專利名稱：光刻設(shè)備、光刻設(shè)備中的蓋和設(shè)計(jì)光刻設(shè)備中的蓋的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備、一種用在光刻設(shè)備中的蓋以及一種用于設(shè)計(jì)用在光刻設(shè)備中的蓋的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向) 掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也能夠以通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。已經(jīng)提出將光刻投影設(shè)備中的襯底浸入到具有相對(duì)高的折射率的液體(例如水) 中，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在一實(shí)施例中，液體為蒸餾水，盡管也可以應(yīng)用其他液體。本發(fā)明的實(shí)施例將參考液體進(jìn)行描述。然而，其他液體可能也是合適的，尤其是潤濕性流體、不可壓縮的流體和/或折射率比空氣高的流體，期望地是折射率比水高的流體。除氣體之外的流體尤其是期望的。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)更小特征的成像，因?yàn)槠毓廨椛湓谝后w中將會(huì)具有更短的波長。(液體的作用也可以看作提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑 (NA)并且也增加了焦深。)還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英) 的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達(dá)IOnm的顆粒)的液體。這種懸浮的顆?？梢跃哂谢虿痪哂信c它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴(例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液)。將襯底或襯底和襯底臺(tái)浸入液體浴器(參見，例如美國專利US4，509，852)意味著在掃描曝光過程中應(yīng)當(dāng)加速大體積的液體。這可能需要額外的或更大功率的電動(dòng)機(jī)，而且液體中的湍流可能會(huì)導(dǎo)致不希望的或不能預(yù)期的效果。已經(jīng)提出的其它布置包括受限的浸沒系統(tǒng)和全潤濕浸沒系統(tǒng)。在受限的浸沒系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)通過使用液體限制系統(tǒng)僅將液體提供在襯底的局部區(qū)域上和在投影系統(tǒng)的最終元件與襯底之間(通常襯底具有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表面積)。提出來的一種用于設(shè)置上述布置方案的方法在公開號(hào)為W099/49504的PCT專利申請(qǐng)出版物中公開了。在全潤濕浸沒系統(tǒng)中，如在公開號(hào)為WO 2005/064405的PCT專利申請(qǐng)出版物中公開的，浸沒液體不受限制。在這樣的系統(tǒng)中，襯底的整個(gè)頂表面被覆蓋在液體中。這可能是有利的，因?yàn)槿缓笏鲆r底的整個(gè)頂表面被暴露于基本上相同的條件。這可以有利于襯底的溫度控制和處理。在WO 2005/064405中，液體供給系統(tǒng)提供液體至投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的間隙中。液體被允許泄漏在襯底的其余部分上。在襯底臺(tái)的邊緣處的阻擋件防止液體流走，使得可以以一種可控制的方式從襯底臺(tái)的所述頂表面移除液體。浸沒系統(tǒng)可以是流體處理系統(tǒng)或設(shè)備。在浸沒系統(tǒng)中，浸沒流體由流體處理系統(tǒng)、 結(jié)構(gòu)或設(shè)備來處理。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可供給浸沒流體并且因此可以是流體供給系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以至少部分地限制浸沒流體，并且因此可以是流體限制系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以給浸沒流體提供阻擋件，并且因此可以是阻擋構(gòu)件，例如流體限制結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以生成或使用氣體流，例如幫助控制浸沒流體的流動(dòng)和/或位置。氣體流可以形成密封，以限制浸沒流體，使得流體處理結(jié)構(gòu)可以被稱為密封構(gòu)件；這樣的密封構(gòu)件可以是流體限制結(jié)構(gòu)。流體處理系統(tǒng)可以位于投影系統(tǒng)和襯底臺(tái)之間。在一實(shí)施例中，浸沒液體被用作浸沒流體。在這種情形中，流體處理系統(tǒng)可以是液體處理系統(tǒng)。在對(duì)上述的描述的提及中，在這一段落中對(duì)關(guān)于流體所限定的特征的提及可以被理解成包括關(guān)于液體所限定的特征。在流體處理系統(tǒng)或液體限制結(jié)構(gòu)中，液體被限制到空間中，例如限制結(jié)構(gòu)中的空間中。所述空間可以由限制結(jié)構(gòu)的主體、下方的表面(例如襯底臺(tái)、被支撐到襯底臺(tái)上的襯底、遮蔽構(gòu)件和/或測(cè)量臺(tái))以及在局部區(qū)域的浸沒系統(tǒng)的情形中的在流體處理系統(tǒng)或液體限制結(jié)構(gòu)與下方的結(jié)構(gòu)之間(即在浸沒空間中)的液體彎液面所限定。在全潤濕的系統(tǒng)的情形中，液體被允許從浸沒空間流出到襯底和/或襯底臺(tái)的頂表面上。在歐洲專利申請(qǐng)公開出版物No. EP1420300和美國專利申請(qǐng)公開出版物 NO.US2004-0136494中，公開了一種成對(duì)的或雙臺(tái)浸沒式光刻設(shè)備的方案，通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。這種設(shè)備設(shè)置有兩個(gè)用于支撐襯底的臺(tái)。調(diào)平測(cè)量在沒有浸沒液體的臺(tái)的第一位置處進(jìn)行，曝光在存在浸沒液體的臺(tái)的第二位置處進(jìn)行。可選的是，所述設(shè)備僅具有一個(gè)臺(tái)。在浸沒式光刻設(shè)備中對(duì)襯底曝光之后，襯底臺(tái)被從其曝光位置移開，到達(dá)襯底可以被移除和被不同的襯底所替換所在的位置。這被稱為襯底更換。在兩臺(tái)光刻設(shè)備(例如 ASML的“雙掃描”光刻設(shè)備)中，襯底臺(tái)的更換在投影系統(tǒng)下面進(jìn)行。

發(fā)明內(nèi)容
在光刻設(shè)備中，通過襯底保持器將襯底支撐在襯底臺(tái)上。襯底保持器可以位于襯底臺(tái)的凹陷中。所述凹陷可以被設(shè)定尺寸，使得當(dāng)襯底被襯底保持器支撐時(shí)，襯底的頂表面大致與圍繞襯底的襯底臺(tái)的表面處于同一平面中。在襯底的周圍可以存在位于襯底的邊緣和襯底臺(tái)的邊緣之間的間隙。這樣的間隙可能在光刻設(shè)備的浸沒系統(tǒng)中是不被期望的。隨著間隙在投影系統(tǒng)的最終元件和下方的表面之間的空間中的浸沒液體下面移動(dòng)，限制結(jié)構(gòu)和下方的表面之間的彎液面穿過所述間隙。穿過所述間隙可能增加彎液面的不穩(wěn)定性。彎液面的穩(wěn)定性可以隨著限制結(jié)構(gòu)和襯底臺(tái)之間的相對(duì)速度(例如掃描速度或步進(jìn)速度)的增加而減小。逐漸不穩(wěn)定的彎液面具有增加缺陷率的風(fēng)險(xiǎn)。例如，不穩(wěn)定的彎液面可以將氣體封閉成為浸沒液體中的氣泡，或可能導(dǎo)致液滴從浸沒空間逸出。這樣的氣泡可能被抽取到空間中，而導(dǎo)致成像缺陷。液滴可能是污染物源，在它蒸發(fā)時(shí)可能是熱負(fù)載，且它之后可能與彎液面碰撞，從而導(dǎo)致氣泡被抽取到所述空間中。穿過間隙的一個(gè)或更多的問題可以通過提供兩相抽取系統(tǒng)而被減小。兩相抽取系統(tǒng)從間隙抽取諸如浸沒液體和氣體(其可能存在為液體中的氣泡)等流體。如果沒有被消除的話，可以減小缺陷源，諸如釋放氣泡到空間中，或液滴從空間逸出。然而，這樣的抽取系統(tǒng)的提供可以將熱負(fù)載賦予到襯底臺(tái)和襯底上。這可能對(duì)在襯底上所形成的圖案的重疊精度產(chǎn)生負(fù)面作用。間隙可以內(nèi)在地限制可以用于實(shí)現(xiàn)對(duì)襯底可靠成像的掃描速度。因此，期望例如提供一種系統(tǒng)，用以增加彎液面的穩(wěn)定性和減少缺陷率，例如降低產(chǎn)生氣泡或釋放液滴的可能性。在本發(fā)明的一個(gè)方面中，提供了一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)具有上表面和在所述上表面中的凹陷，所述凹陷配置成容納和支撐襯底；流體處理結(jié)構(gòu)，配置成將浸沒流體包含在靠近位于所述凹陷中的襯底和/或所述襯底臺(tái)的上表面的空間中；蓋，所述蓋包括平坦主體，所述平坦主體在使用中圍繞襯底從所述上表面延伸至所述襯底的上主面的周邊部，用于覆蓋所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙；和浸沒流體薄膜破壞器，配置成在所述襯底臺(tái)相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的移動(dòng)期間破壞在所述蓋的邊緣和被所述流體處理結(jié)構(gòu)包含的浸沒流體之間的浸沒流體薄膜的形成。在本發(fā)明的一個(gè)方面中，提供了一種設(shè)計(jì)用在浸沒光刻設(shè)備中的蓋的方法，所述浸沒光刻設(shè)備包括具有基本上平坦的上表面的襯底臺(tái)，在所述基本上平坦的上表面中形成了凹陷，所述凹陷配置成容納和支撐襯底，所述蓋包括基本上平坦的主體，所述基本上平坦的主體在使用中圍繞所述襯底從所述上表面延伸至所述襯底的上主面的周邊部，用于覆蓋所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙；其中所述蓋的邊緣是有錐度的，使得所述蓋的厚度橫過所述邊緣逐漸減小，且所述方法包括選擇有錐度的所述蓋的所述部分的表面相對(duì)于所述襯底的上主面的角度，使得在使用中所述蓋的選擇在所述襯底臺(tái)相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的移動(dòng)期間破壞在所述蓋的邊緣和被所述光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)包含的浸沒流體之間的浸沒流體薄膜的形成。在本發(fā)明的一個(gè)方面中，提供了一種使用上述的設(shè)計(jì)蓋的方法制造蓋的方法和由此制造的蓋。


下面僅通過示例的方式，參考示意性附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的參考標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2和圖3示出用于光刻投影設(shè)備中作為液體供給系統(tǒng)的流體處理結(jié)構(gòu)；圖4示出用于光刻投影設(shè)備中的另外的液體供給系統(tǒng)；圖5示出了可以在本發(fā)明的實(shí)施例中作為液體供給系統(tǒng)使用的液體限制結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的襯底容納部的平面視圖；圖7和8分別示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的位于敞開和關(guān)閉位置的蓋的平面視圖；圖9和10分別示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的在關(guān)閉和敞開位置的蓋的平面視圖；圖11、12和13示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的用于分別在關(guān)閉位置、中間位置和敞開位置的蓋的致動(dòng)器系統(tǒng)的橫截面；圖14和15示出可以在本發(fā)明的一個(gè)方面的致動(dòng)器系統(tǒng)中使用的移動(dòng)引導(dǎo)件的布置的橫截面視圖；圖16、17和18示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的用于分別位于關(guān)閉位置、中間位置和敞開位置的蓋的致動(dòng)器系統(tǒng)；圖19和20示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的蓋的橫截面視圖；圖21示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的蓋的布置的橫截面視圖；圖22至25示意性示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的蓋的邊緣的可能的配置；圖沈至32示意性地顯示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的蓋的布置的橫截面視圖；圖33顯示在使用中的蓋的布置；圖34顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的在包括浸沒流體薄膜破壞器的系統(tǒng)中的蓋的布置；圖35顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的在包括浸沒流體薄膜破壞器的系統(tǒng)中的蓋的布置；圖36顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的在包括浸沒流體薄膜破壞器的系統(tǒng)中的蓋的布置；圖37示例性顯示彎液面穿過蓋的邊緣的位置；和圖38示例性顯示彎液面在特定的一組條件下穿過蓋的位置。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；-襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W， 并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式來保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)期望成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng)PS)。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩模”都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置MA的示例包括掩模、 可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)。所述投影系統(tǒng)的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、 或其任意組合。所述投影系統(tǒng)的選擇或組合是如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其它因素所適合的。這里使用的術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的圖案形成裝置臺(tái))的類型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源SO為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源SO 考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源 SO可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束B，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。與所述源SO相似，可以將照射器IL考慮成或不考慮成形成光刻設(shè)備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設(shè)備的組成部分或可以是與光刻設(shè)備分立的實(shí)體。在后者的情形中，可以配置光刻設(shè)備用以允許將照射器IL安裝到其上。可選地，照射器IL是可拆卸的，且可以被獨(dú)立地提供(例如通過光刻設(shè)備制造商或另一供應(yīng)商來提供)。
所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置 MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS。所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B聚焦到所述襯底W 的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或者可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記PI、P2來對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2 可以位于所述管芯之間。所示的設(shè)備可以用于以下模式中的至少一種中在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束B的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后，將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu) MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。在另一種模式中，將保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分 C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)期望更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。將液體提供到投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底之間的一種布置是所謂的局部浸沒系統(tǒng)IH。在這種系統(tǒng)中使用了液體處理系統(tǒng)，其中僅將液體提供到襯底W的局部區(qū)域。在平面視圖中，液體所填充的空間小于襯底W的頂部表面，并且在液體所填充的區(qū)域相對(duì)于投影系統(tǒng)PS基本上保持靜止的同時(shí)，襯底W在所述區(qū)域下面移動(dòng)。圖2-5中示出了四種不同類型的液體局部供給系統(tǒng)。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底W相對(duì)于所述最終元件的移動(dòng)方向，通過至少一個(gè)入口供給到襯底上。在所述液體已經(jīng)在投影系統(tǒng)下面通過后，所述液體通過至少一個(gè)出口去除。也就是說，當(dāng)襯底在所述元件下面沿著-χ方向被掃描時(shí)，液體在所述元件的+X —側(cè)供給并且在-X —側(cè)去除。圖2是所述布置的示意圖，其中液體通過入口供給，并在所述元件的另一側(cè)通過與低壓源相連的出口去除。在圖2的圖示中，雖然液體沿著襯底相對(duì)于所述最終元件的移動(dòng)方向供給，但這不是必需的?？梢栽谒鲎罱K元件周圍設(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口 ；圖3示出了一個(gè)實(shí)例，其中在所述最終元件的周圍在每一側(cè)上以規(guī)則的重復(fù)方式設(shè)置了四組入口和出口。液體供給和液體回收裝置中的箭頭表示液體流動(dòng)的方向。在圖4中示出了另一個(gè)采用液體局部供給系統(tǒng)的浸沒式光刻方案。液體由位于投影系統(tǒng)PS每一側(cè)上的兩個(gè)槽狀入口供給，由設(shè)置在入口沿徑向向外的位置上的多個(gè)離散的出口去除。所述入口可以設(shè)置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通過該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個(gè)槽狀入口提供，由位于投影系統(tǒng)PS的另一側(cè)上的多個(gè)離散的出口去除，這造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可能依賴于襯底W的移動(dòng)方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。在圖4的橫截面視圖中，箭頭顯示在入口和出口中的液體流動(dòng)方向。已經(jīng)提出的另一種布置是為液體供給系統(tǒng)設(shè)置液體限制構(gòu)件，所述液體限制構(gòu)件沿投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底臺(tái)WT之間的空間的邊界的至少一部分延伸。圖5中示出了這種布置。盡管可以在Z方向上(在光軸的方向上)存在一些相對(duì)移動(dòng)，但是液體限制構(gòu)件在XY平面內(nèi)相對(duì)于投影系統(tǒng)基本上是靜止的。在液體限制構(gòu)件和襯底W的表面之間形成密封。在一實(shí)施例中，在液體限制結(jié)構(gòu)和襯底W的表面之間形成密封且所述密封可以是無接觸密封(例如氣體密封)。在第US2004-02078M號(hào)的美國專利申請(qǐng)公開出版物中公開了這樣的系統(tǒng)，在此處通過參考將其全部內(nèi)容并入本文中。圖5示意性地示出具有液體限制結(jié)構(gòu)12的液體局部供給系統(tǒng)。液體限制結(jié)構(gòu)12 沿投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底臺(tái)WT或襯底W之間的空間11的邊界的至少一部分延伸。 (請(qǐng)注意，在下文中提及的襯底W的表面也另外地或可替換地表示襯底臺(tái)WT的表面，除非另外地特別指出。)盡管可以在Z方向上(在光軸的方向上)存在一些相對(duì)移動(dòng)，但是液體限制結(jié)構(gòu)12在XY平面內(nèi)相對(duì)于投影系統(tǒng)PS基本上是靜止的。在一實(shí)施例中，在液體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W的表面之間形成密封，且所述密封可以是無接觸密封，例如流體密封，期望地是氣體密封。液體限制結(jié)構(gòu)12至少部分地將液體保持在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間的浸沒空間11中。對(duì)襯底W的無接觸密封16可圍繞投影系統(tǒng)PS的像場(chǎng)形成，使得液體被限制在襯底W的表面和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間11內(nèi)。所述浸沒空間11至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件下面且圍繞投影系統(tǒng)PS的所述最終元件的液體限制結(jié)構(gòu)12形成。經(jīng)液體入口 13使液體進(jìn)入到在投影系統(tǒng)PS下面且在液體限制結(jié)構(gòu)12內(nèi)的空間11中。可通過液體出口 13移除所述液體。所述液體限制結(jié)構(gòu)12可延伸到略微高于投影系統(tǒng)PS的最終元件的位置上。液面升高至所述最終元件的上方，使得提供了液體的緩沖。在一實(shí)施例中，所述液體限制結(jié)構(gòu)12具有內(nèi)周，其在上端部處與投影系統(tǒng)PS或其最終元件的形狀緊密地一致，且例如可以是圓的。在底部處，所述內(nèi)周與像場(chǎng)的形狀緊密地一致 (例如是矩形的)，但這不是必需的。
在一實(shí)施例中，液體被氣體密封16保持在浸沒空間11中，在使用中所述氣體密封 16形成于液體限制結(jié)構(gòu)12的底部和襯底W的表面之間。其它類型的密封也是可以的，如沒有密封(例如在全潤濕實(shí)施例中)或密封由液體限制結(jié)構(gòu)12的下表面和正對(duì)表面(例如襯底W、襯底臺(tái)WT或這兩者的組合的表面)之間的毛細(xì)力來實(shí)現(xiàn)。所述氣體密封16由氣體(例如空氣或者合成空氣，但在一實(shí)施例中，是N2或者其它惰性氣體)形成。在氣體密封16中的所述氣體經(jīng)由入口 15在壓力作用下被提供到介于液體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的間隙。所述氣體通過出口 14被抽取。在氣體入口 15上的過壓、出口 14上的真空水平以及所述間隙的幾何形狀被布置成使得形成限制所述液體的向內(nèi)的高速氣流。氣體作用于液體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的液體上的力把液體保持在浸沒空間11中。所述入口 /出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。所述環(huán)形槽可以是連續(xù)的或不連續(xù)的。氣流有效地將液體保持在空間11中。在公開號(hào)為US2004-02078M的美國專利申請(qǐng)出版物中公開了這樣的系統(tǒng)。其它的布置是可以的，如根據(jù)下文中的描述所了解的，本發(fā)明的實(shí)施例可以使用任意類型的局部浸沒系統(tǒng)。在局部浸沒系統(tǒng)中，在液體限制結(jié)構(gòu)的一部分和下方的表面(例如襯底W和/或襯底臺(tái)WT的表面)之間形成密封。所述密封可以由液體限制結(jié)構(gòu)和下方的表面之間的液體的彎液面來限定。下方的表面和液體限制結(jié)構(gòu)之間的相對(duì)移動(dòng)超過臨界速度可能導(dǎo)致密封(例如彎液面)的破損。超過臨界速度，密封可能破損，從而使得液體(例如成液滴的形式)從液體限制結(jié)構(gòu)逸出或氣體(即成氣泡的形式)被封閉在浸沒空間內(nèi)的浸沒液體中。液滴可以是缺陷源。液滴在它蒸發(fā)時(shí)可以施加熱負(fù)載到所在的表面上。液滴可以是污染物源，在它被蒸發(fā)之后留下干燥的液漬。如果液滴位于在投影系統(tǒng)的下面移動(dòng)的下方的表面上的路徑中，那么該液滴可以接觸彎液面。彎液面和液滴之間的所產(chǎn)生的碰撞可能導(dǎo)致在液體中形成氣泡。氣泡可能是缺陷源?？梢詫⒔]液體中的氣泡抽吸到投影系統(tǒng)和襯底之間的空間中，在該空間中它可能干擾成像投影束?？梢杂伤鱿路降谋砻娴男再|(zhì)來確定臨界速度。間隙相對(duì)于限制結(jié)構(gòu)的臨界速度可以小于例如襯底的相對(duì)平坦的表面的臨界速度。在增加掃描速度到高于下表面的一部分的最低臨界速度時(shí)，掃描速度將超過對(duì)于所述下方的表面的更多部分的臨界速度。所述問題在高掃描速度時(shí)可能更加顯著。然而，因?yàn)樯a(chǎn)量增加，所以期望提高掃描速度。圖6顯示出可以用于支撐襯底W的襯底臺(tái)WT的平面視圖。襯底臺(tái)可以具有基本上平坦的上表面21。在上表面21中具有凹陷22，所述凹陷22被配置以容納和支撐襯底W。襯底支撐件可以設(shè)置在凹陷中，所述襯底支撐件可以是凹陷的表面。凹陷22的表面可以包括多個(gè)突起，襯底的下表面支撐到所述突起上。所述凹陷的表面可以包括阻擋件。 可以在所述凹陷的表面中形成多個(gè)開口。阻擋件包圍所述突起，以限定在襯底W的下表面下面的空間。所述開口連接至負(fù)壓源。在襯底位于開口上方時(shí)，在襯底W的下面形成空間。 所述空間可以通過負(fù)壓操作被抽真空。這一布置可以被使用，以便將襯底W固定至襯底臺(tái) WT。在一布置中，凹陷可以配置成使得襯底的主表面(即上表面和下表面)基本上平行于襯底臺(tái)的上表面21。在一布置中，襯底W的上表面可以被布置成與襯底臺(tái)的上表面21 基本上共平面。
應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，在本申請(qǐng)中，諸如“上”和“下”的術(shù)語可以被使用，來限定所描述的系統(tǒng)中的部件的相對(duì)位置。然而，這些術(shù)語的使用僅是為了在設(shè)備被在特定方向上使用時(shí)描述部件的相對(duì)位置方便的目的。它們不是要規(guī)定所述設(shè)備可以被使用所在的方向。如圖6所示，可以在襯底W的邊緣和凹陷22的邊緣之間設(shè)置間隙23。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供圍繞襯底W延伸的蓋25。蓋25從襯底W的上表面的外圍部分(在一實(shí)施例中其可以是襯底的邊緣)延伸至襯底臺(tái)WT的上表面21。蓋25可以完全覆蓋襯底W的邊緣和凹陷22的邊緣之間的間隙23。另外，蓋25的敞開的中心部沈可以由蓋的內(nèi)邊緣來限定。敞開的中心部26可以布置成使得在使用中，蓋25不覆蓋襯底W的、圖案化的輻射束將被期望投影到其上的部分。蓋的內(nèi)邊緣可以覆蓋襯底W的、與由圖案化的投影束進(jìn)行成像的襯底表面相鄰的部分。所述蓋被設(shè)置遠(yuǎn)離由圖案化的投影束曝光的襯底的所述部分。如在圖6所示，在蓋25放置在襯底W上時(shí)，敞開的中心部沈的尺寸可以略小于襯底W的上表面的尺寸。如圖6所示，如果襯底W的形狀是圓形，那么，當(dāng)在平面視圖中觀看時(shí)，蓋25的形狀可以是大致環(huán)形。蓋25可以是成薄蓋板的形式。該蓋板可以例如由不銹鋼形成?？梢允褂闷渌牧稀Ｔ撋w板可以涂覆有由Plasma Electronic GmbH提供的類型的Lipocer涂層。Lipocer 可以是疏液性(例如疏水性)的涂層，且比較能夠耐受曝光輻射和浸沒液體(其可能是高腐蝕性的)的損害。關(guān)于Lipocer的更多的信息可以在于2008年2月6日申請(qǐng)的第US 12/367, 000號(hào)美國專利申請(qǐng)中找到，在此處通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。如圖21中示意性地顯示的，疏液涂層141(諸如Lipocer層)可以涂覆到蓋25的下表面25a (即所述表面)，其在使用中從襯底W的上表面的周邊部延伸至襯底臺(tái)WT的上表面21。設(shè)置這樣的涂層141到下表面2 上可以最小化或減小浸沒液體在蓋25的下面的泄漏。例如，涂層141可以減小浸沒液體在蓋25和襯底W的上表面之間的泄漏。最小化或減小這樣的浸沒液體泄漏又可以減小浸沒液體被傳遞至襯底W的底側(cè)的可能性。這可以減小可能由于所謂的后側(cè)污染物而引入的缺陷。最小化或減小浸沒液體的泄漏可以減小襯底 W上的熱負(fù)載。在蓋25的下表面2 上的涂層141可以被選擇為抗粘結(jié)層?；蛘哒f，涂層141可以被選擇用于防止、最小化或減小蓋25至襯底W的上表面和/或襯底臺(tái)WT的上表面21的粘結(jié)。這可以防止或減小在蓋25被從襯底W和襯底臺(tái)WT移除時(shí)對(duì)蓋25、襯底W和/或襯底臺(tái)WT的損害。將疏液和/或抗粘結(jié)的涂層141在蓋25的下表面2 上的使用，可以防止或減小污染物顆粒在蓋25的下表面上的聚集。這樣的污染物顆?？赡軐?dǎo)致對(duì)蓋25、襯底W和/或襯底臺(tái)WT中任何一者的損害，或提供襯底W上的后續(xù)的缺陷源?？商娲鼗蛄硗獾?，這樣的污染物顆?？梢苑乐钩浞值拿芊?，該密封形成在蓋25與襯底W的上表面和/或襯底臺(tái)WT 的上表面21之間，從而導(dǎo)致了浸沒液體的泄漏，這可能是不被期望的。因此，可能期望防止這樣的污染物顆粒的聚集。蓋25的下表面2 和/或被涂覆至蓋25的下表面25a的涂層141的下表面141a 可以配置成具有低的表面粗糙度。例如，對(duì)于噴涂涂層，表面粗糙度&可以小于lym。對(duì)于所沉積的涂層，表面粗糙度&可以小于200nm。通常，減小蓋的下表面2 和/或被涂覆至蓋25的下表面25a的涂層141的下表面141a的表面粗糙度，可以減小襯底W的表面上的應(yīng)力集中。與襯底接觸的蓋25的一部分的表面粗糙度&在使用中可能期望小于200nm， 期望小于50nm，或期望小于10nm。確保蓋25的下表面2 和/或被涂覆至蓋25的下表面25a的涂層141的下表面 141a的表面粗糙度是低的，還可以幫助減小或最小化浸沒液體在蓋25下面的泄漏?？梢圆贾蒙w25，使得蓋25的下表面2 和/或被涂覆至蓋25的下表面25a的涂層141的下表面141a的平坦度被最大化。這可以提供在蓋25與襯底W和/或襯底臺(tái)WT之間的優(yōu)化的接觸，從而減小或最小化浸沒液體的泄漏。如在圖21中示意性顯示的，涂層142可以可替代地或另外地被設(shè)置在蓋25的上表面2 上。蓋25的上表面2 或在所述蓋的上表面2 上的涂層142的上表面142b可以被選擇為平滑的。這可以減小彎液面被釘扎的可能性。例如，蓋25的上表面2 或在蓋的上表面2 上的涂層142的上表面142b可以是平滑的，使得表面的峰至谷距離小于 10 μ m，期望地小于5 μ m。蓋25的上表面25b的涂層142可以選擇為抵抗由對(duì)曝光輻射和浸沒液體引起的損害。這可以幫助確保蓋的工作壽命足夠長以避免與更換蓋25相關(guān)的不必要的成本，所述成本包括光刻設(shè)備的停機(jī)時(shí)間。蓋25的上表面2 上的涂層142可以被選擇成疏液的，如上文所述的。這樣的涂層可以提供對(duì)于浸沒液體的較高的后退接觸角。這又可以允許較高的掃描速度被使用，且例如沒有來自彎液面的浸沒液體的損失，如上文所述。如上文所述， 可以由Lipocer形成蓋25的上表面25b上的涂層142。應(yīng)當(dāng)理解，可以由單層的材料形成蓋25的下和上表面25a、2^上的涂層141、142。 可替代地，涂層141、142中的一個(gè)或兩個(gè)可以由多個(gè)層形成。例如，所述層可以由不同的材料形成，從而給涂層141、142提供了不同的優(yōu)點(diǎn)。還應(yīng)當(dāng)理解，蓋25的下和上表面25a、25b 上的涂層141、142可以是彼此相同的或不同的。蓋板例如可以是25 μ m厚。它可以被蝕刻用于局部地減小厚度，例如在一個(gè)或更多的邊緣處的厚度。在局部地減小的區(qū)域中，它可以是ΙΟμπι厚。可以通過諸如激光燒蝕、 研磨以及拋光等其它工藝減小蓋的一部分的厚度。如圖21所示，蓋25的邊緣25c、25d(即分離蓋25的下和上表面25a、2 的邊緣) 可以基本上垂直于蓋25的下和上表面25a、25b。這樣的布置可能相對(duì)于易于制造。然而，在圖21顯示的布置中，蓋25的邊緣25c、25d可以形成襯底W的表面和襯底臺(tái)WT的上表面21上的臺(tái)階。這樣的臺(tái)階可能是不被期望的。尤其是，如上文所述，在襯底 W和襯底臺(tái)WT相對(duì)于液體限制結(jié)構(gòu)移動(dòng)時(shí)，必須注意確保由液體限制結(jié)構(gòu)與襯底W和/或襯底臺(tái)WT之間的液體的彎液面形成的密封不能損壞。在表面上引入臺(tái)階，可以減小液體限制結(jié)構(gòu)與襯底W和/或襯底臺(tái)WT之間的臨界速度，液體限制結(jié)構(gòu)和/或襯底W/襯底臺(tái)WT 可以在達(dá)到該臨界速度的情況下移動(dòng)而不破壞密封(例如彎液面)。蓋25的一個(gè)或更多的邊緣25c、25d可以配置成提供減小的臺(tái)階。例如，如上文所述，蓋的厚度可以在一個(gè)或更多的邊緣處被局部地減小。例如，蓋的一個(gè)或更多的邊緣25c、 25d可以配置成具有如在圖22至25中任一個(gè)所述示意性地顯示的輪廓。如圖22所示，蓋25的邊緣可以配置成具有部143，在該部143中蓋25逐漸減小至點(diǎn)。因此，這樣的蓋可以沒有臺(tái)階。然而，蓋25的最遠(yuǎn)端的邊緣可能易于損壞。在可替代的布置中，如圖23所示，蓋25可以具有包括臺(tái)階146的邊緣部145以及在臺(tái)階146和蓋25的主體之間的錐度部，該臺(tái)階146的厚度小于蓋25的厚度，該蓋25的主體具有全部厚度。例如，蓋25的主體可以是25 μ m厚，臺(tái)階146可以是10 μ m厚。這樣的布置與具有垂直的邊緣25c、25d的蓋相比，具有更小的臺(tái)階，但是與如圖22所示的布置相比邊緣可以更不容易損壞。如圖22和23所示，蓋25的邊緣的錐度部143、145可以配置成相對(duì)于與邊緣的距離線性地增加厚度。然而，這不是必須的。如圖對(duì)和25所示，其分別對(duì)應(yīng)于圖22和23，錐度部147、148可以替代地為彎曲的。這可以避免例如在錐度部和蓋25的其余部分之間或在錐度部和在蓋25的邊緣處的減小的臺(tái)階之間設(shè)置尖角。這樣的尖角可能是液體限制結(jié)構(gòu)和下方的表面之間的密封(例如彎液面)中的不穩(wěn)定性的來源。因此，避免這樣的尖角可以減小從彎液面損失液滴的可能性，從而減小了如上文所述的可能的缺陷。如圖22至25所示，蓋25的下角(即在使用中可能與襯底W和/或襯底臺(tái)WT的上表面接觸的角)可以是相對(duì)尖的角。這可以在蓋25與襯底W和/或襯底臺(tái)WT之間提供相對(duì)好的密封。然而，應(yīng)當(dāng)理解，可替代地，所述下角可以是彎曲的。這可以減小損壞襯底 W的可能性。通常，避免在蓋上的尖角可以便于根據(jù)需要在蓋25上設(shè)置涂層。應(yīng)當(dāng)理解，雖然圖22至25顯示具有錐度部和/或被圓化的角的蓋25的一個(gè)邊緣， 但是蓋25的一個(gè)或更多的邊緣可以是有錐度的和/或具有如上文所述的一個(gè)或更多的被圓化的角。此外，蓋25的邊緣可以具有錐度部和/或被圓化的角的不同的各自的布置。可能影響對(duì)蓋25的邊緣25c、25d中的一個(gè)或兩個(gè)的布置的選擇的另一問題是在液體限制結(jié)構(gòu)12橫過蓋25時(shí)浸沒液體的行為。這一行為還可能受液體限制結(jié)構(gòu)12的配置和用于襯底臺(tái)WT和蓋25的一種或更多種材料的影響。例如，在使用不包括氣刀和親液性(例如親水性)襯底臺(tái)WT和蓋25的液體限制結(jié)構(gòu)時(shí)，可能出現(xiàn)液體薄膜牽拉。液體薄膜牽拉還可能出現(xiàn)在其它布置中。液體薄膜牽拉可能導(dǎo)致襯底上的液體損失，其可能是不被期望的。尤其是，這樣的被損失的液滴可能隨后在液體限制結(jié)構(gòu)12與襯底臺(tái)WT之間的進(jìn)一步的相對(duì)移動(dòng)期間與彎液面碰撞。這些碰撞可能導(dǎo)致在浸沒液體中形成氣泡?？梢杂缮w25的邊緣在彎液面下面移動(dòng)引起液體薄膜牽拉(liquid film pulling) (或反之亦然)。在彎液面跨過90°的高度臺(tái)階時(shí)，在所述臺(tái)階期間彎液面速度將必須是無限大的。這樣的臺(tái)階出現(xiàn)在如在圖21中顯示的蓋25的垂直邊緣25c、25d處。無限大的彎液面速度實(shí)際上是不可能的，因此彎液面被伸長，導(dǎo)致了如圖33所示的液體薄膜牽拉。因此，液體薄膜201將破碎，導(dǎo)致了襯底W和/或襯底臺(tái)WT上的液體損失。例如圖22所示，通過使用有錐度的邊緣可以減小液體薄膜牽拉。然而，雖然與垂直邊緣的情形相比，液體薄膜被更早解除釘扎，但是液體薄膜仍然可能被牽拉。因此，雖然可以減小襯底和/或襯底臺(tái)上的液體損失，但是其可能保持在高于期望的水平。這可能是由于不可能在蓋25的邊緣處形成無限尖的尖端。因此，可以保持小的邊緣，該小的邊緣在蓋25的邊緣的尖端的末端處是有效垂直的。在一實(shí)施例中，浸沒液體薄膜破壞器被提供用于激勵(lì)液體薄膜的快速破碎。這可以減小液體損失。在一實(shí)施例中，浸沒液體薄膜破壞器包括在蓋25上設(shè)置有錐度的邊緣，其被特定選擇用于減小或最小化液體薄膜牽拉。圖37示意性地顯示橫過蓋25的浸沒液體的彎液面的形狀(例如在蓋25相對(duì)于彎液面且在彎液面下面移動(dòng)時(shí))。顯示出在三個(gè)相繼的時(shí)刻處的彎液面輪廓251，252，253。 第一彎液面輪廓251顯示處于在彎液面與蓋25的非錐度部接觸時(shí)的時(shí)間點(diǎn)。第二彎液面輪廓252顯示處于彎液面與蓋25的邊緣的錐度部143接觸時(shí)的時(shí)間點(diǎn)。第三彎液面輪廓 253顯示處于它與襯底W(在本情形中)和/或襯底臺(tái)WT的上表面接觸時(shí)的第三時(shí)間點(diǎn)。對(duì)于每一彎液面輪廓251，252，253，圖37還顯示出各自的動(dòng)態(tài)接觸角沈1，沈2， 沈3，即在彎液面輪廓251，252，253在給定的速度下接觸表面的時(shí)間點(diǎn)處彎液面輪廓251， 252，253相對(duì)于所述表面的角度。應(yīng)當(dāng)理解，彎液面接觸非錐度部中的蓋25的上表面和接觸襯底W/襯底臺(tái)WT的上表面的動(dòng)態(tài)接觸角261，263將通過襯底臺(tái)WT (并且因此蓋25和襯底W)相對(duì)于液體限制結(jié)構(gòu)12的速度、以及蓋25、襯底W/襯底臺(tái)WT的表面和液體的性質(zhì)來確定。由于彎液面橫越蓋25的邊緣的錐度部143，彎液面在所述表面上的有效速度增加。這一有效速度依賴于蓋25的邊緣的錐度部143的表面相對(duì)于襯底W的上表面的角度 2600角度260越大，有效速度越大，直到如上文所述如果角度是90°，彎液面速度將在理論上是無限大的為止(盡管在實(shí)際中這不會(huì)發(fā)生且彎液面伸長，導(dǎo)致了液體薄膜牽拉)。圖38顯示在特定情形中的彎液面輪廓254，其中襯底臺(tái)WT (并且因此襯底W和蓋 25)相對(duì)于液體限制結(jié)構(gòu)12的速度，使得彎液面相對(duì)于蓋25的邊緣的錐度部143的表面的動(dòng)態(tài)接觸角264與錐度部143的表面相對(duì)于襯底W的上表面的角度260相同。因此，如圖所示，靠近蓋25的邊緣的彎液面輪廓254的部分25 近似平行于襯底W的上表面。在這樣的情形中，在彎液面接近蓋25的邊緣的錐度部143的遠(yuǎn)端邊緣時(shí)，彎液面輪廓254的細(xì)長部25 可以同時(shí)地接近襯底W的上表面，導(dǎo)致了形成液體薄膜。這一液體薄膜可以隨后破碎，導(dǎo)致了在襯底W和/或襯底臺(tái)WT (在此處錐度部在襯底臺(tái)WT —側(cè)上)上的液體損失。應(yīng)當(dāng)理解，圖38中顯示的情形可能由于襯底臺(tái)WT相對(duì)于液體限制結(jié)構(gòu)12的速度、蓋25的上表面上的材料的性質(zhì)(例如它是否是疏液的)以及蓋25的邊緣的錐度部143 的角度260的組合，而發(fā)生。在一實(shí)施例中，蓋25的邊緣的錐度部143的角度260可以被選擇用于幫助確保， 在使用中，彎液面的動(dòng)態(tài)接觸角262在它跨過蓋25的邊緣的錐度部143時(shí)，保持大于蓋25 的邊緣的錐度部143的上表面相對(duì)于襯底W的上表面的角度沈0。這一角度可以通過執(zhí)行適合的試驗(yàn)來確定，用于識(shí)別由于襯底臺(tái)WT相對(duì)于液體限制結(jié)構(gòu)12的不同的速度，對(duì)蓋25的邊緣的錐度部143的上表面的角度沈0的變化的動(dòng)態(tài)接觸角262的影響。還可以進(jìn)行試驗(yàn)，用于確定在蓋25的上表面對(duì)于使用的浸沒液體的疏液性的程度的變化的作用，即對(duì)靜態(tài)接觸角的變化的作用。在選擇被使用的蓋25的邊緣的錐度部143的角260時(shí)，可以考慮這樣的變化。蓋25的邊緣的錐度部143的上表面的適合的角度260可能被對(duì)于(在彎液面跨過蓋25時(shí)在光刻設(shè)備的操作中使用的)襯底臺(tái)WT的期望的速度以及蓋25的特定表面材料的組合進(jìn)行特定選擇。例如，蓋的表面材料可以是用于形成蓋25的上表面上的涂層142 所選擇的材料，如上文所述。
尤其是，這可能減小在蓋25的邊緣處釘扎彎液面的可能性。這又可以減小形成液體薄膜的可能性，所述液體薄膜可能破碎和導(dǎo)致在襯底W/襯底臺(tái)WT上的液體損失，如上文所述。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，可能期望保證在使用中，在彎液面橫過蓋25的邊緣的錐度部143的時(shí)間點(diǎn)處的彎液面輪廓252的動(dòng)態(tài)接觸角262使得，這一動(dòng)態(tài)接觸角262減去蓋25的邊緣的錐度部143的上表面的角度沈0，大于在彎液面接觸襯底W/襯底臺(tái)WT的上表面時(shí)彎液面輪廓253的動(dòng)態(tài)接觸角沈3?；蛘哒f，動(dòng)態(tài)接觸角262和錐度部143的上表面的角度260之間的差大于在彎液面接觸襯底W/襯底臺(tái)WT的上表面時(shí)彎液面輪廓253的動(dòng)態(tài)接觸角263。這可以減小了在蓋25的邊緣處釘扎彎液面的可能性。這又可以減小了形成液體薄膜的可能性，所述液體薄膜可以破碎和導(dǎo)致了在襯底W/襯底臺(tái)WT上的液體損失， 如上文所述。在一實(shí)施例中，可以考慮在彎液面接觸襯底W/襯底臺(tái)WT的上表面時(shí)彎液面輪廓 253的動(dòng)態(tài)接觸角沈3，來選擇蓋25的邊緣的錐度部143的上表面的適合的角度沈0。應(yīng)當(dāng)理解，這又可以依賴于在使用中在彎液面在靠近蓋25的邊緣的位置處跨過襯底W/襯底臺(tái) WT時(shí)襯底臺(tái)WT的預(yù)期速度。例如，在襯底臺(tái)WT相對(duì)于液體限制結(jié)構(gòu)12的速度是約0. 5m/s時(shí)，蓋25的上表面的靜態(tài)接觸角是約90°，襯底的上表面的靜態(tài)接觸角是約70°或80°，蓋25的邊緣的錐度部143的上表面相對(duì)于襯底W的上表面的角度260可以在從約15°至45°的范圍內(nèi)，從約 15°至30°的范圍內(nèi)，或?yàn)榧s20°。如上文所述，蓋25的邊緣的錐度部143的上表面的期望角度260可能依賴于蓋25 的表面的性質(zhì)，尤其是在錐度部143的區(qū)域中的表面的性質(zhì)。通常，期望上表面是疏液的， 這是因?yàn)檫@可以增加蓋25的邊緣的錐度部143的上表面的角度沈0，其可能是對(duì)于在襯底 W/襯底臺(tái)WT上的給定的可接受水平的液體損失是被允許的。這是有利的，這是因?yàn)閷⒔嵌?260減小至低于特定的水平可能使得蓋25的制造變得困難。此外，減小角度260可能導(dǎo)致蓋25的邊緣的較大部分足夠薄，使得它容易被損壞。然而，形成具有疏液上表面的蓋25可能具有另外的問題。尤其是，如上文所述，疏液涂層142可以涂覆到蓋25的上表面上。然而，這樣的涂層可能在使用中劣化，使得浸沒液體在上表面上的靜態(tài)接觸角隨著時(shí)間減小。在一實(shí)施例中，蓋25的邊緣的錐度部143的上表面的角度沈0的選擇，可以是考慮了蓋25的上表面在可接受的時(shí)間周期上的預(yù)期的劣化而進(jìn)行選擇的。除此之外，蓋25 的上表面上的浸沒液體的靜態(tài)接觸角可能減小，使得蓋的邊緣的角度260不足以小至防止或充分地減小彎液面在蓋25的邊緣處的釘扎。因此，在該情況下，在襯底W/襯底臺(tái)WT上的液體損失可能超過可接受的限度。在此階段，可能需要更換蓋25。 在一實(shí)施例中，浸沒液體薄膜破壞器包括可以被施加至蓋25的邊緣和/或上表面的一個(gè)或更多的結(jié)構(gòu)。這一結(jié)構(gòu)使得薄膜不穩(wěn)定，導(dǎo)致了薄膜破碎。這樣的表面輪廓可以與具有垂直的邊緣或有錐度的邊緣的任何布置的蓋25結(jié)合，如上文所述。
應(yīng)用至蓋25的邊緣和/或上表面的結(jié)構(gòu)可以是成所述表面的任何類型的多種局部變化的形式。例如，可以提供諸如脊和/或溝的細(xì)長特征。這樣的脊和/或溝的橫截面可以是任何適合的形狀?？商娲鼗蛄硗獾?，可以提供諸如凸起和/或凹坑的相對(duì)短的特征。這樣的凸起和/或凹坑可以具有任何適合的形狀。圖34顯示了一個(gè)實(shí)施例，其中多個(gè)脊202設(shè)置在蓋25的上表面上。如圖所示，這樣的布置促使液體薄膜203的破碎。這樣的布置可以減小彎液面被釘扎的可能性。圖35顯示了一個(gè)實(shí)施例，其中多個(gè)溝204設(shè)置在蓋25的邊緣上。如圖所示，這樣的布置促進(jìn)了液體薄膜204的破碎。這樣的布置可以減小彎液面被釘扎的可能性。在圖36中顯示的實(shí)施例中，浸沒液體破壞器包括多個(gè)分離的氣體射流210，該射流210由液體限制結(jié)構(gòu)12提供。在液體薄膜開始形成時(shí)氣體射流210被引導(dǎo)至液體薄膜， 從而促進(jìn)薄膜212的快速破碎。這樣的布置可以減小彎液面被釘扎的可能性。例如可以通過在液體限制結(jié)構(gòu)12的表面中形成的且連接至氣體供給裝置的一排孔來提供氣體射流210?？卓梢栽O(shè)置在一排開口 211的外部，該開口 211形成在液體限制結(jié)構(gòu)的表面中且用于抽取浸沒液體，用于包含浸沒液體。或者說，用于提供氣體射流210的孔可以在一排開口 211的與包含浸沒液體的空間相反的一側(cè)上。使用多個(gè)分立的氣體射流210而不是氣刀的優(yōu)點(diǎn)例如是液體液滴可以不在一排氣體射流210和一排開口 211之間被收集。在這樣的區(qū)域收集液體液滴在襯底臺(tái)WT相對(duì)于液體限制結(jié)構(gòu)的移動(dòng)期間可能是個(gè)問題。例如，在移動(dòng)期間在這樣的區(qū)域收集的液體液滴可以結(jié)合以形成大的液滴。應(yīng)當(dāng)理解，在一個(gè)實(shí)施例中浸沒液體薄膜破壞器可以包括上文所述的布置中的任
思組合。在一實(shí)施例中，蓋25的上表面2 或蓋25的上表面2 上的涂層142的上表面 142b可以被配置成盡可能地平坦。這可以進(jìn)一步減小了上文所述的彎液面的任何不穩(wěn)定性，從而減小了從彎液面損失液滴的可能性和如上文所述的隨后的缺陷。在一實(shí)施例中，蓋可以是襯底臺(tái)的一部分。致動(dòng)器系統(tǒng)可以被設(shè)置成在至少關(guān)閉和打開的位置之間移動(dòng)蓋。在關(guān)閉位置處，蓋25可以與凹陷22內(nèi)的襯底W的上表面接觸。 在關(guān)閉位置處，蓋25可以與襯底臺(tái)WT的上表面21接觸。在關(guān)閉位置處，蓋25可以覆蓋襯底W的邊緣和凹陷22的邊緣之間的間隙23。蓋25可以配置成使得當(dāng)間隙相對(duì)于空間中的浸沒液體在浸沒空間11的下面穿過時(shí)，間隙被關(guān)閉。通過關(guān)閉間隙，彎液面在橫過間隙時(shí)的穩(wěn)定性可以被改善。在一實(shí)施例中， 蓋與凹陷22內(nèi)的襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21中的一者或兩者形成密封。提供了與襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的密封的蓋25可以防止浸沒液體穿過進(jìn)入到間隙23中。蓋可以減小浸沒液體到間隙23中的流入。由于間隙在空間11的下面穿過，所以蓋可以幫助減小(如果沒有防止的話)氣泡到空間11中的流入。在敞開位置處，蓋25可以被相對(duì)于凹陷22的表面移動(dòng)遠(yuǎn)離其在關(guān)閉位置的位置。 在襯底被凹陷22的表面支撐時(shí)，蓋25可以設(shè)置成與襯底W是分離的。敞開位置可以布置成使得在蓋25位于敞開位置時(shí)，可以從襯底臺(tái)WT卸載襯底W。如果襯底W未存在于凹陷 22中，那么可以將襯底W裝載到襯底臺(tái)WT上。在一實(shí)施例中，致動(dòng)器系統(tǒng)可以配置成使得，在從關(guān)閉位置至敞開位置移動(dòng)蓋25 時(shí)，它擴(kuò)大了蓋25的敞開的中心部沈，如圖8所示。在這樣的過程中，蓋25的敞開的中心部26可以被充分地放大，使得在敞開位置處，敞開的中心部沈大于襯底W的上表面。蓋25 的敞開的中心部26可以被充分地放大，用于使襯底W能夠穿過蓋25的敞開的中心部26。
在一實(shí)施例中，可以通過將蓋25移動(dòng)至敞開位置且使得襯底W穿過蓋25的敞開的中心部沈而將襯底W裝載到襯底臺(tái)上，或從襯底臺(tái)上卸下。在將襯底W裝載到襯底臺(tái)WT 上的情形下，如果襯底W已經(jīng)穿過蓋25的敞開的中心部沈，那么襯底W可以被容納在襯底臺(tái)WT的凹陷22中。隨后，可以通過致動(dòng)器系統(tǒng)將蓋25移動(dòng)至關(guān)閉位置，在該關(guān)閉位置處， 它覆蓋在襯底W的邊緣和襯底W被支撐所在的凹陷22的邊緣之間的間隙23。致動(dòng)器系統(tǒng)可以配置成，使得在移動(dòng)蓋25至敞開位置時(shí)，蓋25的多個(gè)部分被沿著不同的各自的方向彼此相對(duì)地移動(dòng)。這一布置可以用于在蓋25移動(dòng)至敞開位置時(shí)擴(kuò)大蓋 25的敞開的中心部26。在一實(shí)施例中，致動(dòng)器系統(tǒng)可以配置成彈性地使得蓋25的至少一部分變形。例如，在致動(dòng)器沿著各自的不同的方向移動(dòng)蓋25的多個(gè)部分用于擴(kuò)大敞開的中心部沈時(shí)，致動(dòng)器系統(tǒng)可以使得蓋25的至少一部分彈性地變形。圖7和8分別顯示出在關(guān)閉和敞開位置的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的蓋25的平面視圖。如圖所示，蓋25可以在平面視圖中是大致環(huán)形形狀。蓋25的內(nèi)周31(例如圓周)可以限定在蓋25處于關(guān)閉位置時(shí)蓋25的敞開的中心部26?？梢栽谏w25的內(nèi)周(例如圓周)31 和外周(例如圓周)32之間在蓋25的大致環(huán)形形狀中設(shè)置缺口。在諸如圖7和8中顯示的布置中，蓋25具有多個(gè)部分35，每個(gè)部分35能夠通過致動(dòng)器系統(tǒng)在各自的不同的方向上移動(dòng)。在移動(dòng)多個(gè)部分35時(shí)，蓋25的敞開的中心部沈可以被擴(kuò)大或減小。可以將多個(gè)部分組合在一起，用于形成單個(gè)一體的蓋。然而，如在圖8 中所示，設(shè)置跨過蓋25的周邊(例如圓周)的缺口 30可以便于使得蓋25彈性變形，用于擴(kuò)大敞開的中心部26。雖然圖7和8的布置包括從蓋25的內(nèi)周31至外周32的缺口 30，但是這不是必須的?？梢栽O(shè)置另外的缺口，用于便于蓋25的擴(kuò)大(例如通過彈性變形)，以擴(kuò)大根據(jù)本發(fā)明的這一方面的蓋25的敞開的中心部26。此處公開的任意蓋的設(shè)置，除了減小由氣泡引起的缺陷和/或減小氣泡之外，可以具有對(duì)于光刻設(shè)備內(nèi)的襯底臺(tái)的各種另外的優(yōu)點(diǎn)，如上文所述?？梢詼p少對(duì)襯底臺(tái)WT和浸沒系統(tǒng)的清洗。進(jìn)而，這可以減小光刻設(shè)備的停機(jī)時(shí)間。蓋可以減小污染物從襯底W的上表面至襯底W的下表面的轉(zhuǎn)移。這可以減少可能由于所謂的背側(cè)污染而引入的缺陷。用于覆蓋襯底W的邊緣和凹陷22的邊緣之間的間隙的蓋的設(shè)置可以使得襯底W 的邊緣能夠以比采用另外的方式所可能的速度更高的速度橫過投影系統(tǒng)和浸沒系統(tǒng)。這可以增加光刻設(shè)備的生產(chǎn)量。蓋的設(shè)置可以消除對(duì)用于從襯底W的邊緣和凹陷22的邊緣之間的間隙移除浸沒液體和氣泡的抽取系統(tǒng)的需要。這可以減小施加至襯底臺(tái)WT的熱負(fù)載?？梢愿纳埔r底臺(tái) WT的熱穩(wěn)定性。因此可以改善在襯底W上所形成的圖案的重疊精度。用于在襯底W的邊緣和凹陷22的邊緣之間的間隙的抽取系統(tǒng)可以是兩相抽取器。 這種類型的抽取器可以產(chǎn)生由流動(dòng)引起的振動(dòng)。因此，蓋的設(shè)置可以導(dǎo)致這樣的抽取器被舍棄(不需要)，其可以減小在襯底臺(tái)WT內(nèi)的振動(dòng)。
如上文所公開的，蓋的設(shè)置可以導(dǎo)致整體上比使用用于襯底W的邊緣和凹陷22的邊緣之間的間隙的抽取器的系統(tǒng)更簡單的系統(tǒng)。在間隙23上設(shè)置蓋可以減小整個(gè)設(shè)備的商品成本。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的蓋的設(shè)置可以消除對(duì)在襯底W 的邊緣和凹陷22的邊緣之間的間隙處的抽取系統(tǒng)的需要。然而，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的蓋可以結(jié)合抽取系統(tǒng)一起使用。上述的優(yōu)點(diǎn)仍然可以具備，這是因?yàn)閷?duì)抽取系統(tǒng)的要求可以被降低。圖9和10示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的蓋25的布置的平面視圖。在圖9和10 中示出的蓋類似于在圖7和8中示出的蓋，為了簡短起見，僅詳細(xì)地討論其差別。如圖所示，蓋25由多個(gè)分立的部40形成。在關(guān)閉位置處，部40被布置成鄰靠蓋 25的相鄰的部40，用以形成單個(gè)蓋25。例如，如圖9所示，對(duì)于圓形的襯底W，當(dāng)蓋25的每一分立的部40在關(guān)閉位置處彼此鄰靠時(shí)，分立的部40的組合提供具有大致環(huán)形形狀的蓋 25。致動(dòng)器系統(tǒng)被配置成使得它可以在不同方向上移動(dòng)蓋25的部分，用于將蓋從關(guān)閉位置移動(dòng)至敞開位置。在例如圖9和10所示的蓋25的情形中，蓋25的每一這樣的部分是分立的部40中的一個(gè)。致動(dòng)器系統(tǒng)在各自的不同的方向上移動(dòng)蓋25的每一分立的部 40。如上所述，在蓋25處于敞開位置時(shí)，蓋25的分立的部40可以被設(shè)定成彼此分離開，從而提供了可以使襯底W從中穿過的被擴(kuò)大的敞開的中心部26。圖11、12和13示出分別在關(guān)閉位置、中間位置和敞開位置處的可以在本發(fā)明的一個(gè)方面中使用的致動(dòng)器系統(tǒng)的橫截面圖。如圖11所示，在關(guān)閉位置中，蓋25的每一部分被設(shè)置在襯底臺(tái)WT的上表面21和襯底W的上表面的周邊部分45上并在其之間延伸。在將蓋25從關(guān)閉位置移動(dòng)至敞開位置時(shí)，致動(dòng)器系統(tǒng)50可以被配置成使得蓋25的每一部分首先在基本上垂直于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向上移動(dòng)。圖12顯示出如上所述的在最初的移動(dòng)之后位于關(guān)閉和敞開位置之間的中間位置處的蓋25的一部分。在從敞開位置移動(dòng)至關(guān)閉位置時(shí)，蓋25可以被移動(dòng)至如圖12所示的中間位置，使得蓋25可以隨后僅通過在基本上垂直于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向上的移動(dòng)而被移動(dòng)至關(guān)閉位置。這樣布置可以有利于保證在蓋25接觸襯底W或靠近襯底W時(shí)，蓋25相對(duì)于襯底 W的相對(duì)移動(dòng)僅在基本上垂直于襯底W的上表面的方向上。這可以防止或減少在襯底W的邊緣處產(chǎn)生污染物顆粒。這可以防止或減少在襯底W的邊緣處的之前存在的污染物顆粒朝向圖案形成所在的襯底W的上表面的移動(dòng)。在通過在基本上垂直于襯底W的表面的方向上移動(dòng)蓋而接觸襯底W時(shí)，所施加至襯底W的力在基本上垂直于襯底W的方向上被施加。由于力被圍繞襯底W的周邊施加，所以所施加的力是基本上均勻的。因此，由力的施加所引起的襯底W上的扭曲即使沒有被最小化，也能被減小。通過應(yīng)用蓋25而使襯底W的平面中的力被減小或被最小化，從而限制了襯底W在凹陷中的移動(dòng)。通過施加蓋25至襯底W邊緣， 即使不能避免位置誤差，也可以減小所述位置誤差。
致動(dòng)器系統(tǒng)50可以被配置成使得它可以通過在基本上平行于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向上移動(dòng)蓋25的每一部分，來在圖12中顯示的中間位置和圖 13中顯示的敞開位置之間移動(dòng)蓋25的每一部分。如圖11、12和13所示，致動(dòng)器系統(tǒng)50可以包括致動(dòng)器平臺(tái)51，所述致動(dòng)器平臺(tái) 51被配置成在基本上垂直于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向(例如豎直方向)上提供蓋25的移動(dòng)。致動(dòng)器平臺(tái)51可以被稱為橫梁(transverse)致動(dòng)器平臺(tái)。致動(dòng)器系統(tǒng)50可以包括致動(dòng)器平臺(tái)52，所述致動(dòng)器平臺(tái)52被配置以在基本上平行于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向上(例如在水平方向上)提供蓋25 的移動(dòng)。致動(dòng)器平臺(tái)52可以被稱為橫向(lateral)致動(dòng)器平臺(tái)。應(yīng)當(dāng)理解，雖然使用如所示的氣動(dòng)致動(dòng)器可能是有利的，但是可替代的致動(dòng)器可以用作致動(dòng)器平臺(tái)51、52中的一者或兩者。例如，可以使用靜電致動(dòng)器和/或電磁致動(dòng)器。致動(dòng)器平臺(tái)51可以配置成，用于確?；旧蟽H有的被設(shè)置的移動(dòng)是沿著基本上垂直于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向。致動(dòng)器平臺(tái)51可以包括一個(gè)或更多的移動(dòng)引導(dǎo)件。一個(gè)或更多的移動(dòng)引導(dǎo)件配置成允許致動(dòng)器平臺(tái)51的部件沿著基本上垂直于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向相對(duì)移動(dòng)。然而，移動(dòng)引導(dǎo)件減小或最小化致動(dòng)器平臺(tái)51的部件沿著基本上平行于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面 21的方向的移動(dòng)。圖14和15顯示出可以被使用以幫助確保致動(dòng)器平臺(tái)51僅提供在特定方向上的移動(dòng)的移動(dòng)引導(dǎo)件的布置的橫截面圖。這樣的方向可以是基本上垂直于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向。圖14顯示出當(dāng)蓋25位于關(guān)閉位置時(shí)的移動(dòng)引導(dǎo)件60。圖 15示出當(dāng)蓋25位于敞開位置處的移動(dòng)引導(dǎo)件60。如圖所示，致動(dòng)器平臺(tái)51包括第一和第二部件61、62。第一和第二部件61、62可以通過如上述的所提供的致動(dòng)器的方式在基本上垂直于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向上彼此相對(duì)地移動(dòng)。彈性鉸鏈63被設(shè)置在致動(dòng)器平臺(tái)51的第一和第二部件61、62之間。彈性鉸鏈63允許第一和第二部件61、62在基本上垂直于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向上移動(dòng)。彈性鉸鏈63被配置以限制在基本上垂直于這一期望的移動(dòng)方向的方向上的移動(dòng)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，可以使用可替代的或另外的移動(dòng)引導(dǎo)件。然而，如上所述的一個(gè)或更多的這樣的彈性鉸鏈的使用可能是有益的，這是因?yàn)檫@種形式的移動(dòng)引導(dǎo)件不具有摩擦力或期望地最小化摩擦力。摩擦力可以減小在蓋25被移動(dòng)至關(guān)閉位置時(shí)被施加到襯底W的上表面上的力的可再現(xiàn)性。圖16、17和18顯示出可以與本發(fā)明的一個(gè)方面一起使用的另外的致動(dòng)器系統(tǒng)。圖 16顯示出在蓋25處于關(guān)閉位置時(shí)的致動(dòng)器系統(tǒng)70。圖17顯示出在中間位置處的致動(dòng)器系統(tǒng)70。圖18顯示出在蓋25位于敞開位置時(shí)的致動(dòng)器系統(tǒng)70。在圖16、17和18中顯示出的致動(dòng)器系統(tǒng)70可以提供比圖11、12和13顯示出的致動(dòng)器系統(tǒng)更簡單的致動(dòng)器系統(tǒng)。不需要分立的致動(dòng)器平臺(tái)。相反，蓋25的每一部分連接至被安裝在襯底臺(tái)WT內(nèi)的移動(dòng)引導(dǎo)件72、73的系統(tǒng)中的活塞71。移動(dòng)引導(dǎo)件72可以與活塞71 一起操作，用于在基本上垂直于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向上將蓋25從關(guān)閉位置移動(dòng)至中間位置。移動(dòng)引導(dǎo)件73可以被布置成使得它與活塞71 —起在基本上平行于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21 的方向上移動(dòng)蓋25。為了在關(guān)閉和敞開位置之間移動(dòng)蓋25，在活塞71的一側(cè)或兩側(cè)上的氣體壓力可以通過將移動(dòng)引導(dǎo)件72、73中的一者或兩者連接至適合的負(fù)壓或過壓源74、75 來進(jìn)行改變。蓋25可以被配置成使得，在關(guān)閉位置處它不僅覆蓋襯底W的邊緣和襯底臺(tái)中的凹陷22的邊緣之間的間隙23，而且它還覆蓋另外的間隙77。例如，另外的間隙可以存在于致動(dòng)器系統(tǒng)和更遠(yuǎn)離襯底保持器的襯底臺(tái)的一部分(例如額外的部件78)之間。該額外的部件78可以是為了監(jiān)控襯底臺(tái)WT相對(duì)于投影系統(tǒng)的位置和/或位移所使用的傳感器系統(tǒng)的部件。圖19和20顯示了本發(fā)明的實(shí)施例的橫截面視圖，其中蓋125的不同的布置被提供用于覆蓋襯底W的邊緣和襯底W被支撐所在的襯底臺(tái)WT中的凹陷22的邊緣之間的間隙 23。尤其是，本發(fā)明的一實(shí)施例的蓋125可以配置成移動(dòng)遠(yuǎn)離襯底臺(tái)WT，以允許將襯底W裝載到襯底臺(tái)WT中的凹陷22/從襯底臺(tái)WT中的凹陷22卸載襯底W。在這樣的布置中，在將蓋125移動(dòng)至敞開位置時(shí)不必?cái)U(kuò)大蓋125的敞開的中心部。與上文討論的布置相同之處在于，蓋125被布置成圍繞襯底W的邊緣的材料薄板形式。蓋125從襯底W的上表面的周邊區(qū)域45延伸至襯底容納部的上表面21。可以提供被連接至負(fù)壓源128的用于氣體出口的開口 127。蓋125的下側(cè)12 上的空間中的壓力可以低于蓋125的上側(cè)12 上的氣體壓力。壓力差可以被用于固定蓋125和基本上防止蓋 125在使用期間的任何移動(dòng)。為了防止或減小蓋125的變形，蓋125可以包括在蓋125位于凹陷22中的襯底W 的頂部上時(shí)從蓋125的下表面12 延伸至凹陷22的底部的一個(gè)或更多的支撐件126。為了移動(dòng)蓋125以便允許裝載和卸載襯底W，例如機(jī)械臂等蓋運(yùn)送系統(tǒng)130可以被提供。蓋運(yùn)送系統(tǒng)130可以被具體地配置，使得當(dāng)蓋125與襯底W接觸或靠近襯底W時(shí)，蓋 125的移動(dòng)僅在基本上垂直于襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21的方向上。如上文所述，在本發(fā)明的實(shí)施例中，例如在圖11至18顯示的例子中，可以提供致動(dòng)器系統(tǒng)，該致動(dòng)器系統(tǒng)將蓋25從敞開位置移動(dòng)至關(guān)閉位置，在敞開位置處，可以將襯底W 裝載到襯底臺(tái)WT上和/或可以從襯底臺(tái)WT卸載襯底W，在關(guān)閉位置處，蓋25從襯底臺(tái)WT 的上表面21延伸至襯底W的周邊。在關(guān)閉位置處，蓋25可以與襯底W的周邊部和襯底臺(tái) WT的上表面21物理接觸，尤其是如果蓋25形成密封的話更是如此。這樣的物理接觸可能導(dǎo)致?lián)p壞蓋25、襯底W和/或襯底臺(tái)WT的上表面21中的一個(gè)或更多個(gè)。因此，可以提供用于致動(dòng)器系統(tǒng)的適合的控制系統(tǒng)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，設(shè)置了控制器，用于控制定位蓋25的致動(dòng)器系統(tǒng)。為了幫助確保相對(duì)于襯底W和/或襯底臺(tái)WT精確地移動(dòng)蓋，控制器可以使用表示襯底W的至少周邊部的上表面相對(duì)于襯底臺(tái)WT的上表面21 (或反之亦然)的高度的數(shù)據(jù)。這樣的數(shù)據(jù)可以例如之前在量測(cè)工作站獲取的，該量測(cè)工作站可以是光刻設(shè)備的一部分或包括光刻設(shè)備的光刻系統(tǒng)的一部分?；诒硎疽r底W的周邊部的上表面相對(duì)于襯底臺(tái)WT的上表面21 (或反之亦然) 的高度的數(shù)據(jù)，控制器可以確定蓋25應(yīng)當(dāng)移動(dòng)所至的位置，用于提供在蓋25與襯底W的上表面和襯底臺(tái)WT的上表面21之間的期望的接觸。
可以給控制器提供適合的反饋機(jī)制，用于控制致動(dòng)器系統(tǒng)將蓋25移動(dòng)至由控制器確定的期望的位置。例如控制器可以配置用于幫助確保在關(guān)閉位置處蓋25的位置充分靠近或接觸襯底W的周邊部的上表面，用于防止、減小或最小化浸沒液體的泄漏?？商娲鼗蛄硗獾?， 控制器可以配置用于幫助確保在蓋25處于關(guān)閉位置時(shí)，通過蓋25的下表面施加到襯底W 的周邊部的上表面上的力在給定的范圍內(nèi)。例如，可能期望確保所述力小于特定值，以便防止或減小損壞襯底W的可能性?？商娲鼗蛄硗獾?，可能期望保證通過蓋25的下表面施加到襯底W的周邊部的上表面上的力超過特定值，以便保證進(jìn)行充分的接觸來控制浸沒液體在蓋25的下面的泄漏。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，表示襯底W的周邊部的上表面相對(duì)于襯底臺(tái)WT的上表面 21 (或反之亦然)的高度的數(shù)據(jù)可以提供在圍繞襯底W的周邊部的多個(gè)位置處的相對(duì)高度的數(shù)據(jù)。根據(jù)這樣的數(shù)據(jù)，控制器能夠確定在圍繞襯底W的邊緣的多個(gè)位置處的蓋25的各個(gè)部分的期望的位置。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，致動(dòng)器系統(tǒng)可以對(duì)應(yīng)地配置成能夠在圍繞蓋25的多個(gè)位置處獨(dú)立地調(diào)整蓋25的高度。在這樣的布置中，在控制蓋25在關(guān)閉位置處的定位時(shí)，可以考慮襯底W和/或襯底臺(tái)WT的上表面的高度的局部變化。這又可以幫助防止或減小浸沒液體的泄漏和/或?qū)σr底W、襯底臺(tái)WT和/或蓋25的損壞。如上文所示出的，在將蓋25移動(dòng)至關(guān)閉位置時(shí)，它可以施加力到襯底W的周邊部的上表面上。應(yīng)當(dāng)理解，可以與用于移動(dòng)蓋25的致動(dòng)器系統(tǒng)的控制系統(tǒng)的布置相獨(dú)立地施加所述力。施加到襯底W上的力可以能足以造成襯底W的上表面移動(dòng)，例如由于襯底的變形和/或支撐襯底W的襯底臺(tái)WT的支撐部的變形所造成的移動(dòng)。襯底W的上表面的這樣的移動(dòng)可能是不被期望的，這是因?yàn)樗赡軐?dǎo)致在襯底W上形成的圖案上的誤差。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，蓋25可以設(shè)置有相對(duì)柔性(即具有比蓋的其余部分的剛度低的剛度)的區(qū)域。這樣的相對(duì)柔性的部分可以配置成使得，在將蓋25移動(dòng)至關(guān)閉位置時(shí)，施加到蓋上的任何力和/或在相對(duì)于襯底W和/或襯底臺(tái)WT定位蓋時(shí)的任何誤差導(dǎo)致蓋的相對(duì)柔性部的變形，而不是襯底W或支撐襯底的襯底臺(tái)WT的支撐部的變形。圖沈至30示意性地顯示了具有相對(duì)柔性部的本發(fā)明的實(shí)施例的蓋25的布置的橫截面視圖。如圖沈至觀所示，蓋25可以由材料的單個(gè)部形成?？梢栽O(shè)置一個(gè)或更多的相對(duì)柔性部，在該柔性部中蓋的厚度被減小。例如，如圖沈所示，蓋25的一個(gè)或更多的邊緣部161、162可以具有比蓋25的主體的其余部分163的厚度更小的厚度。因此厚度減小的部分161、162的剛度小于蓋25的主體的其余部分163的剛度。蓋25的厚度減小的部分161、162可以圍繞蓋25例如沿著蓋25的整個(gè)內(nèi)側(cè)和/ 或外側(cè)邊緣延伸。還應(yīng)當(dāng)理解，在一些布置中，僅蓋25的一個(gè)邊緣具有厚度減小的部分，用于提供相對(duì)柔性部。應(yīng)當(dāng)理解，這樣的布置可以與上文討論的蓋25的邊緣具有錐度的實(shí)施例相結(jié)合。 在這一情形中，應(yīng)當(dāng)理解厚度減小部分161、162的邊緣161a、16h可以有錐度。類似地，下文描述的在圖27至32中顯示的蓋的邊緣可以是有錐度的。然而，為了簡潔，這沒有對(duì)于下文討論的每一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖27所示，蓋25的相對(duì)柔性部可以通過在蓋25的下表面中形成溝槽165來提供。溝槽165導(dǎo)致了蓋25的相關(guān)部166，所述相關(guān)部166具有減小的厚度和因此減小的剛度。應(yīng)當(dāng)理解，溝槽165可以圍繞蓋25延伸。因此，在使用中，溝槽165可以定位在圍繞襯底的全部周邊延伸的、在襯底W的邊緣和襯底臺(tái)WT中的凹陷的邊緣之間的間隙上方。雖然圖27顯示一種布置，在該布置中，單個(gè)溝槽165設(shè)置在蓋25的下表面中，但是應(yīng)當(dāng)理解可以設(shè)置多個(gè)溝槽用于增加蓋25的部分的柔性。然而，通常期望保持蓋25的主體的足夠部分具有相對(duì)高的剛度，即具有全部的厚度的蓋的部分，用于幫助確保蓋25不會(huì)在使用中過度變形。如圖觀顯示，可以組合圖沈和27中顯示的布置?；蛘哒f，蓋25可以具有在蓋25 的一個(gè)或更多的邊緣處的厚度減小的部分161、162，且還可以設(shè)置有在蓋25的下表面上的一個(gè)或更多的溝槽165。在對(duì)應(yīng)的另外的布置中，如分別在圖四至31中顯示的，蓋25的主體可以由連接至材料171的至少一個(gè)支撐部的材料的平坦部170形成。材料的平坦部170和材料171的支撐部的組合提供了具有全部厚度并因此具有相對(duì)高的剛度的蓋25的主體的部分。蓋25 的主體的部分提供了具有相對(duì)低的剛度的厚度減小的蓋25的部分161、162，所述主體的部分由沒有被材料171的支撐部支撐的平坦材料170形成。同理，材料171的兩個(gè)支撐部之間的間隙提供了溝槽165，該溝槽165提供蓋25的相對(duì)柔性部。雖然未在圖沈至31中顯示，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的這一方面中的蓋25可以包括諸如在上文討論的支撐件，包括將蓋25連接至致動(dòng)器系統(tǒng)的支撐件。圖32顯示了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中蓋25的主體被一個(gè)或更多的支撐件172 支撐。如圖所示，蓋25具有在蓋25的每一邊緣處的厚度減小部161、162，從而提供了蓋25 的相對(duì)柔性部。另外，溝槽165設(shè)置在蓋25的下表面中。溝槽165被定位成使得每一溝槽在蓋25的各自的邊緣和在一個(gè)或更多的支撐件172的位置之間的位置處圍繞蓋25延伸。 因此，溝槽165提供蓋25的另外的相對(duì)柔性部。應(yīng)當(dāng)理解，在這一布置的變形中，可以省略蓋25的一個(gè)或更多的相對(duì)柔性部。本發(fā)明的實(shí)施例可以通過以下方面來實(shí)現(xiàn)在本發(fā)明的第一方面中，提供一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)具有上表面和在所述上表面中的凹陷，所述凹陷配置成容納和支撐襯底；流體處理結(jié)構(gòu)，配置成將浸沒流體包含在靠近位于所述凹陷中的襯底和/或所述襯底臺(tái)的上表面的空間中；蓋，所述蓋包括平坦主體，所述平坦主體在使用中圍繞襯底從所述上表面延伸至所述襯底的上主面的周邊部，用于覆蓋所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙；和浸沒流體薄膜破壞器，配置成在所述襯底臺(tái)相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的移動(dòng)期間破壞在所述蓋的邊緣和被所述流體處理結(jié)構(gòu)包含的浸沒流體之間的浸沒流體薄膜的形成。在根據(jù)上述第一方面的第二方面中，所述浸沒流體薄膜破壞器包括有錐度的所述蓋的邊緣，使得所述蓋的厚度橫過所述邊緣逐漸減小。在根據(jù)上述第二方面的第三方面中，有錐度的所述蓋的部分的表面相對(duì)于所述襯底的上主面的角度被基于從下述因素中選擇的一個(gè)或更多個(gè)進(jìn)行選擇在所述流體的彎液面在所述蓋上面時(shí)所述襯底臺(tái)在使用中相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的預(yù)期速度、在所述預(yù)期速度下所述流體在所述蓋上的動(dòng)態(tài)接觸角、和/或在所述預(yù)期速度下所述流體在所述襯底上的動(dòng)態(tài)接觸角。在根據(jù)上述第二或第三方面的第四方面中，有錐度的所述蓋的部分的表面相對(duì)于所述襯底的所述上主面的角度在從約15°至45°的范圍內(nèi)，從約15°至30°的范圍內(nèi)，或是約20°。在根據(jù)上述第二方面至第四方面中任一方面的第五方面中，有錐度的所述蓋的部分的表面相對(duì)于所述襯底的所述上主面的角度，使得在使用中在所述流體的彎液面橫跨所述蓋的所述部分時(shí)，所述蓋的所述部分上的所述流體的動(dòng)態(tài)接觸角與所述蓋的所述部分的所述表面的所述角度之差，大于在使用中所述流體在所述襯底上的所述動(dòng)態(tài)接觸角。在根據(jù)上述第一方面至第五方面中任一方面的第六方面中，所述浸沒流體薄膜破壞器包括形成在所述蓋的上表面、所述邊緣或這兩者上的表面輪廓，所述表面輪廓在所述表面中具有多個(gè)局部變化。在根據(jù)上述第六方面的第七方面中，所述局部變化包括脊、溝、凸起、凹坑和/或其它的突出部或凹陷。在根據(jù)上述第二方面至第七方面中任一方面的第八方面中，所述浸沒流體薄膜破壞器包括在與所述襯底和/或襯底臺(tái)的上表面相對(duì)的所述流體處理結(jié)構(gòu)的表面上形成的多個(gè)分立的氣體射流。在根據(jù)上述第八方面的第九方面中，所述氣體射流中每一個(gè)配置成在形成浸沒液體薄膜時(shí)提供氣體流到所述浸沒液體薄膜上。在根據(jù)上述第八或第九方面的第十方面中，，所述多個(gè)氣體射流由形成在所述流體處理結(jié)構(gòu)的所述表面中的對(duì)應(yīng)的多個(gè)孔提供。在根據(jù)上述第八方面至第十方面中任一方面的第十一方面中，，其中所述流體處理結(jié)構(gòu)的所述表面包括圍繞所述空間的一排開口，浸沒流體被包含在所述空間中，所述開口配置成抽取浸沒流體以便將所述浸沒流體包含在所述空間中；且所述多個(gè)氣體射流設(shè)置在所述一排開口的外部。在本發(fā)明的第十二方面中，提供一種用在浸沒光刻設(shè)備中的蓋，所述浸沒光刻設(shè)備包括具有基本上平坦的上表面的襯底臺(tái)，在所述基本上平坦的上表面中形成了凹陷，所述凹陷配置成容納和支撐襯底，所述蓋包括基本上平坦的主體，所述基本上平坦的主體在使用中圍繞所述襯底從所述上表面延伸至所述襯底的上主面的周邊部，用于覆蓋所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙，其中，所述蓋包括浸沒流體薄膜破壞器，所述浸沒流體薄膜破壞器配置成在所述襯底臺(tái)相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的移動(dòng)期間破壞在所述蓋的邊緣和被所述浸沒光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)所包含的浸沒流體之間的浸沒流體薄膜的形成。在本發(fā)明的第十三方面中，提供一種設(shè)計(jì)用在浸沒光刻設(shè)備中的蓋的方法，所述浸沒光刻設(shè)備包括具有基本上平坦的上表面的襯底臺(tái)，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容納和支撐襯底，所述蓋包括基本上平坦的主體，所述基本上平坦的主體在使用中圍繞所述襯底從所述上表面延伸至所述襯底的上主面的周邊部，以便覆蓋所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙，其中所述蓋的邊緣是有錐度的，使得所述蓋的厚度橫過所述邊緣逐漸減??；和所述方法包括步驟選擇有錐度的所述蓋的所述部分的表面相對(duì)于所述襯底的上主面的角度，使得在使用中所述蓋的所述部分在所述襯底臺(tái)相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的移動(dòng)期間破壞在所述蓋的所述邊緣和被所述光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)所包含的浸沒流體之間的浸沒流體薄膜的形成。在根據(jù)上述第十三方面的第十四方面中，有錐度的所述蓋的所述部分的表面相對(duì)于所述襯底的上主面的角度被基于從下述因素中選擇的一個(gè)或更多個(gè)進(jìn)行選擇在所述流體的彎液面在所述蓋上面時(shí)所述襯底臺(tái)在使用中相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的預(yù)期速度、在所述預(yù)期速度下所述流體在所述蓋上的動(dòng)態(tài)接觸角、和在所述預(yù)期速度下所述流體在所述襯底上的動(dòng)態(tài)接觸角。在本發(fā)明的第十五方面中，提供一種形成用在浸沒光刻設(shè)備中的蓋的方法，所述方法包括步驟根據(jù)上述第十三或第十四方面所述的方法設(shè)計(jì)蓋；和根據(jù)所述設(shè)計(jì)形成所述蓋。在本發(fā)明的第十六方面中，一種用在浸沒光刻設(shè)備中的蓋，所述蓋根據(jù)上述第十五方面所述的方法制造。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在例如IC(集成電路)制造中，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有制造具有微米尺度或甚至納米尺度的特征的其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(IXD)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語 “晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下， 可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其它襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、248、193、157或126nm的波長)。在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以表示各種類型的光學(xué)部件中的任何一個(gè)或組合，包括折射式的和反射式的光學(xué)部件。為了操作本發(fā)明的部件(例如致動(dòng)器)中的一個(gè)或更多的移動(dòng)，可以設(shè)置一個(gè)或更多的控制器?？刂破骺梢跃哂杏糜诮邮?、處理和發(fā)送信號(hào)的任何適合的配置。例如，每一控制器可以包括一個(gè)或更多的處理器，用以執(zhí)行包括用于上述方法的機(jī)器可讀指令的計(jì)算機(jī)程序?？刂破骺梢园ù鎯?chǔ)這樣的計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)和/或用以容納這種介質(zhì)的硬件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以以與上述明確描述的不同的方式來實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以采用包含用于描述如上面公開的方法的一個(gè)或更多的機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲(chǔ)其中的這樣的計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)的形式。另外，機(jī)器可讀指令可以內(nèi)嵌于兩個(gè)或更多的計(jì)算機(jī)程序中。所述兩個(gè)或更多的計(jì)算機(jī)程序可以被儲(chǔ)存在一個(gè)或更多的不同的存儲(chǔ)器和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)中。所述計(jì)算機(jī)程序可以適合于控制如在此處所提及的控制器。本發(fā)明的一個(gè)或更多的實(shí)施例可以應(yīng)用到任何浸沒式光刻設(shè)備，尤其是但不限于上面提到的那些類型的光刻設(shè)備，而且不論浸沒液體是否以浴器的形式提供，或僅在襯底的局部表面區(qū)域上提供，或在襯底和/或襯底臺(tái)上是非限制性的。在非限制的布置中，浸沒液體可以在所述襯底臺(tái)和/或襯底的表面上流動(dòng)，使得基本上襯底臺(tái)和/或襯底的整個(gè)未覆蓋的表面都被浸濕。在這種非限制浸沒系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)可以不限制浸沒液體，或者其可以提供一定比例的浸沒液體限制，但不是基本上完全地對(duì)浸沒液體進(jìn)行限制。這里提到的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該被廣義地解釋。在某些實(shí)施例中，液體供給系統(tǒng)可以是一種機(jī)構(gòu)或多個(gè)結(jié)構(gòu)的組合，其提供液體到投影系統(tǒng)與襯底和/或襯底臺(tái)之間的空間。液體供給系統(tǒng)可以包括用于將液體供給至空間的一個(gè)或更多的結(jié)構(gòu)、一個(gè)或更多的液體入口、一個(gè)或更多的氣體入口、一個(gè)或更多的氣體出口、和/或一個(gè)或更多的液體出口的組合。在一實(shí)施例中，所述空間的表面可以是襯底和/或襯底臺(tái)的一部分，或者所述空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺(tái)的表面，或者所述空間可以包圍襯底和/或襯底臺(tái)。所述液體供給系統(tǒng)可以可選地進(jìn)一步包括用于控制液體的位置、數(shù)量、品質(zhì)、形狀、流量或其它任何特征的一個(gè)或更多的元件。此外，雖然已經(jīng)在特定的實(shí)施例和例子的情形中公開了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可以超出特定公開的實(shí)施例擴(kuò)展至其它可替代的實(shí)施例和/或本發(fā)明的使用以及它們的明顯的修改和等同物。另外，雖然已經(jīng)詳細(xì)地顯示且描述了本發(fā)明的許多變體，但是落入到本發(fā)明的范圍內(nèi)的其它的修改基于本發(fā)明的公開內(nèi)容對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是容易明白的。例如，設(shè)想可以對(duì)實(shí)施例的特定的特征和方面進(jìn)行各種組合或子組合，且它們?nèi)匀宦淙氲奖景l(fā)明的范圍內(nèi)。因此，應(yīng)當(dāng)理解，所公開的實(shí)施例的各種特征和方面可以彼此結(jié)合或替換，用以形成所公開的發(fā)明的變化的模式。因此，意圖是此處所公開的本發(fā)明的范圍不應(yīng)當(dāng)僅由上述的特定公開的實(shí)施例所限制，而是應(yīng)當(dāng)僅由對(duì)隨附的權(quán)利要求的合理解釋來確定。以上描述旨在進(jìn)行解釋，而不是限制性的。因而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解， 在不背離所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍的前提下可以對(duì)所描述的本發(fā)明進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)具有上表面和在所述上表面中的凹陷，所述凹陷配置成容納和支撐襯底；流體處理結(jié)構(gòu)，配置成將浸沒流體包含在靠近位于所述凹陷中的襯底和/或所述襯底臺(tái)的上表面的空間中；蓋，所述蓋包括平坦主體，所述平坦主體在使用中圍繞襯底從所述上表面延伸至所述襯底的上主面的周邊部，用于覆蓋所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙；和浸沒流體薄膜破壞器，配置成在所述襯底臺(tái)相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的移動(dòng)期間破壞在所述蓋的邊緣和被所述流體處理結(jié)構(gòu)包含的浸沒流體之間的浸沒流體薄膜的形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述浸沒流體薄膜破壞器包括有錐度的所述蓋的邊緣，使得所述蓋的厚度橫過所述邊緣逐漸減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻設(shè)備，其中有錐度的所述蓋的部分的表面相對(duì)于所述襯底的上主面的角度被基于從下述因素中選擇的一個(gè)或更多個(gè)進(jìn)行選擇在所述流體的彎液面在所述蓋上面時(shí)所述襯底臺(tái)在使用中相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的預(yù)期速度、在所述預(yù)期速度下所述流體在所述蓋上的動(dòng)態(tài)接觸角、和/或在所述預(yù)期速度下所述流體在所述襯底上的動(dòng)態(tài)接觸角。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光刻設(shè)備，其中有錐度的所述蓋的部分的表面相對(duì)于所述襯底的所述上主面的角度在從約15°至45°的范圍內(nèi)，從約15°至30°的范圍內(nèi)，或是約 20°。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中有錐度的所述蓋的部分的表面相對(duì)于所述襯底的所述上主面的角度，使得在使用中在所述流體的彎液面橫跨所述蓋的所述部分時(shí)，所述蓋的所述部分上的所述流體的動(dòng)態(tài)接觸角與所述蓋的所述部分的所述表面的所述角度之差，大于在使用中所述流體在所述襯底上的所述動(dòng)態(tài)接觸角。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述浸沒流體薄膜破壞器包括形成在所述蓋的上表面、所述邊緣或這兩者上的表面輪廓，所述表面輪廓在所述表面中具有多個(gè)局部變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述浸沒流體薄膜破壞器包括在與所述襯底和/或襯底臺(tái)的上表面相對(duì)的所述流體處理結(jié)構(gòu)的表面上形成的多個(gè)分立的氣體射流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻設(shè)備，其中所述流體處理結(jié)構(gòu)的所述表面包括圍繞所述空間的一排開口，浸沒流體被包含在所述空間中，所述開口配置成抽取浸沒流體以便將所述浸沒流體包含在所述空間中；且所述多個(gè)氣體射流設(shè)置在所述一排開口的外部。
9.一種用在浸沒光刻設(shè)備中的蓋，所述浸沒光刻設(shè)備包括具有基本上平坦的上表面的襯底臺(tái)，在所述基本上平坦的上表面中形成了凹陷，所述凹陷配置成容納和支撐襯底，所述蓋包括基本上平坦的主體，所述基本上平坦的主體在使用中圍繞所述襯底從所述上表面延伸至所述襯底的上主面的周邊部，用于覆蓋所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙，其中，所述蓋包括浸沒流體薄膜破壞器，所述浸沒流體薄膜破壞器配置成在所述襯底臺(tái)相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的移動(dòng)期間破壞在所述蓋的邊緣和被所述浸沒光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)所包含的浸沒流體之間的浸沒流體薄膜的形成。
10. 一種形成用在浸沒光刻設(shè)備中的蓋的方法，所述方法包括步驟 根據(jù)一種設(shè)計(jì)用在浸沒光刻設(shè)備中的蓋的方法來設(shè)計(jì)蓋，所述浸沒光刻設(shè)備包括具有基本上平坦的上表面的襯底臺(tái)，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容納和支撐襯底，所述蓋包括基本上平坦的主體，所述基本上平坦的主體在使用中圍繞所述襯底從所述上表面延伸至所述襯底的上主面的周邊部，以便覆蓋所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙，其中所述蓋的邊緣是有錐度的，使得所述蓋的厚度橫過所述邊緣逐漸減??；和所述設(shè)計(jì)方法包括步驟選擇有錐度的所述蓋的所述部分的表面相對(duì)于所述襯底的上主面的角度，使得在使用中所述蓋的所述部分在所述襯底臺(tái)相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的移動(dòng)期間破壞在所述蓋的所述邊緣和被所述光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu)所包含的浸沒流體之間的浸沒流體薄膜的形成；和根據(jù)所述設(shè)計(jì)形成所述蓋。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻設(shè)備、光刻設(shè)備中的蓋和設(shè)計(jì)光刻設(shè)備中的蓋的方法。所述光刻設(shè)備具有流體處理結(jié)構(gòu)，所述流體處理結(jié)構(gòu)配置成將浸沒流體包含在靠近襯底臺(tái)和/或位于所述襯底臺(tái)的凹陷中的所述襯底的上表面的空間中；蓋，所述蓋包括平坦主體，所述平坦主體在使用中圍繞襯底從所述上表面延伸至所述襯底的上主面的周邊部，用于覆蓋所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙；和浸沒流體薄膜破壞器，配置成在所述襯底臺(tái)相對(duì)于所述流體處理結(jié)構(gòu)的移動(dòng)期間破壞在所述蓋的邊緣和被所述流體處理結(jié)構(gòu)包含的浸沒流體之間的浸沒流體薄膜的形成。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102193333SQ201110064190
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月16日
發(fā)明者N·J·J·羅塞特, N·坦卡特, R·W·L·拉法瑞, S·舒勒波夫 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司