專利名稱：半透半反式液晶顯示器陣列基板、制造方法及液晶顯示屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半透半反式液晶顯示器陣列基板、制造方法及液晶顯示屏。
背景技術(shù)：
液晶顯示器具有低電壓、微功耗、顯示信息量大、易于彩色化等優(yōu)點，在當前的顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。其已被廣泛應(yīng)用于電子計算機、電子記事本、移動電話、攝像機、高清電視機等電子設(shè)備中。液晶顯示器最基本的構(gòu)件之一是顯示屏，所述顯示屏包括對盒而成的陣列基板和彩膜基板，以及充滿在陣列基板和彩膜基板之間的間隙內(nèi)的液晶層。所述顯示屏顯示圖像的基本原理是通過在所述陣列基板和彩膜基板上施加作用于液晶層上的電場，控制所述 液晶層分子的取向，從而控制穿透過液晶層分子的照射光線的多少，即達到調(diào)制通過液晶層的光強的目的。由于所述顯示屏自身并不發(fā)光，因此，其需要外界光源的照射，以達到顯示目的。根據(jù)所用光源的不同，液晶顯示器有透射式和反射式兩種模式。透射式液晶顯示器通過透射液晶顯示器自帶的背光源所發(fā)出的光線達到顯示的目的；反射式液晶顯示器通過反射液晶顯示器外的光源，通常為自然光源所發(fā)出的光線達到顯示的目的。透射式液晶顯示器需要為其自帶的背光源提供電源，因此，相對于反射式液晶顯示器，其功耗更大。此外，當透射式液晶顯示器在戶外使用，且環(huán)境光源(例如陽光)非常強時，透射式液晶顯示器上的顯示圖像會被沖刷，從而圖像不能被清晰地顯示。相反地，當使用反射式液晶顯示器顯示圖像時，則需要很強的環(huán)境光源。綜合以上兩種顯示模式，產(chǎn)生了半透半反式液晶顯示器，其相對于現(xiàn)有的透射式液晶顯示器具有更低的功耗，并且在不同的環(huán)境光源的情況下，都具有比較好的顯示效果。半透半反式液晶顯示器主要通過在陣列基板上形成有能夠透射光線的透射區(qū)以及能夠反射光線的反射區(qū)實現(xiàn)透射和反射功能。申請?zhí)枮镃N201110042229. 8的中國專利申請公開了一種半透半反式液晶顯示器，該半透半反式液晶顯示器的陣列基板上每個像素包括反射電極和透射電極，用以反射光線的反射電極形成于一絕緣層上，相鄰像素的反射電極和透射電極通過該絕緣層電學(xué)絕緣。由此，便可大大減小相鄰像素的反射區(qū)域與透射電極透射區(qū)域在平行于基板的方向上的間隔，甚至使得相鄰像素的反射區(qū)域和透射區(qū)域的間距為O。但是，該半透半反式液晶顯示器的陣列基板在形成該絕緣層后，需要進行固化工藝，以形成可靠的絕緣層。在完成固化工藝后，絕緣層邊緣會向相鄰的透射電極延伸，該延伸部位于該相鄰的透射電極上，產(chǎn)生上述情況的原因是固化工藝中，將相對比較疏松的絕緣層結(jié)構(gòu)變得更加緊密，同時所述絕緣層的材料將不可避免地會發(fā)生流動，使得絕緣層位于相鄰像素交界處的邊緣向該透射區(qū)域延伸并形成具有圓弧狀側(cè)面的延伸部。該圓弧狀側(cè)面會使得其上方的液晶層分子沿其排列，從而將產(chǎn)生一定的漏光；另外，該圓弧狀側(cè)面向透射區(qū)域延伸，減小了開口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半透半反式液晶顯示器陣列基板、制造方法及液晶顯示屏，以解決現(xiàn)有的半透半反式液晶顯示器產(chǎn)生漏光及開口率不高的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，所述方法包括步驟S11、提供一形成有至少兩個透射電極的基板；步驟S12、在所述形成有至少兩個透射電極的基板上形成絕緣層，刻蝕所述絕緣層以暴露出所述透射電極；步驟S13、對所述絕緣層實施固化工藝，使得所述絕緣層具有向與其在同一像素內(nèi)的透射電極延伸的第一延伸部，以及具有向與其在相鄰像素的透射電極延伸的第二延伸部；步驟S14、在所述絕緣層表面形成反射電極；步驟S15、刻蝕去除所述第二延伸部。可選的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，在所述絕緣層表面形成反射電極的步驟S14包括在所述絕緣層和所述暴露出的透射電極表面上形成金 屬層；在所述金屬層上形成光阻層，并圖案化所述光阻層；以所述圖案化光阻層為掩?？涛g所述金屬層形成反射電極，并暴露所述透射電極和所述第二延伸部?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，步驟S15中刻蝕去除所述第二延伸部以所述圖案化光阻層為掩模?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，反射電極覆蓋所述第一延伸部并與同一像素內(nèi)的透射電極相連?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，所述形成有至少兩個透射電極的基板還包括作為像素開關(guān)的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極/源極與所述透射電極電連接?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，所述形成有至少兩個透射電極的基板還包括作為像素開關(guān)的薄膜晶體管，在步驟S13和S14之間具有刻蝕過孔的步驟，所述過孔用于導(dǎo)通所述反射電極和所述薄膜晶體管TFT的漏極/源極。本發(fā)明還提供另一種半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，所述方法包括步驟S11、提供一形成有至少兩個透射電極的基板；步驟S12、在所述形成有至少兩個透射電極的基板上形成絕緣層，刻蝕所述絕緣層以暴露出所述透射電極；步驟S13、對所述絕緣層實施固化工藝，使得所述絕緣層具有向與其在同一像素內(nèi)的透射電極延伸的第一延伸部，以及具有向與其在相鄰像素的透射電極延伸的第二延伸部，；步驟S14、在所述絕緣層表面形成反射電極；步驟S15、刻蝕去除所述第一延伸部和所述第二延伸部。可選的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，在所述絕緣層表面形成反射電極的步驟S14包括在所述絕緣層和所述暴露出的透射電極表面上形成金屬層；在所述金屬層上形成光阻層，并圖案化所述光阻層；以所述圖案化光阻層為掩?？涛g所述金屬層形成反射電極，并暴露所述透射電極和第一延伸部和所述第二延伸部?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，步驟S15中刻蝕去除第一延伸部和所述第二延伸部以所述圖案化光阻層為掩模?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，所述形成有至少兩個透射電極的基板還包括作為像素開關(guān)的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極/源極與所述透射電極電連接；在步驟S13和S14之間具有刻蝕過孔的步驟，所述過孔用于導(dǎo)通所述反射電極和所述薄膜晶體管TFT的漏極/源極。可選的，在所述的兩種半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，該方法還包括去除所述圖案化光阻層的步驟。可選的，在所述的兩種半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，刻蝕去除所述第二延伸部后所述絕緣層在相鄰像素的反射電極和透射電極的交界處形成側(cè)面，所述側(cè)面與所述透射電極具有角度為70度-110度的夾角。可選的，在所述的兩種半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，所述絕緣層的材料為有機膜。可選的，在所述的兩種半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，所述絕緣層的厚度為2微米-4微米。
可選的，在所述的兩種半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，所述絕緣層的厚度為3微米。可選的，在所述的兩種半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，所述固化工藝為退火工藝或者紫外光照射工藝。本發(fā)明還提供一種半透半反式液晶顯示器陣列基板，包括基板；形成于所述基板上的像素陣列；所述像素陣列中每一像素包括反射電極和透射電極；所述反射電極形成于一絕緣層上，相鄰像素的反射電極和透射電極在透光方向上交疊并且通過所述絕緣層絕緣；所述絕緣層在相鄰像素的反射電極和透射電極的交界處具有與所述透射電極夾角為70度-110度的側(cè)面。可選的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板中，所述像素陣列中每一像素還包括作為像素開關(guān)的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極/源極與位于同一像素內(nèi)的所述透射電極和所述反射電極電連接?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板中，所述絕緣層具有向與其在同一像素內(nèi)的透射電極延伸的第一延伸部，反射電極覆蓋所述第一延伸部并與同一像素內(nèi)的透射電極相連?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板中，所述絕緣層的材料為有機膜?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板中，所述絕緣層的厚度為2微米-4微米?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板中，所述絕緣層的厚度為3微米。本發(fā)明還提供一種半透半反式液晶顯示屏，包括陣列基板，彩膜基板，與所述陣列基板相對設(shè)置；液晶層，設(shè)置于于所述陣列基板和所述彩膜基板之間；所述陣列基板包括基板；形成于所述基板上的像素陣列；所述像素陣列中每一像素包括反射電極和透射電極；所述反射電極形成于一絕緣層上，相鄰像素的反射電極和透射電極在透光方向上交疊并且通過所述絕緣層絕緣；所述絕緣層在相鄰像素的反射電極和透射電極的交界處具有與所述透射電極夾角為70度-110度的側(cè)面?？蛇x的，在所述的半透半反式液晶顯示屏中，所述反射電極處的液晶層厚度與透射電極處的液晶層厚度的選取應(yīng)當使得反射區(qū)域和透射區(qū)域的光電曲線一致。在本發(fā)明提供的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法中，通過去除相鄰像素的透射電極和反射電極交界處的第二延伸部，即由此制造的半透半反式液晶顯示器陣列基板及液晶顯示屏不具有該第二延伸部，避免了該第二延伸部對液晶層分子取向的影響，從而防止了半透半反式液晶顯示器的漏光，提高了半透半反式液晶顯示器的顯示效果。特別的，所述絕緣層通常由非透明材料制成，因此該非透明的絕緣層的第二延伸部將遮擋光源的透射；即使該絕緣層用透明材料制成，其第二延伸部所覆蓋的區(qū)域因產(chǎn)生漏光而不能用于顯示；本發(fā)明通過去除所述第二延伸部，還將提高顯示區(qū)域的面積，增加有效開口率，進而提高了半透半反式液晶顯示器的顯示質(zhì)量。


圖I是本發(fā)明實施例的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法的流程圖； 圖2是本發(fā)明實施例的形成有至少兩個透射電極的基板的俯視示意圖；圖3是圖2沿A-A’方向的剖視示意圖；圖4是圖3所示的基板上形成有絕緣層的基板的剖視示意圖；圖5是圖4所示的基板上對所述絕緣層進行固化工藝后的基板的剖視示意圖；圖6是圖5所不的基板上形成有反射電極的基板的首I]視不意圖；圖7是圖6所示的基板上刻蝕去除第二延伸部后的基板的剖視示意圖；圖8是圖6所示的基板上刻蝕去除第一延伸部和第二延伸部后的基板的剖視示意圖；圖9是本發(fā)明實施例的半透半反式液晶顯示屏的剖視示意圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提供的半透半反式液晶顯示器陣列基板、制造方法及液晶顯示屏作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種半透半反式液晶顯示器陣列基板、制造方法及液晶顯示屏，通過去除相鄰像素的透射電極和反射電極交界處的第二延伸部，即由此制造的半透半反式液晶顯示器陣列基板及液晶顯示屏不具有該第二延伸部，避免了該第二延伸部對液晶層分子取向的影響，從而防止了半透半反式液晶顯示器的漏光，提高了半透半反式液晶顯示器的顯示效果。特別的，所述絕緣層通常由非透明材料制成，因此該非透明的絕緣層將遮擋光源的透射，本發(fā)明通過去除所述第二延伸部，還將提高顯示區(qū)域的面積，增加有效開口率，進而提高了半透半反式液晶顯示器的顯示質(zhì)量。如圖I所示，本發(fā)明實施例的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法包括如下步驟步驟S11、提供一形成有至少兩個透射電極的基板；步驟S12、在所述形成有至少兩個透射電極的基板上形成絕緣層，刻蝕所述絕緣層以暴露出所述透射電極；
步驟S13、對所述絕緣層實施固化工藝，使得所述絕緣層具有向與其在同一像素內(nèi)的透射電極延伸的第一延伸部，以及具有向與其在相鄰像素的透射電極延伸的第二延伸部;步驟S14、在所述絕緣層表面形成反射電極；步驟S15、刻蝕去除所述第二延伸部；或者同時去除所述第一延伸部和所述第二延伸部。首先，執(zhí)行步驟S11，提供一形成有至少兩個透射電極60的基板100。
圖2為形成有至少兩個透射電極60的基板100的俯視示意圖，圖3為圖2沿A-A，方向的剖視圖。所述基板100 —般為透明基板，例如玻璃、塑料等。為了制備半透半反式液晶顯示器陣列基板，步驟Sll中所提供的基板100上需要形成有至少兩個透射電極60。這里所說的“基板100上”的含義為透射電極60可以直接形成在基板100的表面上，也可以不直接形成在基板100的表面上。作為一個優(yōu)選的實施方式，步驟Sll可以包括如下步驟步驟S111，在該基板100上還形成柵極線12、覆蓋所述柵極線12的柵絕緣層30、與所述柵極線12交叉的數(shù)據(jù)線13、覆蓋所述數(shù)據(jù)線13的鈍化層40以及與所述柵極線12和數(shù)據(jù)線13耦接的開關(guān)單元14。優(yōu)選的，所述柵極線12有多條，所述數(shù)據(jù)線13也有多條，所述多條柵極線12與所述多條數(shù)據(jù)線13垂直交叉形成陣列(未圖示)。相鄰一對柵極線12和相鄰一對數(shù)據(jù)線所圍的區(qū)域限定為像素區(qū)域。該像素區(qū)域用于形成半透半反式液晶顯示器的像素單元，該像素單元包括反射電極和透射電極。步驟Slll的具體過程可以采用傳統(tǒng)的工藝方法，在此不再累述。所述柵絕緣層30和鈍化層40可通過化學(xué)氣相沉積工藝形成；所述柵絕緣層30例如為厚度是1000埃 6000埃的二氧化硅，所述鈍化層40例如為厚度是1000埃 6000埃氮化硅。需要說明的是，本發(fā)明并不局限于上述描述，在本發(fā)明其它實施例中，也可對上述膜層的材料和厚度進行相應(yīng)的調(diào)整。接著，執(zhí)行步驟S112，在所述基板100上形成透射電極60。一般先在所述鈍化層40上形成一層透明導(dǎo)電層，然后刻蝕所述透明導(dǎo)電層形成透射電極60。所述透明導(dǎo)電層的材料可以為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等，或者它們的組合。在本實施例中，所述透明導(dǎo)電層可通過磁控濺射的方法形成，其厚度優(yōu)選為100埃 1000埃。在本實施例中，具體的，所述透射電極60覆蓋部分鈍化層40。在步驟Sll中，所述開關(guān)單元14優(yōu)選為薄膜晶體管TFT，其柵極與所述柵極線12電連接，其源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線13電連接，所述漏極/源極則須與所述像素單元的透射電極和/或反射電極電連接。但是在步驟Sll中，反射電極并未形成，因此可以如圖2所示在步驟Sll中先將所述漏極/源極與所述透射電極60連接(優(yōu)選的，在步驟Slll和步驟SI 12之間增加一刻蝕出用于導(dǎo)通透射電極60和所述漏極/源極的過孔的步驟)，然后在步驟Sll之后的制備過程中將所述漏極/源極與所述反射電極連接，或者在步驟Sll之后的制備過程中將所述透射電極60與所述反射電極連接；也可以在步驟Sll中不將所述漏極/源極與所述透射電極60連接，而是在步驟Sll之后的制備過程中將所述漏極/源極與所述反射電極連接和所述透射電極電連接。接著，執(zhí)行步驟S12，在所述形成有至少兩個透射電極60的基板100上形成絕緣層50，刻蝕所述絕緣層50以暴露出所述透射電極60?？涛g后的剖視圖如圖4所示?？涛g后，可以將透射電極60全部暴露出來，可以只暴露部分。優(yōu)選的，刻蝕完所述絕緣層50后，所述絕緣層50與所述透射電極60具有交疊部分。在本實施例中，所述絕緣層50的材料優(yōu)選為有機膜。為了形成下基板雙盒厚的半透射半反射液晶顯示器，位于像素區(qū)域的絕緣層50的表面用于形成反射電極，并且同一像素單元的反射電極和透射電極電位相同；而反射電極處的液晶層厚度Dl與透射電極處的液晶層厚度D2的選取應(yīng)當使得反射區(qū)域和透射區(qū)域的光電曲線一致，一般Dl為D2的一半。因此，考慮到半透半反式液晶顯示器的盒厚需要，所述絕緣層50的厚度為2微米-4微米，優(yōu)選為3微米，在本發(fā)明的其他實施例中，所述絕緣層50的厚度也可以更厚或者更薄。然后，執(zhí)行步驟S13，對所述絕緣層50實施固化工藝，使得所述絕緣層50向與其相鄰的所述透射電極60延伸。固化后的剖視圖如圖5所示，其中，所述絕緣層50在同一像素單元內(nèi)具有與透射電極60交疊的第一延伸部51 ;在相鄰像素單元的交界處所述絕緣層50具有與相鄰像素單元的透射電極60交疊的第二延伸部52。所述固化工藝可以為退火工藝或者紫外光照射工藝。通過所述固化工藝，可以固化所述絕緣層50，提高半透半反式液 晶顯示器陣列基板的可靠性。同時，固化工藝中，將相對比較疏松的絕緣層結(jié)構(gòu)變得更加緊密，不可避免的所述絕緣層的材料將會發(fā)生流動，使得絕緣層50向與其相鄰的所述透射電極60延伸。與絕緣層50相鄰的透射電極60有兩種，第一種是與絕緣層50位于同一像素內(nèi)的透射電極；第二種是與絕緣層50位于相鄰像素的透射電極。絕緣層50向前述第一種透射電極延伸并在該透射電極上形成具有傾斜面的第一延伸部51 ;絕緣層50向前述第二種透射電極延伸并在該透射電極上形成具有傾斜面的第二延伸部52。所述傾斜面為平滑且延伸的圓弧面。接著，執(zhí)行步驟S14，在所述絕緣層50表面形成反射電極70。具體地，先在所述絕緣層50和所述暴露出的透射電極60表面上形成金屬層，然后在所述金屬層上形成光阻層，經(jīng)曝光、顯影等工藝圖案化所述光阻層后，以所述圖案化光阻層為掩?？涛g所述金屬層形成反射電極70，并暴露所述透射電極60和第二延伸部52 (未圖示)；或者以所述圖案化光阻層為掩?？涛g所述金屬層形成反射電極70，并暴露所述透射電極60、第一延伸部51和第二延伸部52。優(yōu)選的，在執(zhí)行步驟S14時，所述絕緣層50上的反射電極70與其相鄰像素單元的所述透射電極60具有交疊部分，可知的，刻蝕所述金屬層形成反射電極70，暴露所述透射電極60時，并非暴露全部的透射電極60，被絕緣層50的第一延伸部51和第二延伸部52覆蓋的透射電極60未被暴露出。優(yōu)選的，第一延伸部51上的金屬未被刻蝕，反射電極70覆蓋所述第一延伸部51并與同一像素內(nèi)的透射電極60相連(如圖6所示)。在本實施例中，所述金屬層，即所述反射電極70的材料具體可以為鋁、鋁合金、鑰、鑰合金或者鈦等具備反射性和優(yōu)良導(dǎo)電性的金屬。在本實施例中，形成所述反射電極70后，并不馬上去除所述圖案化的光阻層，而是接著執(zhí)行步驟S15。最后，執(zhí)行步驟S15，當步驟S14中暴露出所述第二延伸部52時，刻蝕去除所述第二延伸部52 ;當步驟S14中暴露出所述第一延伸部51和第二延伸部52時，刻蝕去除所述第一延伸部51和第二延伸部52。作為一種優(yōu)選的實施方式，步驟S15緊接著步驟S14執(zhí)行，在沒有去除步驟S14中所使用的圖案化光阻層的情況下，以所述圖案化光阻層為掩?？涛g所述第二延伸部52，或刻蝕所述第一延伸部51和第二延伸部52。由此，可不增加掩模板，降低制造成本。當然，在本發(fā)明的其他實施例中，完成步驟S14后，也可將光阻層去除，在執(zhí)行步驟S15時，再重新形成圖案化光阻層，通過刻蝕等工藝去除所述第二延伸部52，或去除所述第一延伸部51和第二延伸部52。在步驟S15中，所述刻蝕所述第二延伸部52，或刻蝕所述第一延伸部51和第二延伸部52采用干法刻蝕工藝，所述干法刻蝕工藝具有很好的各向異性的刻蝕特性，從而能夠很好地控制只去除第二延伸部52，或去除所述第一延伸部51和第二延伸部52，而不會刻蝕掉其它材料?？筛鶕?jù)絕緣層50的材料、厚度以及刻蝕機臺的具體情況，通過實驗獲知所述干法刻蝕工藝的工藝參數(shù)，在此不再贅述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)是知曉的。如圖7所示，刻蝕去除所述第二延伸部52后，所形成的側(cè)面53與所述透射電極60間具有角度為70度-110度的夾角，優(yōu)選的，可取85度-95度，特別的，所述夾角的度數(shù)為90度-95度。通過刻蝕去除所述第二延伸部52，克服或者基本克服了現(xiàn)有技術(shù)中第二延伸 部52使得其上液晶分子沿著該第二延伸部52的傾斜面排列所造成的漏光缺陷，從而避免了漏光的產(chǎn)生，提高了半透半反式液晶顯示器的顯示效果。通過刻蝕去除所述第二延伸部52，暴露出了部分透射電極60，即相對于刻蝕去除所述第二延伸部52前，暴露出的透射電極60增多了?？芍?，在刻蝕去除所述第二延伸部52前，所述第二延伸部52覆蓋的部分，既不能透射光線，因為第二傾斜面52通常是不透光材質(zhì)；也不能反射光線。即使所述第二延伸部52覆蓋的部分可以透射光線或反射光線，但由于所述第二延伸部52使得其上液晶分子沿著該第二延伸部52的傾斜面排列，會造成的漏光。由此，所述第二延伸部52所在的區(qū)域?qū)⒉荒苡糜陲@示。而通過刻蝕去除所述第二延伸部52，可增加透射區(qū)的面積，同時不減少反射區(qū)的面積，相鄰像素的透射區(qū)域和反射區(qū)域在平行于基板的方向上的間距非常小，甚至可以做到間距為0，從而提高了顯示區(qū)域的面積，增加了有效開口率，提高了半透半反式液晶顯示器的顯示質(zhì)量。如圖8所示，當步驟S14中暴露出所述第一延伸部51和第二延伸部52時，刻蝕去除所述第一延伸部51和第二延伸部52，得到所形成的側(cè)面53和側(cè)面54與所述透射電極60間具有角度為70度-110度的夾角，優(yōu)選的，可取85度-95度，特別的，所述夾角的度數(shù)為90度-95度。由此，可克服或者基本克服現(xiàn)有技術(shù)中第一延伸部51和第二延伸部52使得其上液晶分子沿著該第一延伸部51和第二延伸部52的傾斜面排列所造成的漏光缺陷，更好地避免了漏光的產(chǎn)生，提高了半透半反式液晶顯示器的顯示效果。需要說明的是，透射電極60和反射電極70之間的連接除了利用在絕緣層50側(cè)壁上金屬進行連接之外，也可在絕緣層50內(nèi)部形成接觸孔，在接觸孔內(nèi)形成金屬，由接觸孔內(nèi)的金屬進行透射電極60和反射電極70之間的連接。優(yōu)選的，無論步驟S14和S15是只刻蝕去除所述第二延伸部52，不去除第一延伸部51 ;還是同時刻蝕去除所述第二延伸部52和第一延伸部51 ;在步驟S13和S14之間還可以增加一刻蝕過孔的步驟，該過孔用于導(dǎo)通所述反射電極70和所述薄膜晶體管TFT的漏極/源極。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種利用上述半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法制得的半透半反式液晶顯示器陣列基板。具體請參考圖2和圖7，所述半透半反式液晶顯示器陣列基板I包括基板100 ;形成于所述基板上的像素陣列；所述像素陣列中每一像素包括反射電極和透射電極；所述反射電極形成于一絕緣層上，相鄰像素的反射電極和透射電極在透光方向上交疊并且通過所述絕緣層絕緣；所述絕緣層在相鄰像素的反射電極和透射電極的交界處具有與所述透射電極夾角為70度-110度的側(cè)面。具體的，所述像素陣列包括多條柵極線12、與所述多條柵極線12交叉(優(yōu)選為垂直交叉)的多條數(shù)據(jù)線13，位于相鄰一對柵極線12和相鄰一對數(shù)據(jù)線13所限定的像素區(qū)域內(nèi)的像素單元。該像素單元包括反射電極70和透射電極60以及與所述柵極線12和數(shù)據(jù)線13耦接的用于像素開關(guān)的開關(guān)單元14。優(yōu)選的，該開關(guān)單元14為薄膜晶體管TFT，其柵極與所述柵極線12電連接，其源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線13電連接，所述漏極/源極與所述像素單元的透射電極60和反射電極70電連接。這里的“電連接”可以是直接物理連接，也可以是間接導(dǎo)通，只要使得電位相同即可；例如，所述漏極/源極與所述像素單元的透射電極60直接物理連接，透射電極60與反射電極70直接物理連接，這樣所述漏極/源極通過所述透射電極60與所述反射電極70電連接；再例如，所述漏極/源極與所述像素單元的透射電極60直接物理連接，所述漏極/源極與反射電極70直接物理連接，這樣所述透射電 極60通過所述漏極/源極與所述反射電極70電連接。像素單元內(nèi)的反射電極形70形成于絕緣層50的表面上，優(yōu)選的，在同一像素區(qū)域內(nèi)的反射電極70和/或絕緣層50與透射電極具有交疊部分。相鄰像素單元的反射電極70與透射電極60具有交疊部分,優(yōu)選的，同一行像素的反射電極70和透射電極60間隔排列，在相鄰像素單元的反射電極70與透射電極60交界處所述絕緣層50具有側(cè)面53，該側(cè)面53與相鄰像素單元的透射電極60 (或基板100)具有角度a，a取為70度-110度，夾角a優(yōu)選為85度-95度，例如90度。優(yōu)選的，所述絕緣層50具有向與其在同一像素內(nèi)的透射電極60延伸的第一延伸部51，反射電極70覆蓋所述第一延伸部51并與同一像素內(nèi)的透射電極60相連。所述絕緣層的厚度可為2微米-4微米，如3微米?？芍?，前述半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)及所具有的有益效果，半透半反式液晶顯示器陣列基板同樣具有，在此不再贅述。請參考圖9，本發(fā)明還提供了一種半透半反式液晶顯示屏。如圖9所示，半透半反式液晶顯示屏包括陣列基板1，彩膜基板2，所述彩膜基板2與所述陣列基板I相對設(shè)置；液晶層3，設(shè)置于于所述陣列基板I和所述彩膜基板2之間；該陣列基板I采用本發(fā)明提供的陣列基板。為了形成下基板雙盒厚的半透射半反射液晶顯示屏，同一像素單元的反射電極和透射電極電位相同；而反射電極處的液晶層厚度Dl與透射電極處的液晶層厚度D2的選取應(yīng)當使得反射區(qū)域和透射區(qū)域的光電曲線一致，一般Dl為D2的一半。因此，考慮到半透半反式液晶顯示屏的盒厚需要，所述絕緣層50采用有機膜，厚度可為2微米-4微米，優(yōu)選為3微米，可知的，彩膜基板2上設(shè)置有彩色濾光片、黑矩陣等。所述半透半反式液晶顯示屏是雙盒厚的，即反射電極-彩膜基板的距離與透射電極-彩膜基板的距離是不相等的。關(guān)于該兩點，本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)中已公開，本發(fā)明在此不再贅述。上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護。陋據(jù)
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權(quán)利要求
1.一種半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，包括 步驟S11、提供一形成有至少兩個透射電極的基板； 步驟S12、在所述形成有至少兩個透射電極的基板上形成絕緣層，刻蝕所述絕緣層以暴露出所述透射電極； 步驟S13、對所述絕緣層實施固化工藝，使得所述絕緣層具有向與其在同一像素內(nèi)的透射電極延伸的第一延伸部，以及具有向與其在相鄰像素的透射電極延伸的第二延伸部；步驟S14、在所述絕緣層表面形成反射電極； 步驟S15、刻蝕去除所述第二延伸部。
2.如權(quán)利要求I所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述絕緣層表面形成反射電極的步驟S14包括 在所述絕緣層和所述暴露出的透射電極表面上形成金屬層； 在所述金屬層上形成光阻層，并圖案化所述光阻層； 以所述圖案化光阻層為掩?？涛g所述金屬層形成反射電極，并暴露所述透射電極和所述第二延伸部。
3.如權(quán)利要求2所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S15中刻蝕去除所述第二延伸部以所述圖案化光阻層為掩模。
4.如權(quán)利要求I所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，反射電極覆蓋所述第一延伸部并與同一像素內(nèi)的透射電極相連。
5.如權(quán)利要求4所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有至少兩個透射電極的基板還包括作為像素開關(guān)的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極/源極與所述透射電極電連接。
6.如權(quán)利要求4所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有至少兩個透射電極的基板還包括作為像素開關(guān)的薄膜晶體管，在步驟S13和S14之間具有刻蝕過孔的步驟，所述過孔用于導(dǎo)通所述反射電極和所述薄膜晶體管TFT的漏極/源極。
7.—種半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，包括 步驟S11、提供一形成有至少兩個透射電極的基板； 步驟S12、在所述形成有至少兩個透射電極的基板上形成絕緣層，刻蝕所述絕緣層以暴露出所述透射電極； 步驟S13、對所述絕緣層實施固化工藝，使得所述絕緣層具有向與其在同一像素內(nèi)的透射電極延伸的第一延伸部，以及具有向與其在相鄰像素的透射電極延伸的第二延伸部，；步驟S14、在所述絕緣層表面形成反射電極； 步驟S15、刻蝕去除所述第一延伸部和所述第二延伸部。
8.如權(quán)利要求7所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述絕緣層表面形成反射電極的步驟S14包括 在所述絕緣層和所述暴露出的透射電極表面上形成金屬層； 在所述金屬層上形成光阻層，并圖案化所述光阻層； 以所述圖案化光阻層為掩?？涛g所述金屬層形成反射電極，并暴露所述透射電極和第一延伸部和所述第二延伸部。
9.如權(quán)利要求8所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S15中刻蝕去除第一延伸部和所述第二延伸部以所述圖案化光阻層為掩模。
10.如權(quán)利要求7所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有至少兩個透射電極的基板還包括作為像素開關(guān)的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極/源極與所述透射電極電連接；在步驟S13和S14之間具有刻蝕過孔的步驟，所述過孔用于導(dǎo)通所述反射電極和所述薄膜晶體管TFT的漏極/源極。
11.如權(quán)利要求2或8所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，該方法還包括去除所述圖案化光阻層的步驟。
12.如權(quán)利要求1-10中任一項所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，刻蝕去除所述第二延伸部后所述絕緣層在相鄰像素的反射電極和透射電極的交界處形成側(cè)面，所述側(cè)面與所述透射電極具有角度為70度-110度的夾角。
13.如權(quán)利要求1-10中任一項所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為有機膜。
14.如權(quán)利要求13中任一項所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為2微米-4微米。
15.如權(quán)利要求14所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為3微米。
16.如權(quán)利要求1-10中任一項所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，所述固化工藝為退火工藝或者紫外光照射工藝。
17.—種半透半反式液晶顯示器陣列基板，其特征在于，包括 基板；形成于所述基板上的像素陣列；所述像素陣列中每一像素包括反射電極和透射電極；所述反射電極形成于一絕緣層上，相鄰像素的反射電極和透射電極在透光方向上交疊并且通過所述絕緣層絕緣；所述絕緣層在相鄰像素的反射電極和透射電極的交界處具有與所述透射電極夾角為70度-110度的側(cè)面。
18.如權(quán)利要求11所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板，其特征在于，所述像素陣列中每一像素還包括作為像素開關(guān)的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極/源極與位于同一像素內(nèi)的所述透射電極和所述反射電極電連接。
19.如權(quán)利要求18所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板，其特征在于，所述絕緣層具有向與其在同一像素內(nèi)的透射電極延伸的第一延伸部，反射電極覆蓋所述第一延伸部并與同一像素內(nèi)的透射電極相連。
20.如權(quán)利要求17-19中任一項所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板，其特征在于，所述絕緣層的材料為有機膜。
21.如權(quán)利要求20所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板，其特征在于，所述絕緣層的厚度為2微米-4微米。
22.如權(quán)利要求21所述的半透半反式液晶顯示器陣列基板，其特征在于，所述絕緣層的厚度為3微米。
23.一種半透半反式液晶顯示屏，包括 陣列基板， 彩膜基板，與所述陣列基板相對設(shè)置；液晶層，設(shè)置于于所述陣列基板和所述彩膜基板之間；其特征在于，所述陣列基板包括 基板；形成于所述基板上的像素陣列；所述像素陣列中每一像素包括反射電極和透射電極；所述反射電極形成于一絕緣層上，相鄰像素的反射電極和透射電極在透光方向上交疊并且通過所述絕緣層絕緣；所述絕緣層在相鄰像素的反射電極和透射電極的交界處具有與所述透射電極夾角為70度-110度的側(cè)面。
24.如權(quán)利要求23所述的半透半反式液晶顯示屏，其特征在于，所述反射電極處的液晶層厚度與透射電極處的液晶層厚度的選取應(yīng)當使得反射區(qū)域和透射區(qū)域的光電曲線一致。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半透半反式液晶顯示器陣列基板、制造方法及液晶顯示屏。其中，通過去除相鄰像素的透射電極和反射電極交界處的第二延伸部，即由此制造的半透半反式液晶顯示器陣列基板及液晶顯示器不具有該第二延伸部，避免了該第二延伸部對液晶層分子取向的影響，從而防止了半透半反式液晶顯示器的漏光，提高了半透半反式液晶顯示器的顯示效果，提高了開口率。
文檔編號G02F1/1362GK102819133SQ201110155180
公開日2012年12月12日 申請日期2011年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月9日
發(fā)明者霍思濤, 黃忠守 申請人:上海天馬微電子有限公司