7所示,其顯示出了本發(fā)明之較佳實施例的具體結構,包括有投影屏10,該投影屏10之毛玻璃面上的縱向和橫向方向上均設置有多個刻畫線20,該多個刻畫線20單獨由一膜刻畫層31組成,該膜刻畫層21用于起到遮光的作用。詳述本發(fā)明的制作方法如下,包括的步驟有
(I)如圖2所示,于投影屏10的的毛玻璃面上鍍上一層不透光膜30,該不透光膜30為鉻膜,當然亦可為其他不透光膜,使用鉻膜作為不透光膜系因為鉻膜具有較好的耐磨性、抗氧化性和耐腐蝕性。(2)如圖3所示,在該不透光膜上涂覆一層顯影膠40,并對顯影膠40進行烘干處理。(3)如圖4所示,在顯影膠40上蓋上坐標線模板50,該坐標線模板50上設置有透光區(qū)51,該透光區(qū)51的大小與相鄰兩刻畫線20之間的區(qū)域大小相當,接著,使用紫外線對露出透光區(qū)51的顯影膠40進行曝光處理,曝光處理后,在顯影膠40上形成有曝光區(qū)和非曝光區(qū),位于曝光區(qū)上之顯影膠的特性與位于非曝光區(qū)上之顯影膠的特性不相同,可使用不同的藥水對它們進行清洗蝕刻。(4)如圖5所示,取下坐標線模板50,并使用藥水A對位于曝光區(qū)中的顯影膠40進行清洗蝕刻,使得在不透光膜30上形成有顯影膠刻畫層41 ;在本實施例中,該不透光膜30上形成有多個間隔并排設置的顯影膠刻畫層41。
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(5)如圖6所示,使用藥水B對位于相鄰兩顯影膠刻畫層41之間的不透光膜30進行清洗蝕刻而形成有膜刻畫層31,前述顯影膠刻畫層41疊于該膜刻畫層31的表面上。(6)使用藥水C將顯影膠刻畫層41清洗掉而形成刻畫線20,該刻畫線20由膜刻畫層31單獨組成。使用時,光線透過投影屏10并從相鄰兩刻畫線20之間的區(qū)域射出,由于膜刻畫層31的遮光作用,使得光線不可從刻畫線20覆蓋的區(qū)域射出,形成坐標刻畫效果。需要特別說明的是上述坐標線模板50上的透光區(qū)51的大小亦可設置為與刻畫線20的大小相當,此時,應當在步驟(4)中,使用藥水A對位于非曝光區(qū)域的顯影膠40進行清洗蝕刻,以便形成顯影膠刻畫層41。本發(fā)明的設計重點在于首先,通過利用膜刻畫層設置于毛玻璃面上形成投影屏刻畫線,取代了傳統(tǒng)之直接于投影屏上雕刻的方式,不會對投影屏玻璃造成損壞,并且配合利用坐標線模板和紫外線對顯影膠進行曝光處理,然后對曝光區(qū)或非曝光區(qū)進行蝕刻,使得每個刻畫線的寬窄更加容易得到控制,利于保證刻畫線的一致性,提升對產品測量的精準度。其次,通過配合利用坐標線模板和紫外線對顯影膠進行曝光處理,然后對曝光區(qū)或非曝光區(qū)進行蝕刻,可以使得刻畫線更加細微化,從而使得投影屏上之坐標線的描準性能更好。再者,通過使用鉻膜作為不透光膜,利用鉻膜具有較好的耐磨性、抗氧化性和耐腐蝕性,使得刻畫線同樣具備較好的耐磨性、抗氧化性和耐腐蝕性,利于延長刻畫線的使用壽命。以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明的技術范圍作任何限制,故凡是依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何細微修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內。
權利要求
1.一種輪廓投影儀之投影屏刻畫線的制作方法,其特征在于包括的步驟有 (1)于投影屏之毛玻璃面上鍍上一層不透光膜; (2)于該不透光膜上涂覆一層顯影膠,并對顯影膠進行烘干處理; (3)于顯影膠上蓋上坐標線模板,并使用紫外線對露出坐標線模板的顯影膠進行曝光處理,曝光處理后,在顯影膠上形成有曝光區(qū)和非曝光區(qū); (4)取下坐標線模板,并對位于曝光區(qū)或非曝光區(qū)中的顯影膠進行清洗蝕刻,使得在不透光膜上形成有顯影膠刻畫層; (5)對位于相鄰兩顯影膠刻畫層之間的不透光膜進行清洗蝕刻而形成有膜刻畫層,前述顯影膠刻畫層疊于該膜刻畫層的表面上; (6)將顯影膠刻畫層清洗掉而形成刻畫線。
2.根據權利要求I所述的輪廓投影儀之投影屏刻畫線的制作方法,其特征在于所述不透光膜為鉻膜。
3.根據權利要求I所述的輪廓投影儀之投影屏刻畫線的制作方法,其特征在于所述坐標線模板上設置有透光區(qū),該透光區(qū)的大小與刻畫線的大小相當,在步驟(4)中,對位于非曝光區(qū)域的顯影膠進行清洗蝕刻。
4.根據權利要求I所述的輪廓投影儀之投影屏刻畫線的制作方法,其特征在于所述坐標線模板上設置有透光區(qū),該透光區(qū)的大小與相鄰兩刻畫線之間的區(qū)域大小相當,在步驟(4)中對位于曝光區(qū)域的顯影膠進行清洗蝕刻。
全文摘要
本發(fā)明公開一種輪廓投影儀之投影屏刻畫線的制作方法,包括的步驟有首先,于投影屏之毛玻璃面上鍍上不透光膜;接著,于不透光膜上涂覆顯影膠,并烘干;然后,蓋上坐標線模板,用紫外線對露出坐標線模板的顯影膠進行曝光處理;接著,取下坐標線模板,并對位于曝光區(qū)或非曝光區(qū)中的顯影膠進行清洗蝕刻,形成顯影膠刻畫層;然后,對不透光膜進行清洗蝕刻而形成有膜刻畫層;最后,將顯影膠刻畫層清洗掉;藉此,不會對投影屏玻璃造成損壞,配合利用坐標線模板和紫外線對顯影膠進行曝光處理,然后進行蝕刻,使得每個刻畫線的寬窄更加容易得到控制,利于保證刻畫線的一致性,提升對產品測量的精準度。
文檔編號G03B21/56GK102955346SQ20111024094
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月22日 優(yōu)先權日2011年8月22日
發(fā)明者巫孟良 申請人:廣東萬濠精密儀器股份有限公司
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