專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是將所需的圖案施加到基底上(通常是施加到基底的靶部上)的設(shè)備。 光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件，或者可稱為掩模 (mask)或中間掩模(reticle)，可用于產(chǎn)生形成在IC的單層上的電路圖案。該圖案可以被轉(zhuǎn)移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一個(gè)或者多個(gè)管芯(die))上。這種圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過成像到基底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進(jìn)行的。一般而言， 單個(gè)基底包含由被相繼構(gòu)圖的相鄰靶部構(gòu)成的網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括所謂的步進(jìn)器和掃描器，在步進(jìn)器中，對(duì)每一靶部的輻照是通過一次性將整個(gè)圖案曝光到該靶部上來進(jìn)行的；在掃描器中，對(duì)每一靶部的輻照是通過沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案穿過一輻射束，并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描該基底。還可以通過將圖案壓印到基底上而把圖案從構(gòu)圖部件轉(zhuǎn)移到基底上。已經(jīng)提出，將光刻投影裝置中的基底浸入具有較高折射率的液體(例如水)中，以便填充投影系統(tǒng)的最末元件與基底之間的空間。由于曝光輻射在該液體中具有較短的波長，因此這能夠成像較小的特征部。(還認(rèn)為該液體的作用可以增加該系統(tǒng)的有效NA以及增加聚焦深度。)也提出了其它浸液，包括其中懸浮有固體顆粒(如石英)的水。但是，將基底或基底和基底臺(tái)浸沒在液體浴槽(例如參見美國專利US4509852，在此將該文獻(xiàn)全文引入作為參考)中意味著在掃描曝光過程中必須使大量的液體加速。這需要附加的或功率更大的馬達(dá)，并且液體中的湍流可能導(dǎo)致不期望和不可預(yù)料的影響。所提出的一種解決方案是，液體供給系統(tǒng)只在基底的局部區(qū)域上提供液體，并使用液體限制系統(tǒng)將液體限制在投影系統(tǒng)的該最末元件與基底之間(該基底通常具有比投影系統(tǒng)的最末元件更大的表面面積)。所提出這樣布置的一種方式公開在W099/49504中， 在此將該文獻(xiàn)全文引入作為參考。如圖2和3所示，通過至少一個(gè)入口 IN將液體供給到基底上，優(yōu)選沿基底相對(duì)于該最末元件的移動(dòng)方向進(jìn)行供給，在液體已經(jīng)流過該投影系統(tǒng)下面之后，通過至少一個(gè)出口 OUT將該液體排出。也就是說，當(dāng)基底在該元件的下方沿-X方向被掃描時(shí)，在該元件的+X側(cè)供給液體，并在-X側(cè)吸走液體。圖2示意性顯示了該配置， 其中，液體經(jīng)由入口 IN供給，并在該元件的另一側(cè)由連接至低壓源的出口 OUT吸取。在圖 2的圖示中，是沿基底相對(duì)于最末元件的移動(dòng)方向來供給液體，不過不一定必須這樣。位于該最末元件周圍的各種定向和數(shù)量的入口和出口都是可以的，在圖3中示出了一個(gè)例子， 其中，在該最末元件周圍以規(guī)則的圖案在兩側(cè)上設(shè)置了四組入口和出口。所提出的另一種解決方案是，為液體供給系統(tǒng)提供密封元件，該密封元件沿著投影系統(tǒng)的最末元件與基底臺(tái)之間的空間的至少一部分邊界延伸。在圖4中示出了這種解決方案。該密封元件相對(duì)于投影系統(tǒng)在XY平面中基本不動(dòng)，不過在Z方向上(在光軸方向上)可以存在一些相對(duì)移動(dòng)。在該密封元件與基底表面之間形成一種密封。優(yōu)選地，該密封是無接觸式密封，例如氣體密封。這樣一種帶有氣體密封的系統(tǒng)示出在圖5中并公開在 EP-A-1420298 中。在EP-A-1420300中(在此將該文獻(xiàn)全文引入作為參考)公開了一種雙平臺(tái)式浸液光刻裝置的構(gòu)想。這種裝置具有兩個(gè)支撐基底的平臺(tái)。在第一位置處用一個(gè)平臺(tái)在沒有浸液的情況下進(jìn)行水準(zhǔn)測量，而在第二位置處用一個(gè)平臺(tái)在存在浸液的情況下進(jìn)行曝光。 或者，該裝置僅具有一個(gè)平臺(tái)。

發(fā)明內(nèi)容
希望提供一種方式能夠在基底交換過程中使浸液與投影系統(tǒng)的最末元件保持接觸。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種使用投影系統(tǒng)將圖案從構(gòu)圖部件透過浸液而投影到基底上的光刻投影裝置，該裝置包括液體供給系統(tǒng)，用于將浸液供給至該投影系統(tǒng)的最末元件與基底之間的空間；計(jì)量框架，其支撐該投影系統(tǒng)并安裝至支撐所述裝置的基座框架，并與該基座框架在動(dòng)力學(xué)上隔離開；遮蔽構(gòu)件，基本上可定位成當(dāng)將該基底從投影系統(tǒng)下方移走時(shí)確保該液體保持與該最末元件接觸；和用于定位該遮蔽構(gòu)件的致動(dòng)器，該致動(dòng)器連接在計(jì)量框架和遮蔽構(gòu)件之間。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供一種將圖案從構(gòu)圖部件透過浸液投影到基底上的光刻投影裝置，該裝置包括用于供給該浸液的液體供給系統(tǒng)；和具有伸展?fàn)顟B(tài)和縮回狀態(tài)的遮蔽構(gòu)件，其中，在伸展?fàn)顟B(tài)下，該遮蔽構(gòu)件定位成當(dāng)將該基底從投影系統(tǒng)下方移走時(shí)確保該液體保持與投影系統(tǒng)的最末元件接觸，而在縮回狀態(tài)下該遮蔽構(gòu)件被卷起。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種使用投影系統(tǒng)將圖案從構(gòu)圖部件透過浸液投影到基底上的光刻投影裝置，該裝置包括液體供給系統(tǒng)，用于將浸液供給到投影系統(tǒng)的最末元件和基底之間的空間；遮蔽構(gòu)件，基本上可定位成當(dāng)將該基底從投影系統(tǒng)下方移走時(shí)確保該液體保持與該最末元件接觸；和支撐基底并包括排液區(qū)域的基底臺(tái)，該液體供給系統(tǒng)在定位在該排液區(qū)域之上，并且在該排液區(qū)域的位置去除遮蔽構(gòu)件下方的浸液。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種使用投影系統(tǒng)將圖案從構(gòu)圖部件透過浸液投影到基底上的光刻投影裝置，該裝置包括用于供給浸液的液體供給系統(tǒng)；第一和第二基底臺(tái)，每一基底臺(tái)均用于保持基底；中間遮蔽構(gòu)件，其在平面圖中小于該液體供給系統(tǒng)將該浸液所供給到的區(qū)域，并且在與基底平行的平面中是可移動(dòng)的；控制器，其通過使這兩個(gè)基底臺(tái)一起在該液體供給系統(tǒng)下方移動(dòng)并且使該中間遮蔽構(gòu)件定位在這兩個(gè)基底臺(tái)之間，從而控制一個(gè)基底與另一基底在投影系統(tǒng)下方進(jìn)行的交換，而基本上不會(huì)從該液體供給系統(tǒng)釋放液體。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將圖案化輻射束透過浸液投影到基底上，所述浸液由液體供給系統(tǒng)提供到投影系統(tǒng)和基底之間，其中， 在該投影之后，在移走基底之前將遮蔽構(gòu)件插在該投影系統(tǒng)下方，使得在移走基底時(shí)該浸液保持與投影系統(tǒng)的最末元件接觸，由液體去除裝置從該液體供給系統(tǒng)去除任何殘留在遮蔽構(gòu)件下方的液體。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將圖案化輻射束透過浸液投影到基底臺(tái)的基底上，所述浸液由液體供給系統(tǒng)提供到投影系統(tǒng)和基底之間，其中，在該投影之后，在移走該基底之前將遮蔽構(gòu)件插在該投影系統(tǒng)下方，使得在移走基底時(shí)浸液保持與投影系統(tǒng)的最末元件接觸，由基底臺(tái)上的排液區(qū)域去除任何殘留在遮蔽構(gòu)件下方的液體，液體供給系統(tǒng)定位在所述排液區(qū)域上方。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將圖案化輻射束透過浸液投影到基底上，所述浸液由液體供給系統(tǒng)提供到投影系統(tǒng)和基底之間，其中， 在該投影之后，朝著該投影系統(tǒng)平移該液體供給系統(tǒng)，并在移走該基底之前將遮蔽構(gòu)件插在該投影系統(tǒng)下方，使得在移走該基底時(shí)該浸液保持與投影系統(tǒng)的最末元件接觸。


現(xiàn)在僅僅通過示例的方式，參考隨附的示意圖描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，其中相同的參考標(biāo)記表示相同的部件，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置；圖2和3示出了一種用在常規(guī)光刻投影裝置中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出了一種用在常規(guī)光刻投影裝置中使用的液體供給系統(tǒng)；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的另一種液體供給系統(tǒng)；圖6以剖面圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的裝置；圖7以平面圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的遮蔽構(gòu)件；圖8以平面圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的遮蔽構(gòu)件的致動(dòng)機(jī)構(gòu)；圖9以平面圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的另一種遮蔽件和基底臺(tái)；圖10以平面圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的另一種不同的遮蔽構(gòu)件的使用；圖11以剖面圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的另一種遮蔽構(gòu)件；圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的又一種布置；圖13以剖面圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的裝置；和圖14以剖面圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的裝置。
具體實(shí)施例方式圖1示意性地示出了依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置。該裝置包括照明系統(tǒng) (照明器)IL，其構(gòu)造成調(diào)節(jié)輻射束B (例如UV輻射或DUV輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái)) MT,其構(gòu)造成支撐構(gòu)圖部件(例如掩模)MA并與第一定位器PM連接，所述第一定位器PM構(gòu)造成依照某些參數(shù)精確定位該構(gòu)圖部件；基底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造成保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W并與第二定位器PW連接，所述第二定位器PW構(gòu)造成依照某些參數(shù)精確定位該基底；和投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PS，其構(gòu)造成將由構(gòu)圖部件MA賦予輻射束B的圖案投影到基底W的靶部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。該裝置還包括參照框架RF。該照明系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件來引導(dǎo)、成形或者控制輻射，這些光學(xué)部件諸如是折射光學(xué)部件、反射光學(xué)部件、磁性光學(xué)部件、電磁光學(xué)部件、靜電光學(xué)部件或其它類型的光學(xué)部件，或者它們的任意組合。該支撐結(jié)構(gòu)支撐該構(gòu)圖部件，即承載該構(gòu)圖部件的重量。該支撐結(jié)構(gòu)保持該構(gòu)圖部件，其對(duì)該構(gòu)圖部件的保持方式取決于該構(gòu)圖部件的方位、光刻裝置的設(shè)計(jì)以及其它條件，例如該構(gòu)圖部件是否保持在真空環(huán)境中。該支撐結(jié)構(gòu)可以使用機(jī)械、真空、靜電或其它夾持技術(shù)來保持該構(gòu)圖部件。該支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述支撐結(jié)構(gòu)可根據(jù)需要而是固定的或者是活動(dòng)的。該支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖部件例如相對(duì)于該投影系統(tǒng)位于所需位置。在這里，術(shù)語“中間掩?！被蛘摺把谀！钡娜魏问褂镁烧J(rèn)為與更上位的術(shù)語 “構(gòu)圖部件”同義。這里所使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”應(yīng)廣義地解釋為能夠向輻射束的截面中賦以圖案從而在基底的靶部中形成圖案的任何裝置。應(yīng)該注意，賦予給該輻射束的圖案可以并不與基底靶部中的所需圖案精確一致，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。一般而言，賦予給該輻射束的圖案對(duì)應(yīng)于在靶部中形成的器件(如集成電路)內(nèi)的特定功能層。該構(gòu)圖部件可以是透射型的或者反射型的。構(gòu)圖部件的例子包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，其類型諸如是二元型、交替相移 (alternating phase-shift)型、衰減相移型，以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的一個(gè)示例采用小型反射鏡的矩陣排列，每個(gè)反射鏡能夠獨(dú)立地傾斜，從而沿不同的方向?qū)θ肷漭椛涫M(jìn)行反射。這些傾斜的反射鏡可以在被反射鏡矩陣反射的輻射束中賦以圖案。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)，反射光學(xué)系統(tǒng)、反射折射光學(xué)系統(tǒng)、磁性光學(xué)系統(tǒng)、電磁光學(xué)系統(tǒng)和靜電光學(xué)系統(tǒng)，或其任何組合，以適合于所用的曝光輻射，或者適合于其它方面，如浸液的使用或真空的使用。在這里，術(shù)語“投影透鏡”的任何使用均可被認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所指出的，該裝置為透射型(例如采用透射掩模)。做為選擇，該裝置也可以為反射型(例如采用上面提到的可編程反射鏡陣列，或采用反射掩模)。該光刻裝置可以具有兩個(gè)(雙平臺(tái))或者更多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多個(gè)掩模臺(tái))。在這種“多平臺(tái)式”裝置中，可以并行使用這些附加的臺(tái)，或者可以在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。參照?qǐng)D1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射束。輻射源和光刻裝置可以是分立的機(jī)構(gòu)，例如當(dāng)該輻射源是準(zhǔn)分子激光器時(shí)。在這樣的情況下，不把輻射源看成是構(gòu)成了該光刻裝置的一部分，輻射束借助于束輸送系統(tǒng)BD從輻射源SO傳輸?shù)秸彰髌鱅L，所述束輸送系統(tǒng)BD包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器。在其它情況下，該輻射源可以是該光刻裝置的組成部分，例如當(dāng)該輻射源是汞燈時(shí)。該輻射源SO和照明器IL(如果需要可以連同該束輸送系統(tǒng)BD —起)可以被稱作輻射系統(tǒng)。照明器IL可以包括用于調(diào)節(jié)輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)節(jié)裝置AD。一般而言，至少可以調(diào)節(jié)照明器光瞳平面內(nèi)強(qiáng)度分布的外徑向范圍和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為 ο-外和σ-內(nèi))。另外，照明器IL可以包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。該照明器可以用于調(diào)節(jié)輻射束，從而使該輻射束在其橫截面上具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。
該輻射束B入射到保持在該支撐結(jié)構(gòu)(如掩模臺(tái)MT)上的構(gòu)圖部件(如掩模MA) 上，并由構(gòu)圖部件進(jìn)行構(gòu)圖。穿過掩模MA后，輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，該投影系統(tǒng)將該輻射束聚焦在基底W的靶部C上。借助于第二定位器PW和位置傳感器IF(例如干涉測量器件、線性編碼器或電容傳感器)，可以精確地移動(dòng)該基底臺(tái)WT，從而例如將不同的靶部C 定位在輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間， 可以使用第一定位器PM和另一位置傳感器(圖1中未明確示出)來相對(duì)于輻射束B的路徑精確定位該掩模MA。一般而言，借助于長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精細(xì)定位)，可以實(shí)現(xiàn)該掩模臺(tái)MT的移動(dòng)，所述長行程模塊和短行程模塊構(gòu)成第一定位器PM的一部分。類似地，利用長行程模塊和短行程模塊也可以實(shí)現(xiàn)基底臺(tái)WT的移動(dòng)，所述長行程模塊和短行程模塊構(gòu)成第二定位器PM的一部分。在步進(jìn)器的情況下(這與使用掃描裝置的情況相反)，掩模臺(tái)MT可以只與短行程致動(dòng)器連接或者可以被固定?？梢允褂醚谀?duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和基底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Pl、P2來將該掩模MA與基底W對(duì)準(zhǔn)。盡管如所示出的基底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了指定的靶部，但是它們也可以設(shè)置在各個(gè)靶部之間的空間中(這些空間被稱為劃片線(scribe-lane)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)。類似地，在有多于一個(gè)的管芯設(shè)在掩模MA上的情況下， 可以將該掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)在這些管芯之間?？梢园凑障铝心Ｊ街械闹辽僖环N使用所示的裝置1.在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT和基底臺(tái)WT保持基本不動(dòng)，而賦予輻射束的整個(gè)圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動(dòng)該基底臺(tái)WT，以便可以曝光不同的靶部C。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的靶部C的尺寸。2.在掃描模式中，掩模臺(tái)MT和基底臺(tái)WT被同步掃描，同時(shí)，賦予輻射束的圖案被投影到靶部C上(即單次動(dòng)態(tài)曝光)。基底臺(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT的速度和方向可以由投影系統(tǒng)PS的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次動(dòng)態(tài)曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描移動(dòng)的長度確定了靶部的高度 (沿掃描方向)。3.在另一模式中，掩模臺(tái)MT保持基本不動(dòng)，并且保持一可編程構(gòu)圖部件，而基底臺(tái)WT被移動(dòng)或掃描，同時(shí)，賦予輻射束的圖案被投影到靶部C上。在這種模式中，一般采用脈沖輻射源，并且，在每次移動(dòng)基底臺(tái)WT之后，或者在掃描期間相繼的輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新該可編程構(gòu)圖部件。這種工作模式可以容易地應(yīng)用于采用可編程構(gòu)圖部件的無掩模光刻中，所述可編程構(gòu)圖部件例如是上面提到的可編程反射鏡陣列類型。還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者也可以采用完全不同的使用模式。圖5示出了在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中使用的液體供給系統(tǒng)。然而，本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用于所有類型的液體供給系統(tǒng)，例如將液體供給到基底的局部區(qū)域的那些液體供給系統(tǒng)，諸如圖2至4中的液體供給系統(tǒng)。然而，本發(fā)明的實(shí)施例同樣可以應(yīng)用于其它類型的液體供給系統(tǒng)，例如將浸液提供到基底臺(tái)的頂表面的局部區(qū)域的那些液體供給系統(tǒng)。在圖5所示的液體供給系統(tǒng)中，在阻擋構(gòu)件12和基底W的頂表面之間形成密封， 用于將液體容納在投影系統(tǒng)PS和基底W之間的空間11中。在該液體供給系統(tǒng)中，氣流16 對(duì)形成該密封是有效的?？梢允褂闷渌到y(tǒng)來形成該密封。例如，從阻擋構(gòu)件12的底表面的最內(nèi)邊緣沿徑向向外開始，可以順序地由單相液體吸取器、用于形成氣體漩渦的凹口以及氣刀構(gòu)成一種密封。這種組合在提供有效密封方面是有效的。然而，利用這些類型的液體供給系統(tǒng)，當(dāng)從投影系統(tǒng)PS下方移走基底W時(shí)，例如在基底交換過程中，由于部分空間11由基底臺(tái)或放置在基底臺(tái)WT上的其它物體的頂表面形成，因此浸液可能會(huì)流出該空間11。這將導(dǎo)致干斑(drying stain)出現(xiàn)在投影系統(tǒng)PS的最末元件上，它對(duì)該最末元件的成像質(zhì)量具有不利的影響。一種克服該問題的方式是將遮蔽構(gòu)件或類似的表面放置在投影系統(tǒng)PS下方， 以在基底交換過程中代替該基底W。這樣，可以認(rèn)為該遮蔽構(gòu)件是一種模型基底(dummy substrate)。通過這種方式，當(dāng)該遮蔽構(gòu)件在該投影系統(tǒng)PS下方就位并且在阻擋構(gòu)件12 和該遮蔽構(gòu)件之間形成密封時(shí)，形成于阻擋構(gòu)件12和基底W之間的密封可保持在激活狀態(tài)下，從而即使在基底交換過程中也使投影系統(tǒng)PS的最末元件保持濕潤。以前已經(jīng)提出了將遮蔽構(gòu)件放置在基底臺(tái)WT上的思想。在這種情況下，該遮蔽構(gòu)件的尺寸比基底W小，但是足以在阻擋構(gòu)件12中投影束B所經(jīng)過的整個(gè)內(nèi)部間隙上延伸。 這樣，可以在阻擋構(gòu)件12和遮蔽構(gòu)件之間形成密封。這種遮蔽構(gòu)件可按下面的方式來使用在對(duì)基底W成像之后，移動(dòng)該基底臺(tái)WT使得遮蔽構(gòu)件(其處于基底臺(tái)上)定位在投影系統(tǒng)PS下方。然后將該遮蔽構(gòu)件附著至液體供給系統(tǒng)，這就把液體密封在空間11中。接著移走該基底臺(tái)WT并將相鄰的基底臺(tái)移動(dòng)至投影系統(tǒng)下方。將該遮蔽構(gòu)件放置在基底臺(tái) WT上，然后移動(dòng)該基底臺(tái)使得新的基底W位于投影系統(tǒng)下方。在該系統(tǒng)中，正如本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中一樣，可以在液體供給系統(tǒng)和遮蔽構(gòu)件之間使用與液體供給系統(tǒng)和基底之間相同的密封，但是也可以不是這樣，可以使用實(shí)體類型(physical type)的密封(接觸)。利用上面的系統(tǒng)，該過程是非常耗時(shí)的，因此會(huì)不利地影響處理能力。此外在定位遮蔽構(gòu)件中產(chǎn)生的誤差會(huì)隨時(shí)間累積，使得不能可靠地跟蹤該遮蔽構(gòu)件的位置。圖6示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。由基座框架BF將光刻裝置支撐在地面上。一計(jì)量框架或者說參考框架RF安裝至該基座框架BF，并通過機(jī)械隔離裝置30 (如緩沖器)與基座框架BF的振動(dòng)隔離開。這樣，該計(jì)量框架RF與基座框架BF在動(dòng)力學(xué)上隔離開。支撐基底W的基底臺(tái)WT由基座框架BF支撐。投影系統(tǒng)PS由計(jì)量框架RF支撐，輻射束B可穿過該投影系統(tǒng)。包括阻擋構(gòu)件12在內(nèi)的液體供給系統(tǒng)或者支撐在基底W上，或者可以支撐在計(jì)量框架RF上。該液體供給系統(tǒng)可以在xy平面中平移，該xy平面是垂直于該裝置的光軸的平面。此外，該基底臺(tái)可在ζ方向上移動(dòng)。在圖6的實(shí)施例中示出了遮蔽構(gòu)件50。該遮蔽構(gòu)件50與基底臺(tái)WT分開(優(yōu)選具有至少兩個(gè)基底臺(tái))，并可由致動(dòng)器100來驅(qū)動(dòng)該遮蔽構(gòu)件50，使得遮蔽構(gòu)件50能夠定位在投影系統(tǒng)PS下方，由此以與模型基底相同的方式封鎖該空間11。可替換地，可以如下面參考圖12所描述的那樣將該遮蔽構(gòu)件50插入該液體供給系統(tǒng)中。通過這種方式，當(dāng)基底 W從投影系統(tǒng)PS下方移動(dòng)時(shí)，浸液與投影系統(tǒng)PS的最末元件保持接觸，由此避免在該最末元件上形成干斑。該遮蔽構(gòu)件可以通過無線的方式進(jìn)行控制。這樣，該遮蔽構(gòu)件50由致動(dòng)器100主動(dòng)地進(jìn)行控制。該致動(dòng)器100連接在計(jì)量框架RF和遮蔽構(gòu)件50之間，使得遮蔽構(gòu)件50相對(duì)于投影系統(tǒng)PS的位置總是精確已知的，并且不會(huì)因?yàn)槭捌鸷头畔抡诒螛?gòu)件50而引入誤差。該致動(dòng)器100從不釋放該遮蔽構(gòu)件50。 9該實(shí)施例或任何其它實(shí)施例的遮蔽構(gòu)件可以連接在基座框架BF上，而不是連接到計(jì)量框架RF上。如圖6所示，該遮蔽構(gòu)件50由單個(gè)元件構(gòu)成。然而，也可以不是這樣，如圖7所示， 該遮蔽構(gòu)件由一個(gè)以上的元件構(gòu)成，例如下面描述所的兩個(gè)元件。該致動(dòng)器100可以使該遮蔽構(gòu)件50平移和/或旋轉(zhuǎn)，并且在圖8和圖9中示出了旋轉(zhuǎn)和平移的組合的兩個(gè)示例。為了將遮蔽構(gòu)件50定位在投影系統(tǒng)PS下方并由此防止浸液從空間11中泄漏，可以在基底W或基底臺(tái)WT或安裝在基底臺(tái)WT上的物體仍然還定位在投影系統(tǒng)下方的時(shí)候就將該遮蔽構(gòu)件50插入就位。這可以在朝著投影系統(tǒng)致動(dòng)該液體供給系統(tǒng)的情況下(即，基本上沿光軸方向在ζ軸上遠(yuǎn)離該基底)實(shí)現(xiàn)，也可以不在該情況下實(shí)現(xiàn)。在移走基底W之前將遮蔽構(gòu)件50放置在投影系統(tǒng)PS下方的情況下，有益的是將基底臺(tái)WT放置成使得排液區(qū)域200定位在投影系統(tǒng)PS下方。這是因?yàn)?，?dāng)將遮蔽構(gòu)件50插在液體供給系統(tǒng)和基底臺(tái)WT之間時(shí)，液體能夠殘留在遮蔽構(gòu)件50和基底臺(tái)WT之間。該排液區(qū)域200具有與低壓源連接的出口 210，從而能夠去除任何這種殘留液體。該排液區(qū)域足夠大以便能夠包圍該空間11的整個(gè)覆蓋區(qū)域?？梢栽趫D12所示的實(shí)施例中使用類似的排液區(qū)域，該圖12的實(shí)施例中，遮蔽構(gòu)件50插在投影系統(tǒng)PS與液體供給系統(tǒng)的底部之間(該液體供給系統(tǒng)通常和基底W —起形成密封)，即，該遮蔽構(gòu)件50不是定位在液體供給系統(tǒng)下方，這樣，在該遮蔽構(gòu)件50與該液體供給系統(tǒng)之間不會(huì)形成通常與基底W —起形成的那種密封。下文參考圖12 描述了去除這種在該實(shí)施例中殘留液體的另一個(gè)方法。一種可替換的系統(tǒng)涉及將基底臺(tái)WT從投影系統(tǒng)下方移出，同時(shí)將遮蔽構(gòu)件50移動(dòng)到投影系統(tǒng)PS下方的一個(gè)位置；遮蔽構(gòu)件50的前緣(即最先通過投影系統(tǒng)下方的邊緣) 緊隨基底臺(tái)WT的尾緣(即最后通過投影系統(tǒng)PS下方的邊緣)，使得在基底臺(tái)WT和遮蔽構(gòu)件50之間優(yōu)選保留盡可能小的間隙。這允許在密封基底W和遮蔽構(gòu)件50之間實(shí)現(xiàn)對(duì)阻擋構(gòu)件12密封的無縫過渡，而不需要關(guān)閉該液體供給系統(tǒng)。圖9示出了如何實(shí)現(xiàn)該實(shí)施例。 如果基底臺(tái)WT的邊緣的頂表面與遮蔽構(gòu)件50是共面的，那么這種過渡在不改變液體供給系統(tǒng)運(yùn)行狀態(tài)的情況下是最容易實(shí)現(xiàn)的。這一系列動(dòng)作的實(shí)現(xiàn)可以伴隨有或者并不伴隨有該遮蔽構(gòu)件50在ζ方向上的移動(dòng)，該遮蔽構(gòu)件50在ζ方向上的移動(dòng)是為了能夠?qū)⒄诒螛?gòu)件50的頂表面定位在與基底W的頂表面和基底臺(tái)WT的頂表面相同的平面中。該實(shí)施例與在圖10和11中所示的實(shí)施例類似。該遮蔽構(gòu)件50可以由任何材料構(gòu)成，例如不銹鋼。此外，該遮蔽構(gòu)件50的頂表面也可以涂覆一種材料，該材料至少部分是液體或者對(duì)于該浸液是疏水的。一種這樣的材料是聚四氟乙烯(PTFE)。例如，浸液可具有超過45°、超過70°、超過90°、100° UlO0、 120°的接觸角。該遮蔽構(gòu)件50的移動(dòng)受控制器的控制，該控制器根據(jù)上述方法使基底臺(tái)和遮蔽構(gòu)件的移動(dòng)同步。在一個(gè)實(shí)施例中可以沒有致動(dòng)器100，基底臺(tái)WT具有一機(jī)構(gòu)，該機(jī)構(gòu)構(gòu)造成這樣， 即，當(dāng)基底臺(tái)WT從投影系統(tǒng)PS下方移離時(shí)，該機(jī)構(gòu)將遮蔽構(gòu)件50拉到投影系統(tǒng)PS下方。 然后，要抵達(dá)的下一個(gè)基底臺(tái)將該遮蔽構(gòu)件50推開。合適的機(jī)構(gòu)可以是磁性的，以允許將該遮蔽構(gòu)件選擇性地附著在基底臺(tái)WT或真空吸引裝置上。在這種情況下，該遮蔽構(gòu)件50 簡單地機(jī)械安裝至該計(jì)量框架RF。
圖7以平面圖的形式示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。標(biāo)記為15的圓形陰影區(qū)域表示該空間11的覆蓋區(qū)域，并被認(rèn)為是在任一時(shí)刻被覆蓋在浸液中的區(qū)域。在圖7所示的實(shí)施例中，該遮蔽構(gòu)件包括兩個(gè)片體501、502。每一片體分別由一致動(dòng)器(未示出)致動(dòng)，并通過該致動(dòng)器與計(jì)量框架RF連接。片體501、502在未被使用時(shí)以縮回狀態(tài)或結(jié)構(gòu)而定位在液體供給系統(tǒng)10 (未在圖7中示出)兩側(cè)上。當(dāng)起動(dòng)這些片體時(shí)，可選地，該液體供給系統(tǒng)可朝著該投影系統(tǒng)向上移動(dòng)，以在該液體供給系統(tǒng)和基底W之間獲得更大的空間，并使片體501、502向內(nèi)移動(dòng)并在它們的最內(nèi)側(cè)邊緣會(huì)合，由此密封該空間。在該實(shí)施例中，這些片體可以穿過按照?qǐng)D5的液體供給系統(tǒng)的阻擋構(gòu)件12，或者它們可以定位在阻擋構(gòu)件12內(nèi)側(cè)。在這種情況下，在閉合片體501、502之后會(huì)在基底臺(tái)WT上殘留少量的水，圖12中描述了一種去除該殘留水的方法。也可以使用圖6示出的排液區(qū)域 200來去除水。在如所有其它實(shí)施例中一樣的該實(shí)施例中，在從投影系統(tǒng)下方移走該遮蔽構(gòu)件之后，可以在清潔/干燥站對(duì)該遮蔽構(gòu)件進(jìn)行清潔和/或干燥，從而避免可能導(dǎo)致污染的干斑。圖8示出了一個(gè)實(shí)施例，除了下面所描述的之外，它與圖6中示出的實(shí)施例相同。 在圖8的實(shí)施例中，致動(dòng)器100可有效地使與遮蔽構(gòu)件50連接的杠桿臂55旋轉(zhuǎn)。該杠桿臂陽圍繞一點(diǎn)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，所圍繞的點(diǎn)相對(duì)于杠桿臂與遮蔽構(gòu)件50的連接點(diǎn)來說處于遠(yuǎn)側(cè)， 所進(jìn)行的旋轉(zhuǎn)可有效地使遮蔽構(gòu)件50從尚未被定位在投影系統(tǒng)PS下方的位置(已示出) 旋轉(zhuǎn)和平移到其被定位在投影系統(tǒng)PS下方的位置。除了下面所描述的之外，圖9所示的實(shí)施例與圖6所示的實(shí)施例相同。在圖9所示的實(shí)施例中，遮蔽構(gòu)件50和致動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)成與基底臺(tái)WT在投影系統(tǒng)PS下方同時(shí)移動(dòng)。 這樣，就提供了兩個(gè)致動(dòng)器100、110，一個(gè)致動(dòng)器100用于使杠桿臂55旋轉(zhuǎn)，另一個(gè)致動(dòng)器 110用于使該遮蔽構(gòu)件50相對(duì)杠桿臂55旋轉(zhuǎn)，使得當(dāng)基底臺(tái)WT從投影系統(tǒng)PS下方移動(dòng)并且遮蔽構(gòu)件50同時(shí)移動(dòng)以取代其位置時(shí)，該遮蔽構(gòu)件50的前緣51鄰接或緊鄰基底臺(tái)WT 的尾緣40。在一個(gè)備選實(shí)施例中，可以省略第二致動(dòng)器110，遮蔽構(gòu)件50圍繞點(diǎn)110的旋轉(zhuǎn)可以通過與離開的基底臺(tái)WT的相互作用來實(shí)現(xiàn)。另一個(gè)實(shí)施例如圖10所示。在該實(shí)施例中，與其它實(shí)施例不同，該遮蔽構(gòu)件70的大小并不足以用其本身覆蓋該空間11的覆蓋區(qū)域15。該遮蔽構(gòu)件70足夠長，使得它(至少)在一個(gè)維度上比該覆蓋區(qū)域15長，并且它還可以安裝至該計(jì)量框架RF并從該計(jì)量框架RF致動(dòng)。第一基底臺(tái)WTl的尾緣72緊接在遮蔽構(gòu)件70的前緣71之前。遮蔽構(gòu)件70的尾緣緊接在第二基底臺(tái)WT2的前緣之前。這樣，通過從投影系統(tǒng)PS下方移出第一基底臺(tái)WT1， 并用遮蔽構(gòu)件70替換該第一基底臺(tái)，可以在投影系統(tǒng)PS下方實(shí)現(xiàn)一個(gè)基底Wl (未在圖10 中示出)與另一個(gè)基底W2(未在圖10中示出)的轉(zhuǎn)換。當(dāng)遮蔽構(gòu)件70在投影系統(tǒng)下方移動(dòng)時(shí)，第二基底臺(tái)WT2跟隨該遮蔽構(gòu)件。這樣，該覆蓋區(qū)域15同時(shí)覆蓋了第一和第二基底臺(tái)的一部分以及該遮蔽構(gòu)件70。然而，該遮蔽構(gòu)件70可以足夠大，使得這種情況不會(huì)發(fā)生， 而是該覆蓋區(qū)域或者是僅覆蓋基底臺(tái)WTl或基底臺(tái)WT2，或者是覆蓋遮蔽構(gòu)件70和第一基底臺(tái)WTl這兩者或覆蓋遮蔽構(gòu)件70和第二基底臺(tái)WT2這兩者。該實(shí)施例的益處在于，第一和第二基底臺(tái)WT1、WT2不必定位得彼此特別靠近，從而使得一個(gè)基底臺(tái)不太可能和另一個(gè)基底臺(tái)發(fā)生碰撞。即使該遮蔽構(gòu)件70足夠大到覆蓋了該覆蓋區(qū)域15，類似的一系列動(dòng)作也是可能的。在圖10的實(shí)施例中，該光刻裝置包括一控制器，其配置成這樣，即，其通過使第一和第二基底臺(tái)一起在液體供給系統(tǒng)下方移動(dòng)并且使該中間遮蔽構(gòu)件定位在第一和第二基底臺(tái)之間，從而控制由第一基底臺(tái)WTl保持的基底與由第二基底臺(tái)WT2保持的另一基底在投影系統(tǒng)下方進(jìn)行的交換，而基本上不會(huì)從該液體供給系統(tǒng)損失液體。圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置。除了下面所描述的之外，圖 11的實(shí)施例與圖6的實(shí)施例相同。在圖6的實(shí)施例中，該遮蔽構(gòu)件50由相對(duì)硬的板構(gòu)成。 相反，在圖11的實(shí)施例中，該遮蔽構(gòu)件50由這樣一種構(gòu)件來提供，該構(gòu)件在縮回狀態(tài)或結(jié)構(gòu)中時(shí)卷在其自身上(可選地圍繞著一個(gè)輥)，并且該構(gòu)件通過展開而延伸到伸展位置(如所示出的)。該實(shí)施例可以被使用成使得該遮蔽構(gòu)件的前緣跟隨從投影系統(tǒng)PS下方移出的基底臺(tái)WT的尾緣，或者可以在基底臺(tái)WT保持在投影系統(tǒng)PS下方且同時(shí)該遮蔽構(gòu)件本身定位在投影系統(tǒng)PS下方的實(shí)施例中使用。如圖6的實(shí)施例一樣，該遮蔽構(gòu)件安裝至該計(jì)量框架RF。然而，該系統(tǒng)可以如下文所述那樣由基底臺(tái)自身來致動(dòng)，或者可以與第一實(shí)施例類似的方式利用連接至計(jì)量框架RF的致動(dòng)器來致動(dòng)。圖11實(shí)施例的遮蔽構(gòu)件圍繞輥600卷在縮回位置，在該縮回位置，該遮蔽構(gòu)件沒有定位在投影系統(tǒng)PS下方。該遮蔽構(gòu)件包括薄片610，當(dāng)從輥600上展開該薄片時(shí)，該薄片可在投影系統(tǒng)PS下方伸展。這可以通過將該薄片的前緣620拉離該輥而使得剩余的薄片從輥600上展開而得以實(shí)現(xiàn)。然后，所展開的薄片610的頂表面提供一表面，阻擋構(gòu)件12 的密封部抵靠該表面進(jìn)行密封。然后，利用阻擋構(gòu)件12的底表面上的低壓源或者利用另一系統(tǒng)(如磁力)將薄片610附著或吸引到阻擋構(gòu)件12的下側(cè)。如前所述，可以利用安裝至計(jì)量框架的致動(dòng)器將薄片610從輥600上展開?？商鎿Q地，該薄片610的前緣620可以連接至基底臺(tái)WT (例如利用磁耦合器在尾緣處進(jìn)行連接)。 當(dāng)下一個(gè)基底就位時(shí)或者下一個(gè)基底臺(tái)到達(dá)時(shí)，薄片610可以通過其自身的致動(dòng)器或者通過由新到達(dá)的基底臺(tái)WT推動(dòng)而縮回。該薄片610可以由不銹鋼制成，為了提高對(duì)該遮蔽構(gòu)件的清潔和/或干燥，該不銹鋼或許可以具有涂層。圖12示出了一個(gè)可以應(yīng)用于所有其它實(shí)施例的特征。在圖12所示的實(shí)施例中， 一個(gè)或多個(gè)遮蔽構(gòu)件不是定位在該液體供給系統(tǒng)下方并處于液體供給系統(tǒng)和基底W之間， 而是定位在該液體供給系統(tǒng)中。這可以與阻擋式液體供給系統(tǒng)(如在圖4和5中所示的那些液體供給系統(tǒng))一起工作。該遮蔽構(gòu)件可以是液體供給系統(tǒng)的一部分，并且可以用安裝至該計(jì)量框架RF或投影系統(tǒng)PS的致動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)。這樣，阻擋構(gòu)件12具有通道120，遮蔽構(gòu)件50能穿過該通道而插入，這樣，該遮蔽構(gòu)件將圖5所示的空間11分成兩個(gè)區(qū)域，一個(gè)區(qū)域位于遮蔽構(gòu)件50上方和投影系統(tǒng)PS下方，第二區(qū)域位于遮蔽構(gòu)件50下方和阻擋構(gòu)件12的底表面的上方。在一些情況下，處于縮回位置的遮蔽構(gòu)件50 (其可以由一個(gè)以上元件構(gòu)成)可以保持在該阻擋構(gòu)件12的內(nèi)部，而在其它實(shí)施例中，如在圖12所示的實(shí)施例中，當(dāng)遮蔽構(gòu)件50處于縮回位置時(shí)位于阻擋構(gòu)件 12的外部。特別是在該實(shí)施例中，該遮蔽構(gòu)件由一個(gè)以上的元件構(gòu)成。
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在該實(shí)施例中，一些液體將保持在遮蔽構(gòu)件50的下方并處于遮蔽構(gòu)件50和基底 W之間。該殘留液體需要被去除。上面已經(jīng)參考圖6所示的實(shí)施例描述了一種去除該液體的方法，它是利用在基底臺(tái)WT上提供排液區(qū)域200。在圖12的實(shí)施例中，遮蔽構(gòu)件50實(shí)際上布置在阻擋構(gòu)件12中，可以在該阻擋構(gòu)件12上提供液體去除裝置(該液體去除裝置可以構(gòu)成通常的密封系統(tǒng)的一部分而在阻擋構(gòu)件12和基底W之間形成密封，或者該液體去除裝置也可以不構(gòu)成該密封系統(tǒng)的一部分)，用于去除該殘留液體。使用這種密封件來去除該殘留水需要基底臺(tái)WT在投影系統(tǒng)PS下方四處移動(dòng)，使得所有被殘留水所覆蓋的區(qū)域都被帶到該密封系統(tǒng)的吸取器14(參見圖5)的下方。為了避免產(chǎn)生真空，期望的是將由阻擋構(gòu)件12和遮蔽構(gòu)件50所圍繞的空間對(duì)大氣敞開，從而避免液體保持在該空間中。此外，還期望的是向該區(qū)域提供氣流以吹除附著在該板50的下側(cè)或附著在阻擋構(gòu)件12的內(nèi)側(cè)壁上的任何液滴，其中，所述阻擋構(gòu)件的內(nèi)側(cè)壁限定了該空間。圖13示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置，該實(shí)施例與圖6的實(shí)施例相同，除了致動(dòng)器100安裝在投影系統(tǒng)和遮蔽構(gòu)件50之間，使得致動(dòng)器通過投影系統(tǒng)安裝至該計(jì)量框架 RF。圖14示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置，該實(shí)施例與圖6的實(shí)施例相同，除了致動(dòng)器100安裝至該液體供給系統(tǒng)(該液體供給系統(tǒng)自身活動(dòng)地安裝至該計(jì)量框架)。這與諸如圖4或5的阻擋構(gòu)件12型液體供給系統(tǒng)特別相關(guān)。如所示出的，該遮蔽構(gòu)件不穿過該阻擋構(gòu)件12，但是它也可以穿過該阻擋構(gòu)件。上述任何一個(gè)實(shí)施例中的任何特征都可以組合到或增加到上述任何一個(gè)實(shí)施例中。盡管在本申請(qǐng)中可以具體參考該光刻裝置在IC制造中的使用，但是應(yīng)該理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應(yīng)用，例如，用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解， 在這種可替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語“晶片”或者“管芯(die)”的使用應(yīng)認(rèn)為分別可以與更上位的術(shù)語“基底”或“靶部”同義。在曝光之前或之后，可以在例如勻膠顯影機(jī) (track，通常將抗蝕劑層施加于基底上并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)、計(jì)量工具和 /或檢驗(yàn)工具中對(duì)這里提到的基底進(jìn)行處理。在可應(yīng)用的地方，這里的公開可應(yīng)用于這種和其它基底處理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對(duì)基底進(jìn)行多次處理，因此這里所用的術(shù)語基底也可以指已經(jīng)包含多個(gè)已處理的層的基底。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有大約365，248，193，157或者126nm的波長)。在本申請(qǐng)?jiān)试S的地方，術(shù)語“透鏡”可以表示各種類型的光學(xué)部件中的任意一種或組合，包括折射光學(xué)部件和反射光學(xué)部件。盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，可以以不同于所描述的其它方式來實(shí)施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可以采取計(jì)算機(jī)程序的形式，該計(jì)算機(jī)程序包含描述了上面所公開方法的一個(gè)或多個(gè)序列的機(jī)器可讀指令，或者包含其中存儲(chǔ)有這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)。本發(fā)明可以應(yīng)用于任何浸液光刻裝置，特別是但不局限于上面所提到的那些類型。
上面的描述是為了說明性的而非限制性的。因此，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不脫離下面羅列的權(quán)利要求的范圍的情況下，可以對(duì)所描述的發(fā)明進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種光刻投影裝置，包括投影系統(tǒng)，用于將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上；液體供給系統(tǒng)，用于將液體供給至該投影系統(tǒng)的一元件與該基底之間的空間； 遮蔽構(gòu)件，基本上可定位成當(dāng)將該基底從投影系統(tǒng)下方移走時(shí)確保該液體保持與所述元件接觸；和基底臺(tái)，用于支撐該基底并包括排液區(qū)域，該排液區(qū)域可移動(dòng)至該液體供給系統(tǒng)下方的一位置，并且在該位置處可去除該遮蔽構(gòu)件下方的液體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影裝置，其特征在于，該排液區(qū)域包括與出口，該出口連接至用于去除液體的低壓源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影裝置，其特征在于，該排液區(qū)域包括與基底的頂表面基本上處于同一平面中的表面，所述排液區(qū)域的該表面的尺寸在平面圖中至少與所述空間一樣大。
4.一種光刻投影裝置，包括投影系統(tǒng)，用于將圖案從構(gòu)圖部件透過液體投影到基底上；液體供給系統(tǒng)，用于供給液體；第一和第二基底臺(tái)，每一基底臺(tái)均用于保持基底；中間遮蔽構(gòu)件，其在平面圖中小于該液體供給系統(tǒng)將液體所供給到的區(qū)域，并且在與該基底大致平行的平面中是可移動(dòng)的；控制器，其通過使第一和第二基底臺(tái)一起在液體供給系統(tǒng)下方移動(dòng)并且使該中間遮蔽構(gòu)件定位在第一和第二基底臺(tái)之間，從而控制由第一基底臺(tái)保持的基底與由第二基底臺(tái)保持的另一基底在投影系統(tǒng)下方進(jìn)行的交換，而基本上不會(huì)從該液體供給系統(tǒng)損失液體。
5.一種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將圖案化輻射束投影到基底上；用液體供給系統(tǒng)將液體供給至該投影系統(tǒng)的一元件與該基底之間的空間； 在該投影之后，在移走該基底之前將遮蔽構(gòu)件插在該投影系統(tǒng)下方，使得在移走該基底時(shí)該液體保持與該投影系統(tǒng)的所述元件接觸；和用該液體供給系統(tǒng)的液體去除裝置去除殘留在該遮蔽構(gòu)件下方的液體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，還包括在投影過程中使用該液體去除裝置來密封該液體供給系統(tǒng)的阻擋構(gòu)件與基底之間的空間。
7.一種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將圖案化輻射束投影到基底臺(tái)的基底上； 用液體供給系統(tǒng)將液體供給至該投影系統(tǒng)的一元件與該基底之間的空間； 在該投影之后，在移走該基底之前將遮蔽構(gòu)件插在該投影系統(tǒng)下方，使得在移走該基底時(shí)該液體保持與該投影系統(tǒng)的所述元件接觸；和使用布置在該基底臺(tái)上且定位在該液體供給系統(tǒng)下方的排液區(qū)域來去除任何殘留在該遮蔽構(gòu)件下方的液體。
8.一種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將圖案化輻射束投影到基底上；用液體供給系統(tǒng)將液體供給至該投影系統(tǒng)的一元件與該基底之間的空間；在該投影之后，朝著該投影系統(tǒng)平移該液體供給系統(tǒng)，并在移走該基底之前將遮蔽構(gòu)件插在該投影系統(tǒng)下方，使得在移走該基底時(shí)該液體保持與該投影系統(tǒng)的所述元件接觸。
9.一種光刻投影裝置，包括投影系統(tǒng)，用于將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上；液體供給系統(tǒng)，用于將液體供給在該投影系統(tǒng)的元件與該基底之間的空間內(nèi)； 計(jì)量框架，用于支撐該投影系統(tǒng)，該計(jì)量框架安裝至支撐所述裝置的基座框架并與該基座框架在動(dòng)力學(xué)上隔離開；遮蔽構(gòu)件，基本上可定位成當(dāng)將該基底從投影系統(tǒng)下方移走時(shí)確保該液體保持與所述元件接觸；和致動(dòng)器，用于定位該遮蔽構(gòu)件，該致動(dòng)器連接在該計(jì)量框架與該遮蔽構(gòu)件之間。
10.一種光刻投影裝置，其布置成將圖案從構(gòu)圖部件透過液體投影到基底上，該裝置包括用于供給該液體的液體供給系統(tǒng)；和具有伸展?fàn)顟B(tài)和縮回狀態(tài)的遮蔽構(gòu)件，在該伸展?fàn)顟B(tài)中，該遮蔽構(gòu)件可定位成當(dāng)將該基底從投影系統(tǒng)下方移走時(shí)確保該液體保持與投影系統(tǒng)的一元件接觸，其中，該投影系統(tǒng)用于投影所述圖案；而在該縮回狀態(tài)中，該遮蔽構(gòu)件被卷起。
全文摘要
公開了一種光刻投影裝置，其中在基底交換過程中利用遮蔽構(gòu)件來遮擋該液體供給系統(tǒng)，從而在基底交換過程中確保液體與投影系統(tǒng)的一元件保持接觸。該遮蔽構(gòu)件與支撐投影系統(tǒng)的計(jì)量框架連接。通過這種方式，遮蔽構(gòu)件的位置總是已知的。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102207688SQ201110128559
公開日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2007年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月20日
發(fā)明者B·H·科克, F·范德穆倫, H·K·范德舒特, H·巴特勒, J·P·H·本肖普, N·R·肯帕 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司